Method of superposing T-type gate electrode and method of superposing T-type low resistance metal
Номер патента: JP3229550B2
Опубликовано: 19-11-2001
Автор(ы): オー ユンギー, パーク チュルソン, パーク ビュンソン, ピュン クワンユイ, ヤン ジェオンウック
Принадлежит: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI
Опубликовано: 19-11-2001
Автор(ы): オー ユンギー, パーク チュルソン, パーク ビュンソン, ピュン クワンユイ, ヤン ジェオンウック
Принадлежит: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI
Method of forming a high-frequency transistor T gate electrode
Номер патента: US5776820A. Автор: Yamato Ishikawa,Tomoyuki Kamiyama. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-07.