低温多晶硅薄膜的制备方法、tft、阵列基板及显示装置
Номер патента: CN104299891B
Опубликовано: 09-06-2017
Автор(ы): 何璇, 姜春生
Принадлежит: BOE Technology Group Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-06-2017
Автор(ы): 何璇, 姜春生
Принадлежит: BOE Technology Group Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor
Номер патента: US20200395469A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.