Methods of forming nand flash memory with fixed charge
Номер патента: US20080242006A1
Опубликовано: 02-10-2008
Автор(ы): George Matamis, Henry Chien, James Kai, Takashi Orimoto
Принадлежит: SanDisk Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-10-2008
Автор(ы): George Matamis, Henry Chien, James Kai, Takashi Orimoto
Принадлежит: SanDisk Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of forming floating gate array of flash memory device
Номер патента: US20070141785A1. Автор: Jong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.