• Главная
  • Methods of forming nand flash memory with fixed charge

Methods of forming nand flash memory with fixed charge

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of forming floating gate array of flash memory device

Номер патента: US20070141785A1. Автор: Jong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Method of fabricating a self-aligned split gate flash memory cell

Номер патента: US6562673B2. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-05-13.

Method of forming FLASH cell array having reduced word line pitch

Номер патента: US20070087502A1. Автор: Chen Chung-Zen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Method of forming gate of flash memory cell

Номер патента: US20050142726A1. Автор: Chul Yoon. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of forming gate of flash memory device

Номер патента: US20080003754A1. Автор: Cheol Mo Jeong,Jung Geun Kim,Whee Won Cho,Seong Hwan Myung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of forming floating gate array of flash memory device

Номер патента: US7413953B2. Автор: Jong Woon Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Method of forming a floating gate in flash memory device

Номер патента: KR100426487B1. Автор: 박성기,김기석,이근우,심근수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-04-14.

Flash memory and method of forming flash memory

Номер патента: US20030064563A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Methods of forming FLASH memories

Номер патента: US20030027390A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Method of fabricating flash memory with shallow and deep junctions

Номер патента: US20020137283A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Wen-Jer Tsai,Tso Fan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of forming low-resistivity connections in non-volatile memories

Номер патента: US20010049176A1. Автор: Alfonso Maurelli,Nicola Zatelli,Massimo Ati. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Method of manufacturing NAND flash memory device

Номер патента: US20070117318A1. Автор: In Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-24.

Nand flash memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090294829A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Three-dimensional flash memory and method of forming the same

Номер патента: US12120873B2. Автор: Chia-Tze Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Three-dimensional memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240268111A1. Автор: Pi-Shan Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of fabricating a flash memory and an isolating structure applied to a flash memory

Номер патента: US20100230778A1. Автор: Shen-De Wang,Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20040014283A1. Автор: Toshitaka Yamamoto,Shouji Satou. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-01-22.

High density flash memory device , cell string fabricating method thereof

Номер патента: US20100038698A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2010-02-18.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US7696043B2. Автор: Byoung ki Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-13.

Method of making separate sidewall oxidation of a flash memory cell

Номер патента: EP1535337B1. Автор: Danny Shum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-12-15.

NAND falsh memory device and method of forming well of NAND flash memory device

Номер патента: TW200537650A. Автор: Hee-Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-16.

Method of forming a contact in a flash memory device

Номер патента: GB2427755B. Автор: Dominik Olligs,Nicolas Nagel. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-10.

Method of forming a resistor in a flash memory device

Номер патента: KR100672160B1. Автор: 박병수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-19.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US7235449B2. Автор: Eun Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20060258106A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20070210358A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Three-dimensional flash memory having improved degree of integration, and manufacturing method therefor

Номер патента: US12120872B2. Автор: Yunheub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US20080081450A1. Автор: Byoung ki Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Fabrication method for a flash memory device

Номер патента: US20040203204A1. Автор: Chun-Lein Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240357811A1. Автор: Chia-Tze Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Vertical NAND flash memory device

Номер патента: US09899406B2. Автор: Kyoung-hoon Kim,HongSoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US6815322B2. Автор: Toshitaka Yamamoto,Shouji Satou. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-09.

Methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry

Номер патента: EP1603152A3. Автор: Tyler A. Lowrey,Alan R. Reinberg,Luan C. Tran,D Mark Durcan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-16.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180342671A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US6316313B1. Автор: Keun Woo Lee,Sung Kee Park,Ki Seog Kim,Sang Hoan Chang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-13.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240298442A1. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing ferroelectric-based 3-dimensional flash memory

Номер патента: US20240196624A1. Автор: Changhwan Choi,Yunheub Song,JaeMin SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of forming a flash memory

Номер патента: US20090117727A1. Автор: Chih-Hsiung Hung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Magnetic tunnel junctions and methods of forming magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3044815A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09627620B2. Автор: Chungi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of monitoring a source contact in a flash memory

Номер патента: US6391665B1. Автор: Keun Woo Lee,Jin Shin,Ki Seog Kim,Sang Hoan Chang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-21.

Method of forming a single poly cylindrical flash memory cell having high coupling ratio

Номер патента: US6103575A. Автор: Ko-Hsing Chang. Владелец: Worldwide Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100112770A1. Автор: Yoshitaka Kubota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Flash memory structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180182769A1. Автор: Chun-Yen Chang,Chun-Hu CHENG,Yu-Chien Chiu. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2018-06-28.

Method of forming a isolation film in flash memory device

Номер патента: KR100418304B1. Автор: 이성은. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-14.

Method of forming an isolation layer in flash memory device

Номер патента: KR100972681B1. Автор: 이상수,동차덕,정우리,손현수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-27.

Method of forming a gate in a flash memory device

Номер патента: KR100671626B1. Автор: 이정웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

Method of forming contact plug in a flash memory device

Номер патента: KR20080030309A. Автор: 김완수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-04.

Method of improving erase voltage distribution for a flash memory array having dummy wordlines

Номер патента: US20060007752A1. Автор: Zhigang Wang,Nian Yang,Shenqing Fang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-01-12.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Vertical NAND flash memory array

Номер патента: US7148538B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20210408301A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230268447A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

NAND flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12119411B2. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Floating gate separation in NAND flash memory

Номер патента: US09595444B2. Автор: Atsushi Shimoda,Takuya Sakurai,Toshiya Yokota. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Floating Gate Separation in NAND Flash Memory

Номер патента: US20160336182A1. Автор: Atsushi Shimoda,Takuya Sakurai,Toshiya Yokota. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-17.

3D NAND flash memory devices, and related electronic systems

Номер патента: US12096626B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Operating method of NAND flash memory unit

Номер патента: US9437309B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Adaptive read recovery for NAND flash memory devices

Номер патента: US12107603B1. Автор: Nedeljko Varnica,Nirmal Shende. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013882A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: EP3913656A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20190198647A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20170338330A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200013883A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20200020789A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10644139B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10833179B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10615270B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Method of making split gate non-volatile flash memory cell

Номер патента: US10276696B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-30.

Vertical and 3D memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09589979B2. Автор: Shih-Ping Hong. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Flash memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030003663A1. Автор: Sung Jung,Kwi KIM,Sung Sim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Flash memory cell with a flair gate

Номер патента: US20080277712A1. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-11-13.

Flash memory cell with flair gate

Номер патента: US9190531B2. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-11-17.

Flash memory cell with a gate having a flaring shape and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008140661A1. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-11-20.

Flash memory cell

Номер патента: US20230103976A1. Автор: Wan-Chun Liao,Ping-Chia Shih,Chia-Min Hung,Che-Hao Kuo,Ssu-Yin LIU,Kuei-Ya Chuang,Po-Hsien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

3d memory device and method of forming seal structure

Номер патента: US20240234339A9. Автор: Teng-Hao Yeh,Cheng-Yu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Discharge circuits for a nand flash memory

Номер патента: US20240296894A1. Автор: Liang Qiao,Weiwei He,Mingxian LEI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Split gate cells for embedded flash memory

Номер патента: US09450057B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ru-Liang Lee,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Material server and method of storing material

Номер патента: US20100332733A1. Автор: Toshio Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for controlling nand flash memory to implement convolution operation

Номер патента: US20240193224A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for packaging flash memory cards

Номер патента: EP1788852A3. Автор: Chin-Tong Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-26.

Methods of Forming Charge-Trapping Regions

Номер патента: US20160027883A1. Автор: Nishant Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Methods of forming charge-trapping regions

Номер патента: US09431493B2. Автор: Nishant Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Embedded memory and methods of forming the same

Номер патента: US09929168B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Devices having multiple threshold voltages and method of fabricating such devices

Номер патента: US09536880B2. Автор: Qintao Zhang,Aimin Xing. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

NAND flash memory systems with efficient soft information interface

Номер патента: US09467170B2. Автор: Gregory Burd,Shashi Kiran CHILAPPAGARI. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US09899096B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of operating flash memory unit

Номер патента: US09640252B1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US09583204B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Base station and method of controlling data transmission

Номер патента: RU2500084C2. Автор: Садаюки АБЭТА,Анил УМЕШ,Ацуси ХАРАДА. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2013-11-27.

Method of operating storage device

Номер патента: US10790035B2. Автор: Seok Cheon Kwon,Young Joon Choi. Владелец: Essencore Ltd. Дата публикации: 2020-09-29.

Method of operating storage device

Номер патента: US20190362796A1. Автор: Seok Cheon Kwon,Young Joon Choi. Владелец: Essencore Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Operating method of nand flash memory unit

Номер патента: US20160078952A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of forming 3D vertical NAND with III-V channel

Номер патента: US09685454B2. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-20.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Self-aligned nanodots for 3d nand flash memory

Номер патента: WO2018148170A1. Автор: SUNG Won Jun,Er-Xuan Ping,Saurabh Chopra,Thomas Jongwan Kwon. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-08-16.

Self-aligned nanodots for 3d nand flash memory

Номер патента: US20180233359A1. Автор: Er-Xuan Ping,Saurabh Chopra,Thomas Jongwan Kwon,Sungwon JUN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040159878A1. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US6972455B2. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-06.

High density flash memory cell device, cell string and fabrication method therefor

Номер патента: US20110254076A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09935116B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09768184B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

NAND flash memory with reduced planar size

Номер патента: US11778819B2. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20090035938A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

Decoding method, associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20200226021A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Decoding method, associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20190050287A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Method of semiconductor package singulation

Номер патента: WO2007103036A3. Автор: Hem Takiar,Chin-Tien Chiu,Chih Chiang Tung. Владелец: Chih Chiang Tung. Дата публикации: 2007-11-08.

Method of semiconductor package singulation

Номер патента: WO2007103036A2. Автор: Hem Takiar,Chin-Tien Chiu,Chih Chiang Tung. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2007-09-13.

Memory controllers and flash memory reading methods

Номер патента: US09647695B2. Автор: Kyung-Jin Kim,Jun-Jin Kong,Eun-cheol Kim,Se-jin Lim,Ung-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Error mitigation for 3d nand flash memory

Номер патента: US20180068726A1. Автор: Seung-Hwan Song,Zvonimir Z. Bandic,Viacheslav Anatolyevich DUBEYKO. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Microelectronic devices, memory devices, and 3d nand flash memory devices

Номер патента: US20240015972A1. Автор: Haitao Liu,Kunal R. Parekh. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Flash memory with assistant gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20200365700A1. Автор: Cheng-Yuan Hsu,Hann-Jye Hsu. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Methods of making bulk metallic glass from powder and foils

Номер патента: US20180080109A1. Автор: Naoto Matsuyuki,Yoshihiko Yokoyama,Theodore A. Waniuk. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Methods of forming CoSi2, methods of forming field effect transistors, and methods of forming conductive contacts

Номер патента: US20070032071A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-08.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US20170062431A1. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Vertically integrated flash memory cell and method of fabricating a vertically integrated flash memory cell

Номер патента: US20040041198A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Method of forming a capacitor and an electrical connection thereto, and method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20010055850A1. Автор: Howard Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

3-dimensional flash memory having air gap, and method for manufacturing same

Номер патента: US12082417B2. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of Forming Metal Silicide Regions on a Semiconductor Device

Номер патента: US20130015527A1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Secure boot method of iot apparatus and iot apparatus

Номер патента: EP4432148A1. Автор: Ze Jin. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Apparatuses including stair-step structures and methods of forming the same

Номер патента: US09870990B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US09847336B2. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-19.

FinFET device and method of forming

Номер патента: US09837539B1. Автор: Yi-Wei Chiu,Xi-Zong Chen,Cha-Hsin Chao,Te-Chih Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming graphene nanopattern by using mask formed from block copolymer

Номер патента: US09748108B2. Автор: Seongjun Park,Yunseong LEE,Seongjun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods of forming vertical memory strings, and methods of forming vertically-stacked structures

Номер патента: US09627550B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Processing method of substrate and manufacturing method of liquid ejection head

Номер патента: US09552984B2. Автор: Ryoji Kanri,Atsushi Hiramoto,Atsunori Terasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Apparatuses including stair-step structures and methods of forming the same

Номер патента: US09466531B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of manufacturing an embedded split-gate flash memory device

Номер патента: US09443946B2. Автор: Jing Zhang,Liqun Zhang,Huilin MA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Cell operation methods using gate-injection for floating gate nand flash memory

Номер патента: US20080080248A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Flash memory cell string

Номер патента: US20090184362A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2009-07-23.

NAND flash memory devices having shielding lines between wordlines and selection lines

Номер патента: US7821825B2. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-26.

Nand flash memory devices having shielding lines between wordlines and selection lines

Номер патента: US20090135647A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-28.

Method of patterning capacitors and capacitors made thereby

Номер патента: US20040063278A1. Автор: Haoren Zhuang,Ulrich Egger,Karl Hornik,Jenny Lian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Method of patterning capacitors and capacitors made thereby

Номер патента: WO2004030069A2. Автор: Haoren Zhuang,Ulrich Egger,Karl Hornik,Jenny Lian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-08.

High density vertical structure nitride flash memory

Номер патента: WO2009102458A1. Автор: Seiki Ogura,Nori Ogura,Tomoko Ogura Iwasaki. Владелец: Gumbo Logic, Inc.. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of forming contact hole and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060134910A1. Автор: Pin-Yao Wang,Min-San Huang,Leon Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Variable resistance memory with lattice array using enclosing transistors

Номер патента: US11763885B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Methods of forming transistors and devices comprising transistors

Номер патента: US20220189828A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120069487A1. Автор: Tatsuya Nakamura,Hitoshi Noguchi,Naoki Tanaka. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-22.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20120064709A1. Автор: Kyung-yub Jeon,Je-woo Han,Jun-ho Yoon,Kyoung-sub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-15.

Capacitors, methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor dielectric layers

Номер патента: US20030045050A1. Автор: John Moore,Scott DeBoer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Method of manufacturing heat sink and heat sink

Номер патента: US20210138592A1. Автор: Keiichi Takahashi,Kazuto Arai. Владелец: Nakamura Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

High Density Vertical Structure Nitride Flash Memory

Номер патента: US20140219030A1. Автор: Seiki Ogura,Nori Ogura,Tomoko Iwasaki. Владелец: Halo LSI Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20030017680A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Garo Derderian,M. Visokay,J. Drynan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Method of forming carbon layer and method of forming interconnect structure

Номер патента: US20220068633A1. Автор: Hyeonjin Shin,Keunwook SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of forming wiring pattern, and method of forming source electrode and drain electrode for TFT

Номер патента: US20060051500A1. Автор: Toshimitsu Hirai,Shinri Sakai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Method of Forming Contacts for Devices with Multiple Stress Liners

Номер патента: US20120299160A1. Автор: Peter Baars,Thilo Scheiper,Marco Lepper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Post bump and method of forming the same

Номер патента: US20090184420A1. Автор: Chang-Sup Ryu,Seung-Hyun Cho,Seung-Wan Kim,Jin-won Choi. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-23.

Method of producing substrate and method of producing display device

Номер патента: US20190350085A1. Автор: Mikihiro Noma. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Method of forming connector press-connecting terminal

Номер патента: US20020031957A1. Автор: Yujiro Imai. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Method of forming p-n junction on zno thin film and p-n junction thin film

Номер патента: US20030183818A1. Автор: Young-Chang Kim,Sang-Yeol Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor packaging structure and method of forming the same

Номер патента: US20190319010A1. Автор: Boo Yang Jung,Jason Au. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-10-17.

Manufacturing method of electrode outer casing

Номер патента: US12103289B2. Автор: Satoshi Nakashima. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of forming conductive bumps for cooling device connection

Номер патента: US09899296B2. Автор: Perre Kao,Chun-Jen Chen,You-Hua Chou,Yi-Jen LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09825043B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Alignment structures and methods of forming same

Номер патента: US09646944B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Operating method of flash memory system

Номер патента: US09639421B2. Автор: Dae-sung Kim,Jeong-Seok Ha,Su-Hwang JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-05-02.

Computer having flash memory and method of operating flash memory

Номер патента: US20090024843A1. Автор: Byung Yoon CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-01-22.

Driving system and driving method of display panel

Номер патента: US12067926B2. Автор: BO XIAO. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Non-destructive mode cache programming in NAND flash memory devices

Номер патента: US11894075B2. Автор: Jason Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of controlling program operation of flash memory device with reduced program time

Номер патента: US20070002614A1. Автор: Byoung Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Method of abrading both faces of work piece

Номер патента: US20020058465A1. Автор: Tsuyoshi Hasegawa,Tadakazu Miyashita,Norihiko Moriya,Atsushi Kajikura. Владелец: Fujikoshi Machinery Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

Method of reading page data of nand flash memory device

Номер патента: KR101348354B1. Автор: 황선모. Владелец: 주식회사 디에이아이오. Дата публикации: 2014-01-08.

Method of reading page data of nand flash memory device

Номер патента: KR20130133935A. Автор: 황선모. Владелец: 주식회사 디에이아이오. Дата публикации: 2013-12-10.

Method of programming selection transistors for NAND flash memory

Номер патента: US8995192B2. Автор: Simone Bartoli,Osama Khouri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-31.

Methods of applying read voltages in nand flash memory arrays

Номер патента: US20090052252A1. Автор: Jin-Yub Lee,Hoo-Sung Kim,Hyung-seok Kang,Eui-gyu Han,Gyeong-Soo Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Driving system and driving method of display panel

Номер патента: US20240013701A1. Автор: BO XIAO. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of forming a gate pattern in flash memory device

Номер патента: KR100673195B1. Автор: 양인권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-22.

METHOD OF DECREASING WRITE AMPLIFICATION OF NAND FLASH USING A JOURNAL APPROACH

Номер патента: US20170139822A1. Автор: Guyot Cyril,Dubeyko Viacheslav Anatolyevich. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

Memory apparatus and method of evenly using the blocks of a flash memory

Номер патента: CN101458956A. Автор: 张文忠,林建成. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2009-06-17.

Programming methods of memory systems having a multilevel cell flash memory

Номер патента: US7755950B2. Автор: Jin-Hyeok Choi,Jae-Sung Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-13.

Method of Controlling a Program Control of a Flash Memory Device

Номер патента: US20090285025A1. Автор: Gi Seok Ju. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-19.

Method of managing and writing log file for flash memory

Номер патента: KR100939814B1. Автор: 정무경,안대현,하신수. Владелец: 주식회사 휴원. Дата публикации: 2010-02-02.

Program method of blocking program error for multi bit flash memory device

Номер патента: KR100794311B1. Автор: 이승재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-11.

Flash memory and associated methods

Номер патента: WO2008083125A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati,Daniel Elmhurst,Ercole Diiorio. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2008-07-10.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: US12056007B2. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of storing a file and an electronic device

Номер патента: RU2712823C1. Автор: Хуаци ХАО,Юаньли ГАНЬ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-01-31.

Flash memory device and method of operation

Номер патента: US20110255337A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for regulating reading voltage of NAND flash memory device

Номер патента: US09558816B2. Автор: Seung-Hyun Han,Sun-Mo Hwang. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

System and method for pre-soft-decoding tracking for NAND flash memories

Номер патента: US12039191B2. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Defect management policies for NAND flash memory

Номер патента: US09535777B2. Автор: FENG ZHU,Pranav Kalavade,Ravi H. MOTWANI,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Nand flash memory with integrated bit line capacitance

Номер патента: WO2010138219A1. Автор: Chulmin Jung,Brian Lee,Dadi Setiadi,Yong Lu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-12-02.

Flash memory with programmable endurance

Номер патента: EP1891529A2. Автор: Menachem Lasser,Dani Dariel. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2008-02-27.

Nand flash memory programming

Номер патента: US20100202217A1. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Nand flash memory programming with floating substrate

Номер патента: WO2008027409A3. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Ramin Ghodsi. Дата публикации: 2008-07-03.

Nand flash memory programming with floating substrate

Номер патента: WO2008027409A2. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-03-06.

NAND flash memory programming

Номер патента: US20080049518A1. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: US20240161840A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for using nand flash memory sram in solid state drive controller

Номер патента: US20230152999A1. Автор: CHAOHONG HU,Chun Liu,Jea Woong Hyun,Xin LIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Dynamic Management of a NAND Flash Memory

Номер патента: US20190228827A1. Автор: Po-Chien Chang,Jia-Jyun Syu,Bo-Shian Hsu. Владелец: Goke US Research Laboratory. Дата публикации: 2019-07-25.

Method of Operating a NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189789A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of operating a NAND flash memory device

Номер патента: US9620231B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

NAND flash reliability with rank modulation

Номер патента: US09983808B2. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck,Anxiao Jiang,Eyal EN GAD. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of and device for removing separate articles or groups of articles from cascade flow

Номер патента: RU2252185C2. Автор: БЕРНИ Клаудио. Владелец: Фераг Аг. Дата публикации: 2005-05-20.

Control method and controller of 3D NAND flash

Номер патента: US20210350853A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Qiguang Wang,Wenzhe WEI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Control method for nand flash memory to complete xnor operation

Номер патента: US20240194271A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10366770B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10658058B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Two-terminal memory compatibility with NAND flash memory set features type mechanisms

Номер патента: US09727258B1. Автор: Kuk-Hwan Kim,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

System and method for pre-soft-decoding tracking for nand flash memories

Номер патента: US20230221879A1. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for nand flash memory to complete convolution operation of multi-bit data

Номер патента: US20240194230A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Nand flash memory and method for destroying information from the nand flash memory

Номер патента: US20190206496A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Nand flash storage device and methods using non-nand storage cache

Номер патента: US20180314434A1. Автор: Dana L. Simonson. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-11-01.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20240290397A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

NAND flash memory and reading method thereof

Номер патента: US09564236B2. Автор: Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Nand flash memory and program method thereof

Номер патента: US20170140826A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Managing programming errors in nand flash memory

Номер патента: US20200234780A1. Автор: Thomas Mittelholzer,Nikolaos Papandreou,Roman Alexander Pletka. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Nand flash memory controller and storage apparatus applying the same

Номер патента: US20200075107A1. Автор: Shih-Fu Huang,Cheng-Yu Chen,Shu-Min Lin,Jo-Hua WU. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: WO2024103238A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of programming flash memory

Номер патента: US20240112737A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Devin Verreck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-04-04.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Dual edge access nand flash memory

Номер патента: WO2008093947A1. Автор: Un Sik Seo. Владелец: Mgine Co., Ltd.. Дата публикации: 2008-08-07.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US20240320142A1. Автор: Yen-Yu Jou,Kun-Cheng Lai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method and data processing apparatus for restructuring input data to be stored in a multi-level nand flash memory

Номер патента: US20240329851A1. Автор: Sami ALSALAMIN. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2024-10-03.

Non-volatile semiconductor memory with high reliability and data erasing method thereof

Номер патента: US09715935B2. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Flash memory storage device for adjusting efficiency in accessing flash memory

Номер патента: US20090204746A1. Автор: Nei-Chiung Perng,Ju-Peng Chen. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

Apparatus and method for optimized NAND flash memory management for devices with limited resources

Номер патента: US20100241786A1. Автор: Fan Zhang,Satpreet Singh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-23.

Method of erasing NAND flash memory device

Номер патента: US20050185471A1. Автор: Keun Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-25.

Flash memory with programmable endurance

Номер патента: WO2006131915A2. Автор: Menachem Lasser,Dani Dariel. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2006-12-14.

Control method for flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US12014063B2. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Driving circuits for a memory cell array in a NAND-type flash memory device

Номер патента: EP1191542A3. Автор: Young-Ho Lim,Jung-Hoon Park,Suk-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-07.

Method for Erasing Data of NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20080158994A1. Автор: Hea Jong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Hierarchical common source line structure in nand flash memory

Номер патента: WO2009079783A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2009-07-02.

Method and apparatus for caching address mapping information in flash memory based storage device

Номер патента: US20230289091A1. Автор: Yi-Kai Pai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A2. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Error Checking and Correction for NAND Flash Devices

Номер патента: US20160283324A1. Автор: Jente B. Kuang,Gi-Joon Nam,Shawn P. Authement. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Control method for flash memory controller and associated flash memory controller and memory device

Номер патента: US20220066687A1. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Flash memory and wear leveling method thereof

Номер патента: US20240265964A1. Автор: Masato Ono,Masaru Yano,Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US20240319897A1. Автор: Yen-Yu Jou,Kun-Cheng Lai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods and apparatus for NAND flash memory

Номер патента: US12100460B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device and compensation method of data retention thereof

Номер патента: US20240304264A1. Автор: Chih-Chang Hsieh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Control method of memory device and associated flash memory controller

Номер патента: US20240329871A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Device selection schemes in multi chip package NAND flash memory system

Номер патента: US09524778B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

NAND type flash memory controller, and clock control method therefor

Номер патента: KR100878527B1. Автор: 박향숙. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-01-13.

NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189788A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Nand flash memory device capable of selectively erasing one flash memory cell and operation method thereof

Номер патента: US20230128347A1. Автор: Jong-ho Lee,Honam YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

NAND flash memory device

Номер патента: US9627082B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Increasing the Available Flash Memory of a Microcontroller

Номер патента: US20160357484A1. Автор: Arnd Schaffert. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: US20240302965A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: US20240319916A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: WO2024186388A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US12040023B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Flash memory device including deduplication, and related methods

Номер патента: US09841918B2. Автор: Jun Jin Kong,Avner Dor,Elona Erez. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Flash memory, flash memory system and operating method of the same

Номер патента: US09812213B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method, medium, and apparatus for re-programming flash memory of a computing device

Номер патента: US09430220B2. Автор: Ansaf I. Alrabady,Alan D. Wist. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2016-08-30.

Cyclosporine suspensions a of form 2

Номер патента: RU2641963C2. Автор: Анурадха В. ГОР,Прем Сваруп МОХАНТИ,Э. Квинн ФАРНЕС. Владелец: Аллерган, Инк.. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of forming transport road (versions)

Номер патента: RU2582685C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2016-04-27.

NAND flash memory array architecture having low read latency and low program disturb

Номер патента: US9245639B1. Автор: Dae Hyun Kim,Anil Gupta,Jong Oh Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Method of producing adiponitrile

Номер патента: RU2373191C2. Автор: Филипп Леконт,Беатрис БАРАТО. Владелец: Родиа Шими. Дата публикации: 2009-11-20.

Method for controlling nand flash memory to complete neural network operation

Номер патента: US20240194249A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Device and method of controlling flash memory

Номер патента: EP2329381A1. Автор: Jongmin Lee,Donghee Lee,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-08.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US7986565B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-26.

Program method of flash memory device

Номер патента: US20080123429A1. Автор: Seong Je Park,Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Device and method of controlling flash memory

Номер патента: WO2010018886A1. Автор: Jongmin Lee,Donghee Lee,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2010-02-18.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Nand flash memory and method for managing data thereof

Номер патента: US20110099435A1. Автор: Kai-Ping Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Address encryption method for flash memories

Номер патента: WO2004051482A3. Автор: Markus Feuser,Sabine Sommer. Владелец: Sabine Sommer. Дата публикации: 2004-11-25.

Address encryption method for flash memories

Номер патента: WO2004051482A2. Автор: Markus Feuser,Sabine Sommer. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2004-06-17.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Method and circuit for performing read operation in a nand flash memory

Номер патента: US20090003079A1. Автор: Jiro Kishimoto. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method of handling trim command in flash memory and related memory controller and storage system thereof

Номер патента: US20240256465A1. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and circuit for performing read operation in a NAND flash memory

Номер патента: US7577033B2. Автор: Jiro Kishimoto. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-18.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US12135889B2. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Method and device for protecting data of flash memory

Номер патента: US09455041B2. Автор: Kwang-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Page buffer circuit for NAND flash memory

Номер патента: US09305649B1. Автор: Jong Oh Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-05.

Method of forming three-dimensional images in coatings

Номер патента: RU2590880C2. Автор: Петер КЛАУТЕР,Томас ГЁТЦ. Владелец: Мерк Патент Гмбх. Дата публикации: 2016-07-10.

Method of forming blade edge

Номер патента: RU2725946C2. Автор: Сергей Георгиевич Бирюков. Владелец: Сергей Георгиевич Бирюков. Дата публикации: 2020-07-07.

Method of sandwiched panel assembly and shaping

Номер патента: RU2516508C2. Автор: Эндрю ЛЕВЕРС,Гари УИЛЕС. Владелец: Эйрбас Оперэйшнз Лимитед. Дата публикации: 2014-05-20.

Interruptible nand flash memory

Номер патента: CA2768212C. Автор: John G. Bennett. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Nand flash memory devices and methods of lsb/msb programming the same

Номер патента: US20090080251A1. Автор: Hyung-Gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-26.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Method of forming nanopattern and substrate having pattern formed using the method

Номер патента: EP1999513A1. Автор: Seung-Tae Oh,Sang-Choll Han,Deok-Joo Kim,Matthias Henyk. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2008-12-10.

Method of manufacturing multi-segmented optical fiber and preform

Номер патента: US20020189296A1. Автор: Michael Cain,Richard Fiacco,Liam dePaor,Robert Desorcie,Cynthia Giroux. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Flash memory device and method of erasing

Номер патента: US20030128591A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck,Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-10.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: WO2008155550A3. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: WO2008155550A2. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Limited. Дата публикации: 2008-12-24.

Thin film magnetic head, method of manufacturing the same and method of forming magnetic layer pattern

Номер патента: US20020034045A1. Автор: Yoshitaka Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Flash memory device and method of operating the same

Номер патента: US20090040826A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Mats of glass fibers and pulp fibers and their method of manufacture

Номер патента: EP1218595A1. Автор: Daojie Dong. Владелец: Owens Corning. Дата публикации: 2002-07-03.

Partial page fail bit detection in flash memory devices

Номер патента: WO2008005735A2. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-01-10.

Information processing apparatus including NAND flash memory, and information processing method for the same

Номер патента: US20050157554A1. Автор: Katsuhiko Yanagawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Nonvolatile memory and method of restoring of failure memory cell

Номер патента: US20040264245A1. Автор: Ken Matsubara,Tomoyuki Fujisawa,Takayuki Tamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: EP2158562A2. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Ltd. Дата публикации: 2010-03-03.

Flash memory device having a calibration mode

Номер патента: US12072817B2. Автор: Liji GOPALAKRISHNAN,Pravin Kumar Venkatesan,Kashinath Ullhas Prabhu,Makarand Ajit Shirasgaonkar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-27.

Program code loading method of application and computing system using the same

Номер патента: US09715398B2. Автор: Chien-Hsing Huang. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of obtaining protection elements and hologram

Номер патента: RU2640711C2. Автор: Николай А. ГРИГОРЕНКО,Мишель РИШЕР,Ролан ФЛЕРИ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2018-01-11.

Multi-layer fabric and its method of its manufacture

Номер патента: RU2507332C2. Автор: Роберт А. ХЭНСЕН. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2014-02-20.

Method of applying solid solder

Номер патента: RU2420375C2. Автор: Лудвиг ВИРЕС. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2011-06-10.

Method of forming a section of engagement in a part

Номер патента: RU2726515C2. Автор: Томас БЕТТЕРМАНН. Владелец: Хомаг Борзюстеме Гмбх. Дата публикации: 2020-07-14.

Techniques for supporting erasure coding with flash memory controller

Номер патента: US11023315B1. Автор: Robert Lercari,Mike Jadon,Craig Robertson. Владелец: Radian Memory Systems Inc. Дата публикации: 2021-06-01.

Charge packet programming for nand flash non-volatile memory

Номер патента: EP4345825A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Devin Verreck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-04-03.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20220343983A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Apparatus for controlling NAND flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US12009035B2. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Methods of synthesizing lipstatin derivatives

Номер патента: US20240228451A1. Автор: Zeeshan KAMAL,Apparao BOKKA,Gopalakrishna AKURATHI,Gary Richard Lee. Владелец: Panafina Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: EP4392975A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

A method of enhancing ethanol fermentation

Номер патента: WO2021186164A1. Автор: Andrew John LEE. Владелец: Lytegro Limited. Дата публикации: 2021-09-23.

Fabrication methods of a luneburg lens

Номер патента: US20240227329A9. Автор: Andrey Kobyakov,Gregory Kobyakov. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

A method of enhancing ethanol fermentation

Номер патента: CA3175585A1. Автор: Andrew John LEE. Владелец: Lytegro Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

A method of enhancing ethanol fermentation

Номер патента: AU2021236950A1. Автор: Andrew John LEE. Владелец: Lytegro Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

A method of enhancing ethanol fermentation

Номер патента: EP4121509A1. Автор: Andrew John LEE. Владелец: Lytegro Ltd. Дата публикации: 2023-01-25.

Fibrin particles and methods of forming fibrin particles

Номер патента: US12030918B2. Автор: John Oakey,Alan STENQUIST. Владелец: UNIVERSITY OF WYOMING. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods of forming objects by diffusion welding of foils

Номер патента: EP3452245A1. Автор: David Myron Lineman,Martin Herbert Goller. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2019-03-13.

Mesh containers and method of making

Номер патента: WO2006014707A9. Автор: Christopher Hardy,Hsi-Ming Cheng,Neal R Post. Владелец: Design Ideas Ltd. Дата публикации: 2006-05-11.

Method of manufacturing nozzle plate

Номер патента: US20070054221A1. Автор: Tsutomu Yokouchi. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-08.

Method of producing a collapsible hat

Номер патента: US20140109291A1. Автор: Shane Douglas Smith. Владелец: BUYSEASONS Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Method of manufacturing liquid jet head

Номер патента: US20050185025A1. Автор: Masato Shimada,Tetsushi Takahashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of forming article, coated powder and article

Номер патента: US11945030B2. Автор: David A. Stewart. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Mainboard device and update method of basic input-output system thereof

Номер патента: US20240143053A1. Автор: Keng Hao HSU,Che Min Liao. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of forming an article of footwear incorporating a knitted upper with tensile strand

Номер патента: EP3673758A2. Автор: John Droege,Daniel A. Podhajny. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2020-07-01.

Method of forming an article of footwear incorporating a knitted upper with tensile strand

Номер патента: EP3673758A3. Автор: John Droege,Daniel A. Podhajny. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2020-09-02.

Method of forming an article of footwear incorporating a knitted upper with tensile strand

Номер патента: EP3041379A1. Автор: John Droege,Daniel A. Podhajny. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2016-07-13.

Method of forming an article of footwear incorporating a knitted upper with tensile strand

Номер патента: WO2015034568A1. Автор: John Droege,Daniel A. Podhajny. Владелец: Nike Innovate C.V.. Дата публикации: 2015-03-12.

Method of managing independent word line read operation in flash memory and related memory controller and storage device

Номер патента: US12067247B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Optical recording medium, and method of manufacturing same

Номер патента: US20010017841A1. Автор: Shin Masuhara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Method of manufacturing slider

Номер патента: US20090238952A1. Автор: Mitsuru Kubo,Satoshi Tomita,Masayuki Hamakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-09-24.

Serial NAND flash with XIP capability

Номер патента: US12086615B2. Автор: Chun-Lien Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing housing

Номер патента: EP3750650A1. Автор: Haruhiko Tan,Shota Tominaga. Владелец: Kawasaki Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2020-12-16.

Method of producing casing

Номер патента: US20210213518A1. Автор: Haruhiko Tan,Shota Tominaga. Владелец: Kawasaki Jukogyo KK. Дата публикации: 2021-07-15.

Near field transducers (NFTS) and methods of making

Номер патента: US09928859B2. Автор: Michael C. Kautzky,Martin Blaber,Mark H. Ostrowski,David Michael Grundman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Article and method of forming an article

Номер патента: US09849510B2. Автор: Benjamin Paul Lacy,Srikanth Chandrudu Kottilingam,David Edward Schick,Sandip Dutta. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-12-26.

Starting method of liquid crystal display

Номер патента: US09812048B2. Автор: Lei Wang,Yu Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming a template

Номер патента: WO1993015475A1. Автор: William John Welsh,Mark Andrew Shackleton. Владелец: BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY. Дата публикации: 1993-08-05.

Method and apparatus for protecting lower page data during programming in NAND flash

Номер патента: US09703494B1. Автор: Pranav Kalavade,Shantanu R. Rajwade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of making mesh containers with a rail and mesh container formed therefrom

Номер патента: US09687074B2. Автор: Christopher Hardy,Hsi-Ming Cheng,R. Neal Post. Владелец: Design Ideas Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Manufacturing method of glass forming body and forming die

Номер патента: US09650278B2. Автор: Katsuhiro Suzuki,Shiro Funatsu,Tomoharu Hayashi. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

METHOD OF PROGRAMMING SELECTION TRANSISTORS FOR NAND FLASH MEMORY

Номер патента: US20130258780A1. Автор: Khouri Osama,Bartoli Simone. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-10-03.

METHODS OF FLASH DUAL INLINE MEMORY MODULES WITH FLASH MEMORY

Номер патента: US20130003288A1. Автор: Okin Kenneth A.,Kanapathippillai Ruban. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-03.

METHOD OF BURN-IN TEST OF EEPROM OR FLASH MEMORIES

Номер патента: US20130064015A1. Автор: Tailliet François. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2013-03-14.

The method of persistence index metadata is postponed in flash-memory storage system

Номер патента: CN103268291B. Автор: 陆游游,舒继武. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-02-24.

Novel embedded NOR flash memory process with NAND cell and true logic compatible low voltage device

Номер патента: US20120001233A1. Автор: Lee Peter Wung,Hsu Fu-Chang,Ma Han-Rei. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE MEMORY WITH OVONIC THRESHOLD SWITCH AND RESISTIVE MEMORY ELEMENT

Номер патента: US20120002461A1. Автор: Karpov Elijah I.,Spadini Gianpaolo Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SCANNING APPARATUS AND CONTROL METHOD OF DOCUMENT SIZE DETECTION LIGHT SOURCE

Номер патента: US20120002247A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIGITAL BROADCASTING SYSTEM AND METHOD OF PROCESSING DATA IN DIGITAL BROADCASTING SYSTEM

Номер патента: US20120002748A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120003966A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ADAPTIVE DATA READER AND METHOD OF OPERATING

Номер патента: US20120000982A1. Автор: Gao WenLiang,Cherry Craig D.. Владелец: Datalogic Scanning, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PHOTOGRAPHING APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120002065A1. Автор: PARK Wan Je,Seung Jung Ah. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

PDK INHIBITOR COMPOUNDS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004284A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MONITORING CAMERA AND METHOD OF TRACING SOUND SOURCE

Номер патента: US20120002047A1. Автор: Kim Sung Jin,AN Kwang Ho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ALLOCATING RADIO RESOURCE

Номер патента: US20120002634A1. Автор: Seok Yong Ho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METABOLIC BIOMARKERS FOR OVARIAN CANCER AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004854A1. Автор: Gray Alexander,Guan Wei,Fernandez Facundo M.,McDonald John,Zhou Manshui. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ION MOBILITY SPECTROMETRY SYSTEMS AND ASSOCIATED METHODS OF OPERATION

Номер патента: US20120004862A1. Автор: Davis Eric J.,Hill,JR. Herbert H.. Владелец: WASHINGTON STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Refining The Grain Structure Of Alloys

Номер патента: US20120000317A1. Автор: Flemings Merton C.,Ragone David V.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF PROCESSING IMAGE, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20120002879A1. Автор: . Владелец: OLYMPUS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20120003587A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING A DRESSING

Номер патента: US20120001366A1. Автор: . Владелец: BOEHRINGER TECHNOLOGIES, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Номер патента: US20120002347A1. Автор: Balliette William M.,Jamison Keith D.. Владелец: FARADOX ENERGY STORAGE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Preparing Non-Alcohol Bioactive Esential Oil Mouth Rinses

Номер патента: US20120003162A1. Автор: Mordas Carolyn J.,Queiroz Daniel R.,Tsai Patrick B.. Владелец: McNeil-PPC, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods Of Enhancing Antibody-Dependent Cellular Cytotoxicity

Номер патента: US20120003213A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANURACTURING METHOD OF EGG WITH EDIBLE COMPOSITION

Номер патента: US20120003368A1. Автор: LEE Hye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003385A1. Автор: Naito Ryusuke. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003393A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SATIATION POUCHES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004590A1. Автор: Stack Richard S.,Williams Michael S.,Glenn Richard A.,Athas William L.,LUNSFORD John,Balbierz Dan. Владелец: Barosense, Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method of Making Tapered Looped Suture

Номер патента: US20120004686A1. Автор: Maiorino Nicholas,Bowns William R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPRESSION SPRINGS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120000073A1. Автор: . Владелец: Renton Coil Spring Company. Дата публикации: 2012-01-05.

SOL-GEL MONOLITHIC COLUMN WITH OPTICAL WINDOW AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000850A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF NON-AQUEOUS INKJET COMPOSITE PRINTING AND INK SET

Номер патента: US20120001979A1. Автор: WATANABE Yoshifumi,YAMAMOTO Akiko. Владелец: RISO KAGAKU CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-LAYER PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A PANEL

Номер патента: US20120002288A1. Автор: Maass Uwe. Владелец: MUSION SYSTEMS LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING A TERNARY ALLOY CATALYST FOR FUEL CELL

Номер патента: US20120003569A1. Автор: Protsailo Lesia V.,Kawamura Tetsuo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Liquid Crystal Display Device And Method Of Manufacturing That

Номер патента: US20120004453A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Permanent joint of parts and method of its realizing

Номер патента: RU2181447C2. Автор: В.И. Соснин. Владелец: Соснин Валерий Иванович. Дата публикации: 2002-04-20.

ELECTROLYTIC METHOD OF FUEL

Номер патента: US20120000788A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

GAMING SYSTEM AND A METHOD OF GAMING

Номер патента: US20120004021A1. Автор: Shai-Hee Michael A.. Владелец: Aristocrat Technologies Australia Pty Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DETECTING BATTERY INTERNAL RESISTANCE

Номер патента: US20120004875A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: WO2024196515A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of forming areflux esophageal-enteric anastomosis

Номер патента: RU2437623C2. Автор: Игорь Александрович Ли. Владелец: Игорь Александрович Ли. Дата публикации: 2011-12-27.

Acoustic horn and method of making same (versions)

Номер патента: RU2519852C1. Автор: Алексей Юрьевич Химичев. Владелец: Алексей Юрьевич Химичев. Дата публикации: 2014-06-20.

Method of forming decorative vinegrove head

Номер патента: RU2473206C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2013-01-27.

Method of forming active layer of tubular catalyst

Номер патента: RU2401699C1. Автор: Юрий Терентьевич Синяпкин. Владелец: Юрий Терентьевич Синяпкин. Дата публикации: 2010-10-20.

Method of flexible lateral bracing erection

Номер патента: RU2334842C1. Автор: Замир Галимович Ламердонов. Владелец: Замир Галимович Ламердонов. Дата публикации: 2008-09-27.