基于干涉增强结构的胶体量子点红外焦平面阵列及制备方法
Номер патента: CN110943138B
Опубликовано: 08-10-2021
Автор(ы): 刘明政, 唐鑫
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 08-10-2021
Автор(ы): 刘明政, 唐鑫
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Backside configured surface plasmonic structure for infrared photodetector and imaging focal plane array enhancement
Номер патента: US09780240B2. Автор: Xuejun Lu,Guiru Gu,Puminun Vasinajindakaw. Владелец: University of Massachusetts UMass. Дата публикации: 2017-10-03.