CYLINDRICAL GERMANIUM NANOWIRE DEVICE.

CYLINDRICAL GERMANIUM NANOWIRE DEVICE

Номер патента: US20180138297A1
Опубликовано: 17-05-2018
Автор(ы): Xiao Deyuan
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method to form a cylindrical germanium nanowire device on bulk silicon substrate

Номер патента: US9905677B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method to form a cylindrical germanium nanowire device on bulk silicon substrate

Номер патента: US20160064531A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Cylindrical germanium nanowire device

Номер патента: US20180138297A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Nanowire devices

Номер патента: US20150137073A1. Автор: Bernd W. Gotsmann,Siegfried F. Karg,Heike E. Riel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Nanosheet and nanowire devices having doped internal spacers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09773886B1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Integration methods to fabricate internal spacers for nanowire devices

Номер патента: US09893167B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Seiyon Kim,Curtis W. Ward,Daniel A. SIMON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods of forming nanowire devices with doped extension regions and the resulting devices

Номер патента: US09490340B2. Автор: Jing Wan,Guillaume Bouche,Shao-Ming Koh,Andy C. Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Nanosheet and nanowire devices having source/drain stressors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09941405B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Jorge A. Kittl. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Stacked nanowire device width adjustment by gas cluster ion beam (GCIB)

Номер патента: US09437501B1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Integration methods to fabricate internal spacers for nanowire devices

Номер патента: EP3123515A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Seiyon Kim,Curtis W. Ward,Daniel A. SIMON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-01.

Stacked nanowire device width adjustment by gas cluster ion beam (gcib)

Номер патента: US20180212024A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Stacked nanowire device width adjustment by gas cluster ion beam (gcib)

Номер патента: US20180019305A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Stacked nanowire device width adjustment by gas cluster ion beam (GCIB)

Номер патента: US10096674B2. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

Stacked nanowire device width adjustment by gas cluster ion beam (GCIB)

Номер патента: US9818823B2. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Stacked nanowire device width adjustment by gas cluster ion beam (gcib)

Номер патента: US20170084690A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Stacked nanowire device width adjustment by gas cluster ion beam (GCIB)

Номер патента: US10388731B2. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-20.

Stacked nanowire device width adjustment by gas cluster ion beam (GCIB)

Номер патента: US9966430B2. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Stacked nanowire device width adjustment by gas cluster ion beam (gcib)

Номер патента: US20170084756A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Nanowire devices

Номер патента: US20130228751A1. Автор: Siegfried F. Karg,Heike E. Riel,Bernd W Gotsmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

STACKED NANOWIRE DEVICE WIDTH ADJUSTMENT BY GAS CLUSTER ION BEAM (GCIB)

Номер патента: US20180019305A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Xie Ruilong,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

STACKED NANOWIRE DEVICE WIDTH ADJUSTMENT BY GAS CLUSTER ION BEAM (GCIB)

Номер патента: US20170084756A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Xie Ruilong,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

STACKED NANOWIRE DEVICE WIDTH ADJUSTMENT BY GAS CLUSTER ION BEAM (GCIB)

Номер патента: US20180212024A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Xie Ruilong,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

Silicon and silicon germanium nanowire formation

Номер патента: US09634091B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Silicon and silicon germanium nanowire formation

Номер патента: US09935016B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20200013905A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Quantum nanowire devices

Номер патента: WO2018164656A1. Автор: Ravi Pillarisetty,David J. Michalak,James S. Clarke,Van H. Le,Willy Rachmady,Nicole K. Thomas,Hubert C. George,Kanwaljit Singh,Jeanette M. Roberts,Roman CAUDILLO,Zachary R. Yoscovits,Payam AMIN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20180204955A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

REPLACEMENT III-V OR GERMANIUM NANOWIRES BY UNILATERAL CONFINED EPITAXIAL GROWTH

Номер патента: US20170229555A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING GERMANIUM NANOWIRE CHANNEL STRUCTURES

Номер патента: US20200312981A1. Автор: Murthy Anand,BOMBERGER Cory,GHOSE Susmita,GEIGER Zachary. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

GATE-ALL-AROUND NANOWIRE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A DEVICE

Номер патента: US20170040321A1. Автор: Mitard Jerome. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

NANOWIRE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170162652A1. Автор: Hong Zhongshan. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

NANOSHEET AND NANOWIRE DEVICES HAVING DOPED INTERNAL SPACERS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170271477A1. Автор: Kittl Jorge A.,Rodder Mark S.,Palle Dharmendar Reddy. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Nanowire device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09876079B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Nanowire device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09614038B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor nanowire device having (111)-plane channel sidewalls

Номер патента: US11990476B2. Автор: Gilbert Dewey,Willy Rachmady,Cory E. Weber,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Nanowire device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170162652A1. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Silicon and silicon germanium nanowire structures

Номер патента: EP4235801A3. Автор: Peter Chang,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Willy Rachmady,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Titash Rakshit,Martin D. Giles,Seiyon Kim. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Silicon and silicon germanium nanowire structures

Номер патента: EP4235801A2. Автор: Peter Chang,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Willy Rachmady,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Titash Rakshit,Martin D. Giles,Seiyon Kim. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Silicon and silicon germanium nanowire structures

Номер патента: US09595581B2. Автор: Peter Chang,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Willy Rachmady,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Titash Rakshit,Martin D. Giles,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for forming gate-all-around nanowire device

Номер патента: US11594608B2. Автор: Huaxiang Yin,Tianchun Ye,Qingzhu ZHANG,Jiaxin YAO,Zhaohao ZHANG. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-02-28.

Nanowire device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150295036A1. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Gate-all-around integrated circuit structures having germanium nanowire channel structures

Номер патента: US11978784B2. Автор: Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Susmita Ghose,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of forming a semiconductor device comprising at least one germanium nanowire

Номер патента: US10714595B2. Автор: Liesbeth Witters,Kurt Wostyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-14.

Germanium Nanowire Fabrication

Номер патента: US20190013395A1. Автор: Liesbeth Witters,Kurt Wostyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-01-10.

Method to form stacked germanium nanowires and stacked III-V nanowires

Номер патента: US09437502B1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

SEMICONDUCTOR NANOWIRE DEVICE HAVING CAVITY SPACER AND METHOD OF FABRICATING CAVITY SPACER FOR SEMICONDUCTOR NANOWIRE DEVICE

Номер патента: US20200013905A1. Автор: Mehandru Rishabh,Cea Stephen M.,LIAO Szuya S.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

SEMICONDUCTOR NANOWIRE DEVICE HAVING CAVITY SPACER AND METHOD OF FABRICATING CAVITY SPACER FOR SEMICONDUCTOR NANOWIRE DEVICE

Номер патента: US20180204955A1. Автор: Mehandru Rishabh,Cea Stephen M.,LIAO Szuya S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Integration methods to fabricate internal spacers for nanowire devices

Номер патента: US20170053998A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Seiyon Kim,Curtis W. Ward,Daniel A. SIMON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Stacked nanowire device width adjustment by gas cluster ion beam (gcib)

NANOSHEET AND NANOWIRE DEVICES HAVING SOURCE/DRAIN STRESSORS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170271514A1. Автор: Kittl Jorge A.,Rodder Mark S.,Wang Wei-E. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

STACKED NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20170294358A1. Автор: Cheng Kangguo,Divakaruni Ramachandra,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

Silicon and Silicon Germanium Nanowire Formation

Номер патента: US20200051870A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE FORMATION

Номер патента: US20190103322A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,Ching Kuo-Cheng,DIAZ Carlos H.. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

Silicon and Silicon Germanium Nanowire Formation

Номер патента: US20200273757A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.,Chiang Kuo-Cheng,Ng Jin-Aun. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURES USING GERMANIUM NANOWIRES

Номер патента: US20170345896A1. Автор: Young Ian,AVCI Uygar,KIM Raseong. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Silicon and Silicon Germanium Nanowire Formation

Номер патента: US20220359309A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.,Chiang Kuo-Cheng,Ng Jin-Aun. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Silicon and silicon germanium nanowire formation

Номер патента: KR20170001950A. Автор: 궈 쳉 칭,카를로스 에이치 디아즈,쟝 피에르 콜린지. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2017-01-05.

Silicon and silicon germanium nanowire formation

Номер патента: KR101888274B1. Автор: 궈 쳉 칭,카를로스 에이치 디아즈,쟝 피에르 콜린지. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2018-08-13.

Silicon and silicon germanium nanowire formation

Номер патента: US11854905B2. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Silicon and Silicon Germanium Nanowire Formation

Номер патента: US20200273757A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Gate-all-around nanowire device and method for manufacturing such a device

Номер патента: US09991261B2. Автор: Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods of forming self aligned spacers for nanowire device structures

Номер патента: EP3394898B1. Автор: Anand Murthy,Karthik Jambunathan,Seiyon Kim,Jun Sung Kang,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Methods of forming self aligned spacers for nanowire device structures

Номер патента: EP3394898A1. Автор: Anand Murthy,Karthik Jambunathan,Seiyon Kim,Jun Sung Kang,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-31.

Methods of forming nanowire devices with spacers and the resulting devices

Номер патента: US20150372111A1. Автор: Jing Wan,Guillaume Bouche,Shao-Ming Koh,Andy C. Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Methods of forming nanowire devices with spacers and the resulting devices

Номер патента: US9431512B2. Автор: Jing Wan,Guillaume Bouche,Shao-Ming Koh,Andy C. Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Methods of forming a nanowire device with a gate-all-around-channel configuration and the resulting nanowire device

Номер патента: CN105280709A. Автор: B·J·帕夫拉克. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-27.

Gate-all-around nanowire device and method for manufacturing such a device

Номер патента: EP3127862A1. Автор: Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-02-08.

FABRICATION OF MULTI-CHANNEL NANOWIRE DEVICES WITH SELF-ALIGNED INTERNAL SPACERS AND SOI FINFETS USING SELECTIVE SILICON NITRIDE CAPPING

Номер патента: US20180226490A1. Автор: Le Van H.,Clendenning Scott B.,LIAO Szuya S.,MITAN Martin M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

Integration methods to fabricate internal spacers for nanowire devices

Номер патента: US09859368B2. Автор: Tahir Ghani,Mark Armstrong,Kelin J. Kuhn,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Rafael Rios,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Integration methods to fabricate internal spacers for nanowire devices

Номер патента: US09484447B2. Автор: Tahir Ghani,Mark Armstrong,Kelin J. Kuhn,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Rafael Rios,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Integration methods to fabricate internal spacers for nanowire devices

Номер патента: US20190051725A1. Автор: Tahir Ghani,Mark Armstrong,Kelin J. Kuhn,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Rafael Rios,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Integration methods to fabricate internal spacers for nanowire devices

Номер патента: US20200152738A1. Автор: Tahir Ghani,Mark Armstrong,Kelin J. Kuhn,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Rafael Rios,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Integration methods to fabricate internal spacers for nanowire devices

Номер патента: US11869939B2. Автор: Tahir Ghani,Mark Armstrong,Kelin J. Kuhn,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Rafael Rios,Seiyon Kim. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Integration methods to fabricate internal spacers for nanowire devices

Номер патента: US20210050418A1. Автор: Tahir Ghani,Mark Armstrong,Kelin J. Kuhn,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Rafael Rios,Seiyon Kim. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Integration methods to fabricate internal spacers for nanowire devices

Номер патента: US10580860B2. Автор: Tahir Ghani,Mark Armstrong,Kelin J. Kuhn,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Rafael Rios,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-03.

Integration methods to fabricate internal spacers for nanowire devices

Номер патента: US10804357B2. Автор: Tahir Ghani,Mark Armstrong,Kelin J. Kuhn,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Rafael Rios,Seiyon Kim. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-10-13.

Integration methods to fabricate internal spacers for nanowire devices

Номер патента: US10121856B2. Автор: Tahir Ghani,Mark Armstrong,Kelin J. Kuhn,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Rafael Rios,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Integration methods to fabricate internal spacers for nanowire devices

Номер патента: US11302777B2. Автор: Tahir Ghani,Mark Armstrong,Kelin J. Kuhn,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Rafael Rios,Seiyon Kim. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2022-04-12.

Integration methods to fabricate internal spacers for nanowire devices

Номер патента: WO2014004033A1. Автор: Tahir Ghani,Mark Armstrong,Kelin J. Kuhn,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Rafael Rios,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-01-03.

Integration methods to fabricate internal spacers for nanowire devices

Номер патента: US20240153995A1. Автор: Tahir Ghani,Mark Armstrong,Kelin J. Kuhn,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Rafael Rios,Seiyon Kim. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Field effect transistor structures using germanium nanowires

Номер патента: WO2016105408A1. Автор: Ian Young,Raseong Kim,Uygar Avci. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

Field effect transistor structures using germanium nanowires

Номер патента: EP3238261A4. Автор: Ian Young,Raseong Kim,Uygar Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-15.

Field effect transistor structures using germanium nanowires

Номер патента: KR102309342B1. Автор: 라성 김,우이가르 아브치,이안 영. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-10-07.

Field effect transistor structures using germanium nanowires

Номер патента: EP3238261A1. Автор: Ian Young,Raseong Kim,Uygar Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Field effect transistor structures using germanium nanowires

Номер патента: TW201635540A. Автор: 尤嘉艾維可,艾恩楊,金瑞松. Владелец: 英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2016-10-01.

NANOWIRE DEVICE WITH IMPROVED EPITAXY

Номер патента: US20160111494A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Silicon and silicon germanium nanowire structures

Номер патента: US20170133462A1. Автор: Peter Chang,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Willy Rachmady,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Titash Rakshit,Martin D. Giles,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE STRUCTURES

Номер патента: US20210226006A1. Автор: Kuhn Kelin J.,Kim Seiyon,Rios Rafael,Cea Stephen M.,Giles Martin D.,Cappellani Annalisa,Rakshit Titash,Chang Peter,Rachmady Willy. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE STRUCTURES

Номер патента: US20200227520A1. Автор: Kuhn Kelin J.,Kim Seiyon,Rios Rafael,Cea Stephen M.,Giles Martin D.,Cappellani Annalisa,Rakshit Titash,Chang Peter,Rachmady Willy. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

Silicon and silicon germanium nanowire structures

Номер патента: US10991799B2. Автор: Peter Chang,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Willy Rachmady,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Titash Rakshit,Martin D. Giles,Seiyon Kim. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-04-27.

Method for fabricating NFET and PFET nanowire devices

Номер патента: US10573564B2. Автор: Subhadeep Kal,Aelan Mosden,Cheryl Pereira. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-02-25.

Method of forming nanowire devices

Номер патента: CN114242763A. Автор: K·J·库恩,S·金,R·里奥斯,M·D·贾尔斯,P·常,W·瑞驰梅迪,S·M·赛亚,A·卡佩尔拉尼,T·拉克什特. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-03-25.

Method for producing silicon nanowire devices

Номер патента: US20130102134A1. Автор: Bin Yang,Mingsheng GUO,Xubin JING. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Replacement III-V or germanium nanowires by unilateral confined epitaxial growth

Номер патента: US09570551B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Replacement III-V or germanium nanowires by unilateral confined epitaxial growth

Номер патента: US09947775B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Replacement iii-v or germanium nanowires by unilateral confined epitaxial growth

Номер патента: US20170229555A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Germanium Nanowire Fabrication

Номер патента: US20190013395A1. Автор: Witters Liesbeth,Wostyn Kurt. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2019-01-10.

Isolated Germanium nanowire on Silicon fin

Номер патента: US7851790B2. Автор: Ravi Pillarisetty,Robert Chau,Willy Rachmady,Been-Yih Jin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-12-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having germanium nanowire channel structures

Номер патента: TW202105731A. Автор: 安拿莫希,寇利保伯格,蘇米塔葛斯,扎克瑞蓋格. Владелец: 美商英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2021-02-01.

Gate-wrap-around integrated circuit structure with germanium nanowire channel structure

Номер патента: CN111755509A. Автор: A.墨菲,C.邦伯格,S.高斯,Z.盖格. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-09.

Stacked nanowire devices

Номер патента: US09735234B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Stacked nanowire devices formed using lateral aspect ratio trapping

Номер патента: US09484405B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Stacked nanowire devices

Номер патента: US09484267B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor fin or nanowire devices with strained source/drain regions and methods of manufacturing thereof

Номер патента: EP3937256A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Yi-Ruei JHAN,Kuang-Ting PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-12.

Stacked nanowire devices

Номер патента: US20170229538A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

TOP-DOWN METHOD FOR FABRICATING NANOWIRE DEVICE

Номер патента: US20180097060A1. Автор: ZHOU MING. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor nanowire device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170162452A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Nanowire device with reduced parasitics

Номер патента: US20170186846A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

FABRICATION OF MULTI-CHANNEL NANOWIRE DEVICES WITH SELF-ALIGNED INTERNAL SPACERS AND SOI FINFETS USING SELECTIVE SILICON NITRIDE CAPPING

Номер патента: US20200287022A1. Автор: Le Van H.,Clendenning Scott B.,LIAO Szuya S.,MITAN Martin M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

Method For Forming Gate-All-Around Nanowire Device

Номер патента: US20200335596A1. Автор: Yin Huaxiang,Ye Tianchun,ZHANG Qingzhu,YAO Jiaxin,ZHANG Zhaohao. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

METHODS OF FORMING SELF ALIGNED SPACERS FOR NANOWIRE DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180358436A1. Автор: Murthy Anand,Kim Seiyon,JAMBUNATHAN KARTHIK,KANG Jun Sung,GLASS Glenn. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-12-13.

Fabrication of multi-channel nanowire devices with self-aligned internal spacers and SOI FinFETs using selective silicon nitride capping

Номер патента: US10998423B2. Автор: Scott B. Clendenning,Van H. Le,Martin M. MITAN,Szuya S. LIAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Isolation for nanowire devices

Номер патента: EP2513972B1. Автор: Uday Shah,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Willy Rachmady,Been-Yih Jin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-04.

Stacked nanowire devices formed using lateral aspect ratio trapping

Номер патента: US9917179B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor nanowire device and fabrication method thereof

Номер патента: US10083879B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Fabrication of multi-channel nanowire devices with self-aligned internal spacers and soi finfets using selective silicon nitride capping

Номер патента: WO2017052644A1. Автор: Scott B. Clendenning,Van H. Le,Martin M. MITAN,Szuya S. LIAO. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Fabrication of multi-channel nanowire devices with self-aligned internal spacers and SOI FinFETs using selective silicon nitride capping

Номер патента: TW201721761A. Автор: 凡雷,廖思雅,史考特克蘭德寧,馬丁米坦. Владелец: 英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2017-06-16.

Nanowire device with reduced parasitics

Номер патента: US20190067435A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Nanowire device with reduced parasitics

SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE FORMATION

Номер патента: US20170194215A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,Ching Kuo-Cheng,DIAZ Carlos H.. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE FORMATION

Номер патента: US20180211884A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,Ching Kuo-Cheng,DIAZ Carlos H.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

METHOD OF FORMATION OF GERMANIUM NANOWIRES ON BULK SUBSTRATES

Номер патента: US20160254350A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

High voltage-resistant lateral double-diffused transistor based on nanowire device

Номер патента: US20120199808A1. Автор: Ru Huang,Jiewen Fan,Runsheng Wang,Yujie Al,Jibin Zou,Gengyu Yang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-08-09.

Top-down method for fabricating nanowire device

Номер патента: US10304926B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-05-28.

Top-down method for fabricating nanowire device

Номер патента: US20180097060A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

NANOWIRE DEVICE WITH REDUCED PARASITICS

Номер патента: US20190067435A1. Автор: Nowak Matthew Michael,Xu Jeffrey Junhao,Yeap Choh Fei,Machkaoutsan Vladimir,SONG Stanley Seungchul,BADAROGLU Mustafa. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

STACKED NANOWIRE DEVICES FORMED USING LATERAL ASPECT RATIO TRAPPING

Номер патента: US20170092736A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

REPLACEMENT GATE NANOWIRE DEVICE

Номер патента: US20150162403A1. Автор: OXLAND Richard Kenneth. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-06-11.

NANOWIRE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150295036A1. Автор: Hong Zhongshan. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

METHOD TO FORM A CYLINDRICAL GERMANIUM NANOWIRE DEVICE ON BULK SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20160064531A1. Автор: Xiao Deyuan. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE STRUCTURES

Номер патента: US20140326952A1. Автор: Kuhn Kelin J.,Kim Seiyon,Rios Rafael,Cea Stephen M.,Giles Martin D.,Cappellani Annalisa,Rakshit Titash,Chang Peter,Rachmady Willy. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

Method of making a silicon nanowire device

Номер патента: US09660026B1. Автор: Murat Okandan,Paul J. Resnick,Bruce L. Draper. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Silicon nanowire device and method for its manufacture

Номер патента: US09536947B1. Автор: Murat Okandan,Paul J. Resnick,Bruce L. Draper. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

INTEGRATION METHODS TO FABRICATE INTERNAL SPACERS FOR NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20210050418A1. Автор: Ghani Tahir,Kuhn Kelin J.,Kim Seiyon,Rios Rafael,Rachmady Willy,Pethe Abhijit Jayant,Murthy Anand S.,Armstrong Mark. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

Integration methods to fabricate internal spacers for nanowire devices

Номер патента: US20180122901A1. Автор: Tahir Ghani,Mark Armstrong,Kelin J. Kuhn,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Rafael Rios,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

INTEGRATION METHODS TO FABRICATE INTERNAL SPACERS FOR NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20200152738A1. Автор: Ghani Tahir,Kuhn Kelin J.,Kim Seiyon,Rios Rafael,Rachmady Willy,Pethe Abhijit Jayant,Murthy Anand S.,Armstrong Mark. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

STACKED NANOWIRE DEVICE WITH VARIABLE NUMBER OF NANOWIRE CHANNELS

Номер патента: US20160225916A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-08-04.

INTEGRATION METHODS TO FABRICATE INTERNAL SPACERS FOR NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20190214461A1. Автор: Ghani Tahir,Kuhn Kelin J.,Kim Seiyon,Rios Rafael,Rachmady Willy,Pethe Abhijit Jayant,Murthy Anand S.,Armstrong Mark. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

STACKED NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20170229538A1. Автор: Cheng Kangguo,Divakaruni Ramachandra,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE STRUCTURES

Номер патента: US20150303258A1. Автор: Kuhn Kelin J.,Kim Seiyon,Rios Rafael,Cea Stephen M.,Giles Martin D.,Cappellani Annalisa,Rakshit Titash,Chang Peter,Rachmady Willy. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Removal of a bottom-most nanowire from a nanowire device stack

Номер патента: US20190333990A1. Автор: Rishabh Mehandru,Aaron Lilak,Sean Ma,Patrick Keys,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Removal of a bottom-most nanowire from a nanowire device stack

Номер патента: US20210159312A1. Автор: Rishabh Mehandru,Aaron Lilak,Sean Ma,Patrick Keys,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

REPLACEMENT GATE NANOWIRE DEVICE

Номер патента: US20160027871A1. Автор: OXLAND Richard Kenneth. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

REMOVAL OF A BOTTOM-MOST NANOWIRE FROM A NANOWIRE DEVICE STACK

Номер патента: US20210159312A1. Автор: Mehandru Rishabh,LILAK Aaron,MA Sean,CEA Stephen,Keys Patrick. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-05-27.

SEMICONDUCTOR NANOWIRE DEVICE HAVING (111)-PLANE CHANNEL SIDEWALLS

Номер патента: US20220310600A1. Автор: Rachmady Willy,Dewey Gilbert,Kennel Harold W.,WEBER Cory E.. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

REMOVAL OF A BOTTOM-MOST NANOWIRE FROM A NANOWIRE DEVICE STACK

Номер патента: US20190333990A1. Автор: Mehandru Rishabh,LILAK Aaron,MA Sean,CEA Stephen,Keys Patrick. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-10-31.

Wire-Last Integration Method and Structure for III-V Nanowire Devices

Номер патента: US20140203238A1. Автор: Lauer Isaac,Chang Josephine B.,Sleight Jeffrey W.,Majumdar Amlan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-24.

Method of manufacturing a semiconductor nanowire device

Номер патента: EP2038919B1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Fred Hurx. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-03-11.

Methods for forming germanium and silicon germanium nanowire devices

Номер патента: US09911660B2. Автор: Hyungsuk Alexander Yoon,Zhongwei Zhu. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

METHOD OF FORMATION OF GERMANIUM NANOWIRES ON BULK SUBSTRATES

Номер патента: US20160071931A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

INTEGRATION METHODS TO FABRICATE INTERNAL SPACERS FOR NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20170047400A1. Автор: Kuhn Kelin J.,Kim Seiyon,Rios Rafael,Rachmady Willy,Pethe Abhijit Jayant,Murthy Anand S.,Armstrong Mark,GHAN! Tahir. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

METHOD FOR FABRICATING NFET AND PFET NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20180315665A1. Автор: Kal Subhadeep,Mosden Aelan,Pereira Cheryl. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

High efficiency broadband semiconductor nanowire devices and methods of fabricating without foreign catalysis

Номер патента: US8669544B2. Автор: Kai CUI,Zetian Mi,Hieu Pham Trung Nguyen. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2014-03-11.

SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE FORMATION

Номер патента: US20160056236A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,Ching Kuo-Cheng,DIAZ Carlos H.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Tapered nanowire device for quantum computing

Номер патента: EP4427561A1. Автор: Haim BEIDENKOPF. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Tapered nanowire device for quantum computing

Номер патента: WO2023079561A1. Автор: Haim BEIDENKOPF. Владелец: Yeda Research and Development Co. Ltd.. Дата публикации: 2023-05-11.

6t sram architecture for gate-all-around nanowire devices

Номер патента: US20140312426A1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Karthik Balakrishnan,Paul Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

METHODS OF FORMING NANOWIRE DEVICES WITH METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR SOURCE/DRAIN CONTACTS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150333162A1. Автор: Bouche Guillaume,Wei Andy C.,WAN Jing,Koh Shao-Ming. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-11-19.

Graded heterojunction nanowire device

Номер патента: US20160149001A1. Автор: Richard Kenneth Oxland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US10553496B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Forming multi-stack nanowires using a common release material

Номер патента: US20160293699A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Forming multi-stack nanowires using a common release material

Номер патента: US20160293733A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Forming multi-stack nanowires using a common release material

Номер патента: US9502500B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Forming multi-stack nanowires using a common release material

Номер патента: US20160372546A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Support for long channel length nanowire transistors

Номер патента: US09922942B2. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Karthik Balakrishnan,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Forming multi-stack nanowires using a common release material

Номер патента: US09780166B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Support for long channel length nanowire transistors

Номер патента: US09691715B2. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Karthik Balakrishnan,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Support for long channel length nanowire transistors

Номер патента: US09627330B2. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Karthik Balakrishnan,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Forming multi-stack nanowires using a common release material

Номер патента: US09502500B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

STACKED NANOWIRE DEVICE WITH VARIABLE NUMBER OF NANOWIRE CHANNELS

Номер патента: US20150069328A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-12.

METHOD FOR FORMING A NANOWIRE DEVICE

Номер патента: US20190393097A1. Автор: Smith Jeffrey,Tapily Kandabara,Leusink Gerrit. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Method for production of germanium nanowires encapsulated within multi-walled carbon nanotubes

Номер патента: US09950926B2. Автор: Mark Crocker,Rodney Andrews,Arumugam Pandurangan,Dali Qian. Владелец: University of Kentucky Research Foundation. Дата публикации: 2018-04-24.

METHODS FOR FORMING GERMANIUM AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20170309521A1. Автор: Yoon Hyungsuk Alexander,Zhu Zhongwei. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

IMPLEMENTING A HYBRID FINFET DEVICE AND NANOWIRE DEVICE UTILIZING SELECTIVE SGOI

Номер патента: US20170005112A1. Автор: Lauer Isaac,Chang Josephine B.,Chang Leland,Sleight Jeffrey W.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

METHODS OF FORMING NANOWIRE DEVICES WITH DOPED EXTENSION REGIONS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150372115A1. Автор: Bouche Guillaume,Wei Andy C.,WAN Jing,Koh Shao-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Method of manufacturing nano device by arbitrarily printing nanowire devices thereon and intermediate building block useful for the method

Номер патента: KR101197037B1. Автор: 이태일,백홍구,명재민. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-11-06.

Replacement gate nanowire device

Номер патента: US20160027871A1. Автор: Richard Kenneth Oxland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

INTEGRATION METHODS TO FABRICATE INTERNAL SPACERS FOR NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20190051725A1. Автор: Ghani Tahir,Kuhn Kelin J.,Kim Seiyon,Rios Rafael,Rachmady Willy,Pethe Abhijit Jayant,Murthy Anand S.,Armstrong Mark. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

IN NANOWIRE, DEVICE USING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING In NANOWIRE

Номер патента: US20140138611A1. Автор: LEE Kyung Ho,Ham Suk Jin,KIM Mi Yang,KIM Gyu Seok,CHUNG Hee Suk,KANG Han Wool. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-05-22.

SINGLE WORK FUNCTION ENABLEMENT FOR SILICON NANOWIRE DEVICE

Номер патента: US20190221483A1. Автор: Mulfinger George,Beasor Scott,MCARDLE Timothy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-07-18.

Wire-Last Integration Method and Structure for III-V Nanowire Devices

Номер патента: US20140203290A1. Автор: Lauer Isaac,Chang Josephine B.,Sleight Jeffrey W.,Majumdar Amlan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-24.

Graded heterojunction nanowire device

Номер патента: US9590084B2. Автор: Richard Kenneth Oxland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing nanowire device

Номер патента: CN109830525B. Автор: 李俊杰,杨红,王文武,马雪丽,王晓磊,李永亮,李超雷. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-02-22.

Epitaxial growth of in-plane nanowires and nanowire devices

Номер патента: US8785226B2. Автор: Steven R. J. Brueck,Seung Chang Lee. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2014-07-22.

NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20150137073A1. Автор: Karg Siegfried F.,Riel Heike E.,Gotsmann Bernd W.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Method for producing core-shell nanowires, nanowires produced by the method and nanowire device comprising the nanowires

Номер патента: US20100327258A1. Автор: Eun Kyung Lee,Byoung Lyong Choi,Kyung Sang CHO,Jai Yong HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-30.

Nanowire device and method of making

Номер патента: WO2008054832A3. Автор: Islamshah S Amlani,Pawitter S Mangat. Владелец: Pawitter S Mangat. Дата публикации: 2009-03-26.

6T SRAM Architecture For Gate-All-Around Nanowire Devices

Номер патента: US20140315363A1. Автор: Chang Josephine B.,Guillorn Michael A.,Chang Paul,Balakrishnan Karthik. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-23.

Method for making III-V nanowire quantum well transistor

Номер патента: US09837517B2. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for making III-V nanowire quantum well transistor

Номер патента: US09640615B1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Nanowire transistors employing carbon-based layers

Номер патента: US20190221641A1. Автор: Nabil G. Mistkawi,Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE FORMATION

Номер патента: US20150053928A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,Ching Kuo-Cheng,DIAZ Carlos H.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-02-26.

Insulating layer for planarization and definition of the active region of a nanowire device

Номер патента: US20160172538A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2016-06-16.

IMPLEMENTING A HYBRID FINFET DEVICE AND NANOWIRE DEVICE UTILIZING SELECTIVE SGOI

Номер патента: US20190288012A1. Автор: Lauer Isaac,Chang Josephine B.,Chang Leland,Sleight Jeffrey W.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

Implementing a hybrid finfet device and nanowire device utilizing selective sgoi

Номер патента: US20190288012A1. Автор: Josephine B. Chang,Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

EPITAXIAL GROWTH OF IN-PLANE NANOWIRES AND NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20140064312A1. Автор: Brueck Steven R.J.,Lee Seung Chang. Владелец: STC.UNM. Дата публикации: 2014-03-06.

NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20150140793A1. Автор: Karg Siegfried F.,Riel Heike E.,Gotsmann Bernd W.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Insulating layer for planarization and definition of the active region of a nanowire device

Номер патента: US20160172538A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2016-06-16.

Insulating Layer for Planarization and Definition of the Active Region of a Nanowire Device

Номер патента: US20140367638A1. Автор: HERNER Scott Brad. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Manufacturing method of single silicon nanowire device based-on standard photolithography

Номер патента: KR102035505B1. Автор: 문동준,유성근,서승완. Владелец: 재단법인 오송첨단의료산업진흥재단. Дата публикации: 2019-10-23.

Insulating layer for planarization and definition of the active region of a nanowire device

Номер патента: US9640723B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2017-05-02.

Nanowire device

Номер патента: US20220262978A1. Автор: Dasa L. DHEERAJ,Helge Weman,Mazid MUNSHI,Bjorn-Ove M. FIMLAND,David Barriet,Leidulv VIGEN. Владелец: Crayonano AS. Дата публикации: 2022-08-18.

Nanowire device with mask layer

Номер патента: WO2024042219A1. Автор: Helge Weman. Владелец: Crayonano AS. Дата публикации: 2024-02-29.

Nanowire device

Номер патента: CA3147488A1. Автор: Helge Weman,Mazid MUNSHI,David Barriet,Leidulv VIGEN,Dasa L Dheeraj,Bjorn-Ove M FIMLAND. Владелец: Crayonano AS. Дата публикации: 2021-01-21.

Nanowire device

Номер патента: EP4000089A1. Автор: Helge Weman,Mazid MUNSHI,David Barriet,Leidulv VIGEN,Dasa L Dheeraj,Bjorn-Ove M FIMLAND. Владелец: Crayonano AS. Дата публикации: 2022-05-25.

Nanowire device with mask layer

Номер патента: GB202212397D0. Автор: . Владелец: Crayonano AS. Дата публикации: 2022-10-12.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US09608099B1. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Leakage reduction structures for nanowire transistors

Номер патента: US09825130B2. Автор: Mark Armstrong,Rafael Rios,Seiyon Kim,Kelin Kuhn. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Multi-channel gate-all-around FET

Номер патента: US09748352B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-08-29.

Nanowire transistor with underlayer etch stops

Номер патента: US09385221B2. Автор: Anand Murthy,Seiyon Kim,Daniel Aubertine,Kelin Kuhn. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Multi-channel gate-all-around FET

Номер патента: US09502518B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-22.

Methods of forming 3d devices with dielectric isolation and a strained channel region

Номер патента: US20160118472A1. Автор: YI Qi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-28.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US20170084729A1. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Nanowire devices, systems, and methods of production

Номер патента: US09881835B1. Автор: Mahshid Sam,Rustom B. Bhiladvala,Nima Moghimian. Владелец: UVic Industry Partnerships Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

SEMICONDUCTOR NANOWIRE DEVICE HAVING (111)-PLANE CHANNEL SIDEWALLS

Номер патента: US20210074703A1. Автор: Rachmady Willy,Dewey Gilbert,WEBER Cory E.,KENNEL Haorld W.. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

Nanowire devices and methods of fabrication

Номер патента: US20030189202A1. Автор: Jie Han,Jun Li,Alan Cassell. Владелец: Integrated Nanosystems Inc. Дата публикации: 2003-10-09.

Radiation detector based on charged self-assembled monolayers on nanowire devices

Номер патента: US09435896B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Jose M. Lobez Comeras. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Nanowire device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP3367447B1. Автор: Lutz GEELHAAR,Pierre Michel Corfdir,Ryan B. Lewis. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2019-10-09.

METHODS AND DEVICES FOR SOLID STATE NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20160027961A1. Автор: Mi Zetian,TRUNG Hieu Pham,ZHAO Songrui. Владелец: The Royal Institution for the Advancement of Learning/McGill University. Дата публикации: 2016-01-28.

NANOWIRE DEVICE HAVING GRAPHENE TOP AND BOTTOM ELECTRODES AND METHOD OF MAKING SUCH A DEVICE

Номер патента: US20150076450A1. Автор: WEMAN Helge,FIMLAND Bjørn-Ove,KIM Dong Chul. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

A nanowire device having graphene top and bottom electrodes and method of making such a device

Номер патента: CA2863071A1. Автор: Dong Chul Kim,Helge Weman,Bjorn-Ove Fimland. Владелец: Norwegian University of Science and Technology NTNU. Дата публикации: 2013-07-18.

Nanowire device having graphene top and bottom electrodes and method of making such a device

Номер патента: EA027006B1. Автор: Донг Чул КИМ,Хельге Веман,Бьёрн-Ове Фимланд. Владелец: НОРВИДЖЕН ЮНИВЕРСИТИ ОФ САЙЕНС ЭНД ТЕКНОЛОДЖИ (ЭнТиЭнЮ). Дата публикации: 2017-06-30.

High Efficiency Broadband Semiconductor Nanowire Devices

Номер патента: US20130240348A1. Автор: Mi Zetian,Kibria Md Golam. Владелец: The Royal Institution for the Advancement of Learning / McGill University. Дата публикации: 2013-09-19.

TWO STEP TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM DEPOSITION METHOD AND GAN NANOWIRE DEVICES MADE BY THE METHOD

Номер патента: US20160020364A1. Автор: HERNER Scott Brad. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

Radiation Detector Based on Charged Self-Assembled Monolayers on Nanowire Devices

Номер патента: US20150034834A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Jose M. Lobez Comeras. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

NANOWIRE DEVICE

Номер патента: US20150179877A1. Автор: Bibl Andreas,Hu Hsin-Hua,McGroddy Kelly. Владелец: LUXVUE TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2015-06-25.

6T SRAM ARCHITECTURE FOR GATE-ALL-AROUND NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20140312426A1. Автор: Chang Josephine B.,Guillorn Michael A.,Chang Paul,Balakrishnan Karthik. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-23.

HIGH EFFICIENCY BROADBAND SEMICONDUCTOR NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20150325743A1. Автор: Mi Zetian,Kibria Md Golam. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

NANOWIRE DEVICE WITH ALUMINA PASSIVATION LAYER AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20150340526A1. Автор: BLACK Marcie R.,JURA Michael,MURPHY BRIAN P.,Modawar Faris,Miller Jeffrey B.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

MONOLITHICALLY INTEGRATED InGaN/GaN QUANTUM NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20200328326A1. Автор: Mi Zetian,Wang RenJie,RA Yong-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Monolithically Integrated InGaN/GaN Quantum Nanowire Devices

Номер патента: US20180374988A1. Автор: Mi Zetian,Wang RenJie,RA Yong-Ho. Владелец: THE REGENTS OF THE UNVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2018-12-27.

Nanowire device and fabrication method of the same

Номер патента: KR100612894B1. Автор: 김종섭,이성훈,박성일,진영구,이효석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-08-14.

Vanadium dioxide nanowire and method for producing the same, and nanowire device using vanadium dioxide nanowire

Номер патента: JP5299105B2. Автор: 大輔伊藤. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-09-25.

Nanowire, device including nanowire, and method for manufacturing the same

Номер патента: JPWO2008072479A1. Автор: 徹齋藤,齋藤　徹,孝啓川島. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-03-25.

Nanowire, device comprising nanowire, and their production methods

Номер патента: US8198622B2. Автор: Takahiro Kawashima,Tohru Saitoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-06-12.

Nanowire, device comprising nanowire, and their production methods

Номер патента: WO2008072479A1. Автор: Takahiro Kawashima,Tohru Saitoh. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2008-06-19.

Monolithically integrated InGaN/GaN quantum nanowire devices

Номер патента: US11810996B2. Автор: Zetian Mi,Renjie Wang,Yong-Ho Ra. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-11-07.

MONOLITHICALLY INTEGRATED InGaN/GaN QUANTUM NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20200328326A1. Автор: Zetian Mi,Renjie Wang,Yong-Ho Ra. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2020-10-15.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US9735258B2. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US9613873B1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US20170263507A1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US20170179251A1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US09613873B1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Nanowire transistors having multiple threshold voltages

Номер патента: US09865681B1. Автор: John Zhang,Xusheng Wu,Jiehui SHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device with a multiple nanowire channel structure and methods of variably connecting such nanowires for current density modulation

Номер патента: US09508712B2. Автор: Nicholas Vincent LICAUSI,Jeremy Austin Wahl. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Nanowire transistor fabrication with hardmask layers

Номер патента: US12046637B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Seung Hoon Sung,Kelin J. Kuhn,Willy Rachmady,Seiyon Kim. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Nanowire transistor fabrication with hardmask layers

Номер патента: US20210257457A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Seung Hoon Sung,Kelin J. Kuhn,Willy Rachmady,Seiyon Kim. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Nanowire transistor fabrication with hardmask layers

Номер патента: MY181414A. Автор: Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Seiyon Kim,Kelin Kuhn,Hoon Sung. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-12-21.

Nanowire transistor fabrication with hardmask layers

Номер патента: US20190043948A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Seung Hoon Sung,Kelin J. Kuhn,Willy Rachmady,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Nanowire transistor fabrication with hardmask layers

Номер патента: US20230335594A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Seung Hoon Sung,Kelin J. Kuhn,Willy Rachmady,Seiyon Kim. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

METHOD FOR PREPARING SILICON AND/OR GERMANIUM NANOWIRES

Номер патента: US20190047870A1. Автор: Chenevier Pascale,Reiss Peter. Владелец: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE. Дата публикации: 2019-02-14.

METHOD FOR PREPARING SILICON AND/OR GERMANIUM NANOWIRE

Номер патента: FR3048241B1. Автор: Peter Reiss,Pascale Chenevier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-12-31.

Nanowire transistor structure and method of shaping

Номер патента: US11869973B2. Автор: William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang,Kai Loon CHEONG,Aditya Kasukurti,Erica J. Thompson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Nanowire transistor structure and method of shaping

Номер патента: US20240088296A1. Автор: William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang,Kai Loon CHEONG,Aditya Kasukurti,Erica J. Thompson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Connection structure for vertical gate all around (VGAA) devices on semiconductor on insulator (SOI) substrate

Номер патента: US09653563B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Vertical-gate-all-around devices and method of fabrication thereof

Номер патента: US09478631B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Huang-Yi Huang,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Hung-Ta Lin,Chien-Hsun Wang,Cheng-Tung Lin,Chih-tang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Extension region for a semiconductor device

Номер патента: US20200098897A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Metal Phthalocyanine-Based Nanowire Devices and Methods of Preparation and Use Thereof

Номер патента: US20240309034A1. Автор: Dalice Marie Piñero Cruz,Luis F. Fonseca,Jean C. Gonzalez-Espiet,Soraya Ysabel Flores-Chalco,Rubén E. Díaz-Rivera,Juan Antonio Cintron-Cruz. Владелец: UNIVERSITY OF PUERTO RICO. Дата публикации: 2024-09-19.

CYLINDRICAL GERMANIUM NANOWIRE DEVICE

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты