用于增强mis结构的电绝缘和动态性能的方法和结构
Номер патента: CN102569093A
Опубликовано: 11-07-2012
Автор(ы): A·伯兹, C·科科瑞斯, D·雷皮克, G·莫瑞尔
Принадлежит: STMICROELECTRONICS SRL
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 11-07-2012
Автор(ы): A·伯兹, C·科科瑞斯, D·雷皮克, G·莫瑞尔
Принадлежит: STMICROELECTRONICS SRL
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method including a formation of a transistor and semiconductor structure including a first transistor and a second transistor
Номер патента: US09685457B2. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.