고효율 다결정 실리콘 잉곳 제조장치
Номер патента: KR100916843B1
Опубликовано: 14-09-2009
Автор(ы): 김도천, 김영관, 김영조, 조영상
Принадлежит: 김영조, 조영상
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 14-09-2009
Автор(ы): 김도천, 김영관, 김영조, 조영상
Принадлежит: 김영조, 조영상
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for manufacturing highly pure silicon, highly pure silicon obtained by this method, and silicon raw material for manufacturing highly pure silicon
Номер патента: US10167199B2. Автор: Jiro Kondo,Shinji Tokumaru,Yutaka Kishida,Masataka Hiyoshi,Shigeru Nakazawa,Hitoshi Dohnomae,Kozo Onoue. Владелец: Silicio Ferrosolar SL. Дата публикации: 2019-01-01.