Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Isolated Germanium nanowire on Silicon fin

Номер патента: US7851790B2
Опубликовано: 14-12-2010
Автор(ы): Been-Yih Jin, Ravi Pillarisetty, Robert Chau, Willy Rachmady
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method to form a cylindrical germanium nanowire device on bulk silicon substrate

Номер патента: US20160064531A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Formation of pure silicon oxide interfacial layer on silicon-germanium channel field effect transistor device

Номер патента: US10008386B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Gate-all-around integrated circuit structures having germanium nanowire channel structures

Номер патента: US11978784B2. Автор: Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Susmita Ghose,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Forming iii-v device structures on (111) planes of silicon fins

Номер патента: EP3050110A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Robert Chau,Sanaz Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-03.

Forming III-V device structures on (111) planes of silicon fins

Номер патента: US09847432B2. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Robert Chau,Sanaz Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Transistor having germanium channel on silicon nanowire and fabrication method thereof

Номер патента: US09935189B2. Автор: Seongjae Cho,Mina Yun. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of forming a semiconductor device comprising at least one germanium nanowire

Номер патента: US10714595B2. Автор: Liesbeth Witters,Kurt Wostyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-14.

Germanium Nanowire Fabrication

Номер патента: US20190013395A1. Автор: Liesbeth Witters,Kurt Wostyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-01-10.

Method to form a cylindrical germanium nanowire device on bulk silicon substrate

Номер патента: US9905677B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

FORMATION OF PURE SILICON OXIDE INTERFACIAL LAYER ON SILICON-GERMANIUM CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20200020539A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

FORMATION OF PURE SILICON OXIDE INTERFACIAL LAYER ON SILICON-GERMANIUM CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20180076040A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

FORMATION OF PURE SILICON OXIDE INTERFACIAL LAYER ON SILICON-GERMANIUM CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20180233369A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

Formation of pure silicon oxide interfacial layer on silicon-germanium channel field effect transistor device

Номер патента: US20180233370A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

FORMATION OF PURE SILICON OXIDE INTERFACIAL LAYER ON SILICON-GERMANIUM CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20190371611A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Structure and method for compressively strained silicon germanium fins for pFET devices and tensily strained silicon fins for nFET devices

Номер патента: US09997540B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Structure and method for compressively strained silicon germanium fins for pFET devices and tensily strained silicon fins for nFET devices

Номер патента: US09548386B1. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Integration of III-V compound materials on silicon

Номер патента: US10217632B2. Автор: SANGHOON Lee,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-26.

Integration of III-V compound materials on silicon

Номер патента: US09406566B1. Автор: SANGHOON Lee,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures

Номер патента: US5629531A. Автор: John W. Palmour. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1997-05-13.

Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures

Номер патента: US5776837A. Автор: John W. Palmour. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1998-07-07.

Epitaxial silicon germanium fin formation using sacrificial silicon fin templates

Номер патента: US09911601B2. Автор: Hong He,Chih-Chao Yang,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Epitaxial silicon germanium fin formation using sacrificial silicon fin templates

Номер патента: US09484201B2. Автор: Hong He,Chih-Chao Yang,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

FinFET Semiconductor Device with Germanium Diffusion Over Silicon Fins

Номер патента: US20170104067A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,Lee Yi-Jing. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

Replacement III-V or germanium nanowires by unilateral confined epitaxial growth

Номер патента: US09570551B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Replacement III-V or germanium nanowires by unilateral confined epitaxial growth

Номер патента: US09947775B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Replacement iii-v or germanium nanowires by unilateral confined epitaxial growth

Номер патента: US20170229555A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Gate-all-around integrated circuit structures having germanium nanowire channel structures

Номер патента: TW202105731A. Автор: 安拿 莫希,寇利 保伯格,蘇米塔 葛斯,扎克瑞 蓋格. Владелец: 美商英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2021-02-01.

Gate-wrap-around integrated circuit structure with germanium nanowire channel structure

Номер патента: CN111755509A. Автор: A.墨菲,C.邦伯格,S.高斯,Z.盖格. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-09.

Germanium Nanowire Fabrication

Номер патента: US20190013395A1. Автор: Witters Liesbeth,Wostyn Kurt. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2019-01-10.

Silicon and silicon germanium nanowire formation

Номер патента: US09634091B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Silicon and silicon germanium nanowire formation

Номер патента: US09935016B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

TRANSISTOR HAVING GERMANIUM CHANNEL ON SILICON NANOWIRE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20170133495A1. Автор: Cho Seongjae,Yun Mina. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Direct formation of hexagonal boron nitride on silicon based dielectrics

Номер патента: US20200152745A1. Автор: Phong Nguyen,Michael R. Seacrist,Vikas Berry,Sanjay BEHURA. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Finfet structures having silicon germanium and silicon fins

Номер патента: US20150206744A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-23.

FinFET CMOS with silicon fin N-channel FET and silicon germanium fin P-channel FET

Номер патента: US09947663B2. Автор: Theodorus E Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

FinFET CMOS WITH SILICON FIN N-CHANNEL FET AND SILICON GERMANIUM FIN P-CHANNEL FET

Номер патента: US20180076202A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Method for selectively increasing silicon fin area for vertical field effect transistors

Номер патента: US20200066762A1. Автор: KANG Ill Seo,Joon Goo Hong,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Method for selectively increasing silicon fin area for vertical field effect transistors

Номер патента: US20190148410A1. Автор: KANG Ill Seo,Joon Goo Hong,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Method for selectively increasing silicon fin area for vertical field effect transistors

Номер патента: US10644031B2. Автор: KANG Ill Seo,Joon Goo Hong,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-05.

Cylindrical germanium nanowire device

Номер патента: US20180138297A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

FinFET CMOS WITH SILICON FIN N-CHANNEL FET AND SILICON GERMANIUM FIN P-CHANNEL FET

Номер патента: US20180076200A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

FinFET CMOS WITH SILICON FIN N-CHANNEL FET AND SILICON GERMANIUM FIN P-CHANNEL FET

Номер патента: US20180076200A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

CYLINDRICAL GERMANIUM NANOWIRE DEVICE

Номер патента: US20180138297A1. Автор: Xiao Deyuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

METHOD FOR SELECTIVELY INCREASING SILICON FIN AREA FOR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20200066762A1. Автор: Obradovic Borna J.,Hong Joon Goo,Seo Kang Ill. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Method for selectively increasing silicon fin area for vertical field effect transistors

Номер патента: KR102149364B1. Автор: 서강일,홍준구,보르나 옵라도빅. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-08-28.

Method of Manufacturing an Insulation Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device

Номер патента: US20200027716A1. Автор: Komatsu Yuji. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

DIRECT FORMATION OF HEXAGONAL BORON NITRIDE ON SILICON BASED DIELECTRICS

Номер патента: US20190097000A1. Автор: Seacrist Michael R.,Berry Vikas,Nguyen Phong,Behura Sanjay. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

STACKED INDIUM GALLIUM ARSENIDE NANOSHEETS ON SILICON WITH BOTTOM TRAPEZOID ISOLATION

Номер патента: US20190157386A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Khojasteh Mahmoud,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

DIRECT FORMATION OF HEXAGONAL BORON NITRIDE ON SILICON BASED DIELECTRICS

Номер патента: US20200152744A1. Автор: Seacrist Michael R.,Berry Vikas,Nguyen Phong,Behura Sanjay. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device by selectively removing silicon from silicon carbide substrate to form protective carbon layer on silicon carbide substrate for activating dopants

Номер патента: US09659773B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

FinFET semiconductor device with germanium diffusion over silicon fins

Номер патента: US09530776B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Forming a Metal Contact Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device with Metal Contact Structure

Номер патента: US20180174840A1. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Epitaxial Growth of III-V Compound Semiconductors on Silicon Surfaces

Номер патента: US20110304021A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

FinFET Semiconductor Device with Germanium Diffusion Over Silicon Fins

Номер патента: US20170104067A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

FinFET Semiconductor Device with Germanium Diffusion Over Silicon Fins

Номер патента: US20200035789A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

METHOD OF FORMATION OF GERMANIUM NANOWIRES ON BULK SUBSTRATES

Номер патента: US20160254350A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

MOCVD growth of highly mismatched III-V CMOS channel materials on silicon substrates

Номер патента: US09530888B2. Автор: David K. Carlson,Zhiyuan Ye,Errol Antonio C. Sanchez,Xinyu Bao,Keun-Yong BAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

STRUCTURE AND METHOD FOR COMPRESSIVELY STRAINED SILICON GERMANIUM FINS FOR pFET DEVICES AND TENSILY STRAINED SILICON FINS FOR nFET DEVICES

Номер патента: US20170125447A1. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

III-V fin generation by lateral growth on silicon sidewall

Номер патента: US10068994B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Forming a metal contact layer on silicon carbide and semiconductor device with metal contact structure

Номер патента: US10256097B2. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-09.

REPLACEMENT III-V OR GERMANIUM NANOWIRES BY UNILATERAL CONFINED EPITAXIAL GROWTH

Номер патента: US20170229555A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING GERMANIUM NANOWIRE CHANNEL STRUCTURES

Номер патента: US20200312981A1. Автор: Murthy Anand,BOMBERGER Cory,GHOSE Susmita,GEIGER Zachary. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

FinFET Semiconductor Device with Germanium Diffusion Over Silicon Fins

Номер патента: US20200035789A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,Lee Yi-Jing. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

Method to fabricate adjacent silicon fins of differing heights

Номер патента: US20090057846A1. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Been-Yih Jin. Владелец: Doyle Brian S. Дата публикации: 2009-03-05.

Method to fabricate adjacent silicon fins of differing heights

Номер патента: CN101779284B. Автор: B·S·多伊尔,U·沙阿,B-Y·吉恩. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-04-24.

INTEGRATION OF III-V COMPOUND MATERIALS ON SILICON

Номер патента: US20170162387A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Shiu Kuen-Ting,Lee Sanghoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH METAL RING ON SILICON-ON-INSULATOR (SOI) SUBSTRATE

Номер патента: US20150206964A1. Автор: Tsai Kuan-Chi,Tsai Wei-Kung,Cheng Kuo-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-07-23.

IMPROVED CLADDING LAYER EPITAXY VIA TEMPLATE ENGINEERING FOR HETEROGENEOUS INTEGRATION ON SILICON

Номер патента: US20160204263A1. Автор: Kavalieros Jack T.,Mukherjee Niloy,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Le Van H.,GOEL Niti. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

FABRICATION AND PROCESSING OF GRAPHENE ELECTRONIC DEVICES ON SILICON WITH A SiO2 PASSIVATION LAYER

Номер патента: WO2023183987A1. Автор: Mohammad Choucair,Alexander James PORKOVICH. Владелец: Archer Materials Limited. Дата публикации: 2023-10-05.

Silicon germanium and silicon fins on oxide from bulk wafer

Номер патента: US09418900B1. Автор: Hong He,Nicolas Loubet,Junli Wang,James Kuss. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-08-16.

Silicon germanium and silicon fins on oxide from bulk wafer

Номер патента: US20180315668A1. Автор: Hong He,Nicolas Loubet,Junli Wang,James Kuss. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-01.

Silicon germanium and silicon fins on oxide from bulk wafer

Номер патента: US20170018465A1. Автор: Hong He,Nicolas Loubet,Junli Wang,James Kuss. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-19.

FinFET structures having silicon germanium and silicon fins with suppressed dopant diffusion

Номер патента: US09837415B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Strain compensated REO buffer for III-N on silicon

Номер патента: US09443939B2. Автор: Andrew Clark,Rytis Dargis,Michael Lebby,Radek Roucka,Erdem Arkun. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Structure for III-V devices on silicon

Номер патента: US09373502B2. Автор: Errol Antonio C. Sanchez,Xinyu Bao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Strain compensated reo buffer for iii-n on silicon

Номер патента: US20160133708A1. Автор: Andrew Clark,Rytis Dargis,Michael Lebby,Radek Roucka,Erdem Arkun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-12.

Gallium nitride-on-silicon devices

Номер патента: US20240145587A1. Автор: Jun-De JIN,Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Gallium nitride-on-silicon devices

Номер патента: US11888055B2. Автор: Jun-De JIN,Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Gallium nitride-on-silicon devices

Номер патента: US20210305419A1. Автор: Jun-De JIN,Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Nanowire channel formed on silicon substrate using sacrificial sub-fin layer, method of forming nanowire channel on silicon substrate using sacrificial sub-fin layer, and system for computing

Номер патента: TWI688041B. Автор: 吉伯特 狄威,馬修 梅茲,威利 瑞奇曼第,塔何 甘尼,馬可 拉多撒福傑維克,傑克 卡瓦萊羅斯,錢德拉 莫哈帕拉,安拿 莫希,薩納斯 珈納,葛蘭 葛雷斯. Владелец: 美商英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2020-03-11.

High quality gan high-voltage hfets on silicon

Номер патента: US20130146863A1. Автор: Jamal Ramdani,Linlin Liu,John P. EDWARDS. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

METHOD OF FORMATION OF GERMANIUM NANOWIRES ON BULK SUBSTRATES

Номер патента: US20160071931A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

High-quality gan high-voltage hfets on silicon

Номер патента: US20150364552A1. Автор: Jamal Ramdani,Linlin Liu,John P. EDWARDS. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2015-12-17.

High-quality GaN high-voltage HFETs on silicon

Номер патента: US09437688B2. Автор: Jamal Ramdani,Linlin Liu,John P. EDWARDS. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Silicon and Silicon Germanium Nanowire Formation

Номер патента: US20200051870A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE FORMATION

Номер патента: US20190103322A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,Ching Kuo-Cheng,DIAZ Carlos H.. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

Silicon and Silicon Germanium Nanowire Formation

Номер патента: US20200273757A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.,Chiang Kuo-Cheng,Ng Jin-Aun. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURES USING GERMANIUM NANOWIRES

Номер патента: US20170345896A1. Автор: Young Ian,AVCI Uygar,KIM Raseong. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Silicon and Silicon Germanium Nanowire Formation

Номер патента: US20220359309A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.,Chiang Kuo-Cheng,Ng Jin-Aun. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Silicon and silicon germanium nanowire formation

Номер патента: KR20170001950A. Автор: 궈 쳉 칭,카를로스 에이치 디아즈,쟝 피에르 콜린지. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2017-01-05.

Silicon and silicon germanium nanowire formation

Номер патента: KR101888274B1. Автор: 궈 쳉 칭,카를로스 에이치 디아즈,쟝 피에르 콜린지. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2018-08-13.

Silicon and silicon germanium nanowire formation

Номер патента: US11854905B2. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Silicon and Silicon Germanium Nanowire Formation

Номер патента: US20200273757A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Method for producing microelectronic device, involves forming and oxidizing silicon-germanium based semi-conductor layer on silicon based semi-conductor zones with different thicknesses resting on substrate

Номер патента: FR2908924A1. Автор: Yves Morand,Jean Francois Damlencourt,Laurent Chevalier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-05-23.

Buffer layer on silicon carbide substrate, and method for forming buffer layer

Номер патента: US20230118623A1. Автор: Xiang Li,Xuanjie Liu,Zhiping Xie,Maojie CONG,Zhiguo KAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2023-04-20.

Dual-material mandrel for epitaxial crystal growth on silicon

Номер патента: US09754969B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Dual-material mandrel for epitaxial crystal growth on silicon

Номер патента: US20170025500A1. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Finfet structures having silicon germanium and silicon fins

Номер патента: US20140339643A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-20.

Method for forming group iii/v conformal layers on silicon substrates

Номер патента: US20140159112A1. Автор: David K. Carlson,Zhiyuan Ye,Errol Antonio C. Sanchez,Xinyu Bao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

Growth of cubic crystalline phase structure on silicon substrates and devices comprising the cubic crystalline phase structure

Номер патента: US20190103481A1. Автор: Seung-Chang Lee,Steven R.J. Brueck,Christian Wetzel,Mark Durniak. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2019-04-04.

Nitsinitride and oxidized nitsinitride dielectrics on silicon

Номер патента: CA1252372A. Автор: Joseph P. Ellul,Sing P. Tay. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1989-04-11.

Technique for threshold control over edges of devices on silicon-on-sapphire

Номер патента: US4070211A. Автор: Eliyahou Harari. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1978-01-24.

Silicon and silicon germanium nanowire structures

Номер патента: EP4235801A3. Автор: Peter Chang,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Willy Rachmady,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Titash Rakshit,Martin D. Giles,Seiyon Kim. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Silicon and silicon germanium nanowire structures

Номер патента: EP4235801A2. Автор: Peter Chang,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Willy Rachmady,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Titash Rakshit,Martin D. Giles,Seiyon Kim. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Silicon and silicon germanium nanowire structures

Номер патента: US09595581B2. Автор: Peter Chang,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Willy Rachmady,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Titash Rakshit,Martin D. Giles,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile memory transistor having poly-silicon fin, stacked nonvolatile memory device having the transistor, method of fabricating the transistor, and method of fabricating the device

Номер патента: US7842994B2. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Young-soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-30.

Method to form stacked germanium nanowires and stacked III-V nanowires

Номер патента: US09437502B1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Silicon and silicon germanium nanowire structures

Номер патента: US20170133462A1. Автор: Peter Chang,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Willy Rachmady,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Titash Rakshit,Martin D. Giles,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE STRUCTURES

Номер патента: US20210226006A1. Автор: Kuhn Kelin J.,Kim Seiyon,Rios Rafael,Cea Stephen M.,Giles Martin D.,Cappellani Annalisa,Rakshit Titash,Chang Peter,Rachmady Willy. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE STRUCTURES

Номер патента: US20200227520A1. Автор: Kuhn Kelin J.,Kim Seiyon,Rios Rafael,Cea Stephen M.,Giles Martin D.,Cappellani Annalisa,Rakshit Titash,Chang Peter,Rachmady Willy. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

Silicon and silicon germanium nanowire structures

Номер патента: US10991799B2. Автор: Peter Chang,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Willy Rachmady,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Titash Rakshit,Martin D. Giles,Seiyon Kim. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-04-27.

Silicon and silicon germanium nanowire structures

Номер патента: KR101750848B1. Автор: 안날리사 카펠라니,라파엘 리오스,피터 창,스티븐 엠. 세아,켈린 제이. 쿤,윌리 라흐마디,세연 김,티타시 라크시트,마틴 디. 길레스. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2017-06-26.

Silicon and silicon germanium nanowire structures

Номер патента: KR101820899B1. Автор: 안날리사 카펠라니,라파엘 리오스,피터 창,스티븐 엠. 세아,켈린 제이. 쿤,윌리 라흐마디,세연 김,티타시 라크시트,마틴 디. 길레스. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2018-01-22.

Silicon and silicon germanium nanowire structures

Номер патента: KR101954189B1. Автор: 안날리사 카펠라니,라파엘 리오스,피터 창,스티븐 엠. 세아,켈린 제이. 쿤,윌리 라흐마디,세연 김,티타시 라크시트,마틴 디. 길레스. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2019-03-05.

Metamorphic Growth Of III-V Semiconductor On Silicon Substrate By MOCVD for High Speed III-V Transistors

Номер патента: US20140209979A1. Автор: Kei May Lau,Chak Wah TANG. Владелец: Nano and Advanced Materials Institute Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

METHOD TO FORM A CYLINDRICAL GERMANIUM NANOWIRE DEVICE ON BULK SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20160064531A1. Автор: Xiao Deyuan. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE STRUCTURES

Номер патента: US20140326952A1. Автор: Kuhn Kelin J.,Kim Seiyon,Rios Rafael,Cea Stephen M.,Giles Martin D.,Cappellani Annalisa,Rakshit Titash,Chang Peter,Rachmady Willy. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

DUAL-MATERIAL MANDREL FOR EPITAXIAL CRYSTAL GROWTH ON SILICON

Номер патента: US20170025500A1. Автор: Wacaser Brent A.,Leobandung Effendi,Lee Sanghoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

DUAL-MATERIAL MANDREL FOR EPITAXIAL CRYSTAL GROWTH ON SILICON

Номер патента: US20170077146A1. Автор: Wacaser Brent A.,Leobandung Effendi,Lee Sanghoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

III-NITRIDE STRUCTURES GROWN ON SILICON SUBSTRATES WITH INCREASED COMPRESSIVE STRESS

Номер патента: US20170170283A1. Автор: Pelzel Rodney,MARCHAND Hugues,Laboutin Oleg,Kao Chen-Kai,Lo Chien-Fong. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Method for production of germanium nanowires encapsulated within multi-walled carbon nanotubes

Номер патента: US09950926B2. Автор: Mark Crocker,Rodney Andrews,Arumugam Pandurangan,Dali Qian. Владелец: University of Kentucky Research Foundation. Дата публикации: 2018-04-24.

Vertical group iii-v nanowires on si, heterostructures, flexible arrays and fabrication

Номер патента: WO2010062644A3. Автор: WEI Wei,Yi Jing,Cesare Soci,Xinyu Bao,Ke Sun,Deli Wang. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2010-07-22.

Method for metal-free synthesis of epitaxial semiconductor nanowires on si

Номер патента: EP1991499A1. Автор: Lars Samuelson,Werner Seifert,Bernhard Mandl,Thomas MÅRTENSSON,Anders Mikkelsen. Владелец: QUNANO AB. Дата публикации: 2008-11-19.

Methods for forming germanium and silicon germanium nanowire devices

Номер патента: US09911660B2. Автор: Hyungsuk Alexander Yoon,Zhongwei Zhu. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Trimming silicon fin width through oxidation and etch

Номер патента: US09412603B2. Автор: Ying Zhang,Hua Chung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device with treated interfacial layer on silicon germanium

Номер патента: US20230282753A1. Автор: Zi-Wei FANG,Chih-Yu Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Field effect transistor structures using germanium nanowires

Номер патента: WO2016105408A1. Автор: Ian Young,Raseong Kim,Uygar Avci. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

Field effect transistor structures using germanium nanowires

Номер патента: EP3238261A4. Автор: Ian Young,Raseong Kim,Uygar Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-15.

Field effect transistor structures using germanium nanowires

Номер патента: KR102309342B1. Автор: 라성 김,우이가르 아브치,이안 영. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2021-10-07.

Field effect transistor structures using germanium nanowires

Номер патента: EP3238261A1. Автор: Ian Young,Raseong Kim,Uygar Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Field effect transistor structures using germanium nanowires

Номер патента: TW201635540A. Автор: 尤嘉 艾維可,艾恩 楊,金瑞松. Владелец: 英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2016-10-01.

Strained silicon fin structure

Номер патента: US7115945B2. Автор: Sheng Teng Hsu,Jer-shen Maa,Douglas J. Tweet,Jong-Jan Lee. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2006-10-03.

Enhanced mobility NMOS and PMOS transistors using strained Si/SiGe layers on silicon-on-insulator substrates

Номер патента: TW564467B. Автор: Sheng Teng Hsu,Douglas James Tweet. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2003-12-01.

METHOD OF TREATING INTERFACIAL LAYER ON SILICON GERMANIUM

Номер патента: US20190165185A1. Автор: Chang Hsiang-Pi,FANG Zi-Wei,CHANG CHIH-YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for producing substrate based on silicon carbide and silicon carbide substrate

Номер патента: RU2756815C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2021-10-05.

Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide

Номер патента: WO2018165598A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-09-13.

High-resistance resistor based on silicon carbide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230317770A1. Автор: Kun Hu,Yuan Tian,Guohui Li,Bingshe Xu,Yanxia CUI,Yuying XI. Владелец: Institute Of New Materials And Chemical Engineering Zhejiang University Shanxi. Дата публикации: 2023-10-05.

Methods for forming self-aligned contacts using spin-on silicon carbide

Номер патента: WO2022177828A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods for Forming Self-Aligned Contacts Using Spin-on Silicon Carbide

Номер патента: US20220262679A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Forming LED structures on silicon fins

Номер патента: US09847448B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Sanaz Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Methods of forming isolated germanium-containing fins for a finfet semiconductor device

Номер патента: US20150200128A1. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Bruce Doris,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-16.

Buffer layers for device isolation of devices grown on silicon

Номер патента: US20090218596A1. Автор: Mohamad A. Shaheen,Peter G. Tolchinsky,Mantu K. Hudait,Loren A. Chow,Dmitri Loubychev,Joel M. Fastenau,Amy W. K. Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Growing a III-V layer on silicon using aligned nano-scale patterns

Номер патента: US09601328B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Growing a III-V Layer on Silicon using Aligned Nano-Scale Patterns

Номер патента: US20170194141A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method and device with durable contact on silicon carbide

Номер патента: EP1743373A2. Автор: Richard L. Woodin,William F. Seng. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-01-17.

Method and device with durable contact on silicon carbide

Номер патента: EP1743373A4. Автор: Richard L Woodin,William F Seng. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-03-25.

Method and device with durable contact on silicon carbide

Номер патента: US20080227275A1. Автор: Richard L. Woodin,William F. Seng,Carl Anthony Witt. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

FinFET device on silicon-on-insulator and method of forming the same

Номер патента: US09793174B1. Автор: Yu-Ren Wang,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin,Shu-Ming Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon-germanium fins and silicon fins on a bulk substrate

Номер патента: US20140252413A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kangguo Cheng,Myung-Hee Na,Ramachandra Divakaruni,Huiling Shang,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Rough buffer layer for group III-V devices on silicon

Номер патента: US11862720B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Rough buffer layer for group iii-v devices on silicon

Номер патента: US20240088285A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

HgZnTe DETECTOR ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20240170600A1. Автор: Jeffrey M. Peterson. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-05-23.

Ge QUANTUM DOTS FOR DISLOCATION ENGINEERING OF III-N ON SILICON

Номер патента: US20130069039A1. Автор: Andrew Clark,Erdem Arkun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-21.

Iii-n fet on silicon using field suppressing reo

Номер патента: US20130062609A1. Автор: David Williams,Rytis Dargis,Michael Lebby,Robin Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE FORMATION

Номер патента: US20170194215A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,Ching Kuo-Cheng,DIAZ Carlos H.. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE FORMATION

Номер патента: US20180211884A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,Ching Kuo-Cheng,DIAZ Carlos H.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

Method of nitride monocrystal growth on silicon plate, nitride semi-conductor light emitting diode, which is produced with its utilisation, and method of such production

Номер патента: RU2326993C2. Автор: Хее Сеок ПАРК,ев Юрий Васильевич Жил,Юрий Васильевич ЖИЛЯЕВ,Василий Николаевич БЕССОЛОВ. Владелец: Физико-Технический Институт Имени А.Ф.Иоффе Ран. Дата публикации: 2008-06-20.

SILICON GERMANIUM AND SILICON FINS ON OXIDE FROM BULK WAFER

Номер патента: US20180315668A1. Автор: Wang Junli,Loubet Nicolas,He Hong,Kuss James. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Silicon fin for finfet and method for fabricating the same

Номер патента: KR100496891B1. Автор: 최시영,손용훈,정인수,이병찬,이덕형,김택중. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-06-23.

Asymmetric iii-v mosfet on silicon substrate

Номер патента: US20170092763A1. Автор: Effendi Leobandung,Cheng-Wei Cheng,Amlan Majumdar,Yanning Sun,Pranita Kerber,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Seed layer structure for growth of III-V materials on silicon

Номер патента: US09620362B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Hetero-integration of III-N material on silicon

Номер патента: US09601583B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Can Bayram,Christopher P. D'Emic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Asymmetric III-V MOSFET on silicon substrate

Номер патента: US09553166B1. Автор: Effendi Leobandung,Cheng-Wei Cheng,Amlan Majumdar,Yanning Sun,Pranita Kerber,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Lattice matched aspect ratio trapping to reduce defects in III-V layer directly grown on silicon

Номер патента: US09379204B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Keith E. Fogel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Direct mombe and movpe growth of ii-vi materials on silicon

Номер патента: CA2128590C. Автор: John E. Jensen,Jennifer J. Zinck,Damodaran Rajavel. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1998-08-25.

SILICON GERMANIUM AND SILICON FINS ON OXIDE FROM BULK WAFER

Номер патента: US20170018465A1. Автор: Wang Junli,Loubet Nicolas,He Hong,Kuss James. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

FINFET STRUCTURES HAVING SILICON GERMANIUM AND SILICON FINS

Номер патента: US20150206744A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

FinFET Semiconductor Device with Germanium Diffusion Over Silicon Fins

Номер патента: US20150206875A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,Lee Yi-Jing. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

Multi silicon fins for finfet and method for fabricating the same

Номер патента: KR100578130B1. Автор: 이신애,김성민,조혜진,윤은정,이창섭,최정동. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-10.

Multi-structure silicon fin and its making method

Номер патента: CN100527351C. Автор: 孙龙勋,崔时荣,金泽中,李德炯,李炳讚,丁仁洙. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-12.

Iii-v semiconductor growth initiation on silicon

Номер патента: CA1332141C. Автор: Jack P. Salerno,Jhang Woo Lee,Richard E. Mccullough. Владелец: Kopin Corp. Дата публикации: 1994-09-27.

Non-destructive bond line thickness measurement of thermal interface material on silicon packages

Номер патента: US20210123729A1. Автор: Yu Luo,Hongqing Zhang,David J. Lewison,Jay A. Bunt,Joyce Molinelli Acocella. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Ge QUANTUM DOTS FOR DISLOCATION ENGINEERING OF III-N ON SILICON

Номер патента: US20130069039A1. Автор: Andrew Clark,Erdem Arkun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-21.

DOPED BUFFER LAYER FOR GROUP III-V DEVICES ON SILICON

Номер патента: US20200075314A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Chen Kuei-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

HETERO-INTEGRATION OF III-N MATERIAL ON SILICON

Номер патента: US20170092483A1. Автор: Sadana Devendra K.,Kim Jeehwan,"DEmic Christopher P.",Bayram Can. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

ASYMMETRIC III-V MOSFET ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20170092763A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Kerber Pranita,Leobandung Effendi,Majumdar Amlan,MO Renee T.,Sun Yanning. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

III-V FIN Generation by Lateral Growth on Silicon Sidewall

Номер патента: US20170104086A1. Автор: Wacaser Brent A.,Sadana Devendra K.,Leobandung Effendi,Lee Sanghoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

LATTICE MATCHED ASPECT RATIO TRAPPING TO REDUCE DEFECTS IN III-V LAYER DIRECTLY GROWN ON SILICON

Номер патента: US20160126335A1. Автор: Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Fogel Keith E.,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

III-V FIN Generation By Lateral Growth On Silicon Sidewall

Номер патента: US20180145154A1. Автор: Wacaser Brent A.,Sadana Devendra K.,Leobandung Effendi,Lee Sanghoon. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

III-V FIN Generation By Lateral Growth On Silicon Sidewall

Номер патента: US20180145155A1. Автор: Wacaser Brent A.,Sadana Devendra K.,Leobandung Effendi,Lee Sanghoon. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

Growing a III-V Layer on Silicon using Aligned Nano-Scale Patterns

Номер патента: US20170194141A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

GROWTH OF CUBIC CRYSTALLINE PHASE STRUCTURE ON SILICON SUBSTRATES AND DEVICES COMPRISING THE CUBIC CRYSTALLINE PHASE STRUCTURE

Номер патента: US20170194476A1. Автор: Brueck Steven R.J.,Wetzel Christian,Lee Seung-Chang,Durniak Mark. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

GAN BASED HEMT DEVICE RELAXED BUFFER STRUCTURE ON SILICON

Номер патента: US20200194577A1. Автор: Murthy Anand,Badmaev Alexander,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak,FISCHER Paul,Charue-Bakker Sandrine,GLASS Glenn,BEUMER Michael S.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

FORMING III-V DEVICE STRUCTURES ON (111) PLANES OF SILICON FINS

Номер патента: US20160204276A1. Автор: Then Han Wui,Chau Robert,Chu-Kung Benjamin,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,Gardner Sanaz. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Monolithic iii-v-on-silicon opto-electronic phase modulator with a ridge waveguide

Номер патента: US20220011641A1. Автор: Bernardette Kunert,Joris Van Campenhout,Younghyun Kim,Maria Ioanna Pantouvaki,Didit Yudistira. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-01-13.

EPITAXIAL SILICON GERMANIUM FIN FORMATION USING SACRIFICIAL SILICON FIN TEMPLATES

Номер патента: US20160247883A1. Автор: Yang Chih-Chao,Wang Junli,He Hong,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

Method for forming fully relaxed silicon germanium on silicon

Номер патента: US20120299155A1. Автор: Jinping Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2012-11-29.

SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE FORMATION

Номер патента: US20160056236A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,Ching Kuo-Cheng,DIAZ Carlos H.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE STRUCTURES

Номер патента: US20150303258A1. Автор: Kuhn Kelin J.,Kim Seiyon,Rios Rafael,Cea Stephen M.,Giles Martin D.,Cappellani Annalisa,Rakshit Titash,Chang Peter,Rachmady Willy. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

PROCESS FOR FORMING POLYCRYSTALLINE SILICON LAYERS LOCATED ON SILICON-COATED SILICA REGIONS AND APPLICATION TO THE MANUFACTURE OF AN AUTOALIGNAL NON-PLANAR MOS TRANSISTOR

Номер патента: FR2466101A1. Автор: Eugene Tonnel. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1981-03-27.

Compound semiconductor-on-silicon wafer with a silicon nanowire buffer layer

Номер патента: US7723729B2. Автор: Tingkai Li,Sheng Teng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2010-05-25.

Three-mask method of constructing the final hard mask used for etching the silicon fins for FINFET

Номер патента: CN1815702A. Автор: 布伦特·A·安德森,爱德华·J·诺瓦克. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-09.

DUAL-MATERIAL MANDREL FOR EPITAXIAL CRYSTAL GROWTH ON SILICON

Номер патента: US20170025539A1. Автор: Wacaser Brent A.,Leobandung Effendi,Lee Sanghoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

GALLIUM NITRIDE-ON-SILICON DEVICES

Номер патента: US20210098616A1. Автор: JIN Jun-De,CHERN Chan-Hong. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

III-V FINFETS ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20140264607A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,Majumdar Amlan,Sun Yanning,Basu Anirban,Martin Ryan M.,Rana Uzma. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

METHODS FOR FORMING GERMANIUM AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20170309521A1. Автор: Yoon Hyungsuk Alexander,Zhu Zhongwei. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Methods for depositing iii-v compositions on silicon

Номер патента: US20210020437A1. Автор: Emily Lowell Warren,Jeramy David Zimmerman,Theresa Emily SAENZ. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Parasitic capacitance reduction in gan-on-silicon devices

Номер патента: WO2019236702A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2019-12-12.

Method for growing group-III nitride semiconductor heterostructure on silicon substrate

Номер патента: US20050106849A1. Автор: Shangir Gwo. Владелец: Shangir Gwo. Дата публикации: 2005-05-19.

Layer structure production for nitride semiconductor component on silicon surface, involves preparation of substrate having silicon surface on which nitride nucleation layer is deposited with masking layer

Номер патента: DE102006008929A1. Автор: . Владелец: Azzurro Semiconductors AG. Дата публикации: 2007-08-30.

Amorphous silicon rectifying contact on silicon and method for making same

Номер патента: GB2266807B. Автор: Kalyankumar Das,Vasudev Cenkatesan,Dale G Thompson. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 1996-03-13.

Group iii semiconductor epitaxy formed on silicon via single crystal ren and reo buffer layers

Номер патента: EP3443582A1. Автор: Andrew Clark,Rytis Dargis,Michael Lebby,Rodney Pelzel. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2019-02-20.

Zirconium and hafnium boride alloy templates on silicon for nitride integration applications

Номер патента: WO2008086210A3. Автор: John Kouvetakis,Radek Roucka. Владелец: Arizona Board of Regents, Acting for and on behalf of Arizona State University. Дата публикации: 2009-12-30.

Active electronic devices based on gallium nitride and its alloys grown on silicon substrates with buffer layers of sicain

Номер патента: AU2003278828A8. Автор: John Kouvetakis,John Tolle,Radek Roucka,Ignatius S T Tsong. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2004-04-30.

Growth of cubic crystalline phase strucure on silicon substrates and devices comprising the cubic crystalline phase structure

Номер патента: US09520472B2. Автор: Steven R. J. Brueck,Christoph Stark,Seung-Chang Lee,Christian Wetzel,Theeradetch Detchprohm. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2016-12-13.

HETEROGENEOUS INTEGRATION OF GROUP III NITRIDE ON SILICON FOR ADVANCED INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20130270608A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,Ning Tak H.,Bayram Can. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-17.

GROWTH OF CUBIC CRYSTALLINE PHASE STRUCTURE ON SILICON SUBSTRATES AND DEVICES COMPRISING THE CUBIC CRYSTALLINE PHASE STRUCTURE

Номер патента: US20200006597A1. Автор: Brueck Steven R.J.,Wetzel Christian,Lee Seung-Chang,Durniak Mark. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

HETERO-INTEGRATION OF III-N MATERIAL ON SILICON

Номер патента: US20160020283A1. Автор: Sadana Devendra K.,Kim Jeehwan,"DEmic Christopher P.",Bayram Can. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

METHODS FOR DEPOSITING III-V COMPOSITIONS ON SILICON

Номер патента: US20210020437A1. Автор: WARREN Emily Lowell,Zimmerman Jeramy David,SAENZ Theresa Emily. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

BONDED EPITAXIAL OXIDE STRUCTURES FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR ON SILICON SUBSTRATES

Номер патента: US20150041853A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-12.

EPITAXIAL GROWTH OF GALLIUM ARSENIDE ON SILICON USING A GRAPHENE BUFFER LAYER

Номер патента: US20170047223A1. Автор: Wang Kang L.,Alaskar Yazeed. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

REO/ALO/AlN TEMPLATE FOR III-N MATERIAL GROWTH ON SILICON

Номер патента: US20140167057A1. Автор: Clark Andrew,LEBBY MICHAEL,Arkun Erdem,Dargis Rytis. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-19.

GROWTH OF CUBIC CRYSTALLINE PHASE STRUCTURE ON SILICON SUBSTRATES AND DEVICES COMPRISING THE CUBIC CRYSTALLINE PHASE STRUCTURE

Номер патента: US20170092485A1. Автор: Brueck Steven R.J.,Wetzel Christian,Lee Seung-Chang,Durniak Mark. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

GROWTH OF CUBIC CRYSTALLINE PHASE STRUCURE ON SILICON SUBSTRATES AND DEVICES COMPRISING THE CUBIC CRYSTALLINE PHASE STRUCTURE

Номер патента: US20150108427A1. Автор: Brueck Steven R.J.,Stark Christoph,Wetzel Christian,Lee Seung-Chang,Detchprohm Theeradetch. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-23.

LATTICE MATCHED ASPECT RATIO TRAPPING TO REDUCE DEFECTS IN III-V LAYER DIRECTLY GROWN ON SILICON

Номер патента: US20160126094A1. Автор: Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Fogel Keith E.,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

GROUP III SEMICONDUCTOR EPITAXY FORMED ON SILICON VIA SINGLE CRYSTAL REN AND REO BUFFER LAYERS

Номер патента: US20190122885A1. Автор: Clark Andrew,LEBBY MICHAEL,Dargis Rytis,Pelzel Rodney. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

Forming a Metal Contact Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device with Metal Contact Structure

Номер патента: US20180174840A1. Автор: Santos Rodriguez Francisco Javier,Rupp Roland,ESTEVE Romain,Joshi Ravi Keshav,Unegg Gerald. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING DEVICE QUALITY GALLIUM NITRIDE LAYERS ON SILICON SUBSTRATES

Номер патента: US20160203972A1. Автор: Hawryluk Andrew M.,Sundaram Ganesh,Stearns Daniel. Владелец: Ultratech, Inc.. Дата публикации: 2016-07-14.

GROWTH OF CUBIC CRYSTALLINE PHASE STRUCTURE ON SILICON SUBSTRATES AND DEVICES COMPRISING THE CUBIC CRYSTALLINE PHASE STRUCTURE

Номер патента: US20210234070A1. Автор: Brueck Steven R.J.,Wetzel Christian,Lee Seung-Chang,Durniak Mark. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING DEVICE QUALITY GALLIUM NITRIDE LAYERS ON SILICON SUBSTRATES

Номер патента: US20170213718A1. Автор: Hawryluk Andrew M.,Sundaram Ganesh,Stearns Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

III-V CMOS INTEGRATION ON SILICON SUBSTRATE VIA EMBEDDED GERMANIUM-CONTAINING LAYER

Номер патента: US20160225768A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

METHOD FOR GROWING ALUMINUM INDIUM NITRIDE FILMS ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20150235837A1. Автор: CHANG Li,CHEN WEI-CHUN,Chen Jr-Yu,LIN Pei-Yin. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

HETEROGENEOUS INTEGRATION OF GROUP III NITRIDE ON SILICON FOR ADVANCED INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20150235838A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,Ning Tak H.,Bayram Can. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Method and Apparatus for Forming Device Quality Gallium Nitride Layers on Silicon Substrates

Номер патента: US20180226241A1. Автор: Hawryluk Andrew M.,Sundaram Ganesh,Stearns Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

A capacitorless dram device on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: WO1995015562A1. Автор: Chenming Hu,Hsing-Jen C. Wann. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 1995-06-08.

N type metal oxide semiconductor transistor structure having compression strain silicon-germanium channel formed on silicon (110) substrate

Номер патента: TW200735344A. Автор: Chun-Yen Chang,Chao-Hsin Chien,Tsung-Hsi Yang,Guang-Li Luo. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2007-09-16.

Active antenna device based on silicon ring field effect transistor array

Номер патента: US11784249B2. Автор: Kyung Rok Kim,Min Woo RYU,E San Jang,Sang Hyo AHN. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Active antenna device based on silicon ring field effect transistor array

Номер патента: US20220271160A1. Автор: Kyung Rok Kim,Min Woo RYU,E San Jang,Sang Hyo AHN. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Method for forming microelectrode-pair arrays on silicon substrate surface with hydrophobic silicon pillars

Номер патента: US20140120271A1. Автор: Lei Jiang,Jie Ma,Bin Su,Yanlin Song,Shutao Wang. Владелец: Institute of Chemistry CAS. Дата публикации: 2014-05-01.

ACTIVE ANTENNA DEVICE BASED ON SILICON RING FIELD EFFECT TRANSISTOR ARRAY

Номер патента: US20220271160A1. Автор: KIM Kyung Rok,Jang E San,Ryu Min Woo,Ahn Sang Hyo. Владелец: UNIST(ULSAN NATIONAL INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY). Дата публикации: 2022-08-25.

III-V FINFETS ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20140264446A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,Majumdar Amlan,Sun Yanning,Basu Anirban,Martin Ryan M.,Rana Uzma. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

Compound tunneling field effect transistor integrated on silicon substrate and method for fabricating the same

Номер патента: US20140291616A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho,In Man Kang. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2014-10-02.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Method for placing nano-diamonds with nv-centers on silicon nitride

Номер патента: RU2761426C2. Автор: Вадим Владиславович Воробьев,Владимир Владимирович Сошенко,Степан Викторович Большедворский,Алексей Владимирович Акимов,Вадим Викторович Ковалюк,Григорий Наумович Гольцман,Павел Павлович Ан,Евгения Витальевна Зубкова,Анна Валерьевна Елманова,Илья Александрович Елманов,София Андреевна Комракова,Джавид Намик оглы Джавадзаде. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский педагогический государственный университет. Дата публикации: 2021-12-08.

Method for producing thin membranes of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer membranes obtained by molecular layer precipitation

Номер патента: RU2749573C1. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-06-15.

Method for producing thin films of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer films obtained by molecular layer deposition

Номер патента: RU2749573C9. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-08-17.

Aqueous polishing composition and method for chemical-mechanical polishing of substrates, containing film based on silicon oxide dielectric and based on polycrystalline silicon

Номер патента: RU2588620C2. Автор: Шиам Сундар ВЕНКАТАРАМАН,Исон Юй-Шен СУ,Аренд Йоукэ КИНГМА,Бастиан Мартен НОЛЛЕР. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2016-07-10.

Devices and methods related to radio-frequency filters on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US20240154639A1. Автор: James Phillip Young. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Hybrid thermal management for liquid crystal on silicon head-up displays

Номер патента: US11835811B1. Автор: Thomas A. Seder,Taeyoung Han,Kuo-Huey CHEN,Bahram Khalighi,Shailendra Kaushik,Chih-Hung Yen. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

Methods related to radio-frequency filters on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US11817895B2. Автор: James Phillip Young. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

External stontium tianate on silicon

Номер патента: US20210028009A1. Автор: Yong Liang. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Epitaxial strontium titanate on silicon

Номер патента: US20230197443A1. Автор: Yong Liang. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Wafer pretreatment to decrease rate of silicon dioxide deposition on silicon nitride compared to silicon substrate

Номер патента: TW519692B. Автор: Manuel Anselmo Hernandez,Scott Brandd Herner. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-02-01.

Fabrication of through-silicon vias on silicon wafers

Номер патента: TW201250882A. Автор: Li-Qun Xia,Mehul Naik,Bok Hoen Kim,Thomas Nowak,Ran Ding,Nagarajan Rajagopalan,Shamik PATEL,Ji-Ae Park,Ryan Yamase,Jim Baldino,Sesh Ramaswami. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-12-16.

Use of oxalyl chloride to form chloride-doped silicon dioxide films on silicon substrates

Номер патента: SG42804A1. Автор: Herman J Boeglin,Michael J Mcgeary. Владелец: Olin Corp. Дата публикации: 1997-10-17.

SELECTIVE GROWTH OF SILICON OXIDE OR SILICON NITRIDE ON SILICON SURFACES IN THE PRESENCE OF SILICON OXIDE

Номер патента: US20180261448A1. Автор: Hausmann Dennis M.,Smith David Charles. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

Advanced technique to improve the bonding arrangement on silicon surfaces to promote uniform nitridation

Номер патента: US5445999A. Автор: Randhir P. S. Thakur,Viju K. Mathews. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-08-29.

Method for improving the interface characteristics of CaF2 on silicon

Номер патента: US5229333A. Автор: Bruce E. Gnade,Chih-Chen Cho,Tae S. Kim,Hung-Yu Liu,Yasushiro Nishioka. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-07-20.

Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide

Номер патента: KR102491771B1. Автор: 데이비드 찰스 스미스,데니스 엠. 하우스만. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-01-25.

Selective Deposition On Silicon Containing Surfaces

Номер патента: US20200066539A1. Автор: Ronald Martin Pearlstein. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Selective deposition on silicon containing surfaces

Номер патента: EP3844799A1. Автор: Ronald Martin Pearlstein. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-07-07.

Component e.g. silicon on insulator component, fabrication method for e.g. high speed processor fabrication, involves pulverizing single-crystal silicon target on silicon wafer to create oxide layer on wafer for forming insulating layer

Номер патента: FR2894715A1. Автор: Pierre Tauzinat,Michel Ancilotti. Владелец: XBYBUS SOC PAR ACTIONS SIMPLIF. Дата публикации: 2007-06-15.

Insulator based on silicon dioxide and an organic polymer

Номер патента: GB2326168A. Автор: Kazuhiko Endo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-12-16.

Capacitor, methods of forming capacitors, methods for forming silicon nitride layers on silicon-comprising substrates, and methods of densifying silicon nitride layers

Номер патента: US6323138B1. Автор: Trung Tri Doan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-27.

Wafer pretreatment to decrease the deposition rate of silicon dioxide on silicon nitride in comparison to its deposition rate on a silicon substrate

Номер патента: EP1178528B1. Автор: Scott Brad Herner,Manuel Anselmo Hernandez. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-01-11.

SELECTIVE DEPOSITION OF SILICON NITRIDE ON SILICON OXIDE USING CATALYTIC CONTROL

Номер патента: US20190148128A1. Автор: Hausmann Dennis M.,Smith David Charles. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

SELECTIVE DEPOSITION OF SILICON NITRIDE ON SILICON OXIDE USING CATALYTIC CONTROL

Номер патента: US20180261447A1. Автор: Hausmann Dennis M.,Smith David Charles. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

Application of aluminium based alloy on silicon - without diffusing the aluminium into the silicon

Номер патента: FR2253274A1. Автор: . Владелец: Radiotechnique Compelec RTC SA. Дата публикации: 1975-06-27.

Pretreatment Techniques for Improving Continuity of Ultrathin Amorphous Silicon Films on Silicon Oxide

Номер патента: JP7242631B2. Автор: ルイ チェン，,アブヒジット バス マリック，,イーホン チェン，,イー ヤン，,カーティック ジャナキラマン，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-03-20.

Thermal oxidation method utilizing atomic oxygen to reduce dangling bonds in silicon dioxide grown on silicon

Номер патента: US6509283B1. Автор: Michael E. Thomas. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-01-21.

Pre-treatment approach to improve continuity of ultra-thin amorphous silicon film on silicon oxide

Номер патента: WO2019022826A1. Автор: Yi Yang,Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Rui CHENG,Karthik Janakiraman. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-01-31.

Selective deposition of silicon nitride on silicon oxide using catalytic control

Номер патента: KR102491414B1. Автор: 데이비드 찰스 스미스,데니스 엠. 하우스만. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-01-20.

Deformation compensation method for growing thick galium nitride on silicon substrate

Номер патента: US20240263348A1. Автор: Bo Cheng,Christian Huber,Mordechai Kornbluth,Jens Baringhaus,Charles Tuffile. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-08.

HIGH QUALITY GAN HIGH-VOLTAGE HFETS ON SILICON

Номер патента: US20130302972A1. Автор: Ramdani Jamal,Liu LinLin,EDWARDS John P.. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

PATTERN FORMATION AND TRANSFER DIRECTLY ON SILICON BASED FILMS

Номер патента: US20150132959A1. Автор: NEMANI Srinivas,Tedeschi Leonard. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

Methods For Selective Deposition Of Dielectric On Silicon Oxide

Номер патента: US20200216949A1. Автор: Thompson David,Saly Mark,Kalutarage Lakmal C.,Bhuyan Bhaskar Jyoti,Howlader Rana. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

Method of unit level liquid crystal display device assembly process for liquid crystal on silicon

Номер патента: US09829748B2. Автор: Chun Chiu Daniel Wong,Hiap Liew Ong. Владелец: Syndiant Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Germanium-On-Silicon Avalanche Photodetector In Silicon Photonics Platform, Method Of Making The Same

Номер патента: US20220406955A1. Автор: Yu Li,Masaki Kato. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Silica-on-silicon-based hybrid integrated optoelectronic chip and manufacturing method therefor

Номер патента: US20150355424A1. Автор: Liang Zhou,Xiaoge Cao,Xianghong Yu. Владелец: Wuhan Telecommunication Devices Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Silica-on-silicon-based hybrid integrated optoelectronic chip and manufacturing method therefor

Номер патента: US09482831B2. Автор: Liang Zhou,Xiaoge Cao,Xianghong Yu. Владелец: Wuhan Telecommunication Devices Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Light emitting diode on silicon substrate

Номер патента: RU2755933C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Ирина Павловна Смирнова,Александр Сергеевич Гращенко,Лев Константинович Марков,Андрей Евгеньевич Николаев,Алексей Сергеевич Павлюченко,Генадий Викторович Святец,Андрей Федорович Цацульников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2021-09-23.

Silicon nitride hard mask for epitaxial germanium on silicon

Номер патента: US11830961B2. Автор: Edward J. Preisler,Difeng Zhu. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Ionizing radiation sensor based on silicon of crucible-free melting zone of p-type conductivity

Номер патента: RU2634324C1. Автор: Владимир Александрович Елин,Михаил Моисеевич Меркин. Владелец: Публичное акционерное общество "Интерсофт Евразия", ПАО "Интерсофт Евразия". Дата публикации: 2017-10-25.

Germanium-on-silicon avalanche photodetector in silicon photonics platform, method of making the same

Номер патента: US20220069153A1. Автор: Yu Li,Masaki Kato. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for on-silicon integration of a component iii-v and on-silicon integrated component iii-v

Номер патента: US20230145652A1. Автор: David BITAULD,Delphine Neel. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2023-05-11.

Light emitting device grown on silicon substrate

Номер патента: RU2657335C2. Автор: Раджвиндер СИНГХ,Джон Эдвард ЭПЛЕР. Владелец: Люмиледс Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2018-06-13.

Wafer-level liquid-crystal-on-silicon projection assembly, systems and methods

Номер патента: US09851575B2. Автор: Chun-Sheng Fan. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

High-speed germanium on silicon avalanche photodiode

Номер патента: US09478689B2. Автор: Wang Chen,Su Li,Dong Pan,Pengfei Cai,Mengyuan Huang,Liangbo Wang,Ching-yin Hong. Владелец: SiFotonics Technologies Co Ltd Cayman Islands. Дата публикации: 2016-10-25.

Contact grid of heterotransitional photoelectric converter based on silicon and method of its manufacture

Номер патента: RU2624990C1. Автор: Алексей Валерьевич Кукин,Геннадий Анатольевич Иванов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Хевел", ООО "Хевел". Дата публикации: 2017-07-11.

Photodetector circuit comprising a compound semiconductor device on silicon

Номер патента: US11881498B2. Автор: Jonathan KLAMKIN. Владелец: Aeluma Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Process for fabricating an optoelectronic device comprising a germanium-on-silicon photodiode optically coupled to an integrated waveguide

Номер патента: US20240069282A1. Автор: Bertrand Szelag. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-02-29.

Photodetector circuit comprising a compound semiconductor device on silicon

Номер патента: US20240162270A1. Автор: Jonathan KLAMKIN. Владелец: Aeluma Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Image sensor comprising isolated germanium photodetectors integrated with a silicon substrate and silicon circuitry

Номер патента: US20050205954A1. Автор: Conor Rafferty,Clifford King. Владелец: Noble Peak Vision Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Image sensor comprising isolated germanium photodetectors integrated with a silicon substrate and silicon circuitry

Номер патента: US7453129B2. Автор: Conor S. Rafferty,Clifford Alan King. Владелец: Noble Peak Vision Corp. Дата публикации: 2008-11-18.

Large area synthesis of cubic phase gallium nitride on silicon

Номер патента: US20230235480A1. Автор: Can Bayram,Muhammad Ali Johar. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-07-27.

Forming led structures on silicon fins

Номер патента: KR102099193B1. Автор: 벤자민 추-쿵,산삽탁 다스굽타,마르코 라도사블예비치,한 위 덴,로버트 챠우,사나즈 가드너. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2020-04-09.

Fabrication method of nitride forming on silicon substrate

Номер патента: US20130217212A1. Автор: Chih-Yen Chen,Chih-Chung Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2013-08-22.

Fabrication method of nitride forming on silicon substrate

Номер патента: US9281184B2. Автор: Chih-Yen Chen,Chih-Chung Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-03-08.

Large area synthesis of cubic phase gallium nitride on silicon

Номер патента: US20230238246A1. Автор: Can Bayram,Muhammad Ali Johar. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-07-27.

Growing compressively strained silicon directly on silicon at low temperatures

Номер патента: US20120205784A1. Автор: Alexander Reznicek,Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Reducing electrical activity of defects in silicon carbide grown on silicon

Номер патента: WO2023111540A1. Автор: Martin LAMB. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Hetero integration of semiconductor materials on silicon

Номер патента: EP1525614A1. Автор: Suresh Venkatesan,Papa D. Maniar. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-04-27.

Masking technique for depositing gallium arsenide on silicon

Номер патента: US5256594A. Автор: Thomas George,Masayoshi Umeno,Shinji Nozaki,Albert T. Wu,Sandra S. Lee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1993-10-26.

Method for fabricating ultra-thin graphite film on silicon carbide substrate

Номер патента: US20200203162A1. Автор: jun-bin Huang,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu,Cheng-Jung Ko,Chia-Hung Tai. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for transferring patterns on silicone ladder type resin and etching solution used in such method

Номер патента: CA2010030A1. Автор: Hiroshi Adachi,Osamu Hayashi,Etsushi Adachi,Yoshiko Aiba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-08-23.

Active electronic devices based on gallium nitride and its alloys grown on silicon substrates with buffer layers of SiCAIN

Номер патента: US20040129200A1. Автор: John Kouvetakis,Ignatius Tsong,John Tolle,Radek Roucka. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2004-07-08.

Production of silicon-on-insulator substrate for high frequency devices involves forming surface-oxidized monocrystalline silicon layer on monocrystalline silicon-germanium layer formed on silicon monocrystal silicon assembly layer

Номер патента: FR2796757A1. Автор: Junji Nakanishi,Satoshi Yamakawa,Nobuyoshi Hattori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-01-26.

Method for transferring patterns on silicone ladder type resin and etching solution used in such method

Номер патента: CA2010030C. Автор: Hiroshi Adachi,Osamu Hayashi,Etsushi Adachi,Yoshiko Aiba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

Method for producing ceramic passivation layers on silicon for solar cell manufacture

Номер патента: US8482106B2. Автор: Hartmut Wiezer,Klaus Rode. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2013-07-09.

FinFET CMOS WITH SILICON FIN N-CHANNEL FET AND SILICON GERMANIUM FIN P-CHANNEL FET

Номер патента: US20180076202A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

FinFET CMOS WITH SILICON FIN N-CHANNEL FET AND SILICON GERMANIUM FIN P-CHANNEL FET

Номер патента: US20180197860A1. Автор: Cheng Kangguo,Wang Junli,Standaert Theodorus E,Basker Veeraraghavan S. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

EPITAXIAL SILICON GERMANIUM FIN FORMATION USING SACRIFICIAL SILICON FIN TEMPLATES

Номер патента: US20160247677A1. Автор: Yang Chih-Chao,Wang Junli,He Hong,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

Utilization of miscut substrates to improve relaxed graded silicon-germanium and germanium layers on silicon

Номер патента: US6039803A. Автор: Eugene A. Fitzgerald,Srikanth B. Samavedam. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2000-03-21.

Method of depositing charge trapping polycrystalline silicon films on silicon substrates with controllable film stress

Номер патента: EP3266038A1. Автор: Gang Wang,Igor Peidous,Jeffrey Louis LIBBERT,Shawn G. Thomas. Владелец: SunEdison Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-10.

Laser Assisted SiC Growth On Silicon

Номер патента: US20180226247A1. Автор: Tim Hogan,Amanpreet Kaur,Premjeet Chahal. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2018-08-09.

PRE-TREATMENT APPROACH TO IMPROVE CONTINUITY OF ULTRA-THIN AMORPHOUS SILICON FILM ON SILICON OXIDE

Номер патента: US20190027362A1. Автор: Yang Yi,JANAKIRAMAN Karthik,Mallick Abhijit Basu,CHEN Yihong,Cheng Rui. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

METHOD OF DEPOSITING CHARGE TRAPPING POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS ON SILICON SUBSTRATES WITH CONTROLLABLE FILM STRESS

Номер патента: US20190096745A1. Автор: Wang Gang,Libbert Jeffrey L.,PEIDOUS IGOR,Thomas Shawn George. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

METHOD OF DEPOSITING CHARGE TRAPPING POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS ON SILICON SUBSTRATES WITH CONTROLLABLE FILM STRESS

Номер патента: US20200126848A1. Автор: Wang Gang,Libbert Jeffrey L.,PEIDOUS IGOR,Thomas Shawn George. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

METHOD OF DEPOSITING CHARGE TRAPPING POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS ON SILICON SUBSTRATES WITH CONTROLLABLE FILM STRESS

Номер патента: US20180233400A1. Автор: Wang Gang,Libbert Jeffrey L.,PEIDOUS IGOR,Thomas Shawn George. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

Process for the controlled growth of single-crystal films of silicon carbide polytypes on silicon carbide wafers

Номер патента: AU2250392A. Автор: J. Anthony Powell,David J Larkin. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 1993-01-12.

Silicon photonics co-integrated with quantum dot lasers on silicon

Номер патента: US10734785B2. Автор: Vipulkumar Patel,Dominic F. Siriani,Sean P. Anderson. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-04.

Suspension used in the production of a semiconductor for printed circuit boards contains a silicon dioxide layer arranged on silicon particles

Номер патента: DE102006024490A1. Автор: Torsten Scherer,Gabi Dr. Schierning,Ralf Dr. Theissmann,Roland Dr. Schmechel. Владелец: Forschungszentrum Karlsruhe GmbH. Дата публикации: 2007-11-29.

Single crystal aluminum nitride layers, useful as high frequency SAW filters and buffer layers for electronic and optoelectronics component deposition, are grown on silicon using silicon surface construction and reconstruction steps

Номер патента: DE19827198A1. Автор: Wolfgang Richter,Gela D Kipshidze,Hans P D J H Schenk. Владелец: Wolfgang Richter. Дата публикации: 2000-01-20.

Method of forming compound semiconductor together with thermosoftening insulator on silicon (Si) wafer, and silicon wafer

Номер патента: JP4975513B2. Автор: テン スー シェン,ジャン リー チョン,リー ティンカイ. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-07-11.

The method and silicon wafer of cvd nitride aluminium film on silicon substrate

Номер патента: CN110534403A. Автор: 李丽,王军,孙颖,张鹤南,王桐,董博宇,郭冰亮,马怀超,武学伟,徐宝岗,刘绍辉. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-03.

Method of growing polycrystalline silicon film for charge trapping on silicon substrate capable of controlling film stress

Номер патента: JP6517360B2. Автор: ワン・ガン,イゴール・ペイドウス,ジェフリー・ルイス・リバート,ショーン・ジー・トーマス. Владелец: SunEdison Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-05-22.

Process for the controlled growth of single-crystal films of silicon carbide polytypes on silicon carbide wafers

Номер патента: WO1992022922A3. Автор: David J Larkin,J Anthony Powell. Владелец: Univ Case Western Reserve. Дата публикации: 1993-02-18.

Reduction of threshold voltage variation in transistors comprises forming layer of silicon-containing semiconductor alloy on silicon-containing crystalline semiconductor regions, and forming two gate electrode structures

Номер патента: DE102008064796B3. Автор: Andreas Ott,Stephan Kronholz. Владелец: AMD Fab 36 LLC and Co KG. Дата публикации: 2013-11-28.

Production of tear-free planar Group III-N, Group III-V-N and metal-nitrogen component structures on silicon substrates comprises partially structuring the silicon substrate or buffer layer deposited on it by masking and/or etching

Номер патента: DE10056645A1. Автор: Alois Krost,Armin Dadgar. Владелец: Armin Dadgar. Дата публикации: 2001-09-13.

METHOD FOR THE SELECTIVE DEPOSITION OF A REFRACTORY METAL SILICIDE ON SILICON AND METALLIC SILICON WAFER BY THIS PROCESS

Номер патента: FR2742924B1. Автор: Jorge Luis Regolini,Daniel Bensahel. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-03-20.

Method to improve adhesion of photoresist on silicon substrate for extreme ultraviolet and electron beam lithography

Номер патента: US20200090936A1. Автор: Dario L. Goldfarb,Martin Glodde. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Method to improve adhesion of photoresist on silicon substrate for extreme ultraviolet and electron beam lithography

Номер патента: US20180337048A1. Автор: Dario L. Goldfarb,Martin Glodde. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Silicon-On-Oxide-On-Silicon

Номер патента: US20220130866A1. Автор: Alexander A. Demkov,Agham POSADAS,J. Elliott Ortmann. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2022-04-28.

TRIMMING SILICON FIN WIDTH THROUGH OXIDATION AND ETCH

Номер патента: US20150140787A1. Автор: ZHANG YING,Chung Hua. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Hafnium nitride buffer layers for growth of gan on silicon

Номер патента: AU2003299500A8. Автор: Eicke R Weber,Robert D Armitage. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2004-06-07.

Hetero-integration of semiconductor materials on silicon

Номер патента: TW200409304A. Автор: Suresh Venkatesan,Papu D Maniar. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-06-01.

Laser on silicon made with 2d material gain medium

Номер патента: US20170338621A1. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Jinghui Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Method of fabricating si1-xGex films on silicon substrates

Номер патента: TW200401374A. Автор: Sheng Teng Hsu,Jer Shen Maa,Jong-Jan Lee,Douglas James Tweet. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2004-01-16.

Direct growth of lateral iii-v bipolar transistor on silicon substrate

Номер патента: US20210249521A1. Автор: Cheng-Wei Cheng,Tak H. Ning,Kuen-Ting Shiu,Ko-Tao Lee,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Laser on silicon made with 2D material gain medium

Номер патента: US09871341B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Jinghui Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

METHOD FOR SELECTIVELY INCREASING SILICON FIN AREA FOR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20190148410A1. Автор: Obradovic Borna J.,Hong Joon Goo,Seo Kang Ill. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Silicon etching solution, silicon etching method, and method of producing silicon fin structure

Номер патента: US20200407636A1. Автор: Masaru Takahama,Ming-Yen Chung. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Silicon etching solution, silicon etching method, and method of producing silicon fin structure

Номер патента: US20200407636A1. Автор: Masaru Takahama,Ming-Yen Chung. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Silicon etching solution, silicon etching method, and method of producing silicon fin structure

Номер патента: US11802240B2. Автор: Masaru Takahama,Ming-Yen Chung. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Silicon etching solution, silicon etching method, and method of producing silicon fin structure

Номер патента: US11306248B2. Автор: Masaru Takahama,Ming-Yen Chung. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

SELECTIVE EPITAXIAL GERMANIUM GROWTH ON SILICON-TRENCH FILL AND IN SITU DOPING

Номер патента: US20130210221A1. Автор: Kim Yihwan,SANCHEZ ERROL ANTONIO C.,HUANG YI-CHIAU,Li Jiping,Jin Miao,Wood Bingxi Sun. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-15.

Fabrication method of nitride forming on silicon substrate

Номер патента: US20130217212A1. Автор: Chih-Yen Chen,Chih-Chung Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2013-08-22.

MOCVD for Growing III-V Compound Semiconductors on Silicon Substrates

Номер патента: US20140033981A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-02-06.

EXTERNAL STONTIUM TIANATE ON SILICON

Номер патента: US20210028009A1. Автор: LIANG Yong. Владелец: PsiQuantum Corp.. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of forming structures with v shaped bottom on silicon substrate

Номер патента: US20180033621A1. Автор: Chun Yan,Errol Antonio C. Sanchez,Xinyu Bao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Buffer layer for Gallium Nitride-on-Silicon epitaxy

Номер патента: US20200035482A1. Автор: Ramer Jeff C.,Knieriem Karl M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

Laser Assisted SiC Growth On Silicon

Номер патента: US20170040167A1. Автор: Chahal Premjeet,Hogan Tim,KAUR Amanpreet. Владелец: BOARD OF TRUSTEES OF MICHIGAN STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-02-09.

Process for Electroless Deposition of Gold and Gold Alloys on Silicon

Номер патента: US20140141609A1. Автор: SCHLESINGER Mordechay,PETRO Robert Andrew. Владелец: UNIVERSITY OF WINDSOR. Дата публикации: 2014-05-22.

Selective Deposition On Silicon Containing Surfaces

Номер патента: US20200066539A1. Автор: Pearlstein Ronald Martin. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR MATERIALS AND DEVICES ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20140154874A1. Автор: Shi Zhisheng. Владелец: The Board of Regents of the University of Oklahoma. Дата публикации: 2014-06-05.

Epitaxial Growth of CZT(S,Se) on Silicon

Номер патента: US20160093755A1. Автор: Talia S. Gershon,Yu Zhu,Supratik Guha,Byungha Shin,Nestor A. Bojarczuk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

LASER DEVICE INTEGRATED WITH SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20180090576A1. Автор: Kim Taek. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR ON SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATE

Номер патента: US20220140116A1. Автор: Lee Zachary Ka Fai. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-05.

METHOD TO IMPROVE ADHESION OF PHOTORESIST ON SILICON SUBSTRATE FOR EXTREME ULTRAVIOLET AND ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY

Номер патента: US20200090936A1. Автор: Goldfarb Dario L.,Glodde Martin. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

NON-DESTRUCTIVE BOND LINE THICKNESS MEASUREMENT OF THERMAL INTERFACE MATERIAL ON SILICON PACKAGES

Номер патента: US20210123729A1. Автор: LUO Yu,ZHANG Hongqing,BUNT Jay A.,LEWISON David J.,Molinelli Acocella Joyce. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

Metamorphic Growth Of III-V Semiconductor On Silicon Substrate By MOCVD for High Speed III-V Transistors

Номер патента: US20140209979A1. Автор: LAU Kei May,TANG Chak Wah. Владелец: NANO AND ADVANCED MATERIALS INSTITUTE LIMITED. Дата публикации: 2014-07-31.

HIGH-VOLTAGE LATERAL GAN-ON-SILICON SCHOTTKY DIODE WITH REDUCED JUNCTION LEAKAGE CURRENT

Номер патента: US20210210642A1. Автор: Carlson Douglas,Boles Timothy E.,Kaleta Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Method of Unit Level Liquid Crystal Display Device Assembly Process for Liquid Crystal on Silicon

Номер патента: US20170184924A1. Автор: WONG Chun Chiu Daniel,Ong Hiap Liew. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Method for fabricating ultra-thin graphite film on silicon carbide substrate

Номер патента: US20200203162A1. Автор: jun-bin Huang,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu,Cheng-Jung Ko,Chia-Hung Tai. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2020-06-25.

Direct growth of lateral iii-v bipolar transistor on silicon substrate

Номер патента: US20210249521A1. Автор: Cheng-Wei Cheng,Tak H. Ning,Kuen-Ting Shiu,Ko-Tao Lee,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Laser Assisted SiC Growth On Silicon

Номер патента: US20180226247A1. Автор: Chahal Premjeet,Hogan Tim,KAUR Amanpreet. Владелец: BOARD OF TRUSTEES OF MICHIGAN STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-08-09.

METHOD TO IMPROVE ADHESION OF PHOTORESIST ON SILICON SUBSTRATE FOR EXTREME ULTRAVIOLET AND ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY

Номер патента: US20180233362A1. Автор: Goldfarb Dario L.,Glodde Martin. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

METHOD TO IMPROVE ADHESION OF PHOTORESIST ON SILICON SUBSTRATE FOR EXTREME ULTRAVIOLET AND ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY

Номер патента: US20180233363A1. Автор: Goldfarb Dario L.,Glodde Martin. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

Laser using locally strained germanium on silicon for opto-electronic applications

Номер патента: US09653639B2. Автор: Birendra Dutt. Владелец: APIC Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Epitaxial buffer layers for group III-N transistors on silicon substrates

Номер патента: US09583574B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for depositing a silicon oxide layer of same thickness on silicon and on silicon-germanium

Номер патента: US8603887B2. Автор: Yves Campidelli,Didier Dutartre,Nicolas Breil,Olivier Gourhant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-10.

Method for depositing silicon oxide layer on silicon substrate utilized to form gate of e.g. N-channel metal-oxide-semiconductor transistor, involves forming silicon layer over silicon-germanium to deposit oxide layer on substrate

Номер патента: FR2978602A1. Автор: Yves Campidelli,Didier Dutartre,Nicolas Breil,Olivier Gourhant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-01.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: EP2901471A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: WO2014051779A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: US20170141219A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Junction field effect transistor on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US20220140116A1. Автор: Zachary Ka Fai Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Junction field effect transistor on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: WO2022094366A1. Автор: Zachary Ka Fai Lee. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-05.

Junction field effect transistor on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: EP4238138A1. Автор: Zachary Ka Fai Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Activation of graphene buffer layers on silicon carbide by ultra low temperature oxidation

Номер патента: TW201120940A. Автор: James B HANNON,Fenton R Mcfeely,John J Yurkas,Satoshi Oida. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2011-06-16.

Activation of graphene buffer layers on silicon carbide

Номер патента: GB201204308D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-25.

Activation of graphene buffer layers on silicon carbide

Номер патента: GB2486116B. Автор: Fenton Read Mcfeely,James Bowler Hannon,Satoshi Oida,John Jacob Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-13.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: EP2901471B1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-04.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: EP2901471A4. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee,Robert S Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-18.

FINFET STRUCTURES HAVING SILICON GERMANIUM AND SILICON FINS

Номер патента: US20150206904A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

METHOD FOR PREPARING AN N+PP+ OR P+NN+ STRUCTURE ON SILICON WAFERS

Номер патента: US20130112260A1. Автор: Pellegrin Yvon,LE QUANG Nam,Bazer-Bachi Barbara,Lemiti Mustapha. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-09.

Bidirectional Semiconductor Device for Protection Against Electrostatic Discharges, Usable on Silicon on Insulator

Номер патента: US20130214326A1. Автор: Galy Philippe,Guitard Nicolas,Benoist Thomas. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2013-08-22.

EPITAXIAL BUFFER LAYERS FOR GROUP III-N TRANSISTORS ON SILICON SUBSTRATES

Номер патента: US20140094223A1. Автор: Mukherjee Niloy,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-03.

Thick ALN Inter-Layer for III-Nitride Layer on Silicon Substrate

Номер патента: US20140209918A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-07-31.

STRAIN COMPENSATED REO BUFFER FOR III-N ON SILICON

Номер патента: US20160133708A1. Автор: Clark Andrew,LEBBY MICHAEL,Arkun Erdem,Dargis Rytis,Roucka Radek. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: US20170141219A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Methods, compositions and devices for performing ionization desorption on silicon derivatives

Номер патента: WO2005001423A3. Автор: Bruce Compton,Gary Siuzdak,Zhouxin Shen,Eden Go,Edouard S P Bouvier. Владелец: Edouard S P Bouvier. Дата публикации: 2007-08-16.

Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries

Номер патента: US10862114B2. Автор: Vincent Pluvinage,Yimin Zhu. Владелец: OneD Material Inc. Дата публикации: 2020-12-08.

Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries

Номер патента: EP4292702A3. Автор: Vincent Pluvinage,Yimin Zhu. Владелец: OneD Material Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries

Номер патента: EP4273296A1. Автор: Vincent Pluvinage,Yimin Zhu. Владелец: OneD Material Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries

Номер патента: US20230352668A1. Автор: Vincent Pluvinage,Yimin Zhu. Владелец: OneD Material Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries

Номер патента: EP4292702A2. Автор: Vincent Pluvinage,Yimin Zhu. Владелец: OneD Material Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries

Номер патента: US20240162426A1. Автор: Vincent Pluvinage,Yimin Zhu. Владелец: OneD Material Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Forming silicon dioxide on silicon carbide

Номер патента: WO2013140122A1. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Limited. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor device structure with metal ring on silicon-on-insulator (SOI) substrate

Номер патента: US09799557B2. Автор: Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE FORMATION

Номер патента: US20150053928A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,Ching Kuo-Cheng,DIAZ Carlos H.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for forming ohmic contact on silicon-silicon interface in semiconductor device

Номер патента: KR100336042B1. Автор: 변광선,이상은,정성희. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-08.

INTEGRATED COMPUTING STRUCTURES FORMED ON SILICON

Номер патента: US20190013323A1. Автор: Bhattacharyya Arup. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

III-N SEMICONDUCTOR-ON-SILICON STRUCTURES AND TECHNIQUES

Номер патента: US20140158976A1. Автор: Mukherjee Niloy,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-12.

Method for increasing current density and degradation resistance of auto-emission codes on silicon plates

Номер патента: RU2654522C1. Автор: Сергей Петрович Тимошенков,Сергей Николаевич Орлов,Геннадий Яковлевич Красников,Валерий Петрович Тимошенков,Равиль Кяшшафович Яфаров,Евгений Сергеевич Горнев,Андрей Равильевич Яфаров. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" (АО "НИИМЭ"). Дата публикации: 2018-05-21.

Hybrid III-V on silicon laser device with transverse mode filter

Номер патента: US09941664B1. Автор: Folkert Horst,Herwig Hahn,Marc Seifried. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Laser structure on silicon using aspect ratio trapping growth

Номер патента: US09401583B1. Автор: Ning Li,Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Photonic circuit with hybrid III-V on silicon active section with inverted silicon taper

Номер патента: US11670912B2. Автор: Antonin GALLET,Théo Verolet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-06.

Photonic circuit with hybrid iii-v on silicon active section with inverted silicon taper

Номер патента: US20210083456A1. Автор: Antonin GALLET,Théo Verolet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-03-18.

Redispersible particles based on silicon particles and polymers

Номер патента: US20200006752A1. Автор: Dominik Jantke,Rebecca Bernhard. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2020-01-02.

Active material of negative electrode based on silicone alloy for electric device

Номер патента: RU2508579C2. Автор: Такаси МИЯМОТО,Манабу ВАТАНАБЕ,Осаму ТАНАКА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-02-27.

Single molecule array on silicon substrate for quantum computer

Номер патента: EP1315667A1. Автор: Michelle Yvonne Simmons,Andrew Steven Dzurak,Robert Graham Clark,Jeremy Lloyd O'brien,Steven Richard Schofield. Владелец: Unisearch Ltd. Дата публикации: 2003-06-04.

Heater chips with silicon die bonded on silicon substrate, including offset wire bonding

Номер патента: US20130250004A1. Автор: Frank Anderson,Carl Sullivan,II Burton Joyner,Timothy Strunk. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

QUANTUM DOT LASERS INTEGRATED ON SILICON SUBMOUNT WITH MECHANICAL FEATURES AND THROUGH-SILICON VIAS

Номер патента: US20190273364A1. Автор: Patel Vipulkumar,Anderson Sean P.,SIRIANI Dominic F.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

Heater chips with silicon die bonded on silicon substrate, including offset wire bonding

Номер патента: US8459779B2. Автор: Frank Anderson,Carl Sullivan,II Burton Joyner,Timothy Strunk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-11.

Semiconductor component with metallized sidewalls on silicon wafer power components has a metal edging surrounding the components on an underside and on partially covered metal sidewalls and deep troughs etched on silicon wafers.

Номер патента: DE19951945A1. Автор: Markus Thoben,Wolfgang Staiger. Владелец: DaimlerChrysler AG. Дата публикации: 2001-05-03.

Process for forming silver films on silicon

Номер патента: WO2012064373A2. Автор: Brian Murphy,Brent A. Buchine,Jeff Miller,Marcie Black,Faris Modawar,Mike Jura. Владелец: BANDGAP ENGINEERING INC.. Дата публикации: 2012-05-18.

Process for forming silver films on silicon

Номер патента: WO2012064373A3. Автор: Brian Murphy,Brent A. Buchine,Jeff Miller,Marcie Black,Faris Modawar,Mike Jura. Владелец: BANDGAP ENGINEERING INC.. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of doping silicon with phosphorus and growing oxide on silicon in the presence of steam

Номер патента: EP1281196A1. Автор: James E. Rapp,Russell B. Rogenski. Владелец: Techneglas LLC. Дата публикации: 2003-02-05.

Method of doping silicon with phosphorus and growing oxide on silicon in the presence of steam

Номер патента: WO2001073828A1. Автор: James E. Rapp,Russell B. Rogenski. Владелец: Techneglas, Inc.. Дата публикации: 2001-10-04.

Light engine based on silicon photonics tsv interposer

Номер патента: US20230299008A1. Автор: LIANG Ding,Radhakrishnan L. Nagarajan. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Light engine based on silicon photonics TSV interposer

Номер патента: US12057403B2. Автор: LIANG Ding,Radhakrishnan L. Nagarajan. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Process for forming graphene layers on silicon carbide

Номер патента: US09771665B2. Автор: Francesca Iacopi,Mohsin Ahmed,Benjamin Vaughan CUNNING. Владелец: Griffith University. Дата публикации: 2017-09-26.

Methods of etching silicon-containing films on silicon substrates

Номер патента: US20110028000A1. Автор: Dmitry Poplavskyy,Elena Rogojina,Eric Rosenfeld. Владелец: INNOVALIGHT INC. Дата публикации: 2011-02-03.

Method and Structure of Forming Silicide and Diffusion Barrier Layer With Direct Deposited Film on Silicon

Номер патента: US20110309508A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,John M. Cotte,Cyril Cabral, Jr.,Christian Lavoie,Zhu Liu,Laura L. Kosbar,Xiaoyan Shao,Kathryn C. Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Quantum-Confined Stark Effect Electro-Optic Modulator In Perovskite Quantum Wells Integrated On Silicon

Номер патента: US20230132224A1. Автор: Alexander A. Demkov,Agham POSADAS,John Elliott Ortmann, JR.. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2023-04-27.

Method for forming identification marks on silicon carbide single crystal substrate, and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20130157009A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Quantum-confined stark effect electro-optic modulator in perovskite quantum wells integrated on silicon

Номер патента: WO2021178959A1. Автор: Alexander A. Demkov,Agham POSADAS,John Elliott ORTMANN. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2021-09-10.

Stress relaxation trenches for gallium nitride microled layers on silicon substrates

Номер патента: US20230369532A1. Автор: Raghav SREENIVASAN,Tyler Sherwood. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of doping silicon with phosphorus and growing oxide on silicon in the presence of steam

Номер патента: AU2001249349A1. Автор: James E. Rapp,Russell B. Rogenski. Владелец: Techneglas LLC. Дата публикации: 2001-10-08.

Method of doping silicon with phosphorus and growing oxide on silicon in the presence of steam

Номер патента: EP1281196A4. Автор: James E Rapp,Russell B Rogenski. Владелец: Techneglas LLC. Дата публикации: 2008-12-31.

Process for forming graphene layers on silicon carbide

Номер патента: WO2015035465A1. Автор: Francesca Iacopi,Mohsin Ahmed,Benjamin Vaughan CUNNING. Владелец: Griffith University. Дата публикации: 2015-03-19.

Devices and methods related to radio-frequency filters on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: GB2588357A. Автор: Phillip Young James. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-04-21.

Silicon-controlled rectifier structures on silicon-on insulator with shallow trench isolation

Номер патента: US6987303B2. Автор: Ta Lee Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-01-17.

Methods for characterizing defects on silicon surfaces, etching composition for silicon surfaces and process of treating silicon surfaces with the etching composition

Номер патента: EP1918985B1. Автор: Alexandra Abbadie. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2010-05-26.

Methods for characterizing defects on silicon surfaces, etching composition for silicon surfaces and process of treating silicon surfaces with the etching composition

Номер патента: TW200819519A. Автор: Alexandra Abbadie,Bernd Kolbesen,Jochen Maehliss. Владелец: Soitec Silicon On Insulator. Дата публикации: 2008-05-01.

Method for manufacturing semiconductor device with low electric resistance silicide layer on silicon surface

Номер патента: US5665646A. Автор: Tomohisa Kitano. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-09-09.

Hybrid integration of group iii-v semiconductor devices on silicon

Номер патента: EP2795675A1. Автор: John Heck,Avi Feshali,Hanan Bar,Ran FELDESH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-10-29.

Treatment on silicon oxynitride

Номер патента: US20010001707A1. Автор: Horng-Bor Lu,I. Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-24.

NEW PROCESS FOR THE MECHANICAL AND CHEMICAL POLISHING OF LAYERS OF INSULATING MATERIALS BASED ON SILICON OR SILICON DERIVATIVES

Номер патента: FR2754937A1. Автор: Eric Jacquinot,Maurice Rivoire. Владелец: Francaise Hoechst Ste. Дата публикации: 1998-04-24.

New process for chemical mechanical polishing of isolating layers based on silicon or silicon containing materials

Номер патента: EP0838845A1. Автор: Eric Jacquinot,Maurice Rivoire. Владелец: Clariant Chimie SA. Дата публикации: 1998-04-29.

Composition of Slurry improving Surface Quality on Silicon Wafer And Polishing Silicon Wafer using thereof

Номер патента: KR100662546B1. Автор: 노현수,이인경,이태영,박태원,이진호,김영우,최문로,김종섭. Владелец: 엠이엠씨코리아 주식회사. Дата публикации: 2006-12-28.

Chemical mechanical polishing process for layers of isolating materials based on silicon derivatives or silicon

Номер патента: US6043159A. Автор: Eric Jacquinot,Maurice Rivoire. Владелец: Clariant Chimie SA. Дата публикации: 2000-03-28.

Strained silicon-on-silicon by wafer bonding and layer transfer

Номер патента: WO2006007396A1. Автор: Eugene A. Fitzgerald,David M. Isaacson. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2006-01-19.

High performance active and passive structures based on silicon material bonded to silicon carbide

Номер патента: US8080826B1. Автор: Joseph H. Johnson,Pablo D'Anna. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-12-20.

Selective gas etching of silicon nitride on silicon - uses plasma produced by HF glow discharge in mixt. of perfluoro-propane and oxygen

Номер патента: DE2614977A1. Автор: Klaus Paschke,Peter Rahden. Владелец: Deutsche ITT Industries GmbH. Дата публикации: 1977-10-27.

High performance active and passive structures based on silicon material grown epitaxially or bonded to silicon carbide substrate

Номер патента: WO2003069681A1. Автор: Pablo E. D'Anna,Joseph H. Johnson. Владелец: Sirenza Microdevices, Inc.. Дата публикации: 2003-08-21.

Silicon dioxide-on-silicon film and method for production thereof

Номер патента: RU2660622C1. Автор: Борис Борисович Логинов. Владелец: Акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон". Дата публикации: 2018-07-06.

Liquid crystal on silicon panel, and preparation method thereof

Номер патента: US11940698B2. Автор: Yeuk-Keung Fung,Kuo-Lung Huang. Владелец: Advanced Silicon Display Optoelectronics Corp Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Temperature monitoring in a semiconductor device by using a pn junction based on silicon/germanium materials

Номер патента: US20120025276A1. Автор: Anthony Mowry,Rolf Stephan,Gert Burbach,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

METHOD FOR FORMING GALLIUM NITRIDE TEMPLATE SEMI-POLAR (20-23) ORIENTATION ON SILICON SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMPTING DEVICE, MANUFACTURING USING THE METHOD

Номер патента: RU2013137514A. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-20.

Method for europium disilicide epitaxial film growing on silicon

Номер патента: RU2615099C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Аверьянов,Вячеслав Григорьевич Сторчак. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2017-04-03.

METHOD FOR PLACING NANODIAMONDS WITH NV CENTERS ON SILICON NITRIDE

Номер патента: RU2019144433A. Автор: Вадим Владиславович Воробьев,Владимир Владимирович Сошенко,Степан Викторович Большедворский,Алексей Владимирович Акимов,Вадим Викторович Ковалюк,Григорий Наумович Гольцман,Павел Павлович Ан,Евгения Витальевна Зубкова,Анна Валерьевна Елманова,Илья Александрович Елманов,София Андреевна Комракова,Джавид Намик оглы Джавадзаде. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский педагогический государственный университет. Дата публикации: 2021-06-29.

Embedded memory in interconnect stack on silicon die

Номер патента: TW201614734A. Автор: Patrick Morrow,Donald W Nelson,M Clair Webb,Ki-Min Jun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-04-16.

Emitter structure based on silicon components to be used in a photovoltaic converter and a method for production of the photovoltaic device

Номер патента: US09520515B2. Автор: Patrick Meyrueis,Zbigniew Kuznicki. Владелец: Segton Adt Sas. Дата публикации: 2016-12-13.

FINFET STRUCTURES HAVING SILICON GERMANIUM AND SILICON FINS WITH SUPPRESSED DOPANT DIFFUSION

Номер патента: US20160379981A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Temperature monitoring in a semiconductor device by using a pn junction based on silicon/germanium materials

Номер патента: US20120025276A1. Автор: Anthony Mowry,Rolf Stephan,Gert Burbach,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Method to electrodeposit nickel on silicon for forming controllable nickel silicide

Номер патента: US20120091589A1. Автор: John M. Cotte,Cyril Cabral, Jr.,Christian Lavoie,Zhu Liu,Laura L. Kosbar,Xiaoyan Shao,Kathryn C. Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-19.

Patterned Graphene Structures on Silicon Carbide

Номер патента: US20140061912A1. Автор: De Heer Walt A.. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

Stop-On Silicon Containing Layer Additive

Номер патента: US20190062598A1. Автор: Stender Matthias,Graham Maitland Gary. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2019-02-28.

STOP-ON SILICON CONTAINING LAYER ADDITIVE

Номер патента: US20170088748A1. Автор: Stender Matthias,Graham Maitland Gary. Владелец: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.. Дата публикации: 2017-03-30.

Method for Bonding of Group III-Nitride Device-on-Silicon and Devices Obtained Thereof

Номер патента: US20140175676A1. Автор: Philippe Soussan,Melina Lofrano. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-06-26.

LIGHT ENGINE BASED ON SILICON PHOTONICS TSV INTERPOSER

Номер патента: US20200152574A1. Автор: Nagarajan Radhakrishnan L.,Ding Liang. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

Hybrid integration of group iii-v semiconductor devices on silicon

Номер патента: US20140307997A1. Автор: John Heck,Avi Feshali,Hanan Bar,Ran FELDESH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-10-16.

PROCESS FOR FORMING GRAPHENE LAYERS ON SILICON CARBIDE

Номер патента: US20160230304A1. Автор: IACOPI Francesca,AHMED Mohsin,CUNNING Benjamin Vaughan. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

IMAGE SENSOR COMPRISING ISOLATED GERMANIUM PHOTODETECTORS INTEGRATED WITH A SILICON SUBSTRATE AND SILICON CIRCUITRY

Номер патента: US20140225214A1. Автор: Rafferty Conor S.,King Clifford A.. Владелец: Infrared Newco, Inc.. Дата публикации: 2014-08-14.

Image sensor comprising isolated germanium photodetectors integrated with a silicon substrate and silicon circuitry

Номер патента: WO2005079199A3. Автор: Conor Rafferty,Clifford Alan King. Владелец: Noble Device Technologies. Дата публикации: 2006-02-02.

Photoelectric converter based on semiconductor compounds a2b4c5 2 formed on silicon substrate

Номер патента: RU2624831C2. Автор: Дмитрий Александрович Кудряшов,Жорес Иванович Алферов,Александр Сергеевич Гудовских,Иван Сергеевич Мухин,Алексей Михайлович Можаров,Алексей Дмитриевич Большаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки "Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук". Дата публикации: 2017-07-07.

Thin film capacitors on silicon germanium substrate and process for making the same

Номер патента: WO2001009930A2. Автор: Koji Arita,Carlos A. Paz de Araujo,Larry D. McMillan,Masamichi Azuma. Владелец: SYMETRIX CORPORATION. Дата публикации: 2001-02-08.

Monolithic visible-infrared focal plane array on silicon

Номер патента: US09917122B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Robert L. Wisnieff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Monolithic visible-infrared focal plane array on silicon

Номер патента: US09911784B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Robert L. Wisnieff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Monolithic visible-infrared focal plane array on silicon

Номер патента: US09685481B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Robert L. Wisnieff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

FORMING LED STRUCTURES ON SILICON FINS

Номер патента: US20160163918A1. Автор: Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak,Gardner Sanaz. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Light-induced aluminum plating on silicon for solar cell metallization

Номер патента: US20240240346A1. Автор: MENG Tao,Laidong Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

Nitride UV light sensors on silicon substrates

Номер патента: US09780239B2. Автор: Wladyslaw Walukiewicz,Robert Forcier. Владелец: ROSESTREET LABS LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Monolithic iii-v nanolaser on silicon with blanket growth

Номер патента: US20170012405A1. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Visible to longwave infrared photodetector on silicon

Номер патента: US20240347561A1. Автор: Clifford King,Baohua Li,Shui-Qing Fisher Yu. Владелец: University of Arkansas System. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of forming functional coatings on silicon substrates

Номер патента: WO2014044922A2. Автор: Ari Kärkkäinen,Paul Williams,Milja Hannu-Kuure,Jarkko Leivo,Henna Jarvitalo,Jianhui Wang,Amir Hadzic. Владелец: OPTITUNE Oy. Дата публикации: 2014-03-27.

Electronic-photonic integrated circuit based on silicon photonics technology

Номер патента: US20220091332A1. Автор: Heuk Park,Jyung Chan Lee,Joon Ki Lee,Sanghwa YOO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-03-24.

Thin film capacitors on silicon germanium substrate and process for making the same

Номер патента: WO2001009930A3. Автор: Koji Arita,Masamichi Azuma,Larry D Mcmillan,De Araujo Carlos A Paz. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Germanium-on-silicon avalanche photodetector in silicon photonics platform

Номер патента: EP3971996B1. Автор: Yu Li,Masaki Kato. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11557333B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20210335414A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20240029785A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11776619B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11056179B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Structure and method for forming integral nitride light sensors on silicon substrates

Номер патента: US20140264358A1. Автор: Robert Forcier. Владелец: ROSESTREET LABS LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Integration of inductors on silicon-based solar cells

Номер патента: NL2030089B1. Автор: Manganiello Patrizio,ISABELLA Olindo,Auke Van Nijen David. Владелец: Univ Delft Tech. Дата публикации: 2023-06-26.

Photodetector on silicon-on-insulator

Номер патента: US20150249179A1. Автор: Bruno Rauber. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2015-09-03.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US12087352B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Photodetector on silicon-on-insulator

Номер патента: US09997550B2. Автор: Bruno Rauber. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-06-12.

Resonant cavity strained III-V photodetector and LED on silicon substrate

Номер патента: US09991417B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing solar cells having nano-micro composite structure on silicon substrate and solar cells manufactured thereby

Номер патента: US09972732B2. Автор: Ho Sung Kim,Jong Hwan Lee,Chae Hwan Jeong,Chang Heon Kim. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2018-05-15.

Liquid crystal display and infrared image sensor on silicon

Номер патента: US09749562B2. Автор: YIN Qian,Takayuki Goto,Chen-Wei Lu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for manufacturing solar cells having nano-micro composite structure on silicon substrate and solar cells manufactured thereby

Номер патента: US09530914B2. Автор: Ho Sung Kim,Jong Hwan Lee,Chae Hwan Jeong,Chang Heon Kim. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2016-12-27.

III-V semiconductor interface with graded GeSn on silicon

Номер патента: US8889978B2. Автор: Scott Semans,Michael Lebby,Radek Roucka. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

III-V SEMICONDUCTOR INTERFACE WITH GRADED GeSn ON SILICON

Номер патента: US20140076390A1. Автор: Scott Semans,Michael Lebby,Radek Roucka. Владелец: Radek Roucka. Дата публикации: 2014-03-20.

Light-induced aluminum plating on silicon for solar cell metallization

Номер патента: US11932960B2. Автор: MENG Tao,Laidong Wang. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2024-03-19.

Image sensor with through silicon fin transfer gate

Номер патента: US20220059599A1. Автор: Gang Chen,Qin Wang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

A kind of thin film silicon crystalline silicon laminate solar photovoltaic cell based on silicon nanowires

Номер патента: CN106784114A. Автор: 朱红英,王珺,郭群超,丁云飞,朱晨烜. Владелец: Shanghai Dianji University. Дата публикации: 2017-05-31.

Growth of delta-doped layers on silicon CCD/S for enhanced ultraviolet response

Номер патента: US5376810A. Автор: Michael E. Hoenk,Paula J. Grunthaner,Frank J. Grunthaner,Robert W. Terhune,Michael H. Hecht. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 1994-12-27.

Method for constructing heat resistant electrode structures on silicon substrates

Номер патента: WO1999010108A1. Автор: Leonard Boyer. Владелец: Radiant Technologies, Inc.. Дата публикации: 1999-03-04.

GERMANIUM-ON-SILICON AVALANCHE PHOTODETECTOR IN SILICON PHOTONICS PLATFORM, METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20220069153A1. Автор: Li Yu,Kato Masaki. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

SILICON NITRIDE HARD MASK FOR EPITAXIAL GERMANIUM ON SILICON

Номер патента: US20200075792A1. Автор: Zhu Difeng,Preisler Edward J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

METHOD FOR FORMING IDENTIFICATION MARKS ON SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20140205803A1. Автор: Kondo Sadahiko. Владелец: HITACHI METALS, LTD.. Дата публикации: 2014-07-24.

Germanium-On-Silicon Avalanche Photodetector In Silicon Photonics Platform, Method Of Making The Same

Номер патента: US20220406955A1. Автор: Li Yu,Kato Masaki. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-22.

Heat transfer module for ultra high density and silicon on silicon packaging applications

Номер патента: EP0471552B1. Автор: Burhan Ozmat. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-07-02.

Heat transfer module for ultra high density and silicon applications on silicon packages

Номер патента: DE69126686D1. Автор: Burhan Ozmat. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-08-07.

C-axis perovskite thin films grown on silicon dioxide

Номер патента: CA2151063C. Автор: Ramamoorthy Ramesh. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1999-03-16.

Formation of thin-film resistors on silicon substrates

Номер патента: USH546H. Автор: George L. Schnable,Chung P. Wu. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1988-11-01.

Methods, materials and structures for noble metal electrode contacts on silicon

Номер патента: KR19980087541A. Автор: 알프레드 그릴,데이비드 에드워드 코텍키,캐더린 린 센거. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 1998-12-05.

Silicon layer on silicon-rich aluminum layer

Номер патента: EP3525244A1. Автор: Pierre Bellanger,Abdelilah Slaoui,Alexander Ulyashin. Владелец: Sintef AS. Дата публикации: 2019-08-14.

Method for manufacturing cone-shaped light trapping structure with adjustable density on silicon surface and prepared black silicon

Номер патента: CN110783417B. Автор: 徐丽华,褚卫国,闫兰琴,陈佩佩. Владелец: National Center for Nanosccience and Technology China. Дата публикации: 2021-06-29.

Method for growing diamond on silicon substrate and method for selectively growing diamond on silicon substrate

Номер патента: WO2023157599A1. Автор: 達夫 阿部,克佳 鈴木,佑宜 田中,剛 大槻,寿樹 松原,健汰 鈴木,温 鈴木,稜 多賀. Владелец: 信越半導体株式会社. Дата публикации: 2023-08-24.

Low leakage current germanium-on-silicon photo-devices

Номер патента: US11894480B2. Автор: Eran Katzir,Avraham Bakal,Uriel Levy,Omer KAPACH,Vincent IMMER. Владелец: Trieye Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Liquid crystal on silicon panel, and preparation method thereof

Номер патента: US11953794B2. Автор: Rong Hsu,Kuo-Lung Huang. Владелец: Advanced Silicon Display Optoelectronics Corp Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Liquid crystal display and infrared image sensor on silicon

Номер патента: US20170142360A1. Автор: YIN Qian,Takayuki Goto,Chen-Wei Lu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Die division method and inspection apparatus for avoiding defects locations on silicon carbide wafers

Номер патента: US20220199470A1. Автор: Min Park,Jongho YOON. Владелец: Etamax Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20200143870A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Structure and method for forming integral nitride light sensors on silicon substrates

Номер патента: US20150102450A1. Автор: Robert Forcier. Владелец: ROSESTREET LABS LLC. Дата публикации: 2015-04-16.

IMAGE SENSOR WITH THROUGH SILICON FIN TRANSFER GATE

Номер патента: US20220059600A1. Автор: Chen Gang,Wang Qin. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

Integration of leds on gallium-nitride with devices on aluminum/gallium nitride, gallium nitride on silicon substrates for led ac

Номер патента: RU2615215C2. Автор: Теодор ЧУНГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-04-04.

LIGHT-RADIATING DEVICE GROWED ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2014142050A. Автор: Раджвиндер СИНГХ,Джон Эдвард ЭПЛЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2016-05-20.

High efficiency tandem solar cells on silicon substrates using ultra thin germanium buffer layers

Номер патента: WO2005020334A9. Автор: Kazumi Wada,Jeremy Graham,Lionel C Kimerling,David T Danielson,Trisha M Montalbo. Владелец: Trisha M Montalbo. Дата публикации: 2007-03-08.

High dynamic range single photon avalanche detector array on silicon with circuitry for light detection and ranging

Номер патента: US12078728B2. Автор: Clifford Alan King,Anders Ingvar Aberg. Владелец: Semiking LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Spin torque transfer MRAM device formed on silicon stud grown by selective epitaxy

Номер патента: US09450179B2. Автор: John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

IMAGE SENSOR WITH THROUGH SILICON FIN TRANSFER GATE

Номер патента: US20220059599A1. Автор: Chen Gang,Wang Qin. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

Light Induced Plating of Metals on Silicon Photovoltaic Cells

Номер патента: US20130078754A1. Автор: Minsek David W.,Taytsas Lev. Владелец: MACDERMID ACUMEN, INC.. Дата публикации: 2013-03-28.

NITRIDE UV LIGHT SENSORS ON SILICON SUBSTRATES

Номер патента: US20130099249A1. Автор: Forcier Robert,Walukiewicz Wladyslaw. Владелец: ROSESTREET LABS, LLC. Дата публикации: 2013-04-25.

GAN-BASED LEDS ON SILICON SUBSTRATES WITH MONOLITHICALLY INTEGRATED ZENER DIODES

Номер патента: US20130134441A1. Автор: SU Jie. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-30.

EMITTER STRUCTURE BASED ON SILICON COMPONENTS TO BE USED IN A PHOTOVOLTAIC CONVERTER AND A METHOD FOR PRODUCTION OF THE PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20130340819A1. Автор: Kuznicki Zbigniew,Meyrueis Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

PHOTORESISTORS ON SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATE AND PHOTODETECTORS INCORPORATING SAME

Номер патента: US20170005219A1. Автор: GOUSHCHA Alexander O.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

INTEGRATION OF GALLIUM NITRIDE LEDS WITH ALUMINUM GALLIUM NITRIDE/GALLIUM NITRIDE DEVICES ON SILICON SUBSTRATES FOR AC LEDS

Номер патента: US20150014628A1. Автор: Chung Theodore. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2015-01-15.

NITRIDE UV LIGHT SENSORS ON SILICON SUBSTRATES

Номер патента: US20180019351A1. Автор: Forcier Robert,Walukiewicz Wladyslaw. Владелец: ROSESTREET LABS, LLC. Дата публикации: 2018-01-18.

DEVICES AND METHODS RELATED TO RADIO-FREQUENCY FILTERS ON SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATE

Номер патента: US20170026071A1. Автор: Young James Phillip. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

RESONANT CAVITY STRAINED III-V PHOTODETECTOR AND LED ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20170033261A1. Автор: Sadana Devendra K.,LI NING,Kim Jeehwan. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

LED ON SILICON SUBSTRATE USING ZINC-SULFIDE AS BUFFER LAYER

Номер патента: US20140134765A1. Автор: Chen Zhen. Владелец: TOSHIBA TECHNO CENTER INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

DEVICE AND REALIZATION METHOD OF LUMINESCENT SOLAR CONCENTRATORS BASED ON SILICON NANOSTRUCTURES

Номер патента: US20200058814A1. Автор: CERONI PAOLA,MAZZARO RAFFAELLO,BERGAMINI GIACOMO,ARRIGO ANTONINO,ROMANO FRANCESCO,MORANDI VITTORIO,CANINO MARIACONCETTA. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

RESONANT CAVITY STRAINED GROUP III-V PHOTODETECTOR AND LED ON SILICON SUBSTRATE AND METHOD TO FABRICATE SAME

Номер патента: US20180062353A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING,Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

LIGHT-INDUCED ALUMINUM PLATING ON SILICON FOR SOLAR CELL METALLIZATION

Номер патента: US20190067498A1. Автор: Tao Meng,Wang Laidong. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Resonant Cavity Strained Group III-V Photodetector And LED On Silicon Substrate And Method To Fabricate Same

Номер патента: US20180069376A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING,Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

MULTI-THRESHOLD CIRCUITRY BASED ON SILICON-ON-INSULATOR TECHNOLOGY

Номер патента: US20150076564A1. Автор: Singh Gajendra Prasad,Carpenter Roger. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

PHOTOVOLTAICS ON SILICON

Номер патента: US20170077330A1. Автор: Lochtefeld Anthony J.,Cheng Zhiyuan,Li Jizhong,Sheen Calvin. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

EMBEDDED MEMORY IN INTERCONNECT STACK ON SILICON DIE

Номер патента: US20170077389A1. Автор: Jun Kimin,MORROW Patrick,Nelson Donald W.,WEBB M Clair. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

RESONANT CAVITY STRAINED III-V PHOTODETECTOR AND LED ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20200075804A1. Автор: Sadana Devendra K.,LI NING,Kim Jeehwan. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

NITRIDE UV LIGHT SENSORS ON SILICON SUBSTRATES

Номер патента: US20190081193A1. Автор: Forcier Robert,Walukiewicz Wladyslaw. Владелец: ROSESTREET LABS, LLC. Дата публикации: 2019-03-14.

III-V PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20160087160A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELLS HAVING NANO-MICRO COMPOSITE STRUCTURE ON SILICON SUBSTRATE AND SOLAR CELLS MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20170084765A1. Автор: LEE Jong Hwan,Kim Ho Sung,Jeong Chae Hwan,KIM Chang Heon. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

Wafer-Level Liquid-Crystal-On-Silicon Projection Assembly, Systems and Methods

Номер патента: US20180095290A1. Автор: Fan Chun-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING INTEGRAL NITRIDE LIGHT SENSORS ON SILICON SUBSTRATES

Номер патента: US20150102450A1. Автор: Forcier Robert. Владелец: ROSESTREET LABS, LLC. Дата публикации: 2015-04-16.

Colour ILED Display on Silicon

Номер патента: US20220148495A1. Автор: Henry William,Hughes Padraig,"OKeeffe Joseph". Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

Monolithic Visible-Infrared Focal Plane Array On Silicon

Номер патента: US20170133416A1. Автор: Sadana Devendra K.,LI NING,Wisnieff Robert L.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Monolithic Visible-Infrared Focal Plane Array On Silicon

Номер патента: US20170133427A1. Автор: Sadana Devendra K.,LI NING,Wisnieff Robert L.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Colour ILED Display on Silicon

Номер патента: US20200126477A1. Автор: Henry William,Hughes Padraig,"OKeeffe Joseph". Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

REO/ALO/AlN TEMPLATE FOR III-N MATERIAL GROWTH ON SILICON

Номер патента: US20140225123A1. Автор: Clark Andrew,LEBBY MICHAEL,Arkun Erdem,Dargis Rytis. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-14.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND INFRARED IMAGE SENSOR ON SILICON

Номер патента: US20170142360A1. Автор: Qian Yin,GOTO Takayuki,Lu Chen-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

Resonant Cavity Strained Group III-V Photodetector And LED On Silicon Substrate And Method To Fabricate Same

Номер патента: US20190140424A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING,Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Method And System For Germanium-On-Silicon Photodetectors Without Germanium Layer Contacts

Номер патента: US20160155884A1. Автор: Masini Gianlorenzo,Sahni Subal,Hon Kam-Yan. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

TECHNIQUES TO COUPLE HIGH BANDWIDTH MEMORY DEVICE ON SILICON SUBSTRATE AND PACKAGE SUBSTRATE

Номер патента: US20200143870A1. Автор: Bains Kuljit S.,McCALL James A.,VERGIS George,Tomishima Shigeki,ZHAO Chong J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

RESONANT CAVITY STRAINED III-V PHOTODETECTOR AND LED ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20200144445A1. Автор: Sadana Devendra K.,LI NING,Kim Jeehwan. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

High-Speed Germanium On Silicon Avalanche Photodiode

Номер патента: US20160172525A1. Автор: Pan Dong,Cai Pengfei,Huang Mengyuan,Chen Wang,Li Su,Hong Ching-yin,Wang Liangbo. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

OLED ON SILICON PRODUCT

Номер патента: US20200160782A1. Автор: Li Qi,Wu Tong,Qian Dong,ZOU Wenhui,GU Tieer. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

Method And System For Germanium-On-Silicon Photodetectors Without Germanium Layer Contacts

Номер патента: US20200161482A1. Автор: Masini Gianlorenzo,Sahni Subal,Hon Kam-Yan. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING INTEGRAL NITRIDE LIGHT SENSORS ON SILICON SUBSTRATES

Номер патента: US20140264358A1. Автор: Forcier Robert. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Constructing VIA Meshes for High Performance Routing on Silicon Chips

Номер патента: US20200175130A1. Автор: Christian Schulte,Sven Peyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Colour ILED Display on Silicon

Номер патента: US20210217356A1. Автор: William Henry,Padraig Hughes,Joseph O'Keeffe. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-15.

DEVICE AND METHOD OF GETTERING ON SILICON ON INSULATOR (SOI) SUBSTRATE

Номер патента: US20150200227A1. Автор: Lahav Assaf,Veinger Dmitry,Katz Omer,Shima-Edelstein Ruthie. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

A Colour ILED Display on Silicon

Номер патента: US20170213502A1. Автор: Henry William,Hughes Padraig,"OKeeffe Joseph". Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

Resonant Cavity Strained Group III-V Photodetector And LED On Silicon Substrate And Method To Fabricate Same

Номер патента: US20180219355A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING,Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

Resonant cavity strained iii-v photodetector and led on silicon substrate

Номер патента: US20180226539A1. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Resonant cavity strained iii-v photodetector and led on silicon substrate

Номер патента: US20180226540A1. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Resonant Cavity Strained Group III-V Photodetector And LED On Silicon Substrate And Method to Fabricate Same

Номер патента: US20180226769A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING,Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

MONOLITHIC VISIBLE-INFRARED FOCAL PLANE ARRAY ON SILICON

Номер патента: US20170229507A1. Автор: Sadana Devendra K.,LI NING,Wisnieff Robert L.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

Method of forming functional coatings on silicon substrates

Номер патента: US20150249164A1. Автор: Kãrkkãinen Ari,Williams Paul,Hadzic Admir,Hannu-Kuure Milja,Leivo Jarkko,Järvitalo Henna,Wang Jianhui. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-03.

PHOTODETECTOR ON SILICON-ON-INSULATOR

Номер патента: US20150249179A1. Автор: Rauber Bruno. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2015-09-03.

Constructing via meshes for high performance routing on silicon chips

Номер патента: US20200226317A1. Автор: Christian Schulte,Sven Peyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Iii-v photonic crystal microlaser bonded on silicon-on-insulator

Номер патента: US20150222092A1. Автор: Axel Scherer,Seheon KIM,William DOS SANTOS FEGADOLLI. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2015-08-06.

METHOD FOR PREPARING SILICON AND/OR GERMANIUM NANOWIRES

Номер патента: US20190047870A1. Автор: Chenevier Pascale,Reiss Peter. Владелец: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE. Дата публикации: 2019-02-14.

METHOD FOR PREPARING SILICON AND/OR GERMANIUM NANOWIRE

Номер патента: FR3048241B1. Автор: Peter Reiss,Pascale Chenevier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-12-31.

Silicon nanowire chip and mass spectrum detection method based on silicon nanowire chip

Номер патента: CN110203876B. Автор: 陈晓明,邬建敏. Владелец: Hangzhou Well Healthcare Technologies Co ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Silicon nanowire chip manufacturing method and mass spectrum detection method based on silicon nanowire chip

Номер патента: JP7300017B2. Автор: 建敏 ▲ウー▼,暁明 陳. Владелец: HANGZHOU WELL-HEALTHCARE TECHNOLOGIES CO., LTD.. Дата публикации: 2023-06-28.

A kind of silicon nanowires chip and the Mass Spectrometry detection method based on silicon nanowires chip

Номер патента: CN110203876A. Автор: 陈晓明,邬建敏. Владелец: Hangzhou Jian Jian Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-06.

Device and method for performing ionization desorption on silicon derivatives

Номер патента: GB201003331D0. Автор: . Владелец: Waters Investments Ltd. Дата публикации: 2010-04-14.

Cold field electron emitters based on silicon carbide structures

Номер патента: US09558907B2. Автор: Fred Sharifi,Henry Lezec,Myung-Gyu Kang. Владелец: University of Maryland at Baltimore. Дата публикации: 2017-01-31.

COLD FIELD ELECTRON EMITTERS BASED ON SILICON CARBIDE STRUCTURES

Номер патента: US20150061487A1. Автор: Sharifi Fred,Kang Myung-Gyu,Lezec Henri. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

Cold field electron emitters based on silicon carbide structures

Номер патента: US20160118214A1. Автор: Fred Sharifi,Henry Lezec,Myung-Gyu Kang. Владелец: University of Maryland at Baltimore. Дата публикации: 2016-04-28.

Long wavelength VCSEL and integrated VCSEL systems on silicon substrates

Номер патента: US11769989B2. Автор: Elad Mentovich,Vladimir Iakovlev,Yuri Berk,Isabelle Cestier. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Template-based epitaxial growth of lattice mismatched materials on silicon

Номер патента: US20190033524A1. Автор: Harry E. Ruda,Igor SAVELYEV,Marina BLUMIN,Christina F. SOUZA. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Protective coatings on silicon anodes for effective management in high volume cell plant

Номер патента: US20240113303A1. Автор: Xingcheng Xiao,Wai Ping Gloria Tam. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Iii-v laser platforms on silicon with through silicon vias by wafer scale bonding

Номер патента: US20210359490A1. Автор: Dominic F. Siriani,Vipulkumar K. Patel,Jock T. Bovington. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

III-V laser platforms on silicon with through silicon vias by wafer scale bonding

Номер патента: US11728616B2. Автор: Dominic F. Siriani,Vipulkumar K. Patel,Jock T. Bovington. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Iii-v laser platforms on silicon with through silicon vias by wafer scale bonding

Номер патента: US20200212649A1. Автор: Dominic F. Siriani,Vipulkumar K. Patel,Jock T. Bovington. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Laser device integrated with semiconductor optical amplifier on silicon substrate

Номер патента: US09960567B2. Автор: Taek Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of Growing Titanium Nitride on Silicon Substrate Free from Silicon Nitride Interface by Using a Titanium Seed Layer

Номер патента: US20210135330A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: EP4018489A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: WO2021089706A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A Mueed. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2021-05-14.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: AU2020378613B2. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A. Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

An optical interconnect module with polymer waveguide on silicon substrate

Номер патента: WO2018213038A1. Автор: Abraham JOU,Paul Mao-Jen WU. Владелец: Adolite Inc.. Дата публикации: 2018-11-22.

Methods for controlling formation of multilayer carbon coatings on silicon-containing electroactive materials for lithium-ion batteries

Номер патента: US11843110B2. Автор: Wei Li,Lei Wang,Xingcheng Xiao,Mark W. Verbrugge,Michael P. Balogh. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-12-12.

Distributed feedback (dfb) laser on silicon and integrated device comprising a dfb laser on silicon

Номер патента: US20210273409A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Distributed feedback (dfb) laser on silicon and integrated device comprising a dfb laser on silicon

Номер патента: EP4111556A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

Ultra-high q micro-resonator on silicon substrate and method of fabrication thereof

Номер патента: EP1554618A2. Автор: Sean M. Spillane,Kerry J. Vahala,Deniz K. Armani,Tobias J. Kippenberg. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2005-07-20.

Photonic circuit with hybrid iii-v on silicon active section with inverted silicon taper

Номер патента: US20210083456A1. Автор: Antonin GALLET,Théo Verolet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-03-18.

ORDERED NANO-POROUS CARBON COATING ON SILICON OR SILICON/GRAPHENE COMPOSITES AS LITHIUM ION BATTERY ANODE MATERIALS

Номер патента: US20170222219A1. Автор: SUN DONG. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

III-V LASER PLATFORMS ON SILICON WITH THROUGH SILICON VIAS BY WAFER SCALE BONDING

Номер патента: US20200212649A1. Автор: Bovington Jock T.,PATEL Vipulkumar K.,SIRIANI Dominic F.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

III-V LASER PLATFORMS ON SILICON WITH THROUGH SILICON VIAS BY WAFER SCALE BONDING

Номер патента: US20210359490A1. Автор: Bovington Jock T.,PATEL Vipulkumar K.,SIRIANI Dominic F.. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

SILICON PHOTONICS CO-INTEGRATED WITH QUANTUM DOT LASERS ON SILICON

Номер патента: US20190273356A1. Автор: Patel Vipulkumar,Anderson Sean P.,SIRIANI Dominic F.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

Preparation method of silicon-carbon composite material based on silicon-based molecular sieve structure and lithium battery

Номер патента: CN108258227B. Автор: 刘丰,陈海鹏,刘金强,刘贵龙,刘献明,毋乃腾,袁巍巍,赵运霞. Владелец: Luoyang Normal University. Дата публикации: 2021-01-22.

Laser chip for flip-chip bonding on silicon photonics chips

Номер патента: US11888286B2. Автор: Radhakrishnan L. Nagarajan,Xiaoguang He. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: AU2020378613A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A. Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Ultra-stable integrated laser on silicon

Номер патента: US20240235156A1. Автор: Lin Chang,Chao XIANG,John Edward Bowers,Peter Thomas Rakich,Franklyn John Quinlan,Scott Alan Diddams,Kerry John Vahala,Joel Wei Guo,Warren B. Jin,Charles Armand McLemore. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2024-07-11.

Iii-v-on-silicon nanoridge opto-electronic device with carrier blocking layers

Номер патента: EP3671981A1. Автор: Joris Van Campenhout,Yannick De Koninck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-24.

Iii-v-on-silicon nanoridge opto-electronic device with carrier blocking layers

Номер патента: US20200203929A1. Автор: Joris Van Campenhout,Yannick De Koninck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-25.

Temperature insensitive external cavity lasers on silicon

Номер патента: US09787052B2. Автор: Jason S. Orcutt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

III-V photonic integrated circuits on silicon substrate

Номер патента: US09595805B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Temperature insensitive external cavity lasers on silicon

Номер патента: US09438008B1. Автор: Jason S. Orcutt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Self-Injection Locking Using Resonator On Silicon Based Chip

Номер патента: US20220006260A1. Автор: Lipson Michal,Antman Yair,Ji Xingchen,Gaeta Alexander L.. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-06.

Redispersible particles based on silicon particles and polymers

Номер патента: US20200006752A1. Автор: Dominik Jantke,Rebecca Bernhard. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2020-01-02.

MONOLITHIC III-V NANOLASER ON SILICON WITH BLANKET GROWTH

Номер патента: US20170012405A1. Автор: Sadana Devendra K.,LI NING. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

ELECTRICALLY-POLYMERIZED SURFACE LAYER FOR ARTIFICIAL SOLID-ELECTROLYTE-INTERPHASE (SEI) LAYERS ON SILICON AND CARBON BASED ELECTRODES

Номер патента: US20160020449A1. Автор: Hamers Robert John,Slaymaker Laura Elizabeth. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

TEMPLATE-BASED EPITAXIAL GROWTH OF LATTICE MISMATCHED MATERIALS ON SILICON

Номер патента: US20190033524A1. Автор: Ruda Harry E.,SAVELYEV Igor,BLUMIN Marina,SOUZA Christina F.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

Synthesis of graphitic shells on silicon nanoparticles

Номер патента: US20220052323A1. Автор: Lorenzo Mangolini,Giorgio Nava,Joseph Schwan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-02-17.

GERMANIUM-ON-SILICON LASER IN CMOS TECHNOLOGY

Номер патента: US20180048123A1. Автор: Boeuf Frédéric,PROST Mathias,EL KURDI Moustafa,BOUCAUD Philippe. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

III-V Photonic Integration on Silicon

Номер патента: US20150055911A1. Автор: Bowers John E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

III-V PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20170125970A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,LI NING. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

Long wavelength vcsel and integrated vcsel systems on silicon substrates

Номер патента: US20220271499A1. Автор: Elad Mentovich,Vladimir Iakovlev,Yuri Berk,Isabelle Cestier. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

SAGNAC LOOP MIRROR BASED LASER CAVITY ON SILICON PHOTONICS PLATFORM

Номер патента: US20150139264A1. Автор: Zhang Yi,Hochberg Michael J.,Yang Shuyu,Baehr-Jones Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

III-V PHOTONIC CRYSTAL MICROLASER BONDED ON SILICON-ON-INSULATOR

Номер патента: US20140226691A1. Автор: Scherer Axel,DOS SANTOS FEGADOLLI William,KIM Seheon. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2014-08-14.

HIGHLY INTEGRATED MULTI-CHANNEL OPTICAL TRANSCEIVER MODULE AND ACTIVE OPTICAL CABLE BASED ON SILICON PHOTONIC CHIP

Номер патента: US20190154932A1. Автор: XU Hu,Sun Quan,SHI Weiming,SHEN Xiaohan,CAI Yinzhou,YANG Xiaojia. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

III-V PHOTONIC CRYSTAL MICROLASER BONDED ON SILICON-ON-INSULATOR

Номер патента: US20150222092A1. Автор: Scherer Axel,DOS SANTOS FEGADOLLI William,KIM Seheon. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

III-V-ON-SILICON NANORIDGE OPTO-ELECTRONIC DEVICE WITH CARRIER BLOCKING LAYERS

Номер патента: US20200203929A1. Автор: Van Campenhout Joris,De Koninck Yannick. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Iii-v-on-silicon nanoridge opto-electronic device with a regrown fin structure

Номер патента: US20200203930A1. Автор: Bernardette Kunert,Joris Van Campenhout,Yannick De Koninck,Maria Ioanna Pantouvaki,Nadezda Kuznetsova. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-25.

Process for producing a conductive sintered body based on silicon carbide

Номер патента: MY113141A. Автор: SCHMIDT Helmut,Aslan Mesut,Nab Rudiger. Владелец: Institut Fur Neue Mat Gemeinnutzige Gmbh. Дата публикации: 2001-11-30.

Local buffers in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: EP2949127A1. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Nicholas F. Jungels,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2015-12-02.

Local buffers in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: WO2014117024A1. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Nicholas F. Jungels,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-31.

Pixel test in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: EP2948939A1. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2015-12-02.

Pixel test in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: WO2014117026A1. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-31.

Local buffers in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: US09681207B2. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Nicholas F. Jungels,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Panel carrier for a liquid crystal on silicon panel and method for electrically interconnecting same

Номер патента: US09568789B2. Автор: Chun-Sheng Fan,Wei-Feng Lin. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Preparation of superconducting oxide films on silicon and silicon dioxide substrates

Номер патента: CA1332326C. Автор: Richard E. Soltis,Mohammad Aslam,Eleftherios M. Logothetis. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1994-10-11.

Projection device and method with liquid crystal on silicon panel

Номер патента: EP4145823A1. Автор: Chi-Wen Lin,Biing-Seng Wu,Kuan-Hsu Fan Chiang. Владелец: Himax Display Inc. Дата публикации: 2023-03-08.

Ceramic nanostructured material based on silicon nitride and method of its production

Номер патента: RU2653182C2. Автор: Михаил Юрьевич Попов,Иван Павлович Иллич-Свитыч,Николай Владимирович Хохлов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2018-05-07.

Method for selectively depositing a polycrystalline diamond coating on silicon bases

Номер патента: RU2656627C1. Автор: Степан Андреевич Линник,Виталий Владимирович Охотников,Александр Валерьевич Гайдайчук. Владелец: Александр Валерьевич Гайдайчук. Дата публикации: 2018-06-06.

Composition based on zirconium oxide, titanium oxide or mixed zirconium and titanium oxide, deposited on silicon oxide support, methods of producing said composition and use thereof as catalyst

Номер патента: RU2448908C1. Автор: Симон ИФРА,Стефан ВЕРДЬЕ,Гийом КРИНЬЕР,КОЭЛЬО МАРКЕШ Руй ЖОРЖЕ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2012-04-27.

Composition, based on zirconium oxide, titanium oxide or mixed zirconium and titanium oxide, applied on silicon oxide carrier, methods of obtaining thereof, applying thereof and applying thereof as catalyst

Номер патента: RU2531306C2. Автор: Симон ИФРА,Стефан ВЕРДЬЕ,Гийом КРИНЬЕР,КОЭЛЬО МАРКЕШ Руй ЖОРЖЕ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2014-10-20.

Method for Obtaining Bimodal Mesoporous Materials Based on Silicon Oxides Using Microwave Radiation

Номер патента: US20230294997A1. Автор: Pedro Amoros Del Toro,Ruth DE LOS REYES CÁNOVAS,Ana María COSTERO NIETO,Jose Vicente Ros Lis,Jamal EL HASKOURI BENNAGI,Borja DÍAZ DE GREÑU PUERTAS,Sara MUÑOZ PINA. Владелец: UNIVERSITAT DE VALENCIA. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for obtaining bimodal mesoporous materials based on silicon oxides using microwave radiation

Номер патента: EP4253320A1. Автор: Pedro Amoros Del Toro,Ruth DE LOS REYES CÁNOVAS,Ana María COSTERO NIETO,Jose Vicente Ros Lis,Jamal EL HASKOURI BENNAGI,Borja DÍAZ DE GREÑU PUERTAS,Sara MUÑOZ PINA. Владелец: UNIVERSITAT DE VALENCIA. Дата публикации: 2023-10-04.

Catalyst based on tantalum deposited on silicon oxide for converting ethanol to butadiene

Номер патента: RU2726116C2. Автор: Александра ШОМОННО,Николя КАДРАН. Владелец: Ифп Энержи Нувелль. Дата публикации: 2020-07-09.

Method of producing high temperature powder composite material based on silicon carbides and titanium

Номер патента: RU2638866C1. Автор: Максим Николаевич Каченюк,Олег Васильевич Сомов,Светлана Аркадьевна Оглезнева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2017-12-18.

Preparation of nanometric arrays of biomolecules on oligo- or poly(ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: WO2005112565A2. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2005-12-01.

Preparation of Nanometric Arrays of Biomolecules on Oligo-or Poly(Ethylene Glycol) Films on Silicon Surfaces

Номер патента: US20070212555A1. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Yam. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2007-09-13.

Preparation of nanometric arrays of biomolecules on oligo- or poly(ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: WO2005112565A3. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: Chin Ming Yam. Дата публикации: 2006-09-14.

Silicon oxide based support, heteropolyacid catalyst based on said support and synthesis of esters in presence of heteropolyacid catalyst deposited on silicon oxide

Номер патента: RU2395487C2. Автор: Крейг БЕЙЛИ,Бенджамин Патрик ГРЕЙСИ. Владелец: Бп Кемикэлз Лимитед. Дата публикации: 2010-07-27.

Carbon nano tube technology in liquid crystal on silicon micro-display

Номер патента: US20060072063A1. Автор: Gihong Kim,Charles Koo. Владелец: NANO ACQUISITION CORP. Дата публикации: 2006-04-06.

Liquid crystal on silicon micro-display using carbon nanotube

Номер патента: US7728947B1. Автор: Gihong Kim,Charles Chul-Whei Koo. Владелец: Sysview Tech Inc. Дата публикации: 2010-06-01.

Carbon nanotube technology in liquid crystal on silicon micro-display

Номер патента: WO2006041914A1. Автор: Gihong Kim,Charles Chul-Whei Koo. Владелец: Charles Chul-Whei Koo. Дата публикации: 2006-04-20.

Galvanic Growth of Nanowires on a Substrate

Номер патента: US20240141531A1. Автор: Olav Birlem,Florian DASSINGER,Sebastian Quednau,Farough ROUSTAIE. Владелец: Nanowired Gmbh. Дата публикации: 2024-05-02.

Glues based on silicon-acryl hybrid polymer

Номер патента: RU2544702C2. Автор: Чарльз У. ПОЛ,Юксиа ЛИУ,Джиангбо ОУЯНГ,Пол ФОРМАН,Лаксмиша М. СРИДХАР,Смита ШАХ. Владелец: Хенкель Корпорейшн. Дата публикации: 2015-03-20.

Method for producing ceramic composite material based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibers

Номер патента: RU2744543C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-03-11.

Composition for bonding ceramic composite materials based on silicon carbide

Номер патента: RU2604530C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Олег Юрьевич Сорокин,Денис Вячеславович Гращенков,Сергей Станиславович Солнцев,Мария Леонидовна Ваганова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2016-12-10.

Method of making ceramics based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibres

Номер патента: RU2718682C2. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Сергей Николаевич Перевислов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2020-04-13.

Method for obtaining a wear-resistant composite material based on silicon carbide

Номер патента: RU2759858C1. Автор: Петр Александрович Витязь,Александр Федорович Ильющенко,Лариса Николаевна Дьячкова,Владимир Анатольевич Осипов. Владелец: ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ ПОРОШКОВОЙ МЕТАЛЛУРГИИ ИМЕНИ АКАДЕМИКА О.В. РОМАНА. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of depositing aluminium oxide coating on silicon carbide-coated substrate

Номер патента: RU2468361C2. Автор: Фредерик ЛЕМАН,Софи КОСТИЛЬ,Кристиан КОДДЕ,Пьер БЕРТРАН,Себастьен ЛЮКА. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2012-11-27.

Antimicrobial compositions for oral cavity based on silicon dioxide

Номер патента: RU2727205C2. Автор: Терри НАССИВЕРА,Карл ГАЛЛИС,Эрик ЛИНДКВИСТ,Линда МАУЛЛЕР. Владелец: Эвоник Оперейшнс Гмбх. Дата публикации: 2020-07-21.

Terahertz modulator based on silicon micro-nano structure and its preparation method

Номер патента: LU500934B1. Автор: Jingbo Liu,Dongxiong LING,Qinnan Zhang. Владелец: Univ Dongguan Technology. Дата публикации: 2022-06-01.

Method of producing sensitive elements based on silicon-carbon composites and making gas sensors based thereon

Номер патента: RU2732802C1. Автор: Наталья Васильевна Меньшутина,Мария Геннадьевна Гордиенко,Ирина Сергеевна Бриллиантова,Дмитрий Давидович Белоус,Павел Юрьевич Циганков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2020-09-22.

MATERIAL FOR CONVERSION OF VACUUM ULTRAVIOLET RADIATION INTO VISIBLE RANGE RADIATION IN FORM OF AMORPHOUS FILM OF SILICON OXIDE SiO2Sx ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2584205C2. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов,Владимир Алексеевич Пустоваров,Фиттинг Ганс-Йохим. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2016-05-20.

Care and/or makeup composition comprising a silicone elastomer containing carboxylic acid functions and a copolymer based on silicone resin and on silicone of dimethiconol type

Номер патента: EP4401704A1. Автор: Guillaume Kergosien,Kévin DU. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-07-24.

Care and/or makeup composition comprising a silicone elastomer containing carboxylic acid functions and a copolymer based on silicone resin and on silicone of dimethiconol type

Номер патента: US20240358622A1. Автор: Guillaume Kergosien,Kévin DU. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-10-31.

Sintered refractory block based on silicon carbide with silicon nitride binder

Номер патента: RU2395477C9. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье Маргюэн. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2010-10-10.

Method of producing porous material based on silicon nitride

Номер патента: RU2736195C1. Автор: Владимир Николаевич Манжай,Мария Сергеевна Фуфаева,Константин Александрович Болгару. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Томский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (ТНЦ СО РАН). Дата публикации: 2020-11-12.

Method of making ceramics based on silicon nitride - titanium nitride composite

Номер патента: RU2697987C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Светлана Николаевна Ивичева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2019-08-21.

Process for the production of mouldings from materials based on silicon nitride

Номер патента: WO1982004245A1. Автор: Robert Pompe. Владелец: Robert Pompe. Дата публикации: 1982-12-09.

Cvd reactor for synthesis of heteroepitaxial silicon carbide films on silicon substrates

Номер патента: RU2767098C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Открытый код". Дата публикации: 2022-03-16.

Method of producing structural ceramic material based on silicon carbide for articles of complex geometry

Номер патента: RU2739774C1. Автор: Алексей Владимирович Красиков,Михаил Александрович Марков,Павел Алексеевич Кузнецов,Евгений Александрович Самоделкин,Алина Дмитриевна Быкова,Михаил Валерьевич Хроменков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей" имени И.В. Горынина Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт"-ЦНИИ КМ "Прометей"). Дата публикации: 2020-12-28.

High-temperature antioxidant coating for ceramic composite materials based on silicon carbide

Номер патента: RU2601676C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Олег Юрьевич Сорокин,Денис Вячеславович Гращенков,Сергей Станиславович Солнцев,Мария Леонидовна Ваганова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2016-11-10.

A silicon mesa structure integrated in a glass-on-silicon waveguide, and a method of manufacturing it

Номер патента: EP1230717A1. Автор: Kent Erik Mattsson. Владелец: NKT Research Center AS. Дата публикации: 2002-08-14.

Method of fabricating mirrors for liquid crystal on silicon display device

Номер патента: US20080135515A1. Автор: Yiqun Chen,Xianyong Pu,Jing Fu,Jianhong Mao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Abrasion resistant articles based on silicon nitride

Номер патента: CA1155874A. Автор: Sergej-Tomislav Buljan,Vinod K. Sarin. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1983-10-25.

Wavelength selective switch, alignment direction acquisition method, liquid crystal on silicon, and manufacturing method

Номер патента: EP3677959A1. Автор: Mi Wang,Han Zhao,Lei Mao,Liangjia ZONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-08.

Liquid crystal on silicon panel with electrically-conductive adhesive

Номер патента: US20230296941A1. Автор: Edward Wang,Wenlin Jin,Chi-li-ma Harnold. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Liquid-crystal-on-silicon display with photolithographic alignment posts and optical interference layers

Номер патента: US20020047967A1. Автор: SU Jie,HAN Gang,Ravi Yalamanchi. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Highly-reflective liquid crystal on silicon panel comprising a continuous reflective coating covering pixel electrodes and an inter-pixel coating

Номер патента: US09958726B2. Автор: Chun-Sheng Fan. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Liquid crystal on silicon panels and associated methods

Номер патента: US09459500B2. Автор: Chun-Sheng Fan,Wei-Feng Lin. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Composition for pigment dying based on specific acrylic polymer and on silicone copolymer and dying method

Номер патента: RU2643298C2. Автор: Карен ТЕБУЛЬ. Владелец: Л'Ореаль. Дата публикации: 2018-01-31.

Process for preparing moldings based on silicon oxycarbide

Номер патента: US4833220A. Автор: Bernd Pachaly,Volker Frey,Norbert Zeller. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 1989-05-23.

Devices with monochromatic liquid crystal on silicon displays

Номер патента: EP4220279A1. Автор: Jacques Gollier. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-02.

Wavelength selective switch, alignment direction obtaining method, and liquid crystal on silicon and method for manufacturing same

Номер патента: US20200225418A1. Автор: Mi Wang,Han Zhao,Lei Mao,Liangjia ZONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Method for elimination or furnace roll pickup marks on silicon containing sheet steel

Номер патента: CA1049904A. Автор: Arthur R. Henricks. Владелец: USS Engineers and Consultants Inc. Дата публикации: 1979-03-06.

Method of producing thin-film materials based on silicon, phosphorus, calcium and magnesium oxides

Номер патента: RU2719580C1. Автор: Людмила Павловна Борило,Екатерина Сергеевна Лютова,Лариса Николаевна Спивакова,Елена Анатольевна Изосимова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2020-04-21.

Liquid crystal on silicon (LCOS) display device having a uniform cell gap

Номер патента: EP1550900A1. Автор: Jin-woo Cho,Su-Ho Shin,Su-gun Kim,Seong-woon 119-403 Ssangyong Apt. Booh,Jong-min 303-502 Hanra Apartment Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-06.

Liquid crystal on silicon panel with electrically-conductive adhesive

Номер патента: US11906852B2. Автор: Edward Wang,Wenlin Jin,Chi-li-ma Harnold. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-02-20.

Highly-Reflective Liquid Crystal On Silicon Panel

Номер патента: US20160246115A1. Автор: Chun-Sheng Fan. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Driving and encoding of a digitial liquid crystal on silicon (lcos) display

Номер патента: EP4338149A1. Автор: Guang Yang,Denise LEE,Tengjie SUI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Method for controlling voltages of liquid crystal on silicon two-dimensional array and related device

Номер патента: US11953803B2. Автор: TONG Li,HONG Yang,Lei Mao,Liangjia ZONG,Zeshan CHANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Systems And Methods For Integrating A-Axis Oriented Barium Titanate Thin Films On Silicon (001) Via Strain Control

Номер патента: US20200409190A1. Автор: Marc Reynaud,Alexander A. Demkov,Agham POSADAS. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2020-12-31.

Polarization Control Device Based on Silicon Waveguide and Phase Change Material

Номер патента: US20230418090A1. Автор: Yan Li,Zhaohui Li,Ying Yu,Yuhang WEI,Siqing Zeng. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2023-12-28.

Retardation compensator for a liquid crystal-on-silicon imager

Номер патента: US7327423B2. Автор: Achintya K. Bhowmik. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-02-05.

Liquid crystal on silicon imager

Номер патента: US20110025957A1. Автор: Herb He Huang. Владелец: Jiangsu Lexvu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

Optical architecture with hybrid on-silicon III-V modulator

Номер патента: US12078909B2. Автор: Jin Hong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Optical architecture with hybrid on-silicon iii-v modulator

Номер патента: US20240369898A1. Автор: Jin Hong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Zinc oxide on silicon device for parallel in, serial out, discrete fourier transform

Номер патента: US4194171A. Автор: Edward C. Jelks. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1980-03-18.

Thin-film litao3 saw resonator on silicon substrate with reduced spurious modes

Номер патента: WO2021008847A1. Автор: Matthias Knapp,Gholamreza Dadgar Javid,Manuel Sabbagh. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2021-01-21.

Photon RF frequency doubling chip based on silicon-based micro-ring modulator and control method thereof

Номер патента: CN115037379A. Автор: 张强,余辉. Владелец: Zhejiang Lab. Дата публикации: 2022-09-09.

Local buffers in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: EP2949127B1. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Nicholas F. Jungels,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2018-10-24.

Chip fabric interconnect quality on silicon

Номер патента: WO2017112219A1. Автор: Robert De Gruijl,Lakshminarayana Pappu,Suketu U. Bhatt,Robert P. Adler,Kah Meng Yeem. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-06-29.

Optical switching method and apparatus, liquid crystal on silicon, and wavelength selective switch

Номер патента: US12081320B2. Автор: Yuanwu Wang,Hangting HU,Shengqian ZHONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Operation and stabilization of Mod-MUX WDM transmitters based on silicon microrings

Номер патента: US09941990B2. Автор: Yang Liu,Ran Ding,Thomas Baehr-Jones. Владелец: Elenion Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Chip fabric interconnect quality on silicon

Номер патента: US09891282B2. Автор: Robert De Gruijl,Lakshminarayana Pappu,Suketu U. Bhatt,Robert P. Adler,Kah Meng Yeem. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Pipelined pixel applications in liquid crystal on silicon chip

Номер патента: US09767757B2. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Nicholas F. Jungels. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

LOCAL BUFFERS IN A LIQUID CRYSTAL ON SILICON CHIP

Номер патента: US20180035181A1. Автор: LI Lionel,Ashbrook Jonathan B.,Carey Brian R.,Jungels Nicholas F.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

THICK LAYER FOR LIQUID CRYSTAL ON SILICON ASSEMBLY

Номер патента: US20190086762A1. Автор: Ahmadi Roozbeh,Jin Wenlin. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

OPERATION AND STABILIZATION OF MOD-MUX WDM TRANSMITTERS BASED ON SILICON MICRORINGS

Номер патента: US20150104176A1. Автор: Liu Yang,Ding Ran,Hochberg Michael J.,Baehr-Jones Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

PHOTONIC BEAM FORMING NETWORK CHIP BASED ON SILICON SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20180102847A1. Автор: Kim Jong-Hun,Kim Young-Su,KIM Ki-nam,Lee Dongwook,YOO Dong Eun,HWANG Hae Chul. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

Thin-film litao3 saw resonator on silicon substrate with reduced spurious modes

Номер патента: US20220173714A1. Автор: Matthias Knapp,Gholamreza Dadgar Javid,Manuel Sabbagh. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2022-06-02.

OPTICAL DISPERSION COMPENSATOR ON SILICON

Номер патента: US20200110220A1. Автор: Nagarajan Radhakrishnan L.,Kato Masaki,TU Xiaoguang. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Pipelined pixel applications in liquid crystal on silicon chip

Номер патента: US20140204330A1. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Nicholas F. Jungels. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Panel Carrier For A Liquid Crystal On Silicon Panel And Method For Electrically Interconnecting Same

Номер патента: US20160139446A1. Автор: Fan Chun-Sheng,Li Wei-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

OPTICAL SWITCHING METHOD AND APPARATUS, LIQUID CRYSTAL ON SILICON, AND WAVELENGTH SELECTIVE SWITCH

Номер патента: US20220294550A1. Автор: WANG Yuanwu,HU Hangting,ZHONG Shengqian. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Chip fabric interconnect quality on silicon

Номер патента: US20170184666A1. Автор: Adler Robert P.,PAPPU LAKSHMINARAYANA,BHATT SUKETU U.,Yeem Kah Meng,De Gruijl Robert. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

LOW-POWER MULTI-PHASE CLOCK DISTRIBUTION ON SILICON

Номер патента: US20190179362A1. Автор: Robinson Dirk J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

OPERATION AND STABILIZATION OF MOD-MUX WDM TRANSMITTERS BASED ON SILICON MICRORINGS

Номер патента: US20180198549A1. Автор: Liu Yang,Ding Ran,Baehr-Jones Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

Liquid crystal on silicon element for dual-functionality beam steering in wavelength selective switches

Номер патента: US20200209485A1. Автор: Paul Colbourne,Peter David Roorda,Sheldon McLaughlin. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2020-07-02.

Preparation of porous, pure silicon dioxide and of chromium-oxide-on-silicon dioxide catalysts

Номер патента: CA1172619A. Автор: Abraham Van Montfoort,Lambertus J.M.A. Van De Leemput,Godefridus A.H. Nooijen,Joseph J.F. Scholten. Владелец: Stamicarbon BV. Дата публикации: 1984-08-14.

Micro-mechanics component e.g. pressure sensor, has membrane with silicon dioxide layer provided on silicon substrate, and piezoelectric or piezo-resistive conducting strips integrated between silicon dioxide and silicon nitride layers

Номер патента: FR2867178A1. Автор: Frank Fischer,Arnim Hoechst. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2005-09-09.

Preparation of sensors on oligo- or poly (ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: US20130296574A1. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: Chin Ming Yam. Дата публикации: 2013-11-07.

Preparation of sensors on oligo- or poly (ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: US20090082222A1. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2009-03-26.

Preparation of sensors on oligo-or poly (ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: WO2009131891A1. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2009-10-29.

NON-PNEUMATIC ELASTIC WHEEL INCORPORATING LAMINATE BASED ON SILICONE RUBBER AND FIBER-RESIN COMPOSITE

Номер патента: FR3056444A1. Автор: Antonio Delfino,Philippe Berguerand,Francois Pozo,Pascal Schroeter. Владелец: Michelin Recherche et Technique SA Switzerland. Дата публикации: 2018-03-30.

Biochip based on silicon base produced in photolithography and etching technology useful in biological and medical analysis, comprises several individual recesses deposited in top e.g. silicon- or metal oxide layer of silicon based chips

Номер патента: DE102011104143A1. Автор: Auf Nichtnennung Antrag. Владелец: Borros Arneth. Дата публикации: 2012-12-20.

Preparation method of high-density germanium nanowire

Номер патента: CN109280903B. Автор: 张苗,薛忠营,狄增峰,杨悦昆. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2020-10-20.

METHOD FOR FORMING MICROELECTRODE-PAIR ARRAYS ON SILICON SUBSTRATE SURFACE WITH HYDROPHOBIC SILICON PILLARS

Номер патента: US20140120271A1. Автор: JIANG Lei,Su Bin,MA Jie,Wang Shutao,Song Yanlin. Владелец: Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences. Дата публикации: 2014-05-01.

The preparation of porous, pure silicon dioxide and of chromium-oxide-on-silicon dioxide catalysts

Номер патента: EP0050902A1. Автор: Godefridus Arnoldus Henricus Nooijen,Joseph Johannes Franciscus Scholten,Abraham Van Montfoort,Lambertus Johannes Maria Van De Leemput. Владелец: Stamicarbon BV. Дата публикации: 1982-05-05.

ANTI-TRANSFERING AND / OR DEODORANT SOLID COMPOSITION IN THE FORM OF WATER-IN-OIL EMULSION BASED ON SILICONE EMULSIFIER AND WAXES; METHOD OF TREATING BODY ODORS

Номер патента: FR2924937B1. Автор: Xavier Jalenques. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2013-05-17.

The preparation of porous, pure silicon dioxide and of chromium-oxide-on-silicon dioxide catalysts

Номер патента: EP0050902B1. Автор: Godefridus Arnoldus Henricus Nooijen,Joseph Johannes Franciscus Scholten,Abraham Van Montfoort,Lambertus Johannes Maria Van De Leemput. Владелец: Stamicarbon BV. Дата публикации: 1984-05-23.

Single-crystal-silicon flexible ribbon for micro-mirror and MEMS assembly on silicon-on-insulator (SOI) material

Номер патента: EP1211726B1. Автор: Decai Sun,Michael A. Rosa. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2003-11-05.

SILICON OXIDE-BASED MEDIA, HETEROPOLIC ACID CATALYST ON THE BASIS AND SYNTHESIS OF COMPOUND ETHERS IN THE PRESENCE OF A HETEROPOLIC ACID CATALYST APPLIED ON SILICON OXIDE

Номер патента: RU2007115155A. Автор: Крейг БЕЙЛИ,Бенджамин Патрик ГРЕЙСИ,Крейг БЕЙЛИ (GB),Бенджамин Патрик ГРЕЙСИ (GB). Владелец: БП Кемикэлз Лимитед (GB). Дата публикации: 2008-11-10.

Micro-textured cutter based on silicon brass structure and processing method and application thereof

Номер патента: AU2018437433A1. Автор: Liang Liang,Chao Yang,Yanfei Ding,Yuchuan YANG. Владелец: Guangdong Huayi Plumbing Fittings Industry Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

METHOD FOR PRODUCING HIGH-TEMPERATURE POWDER COMPOSITION MATERIAL BASED ON SILICON AND TITANIUM CARBIDES

Номер патента: RU2016123591A. Автор: Максим Николаевич Каченюк,Олег Васильевич Сомов,Светлана Аркадьевна Оглезнева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2017-12-20.

METHOD FOR PRODUCING NON-ADHESIVE COATING BASED ON SILICON CARBIDE

Номер патента: RU2011107880A. Автор: Жан-Поль ГАРАНДЕ,Беатрис ДРЕВЕ,Николя ЭСТАТОПУЛО,Эммануэль ФЛАОТ,Тома ПЬЕТРИ,Жан-Поль ГАРАНДЕ (FR),Беатрис ДРЕВЕ (FR),Николя ЭСТАТОПУЛО (FR),Эммануэль ФЛАОТ (FR),Тома ПЬЕТРИ (FR). Владелец: Комиссарья А Л'Энержи Атомик Э Оз Энержи Альтернатив (Fr). Дата публикации: 2012-10-10.

CERAMIC NANOSTRUCTURED MATERIAL BASED ON SILICON NITRIDE AND METHOD FOR PRODUCING IT

Номер патента: RU2016142907A. Автор: Михаил Юрьевич Попов,Иван Павлович Иллич-Свитыч,Николай Владимирович Хохлов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2018-05-03.

METHOD FOR PRODUCING AN ALKALI METAL CATALYZER SUPPLIED ON SILICON DIOXIDE

Номер патента: RU2015116885A. Автор: Иан Эндрю ЙОРК,Тревор Хью МОРРИС. Владелец: ЛУСАЙТ ИНТЕРНЭШНЛ ЮКей ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2016-11-27.

Process for manufacturing a ceramic composite based on silicon nitride and beta-eucryptite

Номер патента: IL212540A0. Автор: . Владелец: Centre Nat Rech Scient. Дата публикации: 2011-07-31.

Process for manufacturing a ceramic composite based on silicon nitride and beta-eucryptite

Номер патента: IL212540A. Автор: . Владелец: Centre Nat Rech Scient. Дата публикации: 2016-08-31.

Process for manufacturing a ceramic composite based on silicon nitride and beta-eucryptite

Номер патента: TW201210985A. Автор: Laurent Blanchard,Jerome Chevalier,Yann Vitupier,Gilbert Fantozzi,Aurelien Pelletant,Helen Reveron. Владелец: Centre Nat Rech Scient. Дата публикации: 2012-03-16.

Novel biosensor using living cells on silicon-based microarrays

Номер патента: US20050095630A1. Автор: James Castracane,Xiaojun Feng,Ben Szaro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-05.

PREPARATION OF SENSORS ON OLIGO- OR POLY (ETHYLENE GLYCOL) FILMS ON SILICON SURFACES

Номер патента: US20130296574A1. Автор: Gu Jianhua,Cai Chengzhi,Yam Chin Ming. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

METHOD FOR APPLYING STABLE COATING ON SILICONE HYDROGEL CONTACT LENSES

Номер патента: US20160062142A1. Автор: Zhang Steve Yun. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Solid antiperspirant and/or deodorant composition in the form of a water-in-oil emulsion based on silicone emulsifiers and on waxes; method for treating body odours

Номер патента: US20140193471A1. Автор: Cyril Lemoine,Laurence Sebillotte-Arnaud,Xavier Jalenques,Patrick Forhan. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2014-07-10.

METHOD OF PRINTING ON SILICONE BANDS

Номер патента: US20170156456A1. Автор: HAKIM ALBERT,TSE JAY. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

METHOD FOR APPLYING STABLE COATING ON SILICONE HYDROGEL CONTACT LENSES

Номер патента: US20170165932A1. Автор: Qiu Yongxing,Qian Xinming,Chiang Chung-Yuan,Tucker Robert Carey,Nelson Jared,Wu Daqing,Patel Dharmesh,Zhang Steve Yun,Munoz Zach,Muya Leroy Wainaina,Shrestha Ritu,Tallau Kelly Kayi. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Nano-liquid crystal on silicon (lcos) chip having reduced noise

Номер патента: WO2007024924A3. Автор: Gihong Kim,Tae Soo Chun. Владелец: Sysview Technology Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Liquid crystal on silicon display

Номер патента: US20060012734A1. Автор: Chia-Te Lin,Ta-Shuang Kuan,Chia-Tsung Chan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-01-19.

Area selective deposition of metal film on silicon containing surfaces utilizing halides

Номер патента: WO2024215931A1. Автор: Chang-Won Lee,Po-Chun Liu,Tingmin Wang,Lanxia CHENG. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Photoresist patterning on silicon nitride

Номер патента: GB2579525A. Автор: Guo Jing,Liu Chi-chun,Meli Thompson Luciana,CHI Cheng,Seshadri Indira,Anuja De Silva Ekmini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-24.

Wire Grid Polarizer with Silicon Dioxide Side Ribs on Silicon Wire

Номер патента: US20230021232A1. Автор: Daniel Bacon-Brown,Matthew C. George,R. Stewart Nielson,Shaun Patrick Ogden. Владелец: Moxtek Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Nano-liquid crystal on silicon (lcos) chip having reduced noise

Номер патента: WO2007024924A2. Автор: Gihong Kim,Tae Soo Chun. Владелец: Sysview Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-03-01.

A silicon mesa structure integrated in a glass-on-silicon waveguide, and a method of manufacturing it

Номер патента: AU1131701A. Автор: Kent Erik Mattsson. Владелец: NKT Research Center AS. Дата публикации: 2001-05-14.

Silicon-on-silicon differential input sensors

Номер патента: AU2044892A. Автор: Peter V. Loeppert,Warren S. Graber. Владелец: Monolithic Sensors Inc. Дата публикации: 1993-01-28.

Asymmetric waveguide configuration on silicon nitride basis

Номер патента: WO2015143962A1. Автор: Tom Collins,Joost Brouckaert. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-10-01.

Plasma sprayed mullite coatings on silicon based ceramic materials

Номер патента: EP1047653B1. Автор: Stephen Chin,Daniel R. Godin,George E. Foster,Philip H. McCluskey,Harry E. Eaton, Jr.,Charles A. Ellis,Glenn A. Cotnoir,H. David Harter. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2002-03-13.

Plasma sprayed mullite coatings on silicon based ceramic materials

Номер патента: EP1047653A2. Автор: Stephen Chin,Daniel R. Godin,George E. Foster,Philip H. McCluskey,Harry E. Eaton, Jr.,Charles A. Ellis,Glenn A. Cotnoir,H. David Harter. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2000-11-02.

Plasma sprayed mullite coatings on silicon based ceramic materials and a method of making the same

Номер патента: WO1999024379A2. Автор: Stephen Chin,Daniel R. Godin,George E. Foster,Philip H. McCluskey,Harry E. Eaton, Jr.,Charles A. Ellis,Glenn A. Cotnoir,H. David Harter. Владелец: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 1999-05-20.

Dye composition based on copolymers derived from the polymerization of at least one crotonic acid monomer or crotonic acid derivative and on silicone

Номер патента: US12138339B2. Автор: Sophie Bodelin,David Seneca,Delphine Charrier,Melissa Lassale. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-11-12.

Alkaline-earth metal silicides on silicon

Номер патента: US6022410A. Автор: Jun Wang,Jonathan K. Abrokwah,Ravindranath Droopad,Daniel S. Marshall,Zhiyi Yu,Jerald A. Hallmark. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Micro needles production method, involves providing micro needles with height on silicon substrate with silicon oxide coating, where varnish layer is arranged on silicon substrate

Номер патента: DE102006028914A1. Автор: Christian Maeurer,Ralf Reichenbach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2007-12-27.

HOMOGENEOUS OIL COMPOSITION BASED ON SILICONE GUM

Номер патента: FR2760357A1. Автор: Isabelle Bara. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 1998-09-11.

Composition, useful to treat keratin fibers, preferably human hair, comprises one or more copolymers based on silicone resin and silicone fluid, volatile solvents, and aminated silicones comprising one or more intrachain amine function

Номер патента: FR2958543A1. Автор: Gaëlle Brun,Arnaud Bonnamy. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2011-10-14.

Care and/or makeup composition comprising a silicone elastomer containing carboxylic acid functions and a copolymer based on silicone resin and silicone of the dimethiconol type.

Номер патента: FR3126877A1. Автор: Guillaume Kergosien,Kévin DU. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2023-03-17.

Polycrystalline sintered articles based on silicon nitride and sintering additives

Номер патента: US4814301A. Автор: Alfred Lipp,Detlef Steinmann. Владелец: Elektroschmelzwerk Kempten GmbH. Дата публикации: 1989-03-21.

Method for improving base coating formation on silicon steel by controlling winding tension

Номер патента: CA1270729A. Автор: Michael A. Fedoris. Владелец: Allegheny Ludlum Corp. Дата публикации: 1990-06-26.

Compositions based on silicone resin, methods of obtaining same and applications thereof

Номер патента: WO2009138618A3. Автор: Philippe Perret,Loic Adamczak,Pierrick Pavallier,Frederic Bouchaud. Владелец: VALEO MATERIAUX DE FRICTION. Дата публикации: 2010-02-18.

Care and/or makeup composition comprising a silicone elastomer containing carboxylic acid functions and a copolymer based on silicone resin and silicone of the dimethiconol type.

Номер патента: FR3126877B1. Автор: Guillaume Kergosien,Kévin DU. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2023-08-11.

Electro-optical modulators and applications based on silicon processing compatible nonlinear optical materials

Номер патента: US20230168561A1. Автор: Rajat Sharma,Alex Friedman,Yeshaiahu Fainman,Andrew Ingram,Andrew GRIECO,Alexei Smolyaninov,Dhaifallah Almutairi,Naif Alshamrani,Hani NEJADRIAHI,Dmitrii Belogolovskii. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-06-01.

Photoresist patterning on silicon nitride

Номер патента: WO2019064172A1. Автор: CHENG Chi,Jing Guo,Ekmini Anuja De Silva,Chi-chun Liu,Indira Seshadri,Luciana Meli Thompson. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2019-04-04.

Micro-size optical switch on silicon-on-insulator platform

Номер патента: US20110142394A1. Автор: Trevor Hall,DeGui Sun. Владелец: UNIVERSITY OF OTTAWA. Дата публикации: 2011-06-16.

METHOD FOR FORMING IDENTIFICATION MARKS ON SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20130157009A1. Автор: Kondo Sadahiko. Владелец: HITACHI METALS ,LTD.. Дата публикации: 2013-06-20.

BONDING OF HETEROGENEOUS MATERIAL GROWN ON SILICON TO A SILICON PHOTONIC CIRCUIT

Номер патента: US20150177458A1. Автор: Bowers John E.,Bovington Jock. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

METHOD FOR PREPARING BACTERICIDAL FILM HAVING SILICON NITRIDE BINDING LAYER ON SILICONE

Номер патента: US20210198782A1. Автор: Mak Fook Chi. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

BONDING OF A HETEROGENEOUS MATERIAL GROWN ON SILICON TO A SILICON PHOTONIC CIRCUIT

Номер патента: US20170227708A1. Автор: Bowers John E.,Bovington Jock. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2017-08-10.

A sintered refractory material based on silicon carbide with a silicon nitride binder

Номер патента: KR101561989B1. Автор: 에릭 조지,올리비에르 시띠,올리비에르 마르갱,리오넬 모이트리에르. Владелец: 생-고뱅 생트레 드 레체르체 에 데투드 유로삐엔. Дата публикации: 2015-10-20.

Particulate silicone-modified acrylic rubber, particulate graft copolymer based on silicone-modified acrylic rubber, and thermoplastic resin composition

Номер патента: EP0791617A4. Автор: Nobuo Miyatake,Hiroki Yoshino,Hideki Hosoi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 1998-04-08.

Bonding of heterogeneous material grown on silicon to a silicon photonic circuit

Номер патента: US9360623B2. Автор: John E. Bowers,Jock BOVINGTON. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-06-07.

AQUEOUS SILICON DISPERSION BASED ON SILICONATE CROSSLINKING TO AN ELASTOMER BY REMOVAL OF WATER

Номер патента: FR2637605B1. Автор: Jean-Marc Frances,Michel Feder. Владелец: Rhone Poulenc Chimie SA. Дата публикации: 1990-12-14.

Solution for producing nano porous silicon film on silicon slice surface and method for producing same

Номер патента: CN102610699B. Автор: 杨可,蒋永锋,包晔峰. Владелец: CHANGZHOU CAMPUS OF HOHAI UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-02-26.

FRICTION REFRACTOR BLOCK BASED ON SILICON CARBIDE WITH SILICON NITRIDE BOND

Номер патента: FR2878520B1. Автор: Eric Jorge,Olivier Marguin. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2015-09-18.

FRICTION REFRACTOR BLOCK BASED ON SILICON CARBIDE WITH SILICON NITRIDE BOND

Номер патента: FR2878520A1. Автор: Eric Jorge,Olivier Marguin. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2006-06-02.

METHOD FOR MANUFACTURING A CERAMIC COMPOSITE MATERIAL REINFORCED WITH CARBON-BASED FIBERS CONTAINING SILICON CARBIDE, OR BASED ON SILICON CARBIDE.

Номер патента: FR3057863B1. Автор: Dietmar Koch,Bernd Mainzer,Bernhard Heidenreich. Владелец: Deutsches Zentrum fuer Luft und Raumfahrt eV. Дата публикации: 2022-02-18.

Sintered refractory block based on silicon carbide with a silicon nitride bond

Номер патента: CA2586783C. Автор: Eric Jorge,Olivier Marguin. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2012-05-22.

PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF A CARBON-BASED CERAMIC COMPOSITE MATERIAL FIBER CONTAINING SILICON CARBIDE, OR BASED ON SILICON CARBIDE.

Номер патента: FR3057863A1. Автор: Dietmar Koch,Bernd Mainzer,Bernhard Heidenreich. Владелец: Deutsches Zentrum fuer Luft und Raumfahrt eV. Дата публикации: 2018-04-27.

Sintered refractory block based on silicon carbide with a silicon nitride bond

Номер патента: EP1828077A2. Автор: Eric Jorge,Olivier Marguin. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2007-09-05.

CHARACTERIZATION OF SILICON-GERMANIUM ZONES ON SILICON

Номер патента: FR2798195B1. Автор: Didier Dutartre,Jean Claude Oberlin. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-11-16.

Sintered refractory block based on silicon carbide with a silicon nitride bond

Номер патента: CA2586783A1. Автор: Eric Jorge,Olivier Marguin. Владелец: Olivier Marguin. Дата публикации: 2006-06-01.

The dissimilar materials being grown on silicon is bonded with silicon photonic circuit

Номер патента: CN104882368B. Автор: 约翰·E·鲍威尔斯,乔克·波维顿. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-04-24.

Process for the preparation of polyurethane solutions based on silicon-polycarbonate diols

Номер патента: EP3302589A1. Автор: Francis P. MAGUIRE,Sriram Venkataramani. Владелец: Aortech Europe Ltd. Дата публикации: 2018-04-11.

A method of manufacturing a ceramic based on silicon carbide reinforced with silicon carbide fibers

Номер патента: RU2018132426A. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Сергей Николаевич Перевислов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2020-03-12.

Process for the preparation of polyurethane solutions based on silicon-polycarbonate diols

Номер патента: AU2016274604B2. Автор: Francis P. MAGUIRE,Sriram Venkataramani. Владелец: Aortech Europe Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Sintered refractory block based on silicon carbide with a silicon nitride bond

Номер патента: AU2005308712B2. Автор: Eric Jorge,Olivier Marguin. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2010-07-15.

Aqueous dispersions based on silicones and organic (co)polymeric latex for obtaining a silicone elastomer of selectable light transmittance

Номер патента: PL330598A1. Автор: Mathieu Joanicot,Roland Reeb,Michel Feder,Alain Morin,Allest Jean-Francois D. Владелец: Rhodia Chimie Sa. Дата публикации: 1999-05-24.

GRANULES BASED ON SILICON CARBIDE POWDER AND SILICON CARBIDE CERAMICS

Номер патента: DE4127354A1. Автор: Hans MEYER,Christoph Nover,Wolfgang Habel,Gutierez Antonio Migue Hurtado,Hans Rolf Dose,Zeynel Alkan. Владелец: Solvay Deutschland GmbH. Дата публикации: 1993-02-25.

Liquid crystal on silicon incorporating integrated spacers and silicon light valves and method for fabrication

Номер патента: US20030076461A1. Автор: Yong-Nien Rao,Hong-Da Liu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2003-04-24.

Dental composition based on silicone crosslinkable by cationic process

Номер патента: CA2345363C. Автор: Jean-Marc Frances. Владелец: Rhodia Chimie SAS. Дата публикации: 2006-11-28.

Sintered Refractory Block Based on Silicon Carbide with a Silicon Nitride Bond

Номер патента: US20070264576A1. Автор: Eric Jorge,Olivier Marguin. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2007-11-15.

SILICON BASED ON SILICON DIOXIDE

Номер патента: RU2011105143A. Автор: Марек ТОКАРЗ,Ханс-Оке БАЛТСЕН,Марек ТОКАРЗ (SE),Ханс-Оке БАЛТСЕН (SE). Владелец: Акцо Нобель Н.В. (NL). Дата публикации: 2012-08-20.

A kind of pixel array, silicon substrate and liquid crystal on silicon (LCOS) display device

Номер патента: CN108873439A. Автор: 郭建利. Владелец: Beijing Mirage Optoelectronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-23.

Sintered refractory block based on silicon carbide with silicon nitride binder

Номер патента: RU2395477C2. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье Маргюэн. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2010-07-27.

Sintered material based on silicon@ and silicon carbide

Номер патента: DE19708249A1. Автор: Shigeru Hanzawa. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1997-09-04.

Silicon epitaxial deposition, on silicon substrates in a radiant heated barrel CVD reactor, comprises substrate heating to the maximum temperature without intermediate dwell periods

Номер патента: DE19914502A1. Автор: . Владелец: BACHMEIER ALFRED GEORG. Дата публикации: 2000-10-05.

AQUEOUS SILICONE DISPERSION BASED ON SILICONATE CROSSLINKING TO AN ELASTOMER BY WATER REMOVAL

Номер патента: FR2637605A1. Автор: Jean-Marc Frances,Michel Feder. Владелец: Rhone Poulenc Chimie SA. Дата публикации: 1990-04-13.

CVD-REACTOR FOR SYNTHESIS OF HETEROEPITAXIAL SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON SUBSTRATES

Номер патента: RU2021122786A. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Открытый код". Дата публикации: 2021-10-11.

Wafer scale fabrication of liquid crystal on silicon light modulation devices

Номер патента: WO2006020086A1. Автор: John Magana. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-02-23.

Gallium-oxide-on-silicon (gaoxs)

Номер патента: WO2023200688A3. Автор: Alexander A. Demkov,Tobias HADAMEK,Agham POSADAS. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2023-11-23.

Removing colorization on silicon carbide ceramic matrix composites

Номер патента: US11760695B2. Автор: Weiming Lu,Jun NABLE. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Reducing the bias on silicon light modulators

Номер патента: WO2002089107A1. Автор: Samson Huang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2002-11-07.

Reducing the bias on silicon light modulators

Номер патента: EP1384226A1. Автор: Samson Huang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-01-28.

Lubricant grease composition based on silicone base stock

Номер патента: WO2020018286A1. Автор: Detlev HESSE. Владелец: Dow Silicones Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Lubricant based on silicone oils or silicone greases

Номер патента: AU7289796A. Автор: Heinrich Smuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-05-07.

Quantum computer architecture based on silicon donor qubits coupled by photons

Номер патента: US20230042201A1. Автор: Jeffrey Young,Robert Raussendorf,Jingda WU,Xiruo YAN,Warit ASAVANANT. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2023-02-09.

Gallium-oxide-on-silicon (gaoxs)

Номер патента: WO2023200688A2. Автор: Alexander A. Demkov,Tobias HADAMEK,Agham POSADAS. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2023-10-19.

Dye composition based on copolymers derived from the polymerization of at least one crotonic acid monomer or crotonic acid derivative and on silicone

Номер патента: US20200170919A1. Автор: Sophie Bodelin,David Seneca,Delphine Charrier,Melissa Lassale. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2020-06-04.

Highly active catalyst for the polymerization of olefins with a boron-containing substrate based on silicon oxide and its manufacture

Номер патента: RU2014113382A. Автор: Сутхирават САМИНГПРАЙ,Онтеера ЙЕНДЖИТРАТТАНАВАЛИ,Чая ЧАНДАВАСУ. Владелец: ПТТ ГЛОБАЛ КЕМИКАЛ ПАБЛИК КОМПАНИ ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2015-10-20.

COMPOSITION OF A TOOTH FOR CLEANING THE TEETH NOT CONTAINING ALKYL SULPHATE AND ORTHOPHOSPHATE, CONTAINING A SOURCE OF FLUORIDE AND ABRASIVE FOR TEETH BASED ON SILICON DIOXIDE

Номер патента: RU2007135125A. Автор: Крейг Синклэр НЬЮБИ,Марк Эндрю НИСБЕТ,Кэтрин Сара ПРАЙС,Крейг Синклэр НЬЮБИ (GB),Марк Эндрю НИСБЕТ (GB),Кэтрин Сара ПРАЙС (GB). Владелец: Глаксо Груп Лимитед (GB). Дата публикации: 2009-04-27.

Quantum computer architecture based on silicon donor qubits coupled by photons

Номер патента: EP4088231A4. Автор: Jeffrey Young,Robert Raussendorf,Jingda WU,Xiruo YAN,Warit ASAVANANT. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2024-01-17.

Reducing the bias on silicon light modulators

Номер патента: TWI276024B. Автор: Samson X Huang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-03-11.

Conductive sheet with conduction layer formed on silicon-contained layer

Номер патента: TW200414233A. Автор: Shigeki Miura. Владелец: Fcm Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-01.

Conductive sheet with conduction layer formed on silicon-contained layer

Номер патента: TWI240932B. Автор: Shigeki Miura. Владелец: Fcm Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-01.

Method to form aligned interface coating on silicon carbide fibers

Номер патента: EP4276085A1. Автор: Asa Frye,Daniel L. BECERRA,Cristal CHAN. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2023-11-15.

Liquid crystal on silicon (LCOS) display driving system and the method thereof

Номер патента: TW200629204A. Автор: Cheng-Chi Yen,Yung-Yuan Ho,Hon-Yuan Leo,Yen-Chen Chen. Владелец: Himax Tech Inc. Дата публикации: 2006-08-16.

Liquid crystal on silicon (LCOS) display driving system and the method thereof

Номер патента: TWI278801B. Автор: Cheng-Chi Yen,Yung-Yuan Ho,Hon-Yuan Leo,Yen-Chen Chen. Владелец: Himax Tech Ltd. Дата публикации: 2007-04-11.

Liquid crystal on silicon display panel and electronic device using the same

Номер патента: TW200937080A. Автор: Yi-Hua Wang. Владелец: Himax Display Inc. Дата публикации: 2009-09-01.

Frame Buffer Pixel Circuit of Liquid Crystal on Silicon Display Device

Номер патента: US20130069966A1. Автор: Bin Lin,Jiajun Luo,Ran Huang,Huan Du,Bohua Zhao. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-03-21.

Color filter of liquid crystal on silicon (LCOS) display device and method for fabricating the same

Номер патента: TW201224596A. Автор: Yi-Hua Wang,Ho Tu. Владелец: Himax Tech Inc. Дата публикации: 2012-06-16.

Liquid-crystal-on-silicon display with photolithographic alignment posts and optical interference layers

Номер патента: SG89284A1. Автор: Yong Jie Su,Sankar Yalamanchi Ravi,Zhi Gang Han. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-06-18.

Wavelength selective switch including a liquid crystal on silicon device and manufacturing method

Номер патента: EP3677959B1. Автор: Mi Wang,Han Zhao,Lei Mao,Liangjia ZONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

On-chip laser neuron integrated on silicon

Номер патента: US20240311627A1. Автор: Di Liang,Bassem Tossoun. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2024-09-19.

Six-degree-of-freedom displacement measurement method for exposure region on silicon wafer stage

Номер патента: US09995569B2. Автор: Feng Liu,Ming Zhang,Yu Zhu,Dengfeng Xu,Rong Cheng,Kaiming Yang,Jinchun Hu,Haihua Mu,Chuxiong Hu,Fan ZHI,Yujing SONG,Anlin CHEN. Владелец: Beijing U Precision Tech Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Polarization rotator-splitter/combiner based on silicon rib-type waveguides

Номер патента: US09977187B2. Автор: Changhua Chen,Dong Pan,Tuo SHI,Yongbo Shao. Владелец: SiFotonics Technologies Co Ltd Cayman Islands. Дата публикации: 2018-05-22.

Integration of V-grooves on silicon-on-insulator (SOI) platform for direct fiber coupling

Номер патента: US09933570B2. Автор: Qianfan Xu,Xiao Shen,Yu Sheng Bai,Hongmin Chen,Zongrong Liu,Rongsheng Miao. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Oxide Layers on Silicone Substrates for Effective Confocal Laser Microscopy

Номер патента: US20120264644A1. Автор: Robert G. Kuimelis,Glenn H. McGall,Zihui Chen. Владелец: Affymetrix Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

Frame Buffer Pixel Circuit of Liquid Crystal on Silicon Display Device

Номер патента: US20130069966A1. Автор: Lin Bin,Zhao Bohua,Huang Ran,Du Huan,Luo Jiajun. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

METHOD FOR FORMING A PROTECTIVE COATING AGAINST HIGH-TEMPERATURE OXIDATION ON A REFRACTORY COMPOSITE MATERIAL BASED ON SILICON AND NIOBIUM

Номер патента: US20130330540A1. Автор: Bacos Marie-Pierre,Josso Pierre. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

PROCESS FOR DEVELOPING A COMPOSITE COATING OF DIAMOND LIKE CARBON AND GRAPHITE ON SILICON CARBIDE GRAIN BY INDIRECT ARC PLASMA HEATING DISSOCIATION

Номер патента: US20140069327A1. Автор: Nayak Bijan Bihari. Владелец: COUNCIL OF SCIENTIFIC & INDUSTRIAL RESEARCH. Дата публикации: 2014-03-13.

LIQUID CRYSTAL ON SILICON DISPLAY WITH BRIGHTNESS ADJUSTMENT

Номер патента: US20180018925A1. Автор: Chung Mao-Jung,Li Kuo-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

Multi-Spectral THz Micro-Doppler Radar Based on Silicon-Based Picosecond Pulse Radiators

Номер патента: US20210018610A1. Автор: Babakhani Aydin,Razavian Seyedmohammadreza,Assefzadeh Mahdi,Hosseini Mostafa. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2021-01-21.

WAVELENGTH SELECTIVE SWITCH INCLUDING A LIQUID CRYSTAL ON SILICON

Номер патента: US20140104560A1. Автор: SUH Seong Woo. Владелец: INLC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-04-17.

Polarization Insensitive Liquid Crystal on Silicon (LCOS) Phase Modulators and Related Devices and Methods

Номер патента: US20220050333A1. Автор: Mao Chongchang. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

PANEL CARRIER AND METHOD FOR ATTACHING A LIQUID-CRYSTAL-ON-SILICON PANEL THERETO

Номер патента: US20180039126A1. Автор: Huang Chi-Chih,Li En-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

REMOVING COLORIZATION ON SILICON CARBIDE CERAMIC MATRIX COMPOSITES

Номер патента: US20220055953A1. Автор: Nable Jun,Lu Weiming. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

OPTICAL DISPERSION COMPENSATOR ON SILICON

Номер патента: US20190041580A1. Автор: Nagarajan Radhakrishnan L.,Kato Masaki,TU Xiaoguang. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

LIQUID CRYSTAL ON SILICON (LCOS) DEVICE AND LCOS DISPLAY PANEL

Номер патента: US20220066253A1. Автор: Fan Chun-Sheng,Fan Regis. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Liquid Crystal On Silicon Packaging

Номер патента: US20200050044A1. Автор: Fan Chun-Sheng. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-02-13.

PIGMENT DYEING COMPOSITION BASED ON A PARTICULAR ACRYLIC POLYMER AND ON SILICONE COPOLYMER, AND DYEING METHOD

Номер патента: US20220079866A1. Автор: TEBOUL Karen. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

ELECTRONIC-PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT BASED ON SILICON PHOTONICS TECHNOLOGY

Номер патента: US20220091332A1. Автор: LEE Joon Ki,YOO Sanghwa,PARK Heuk,LEE Jyung Chan. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

SIX-DEGREE-OF-FREEDOM DISPLACEMENT MEASUREMENT METHOD FOR EXPOSURE REGION ON SILICON WAFER STAGE

Номер патента: US20180080757A1. Автор: Zhu Yu,Zhang Ming,Hu Jinchun,Yang Kaiming,Liu Feng,Xu Dengfeng,Mu Haihua,ZHI Fan,CHENG Rong,Song Yujing,CHEN Anlin,Hu Chuxiong. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

LIQUID CRYSTAL ON SILICON PACKAGING

Номер патента: US20190086708A1. Автор: Fan Chun-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

COMPOSITE MEMS FLOW SENSOR ON SILICON-ON-INSULATOR DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20170097252A1. Автор: Chen Chih-Chang,Huang Liji. Владелец: Wisenstech Ltd.. Дата публикации: 2017-04-06.

FABRY-PEROT FARADAY ROTATOR ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20190101773A1. Автор: Stadler Bethanie Joyce Hills,Dulal Prabesh. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

PHOTORESIST PATTERNING ON SILICON NITRIDE

Номер патента: US20190101829A1. Автор: Guo Jing,Liu Chi-chun,Meli Thompson Luciana,CHI Cheng,De Silva Ekmini Anuja,Seshadri Indira P.. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

METHOD FOR CONTROLLING VOLTAGES OF LIQUID CRYSTAL ON SILICON TWO-DIMENSIONAL ARRAY AND RELATED DEVICE

Номер патента: US20220179282A1. Автор: Yang Hong,Li Tong,MAO Lei,ZONG Liangjia,CHANG Zeshan. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

PIXEL TEST IN A LIQUID CRYSTAL ON SILICON CHIP

Номер патента: US20140204298A1. Автор: LI Lionel,Ashbrook Jonathan B.,Carey Brian R.. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-24.

LOCAL BUFFERS IN A LIQUID CRYSTAL ON SILICON CHIP

Номер патента: US20140204299A1. Автор: LI Lionel,Ashbrook Jonathan B.,Carey Brian R.,Jungels Nicholas F.. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-24.

METHOD FOR THE APPLICATION OF A PIGMENT DYEING COMPOSITION BASED ON SPECIFIC ACRYLIC POLYMER AND ON SILICONE COPOLYMER, AND APPROPRIATE DEVICE

Номер патента: US20150132243A1. Автор: TEBOUL Karen. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

PIGMENT DYEING COMPOSITION BASED ON A PARTICULAR ACRYLIC POLYMER AND ON SILICONE COPOLYMER, AND DYEING METHOD

Номер патента: US20150174041A1. Автор: TEBOUL Karen. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

METHOD TO DYNAMICALLY INJECT ERRORS IN A REPAIRABLE MEMORY ON SILICON AND A METHOD TO VALIDATE BUILT-IN-SELF-REPAIR LOGIC

Номер патента: US20180174665A1. Автор: Parmar Vijay,Kraipak Waseem,Vallabhaneni Babji,Chatterjee Mitrajit. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Non-hermetic Semiconductor Optical Amplifier integration on Silicon photonics

Номер патента: US20200166705A1. Автор: PELLETIER François. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

DYE COMPOSITION BASED ON COPOLYMERS DERIVED FROM THE POLYMERIZATION OF AT LEAST ONE CROTONIC ACID MONOMER OR CROTONIC ACID DERIVATIVE AND ON SILICONE

Номер патента: US20200170919A1. Автор: Bodelin Sophie,CHARRIER Delphine,SENECA David,LASSALE Melissa. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

Method For Producing An Aqueous Composition Comprising A Condensate Based On Silicon Compounds For Producing Antireflective Coatings

Номер патента: US20170190918A1. Автор: Fritsche Klaus-Dieter,Tünker Gerhard. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

LIQUID CRYSTAL ON SILICON PANEL HAVING LESS DIFFRACTION

Номер патента: US20190196284A1. Автор: Qian Yin,Zhang Ming,MIAO CHIA-CHUN,LIN Zhiqiang,Tai Dyson H.,Zhao Cheng,Weng Libo. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Liquid Crystal On Silicon Panels And Associated Methods

Номер патента: US20160231604A1. Автор: Lin Wei-Feng,Fan Chun-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

WAVELENGTH SELECTIVE SWITCH, ALIGNMENT DIRECTION OBTAINING METHOD, AND LIQUID CRYSTAL ON SILICON AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20200225418A1. Автор: Zhao Han,MAO Lei,ZONG Liangjia,Wang Mi. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-07-16.

Method of producing refractory material based on silicon carbide and silicon

Номер патента: RU2439032C1. Автор: Сергей Викторович Дигонский,Виталий Вячеславович Тен. Владелец: Виталий Вячеславович Тен. Дата публикации: 2012-01-10.

METHOD OF OBTAINING FIRE-PROOF MATERIAL BASED ON SILICON BETA-NITRIDE β-Si3N4

Номер патента: RU2490232C1. Автор: Игорь Михайлович Шатохин,Мансур Хузиахметович Зиатдинов. Владелец: Мансур Хузиахметович Зиатдинов. Дата публикации: 2013-08-20.

METHOD OF OBTAINING CONVERTER OF VACUUM ULTRAVIOLET RADIATION INTO VISIBLE RANGE RADIATION IN FORM OF AMORPHOUS SILICON OXIDE SiOX FILM ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2534173C2. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-11-27.

METHOD FOR MICROWAVE PLASMA FORMATION OF CUBIC SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON (3C-SiC)

Номер патента: RU2538358C1. Автор: Петр Павлович Мальцев,Юрий Владимирович Федоров,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2015-01-10.

Method of making silicon carbide films on silicon substrate

Номер патента: RU2341847C1. Автор: Елена Николаевна Федорова,Валентин Михайлович Иевлев,Сергей Владимирович Канныкин,Сергей Борисович Кущев,Сергей Анатольевич Солдатенко,Николай Владимирович Черников. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-12-20.

Method of outer corner over-etching compensation in figures etched on silicon plates with surface orientation (100)

Номер патента: RU2331137C1. Автор: Вадим Николаевич Лапенко,Сергей Петрович Тимошенков,Валерий Федорович Шилов,Юрий Александрович Чаплыгин,Владимир Николаевич Максимов,Елена Сергеевна Морозова,Вадим Григорьевич Рубчиц,Вячеслав Евгеньевич Плеханов,Виктор Владимирович Калугин,Степан Александрович Анчутин,В чеслав Евгеньевич Плеханов,Сергей Александрович Зотов,Олег Михайлович Бритков,Владимир Николаевич Балычев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет). Дата публикации: 2008-08-10.

Design of sensitive element of pressure converter based on silicon-on-insulator structure

Номер патента: RU2474007C1. Автор: Игорь Валерьевич Годовицын. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение "Научно-Производственный Комплекс "Технологический Центр" Миэт". Дата публикации: 2013-01-27.

Formation technique of ultrahard alloyed carbonic coating on silicon in vacuum

Номер патента: RU2342468C1. Автор: Марина Евгеньевна Галкина,Александр Яковлевич Колпаков,Ольга Вениаминовна Сафронова,Ирина Васильевна Суджанска,Ирина Васильевна Суджанская. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный университет". Дата публикации: 2008-12-27.

Method for presorting of cmos chips made on silicon-on-insulator structures, by resistance to radiation effect

Номер патента: RU2364880C1. Автор: Александр Юрьевич Никифоров,Виталий Арсеньевич Телец,Игорь Борисович Яшанин,Георгий Георгиевич Давыдов,Андрей Юлиевич Седаков,Армен Вагоевич Согоян,Алексей Владимирович Скобелев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2009-08-20.

Tin ion-implanted silicon oxide film on silicon substrate

Номер патента: RU2535244C1. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-12-10.

Dopand material based on silicon nitride and method of its production

Номер патента: RU2218440C2. Автор: М.Х. Зиатдинов. Владелец: Зиатдинов Мансур Хузиахметович. Дата публикации: 2003-12-10.

Method for manufacturing self-aligning planar two-gate mos transistor on silicon-0n-insulator substrate

Номер патента: RU2312422C2. Автор: Евгений Васильевич Кузнецов,Александр Николаевич Сауров,Елена Николаевна Рыбачек. Владелец: Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники". Дата публикации: 2007-12-10.

Method of growing epitaxial europium monoxide films on silicon

Номер патента: RU2557394C1. Автор: Петр Евгеньевич Тетерин,Дмитрий Валерьевич Аверьянов,Вячеслав Григорьевич Сторчак,Юрий Григорьевич Садофьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2015-07-20.

Process of production of alloying material based on silicon nitride

Номер патента: RU2210615C1. Автор: В.А. Чернов,И.М. Шатохин,А.Д. Носов,М.Х. Зиатдинов. Владелец: Чернов Валерий Александрович. Дата публикации: 2003-08-20.

Manufacturing method of items from ceramic material by hot pressing based on silicon nitride

Номер патента: RU2443659C1. Автор: Георгий Юрьевич Сморчков,Анатолий Иванович Рачковский,Игорь Евгеньевич Вичканский,Валентина Павловна Белова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" - Госкорпорация "Росатом". Дата публикации: 2012-02-27.

Method of preparing thin-film metal structure of tungsten on silicon

Номер патента: RU2375785C1. Автор: Геннадий Михайлович Михайлов,Светлана Всеволодовна Плющева,Сергей Юрьевич Шаповал,Александра Викторовна Андреева,Геннадий Михайлович Михайлов (RU),Светлана Всеволодовна Плющева (RU),Сергей Юрьевич Шаповал (RU),Александра Викторовна Андреева (RU). Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов. Дата публикации: 2009-12-10.

Method to reject cmos microchips manufactured on silicon-on-insulator structures, by resistance to radiation exposure

Номер патента: RU2411527C1. Автор: Александр Юрьевич Никифоров,Виталий Арсеньевич Телец,Игорь Борисович Яшанин,Николай Николаевич Киселев,Георгий Георгиевич Давыдов,Вячеслав Викторович Маслов,Армен Вагоевич Согоян,Лев Анатольевич Синегубко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2011-02-10.

Ceramic material based on silicon carbide and nitride and method of manufacturing products from it

Номер патента: RU2511415C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Вадим Александрович Некрасов,Дмитрий Сергеевич Оболенский,Андрей Николаевич Фалькович. Владелец: Максим Вячеславович Бушуев. Дата публикации: 2014-04-10.

Method to sort cmos microcircuit chips manufactured on silicon-on-insulator structures by radiation resistance

Номер патента: RU2444742C1. Автор: Игорь Борисович Яшанин,Алексей Владимирович Скобелев,Максим Николаевич Зубарев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2012-03-10.

Cvd-reactor and method of synthesis of hetero-epitaxial films of silicon carbide on silicon

Номер патента: RU2394117C2. Автор: Борис Михайлович Синельников,Виталий Алексеевич Тарала,Иван Сергеевич Митченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-производственная фирма "Эпикрист". Дата публикации: 2010-07-10.

Method of forming microstructured and heavily doped layer on silicon surface

Номер патента: RU2550868C2. Автор: Сергей Иванович Кудряшов,Андрей Алексеевич Ионин,Леонид Владимирович Селезнев,Сергей Владимирович Макаров,Павел Николаевич Салтуганов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН). Дата публикации: 2015-05-20.

Transistor with metal-oxide-semiconductor structure on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: RU2477904C1. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков,Андрей Александрович Глушко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН). Дата публикации: 2013-03-20.

Method of producing ceramic armour material based on silicon carbide and boron carbide and ceramic armour material based on silicon carbide and boron carbide

Номер патента: RU2440956C1. Автор: Владимир Валерьевич Ленский,Евгений Федорович Харченко,Владимир Александрович Анискович,Илья Сергеевич Гавриков,Валерий Анатольевич Быков,Евгений Федорович Харченко (RU),Владимир Александрович Анискович (RU),Владимир Валерьевич Ленский (RU),Илья Сергеевич Гавриков (RU),Валерий Анатольевич Быков (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "АРМОКОМ-ЦЕНТР". Дата публикации: 2012-01-27.

Method of obtaining gas-liquid-solid-phase microchromatographic columns on silicon plates and device for thereof realisation

Номер патента: RU2540067C1. Автор: Владимир Сергеевич Павельев,Юрий Иванович Арутюнов,Игорь Артемьевич Платонов,Владимир Игоревич Платонов,Лариса Викторовна Павлова,Екатерина Анатольевна Новикова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмическкий университет имени академика С.П. Королева" (национальный исследовательский университет)" (СГАУ). Дата публикации: 2015-01-27.

Method of producing heteroepitaxial silicon carbide films on silicon substrate

Номер патента: RU2521142C2. Автор: Шихгасан Муфтялиевич Рамазанов,Гусейн Муфтялиевич Рамазанов,Газимагомед Убайдулаевич Газимагомедов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СИКЛАБ". Дата публикации: 2014-06-27.

Method of production of composite materials based on silicon dioxide

Номер патента: RU2528667C2. Автор: Абдулгалим Будаевич Исаев,Зазав Мустафаевич Алиев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВРСИТЕТ". Дата публикации: 2014-09-20.

Device for protection against static electricity discharges of power leads of complementary mos (metal-oxide-semiconductor) integrated circuits on silicon wafers with n-type conductivity

Номер патента: RU2585882C2. Автор: Сергей Николаевич Абрамов,Владимир Николаевич Гуминов. Владелец: Открытое акционерное общество "АНГСТРЕМ". Дата публикации: 2016-06-10.

Method for flaw inspection of silicon dioxide films on silicon substrates

Номер патента: RU2127927C1. Автор: В.Д. Скупов,В.К. Смолин,В.В. Лашманов. Владелец: Научно-исследовательский институт измерительных систем. Дата публикации: 1999-03-20.

Clarifying thin-film coating based on silicon(iv) and bismuth(iii) oxide compounds

Номер патента: RU2542997C1. Автор: Людмила Павловна Борило,Александра Геннадьевна Мальчик,Светлана Анатольевна Кузнецова,Владимир Васильевич Козик. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2015-02-27.

Protection of angles of 3d micromechanical structures on silicon plate at deep anisotropic etching

Номер патента: RU2568977C1. Автор: Александр Викторович Ушков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА"). Дата публикации: 2015-11-20.

Solder for tinning aluminium film on silicon

Номер патента: RU2477206C1. Автор: Виктор Адыгеевич Созаев,Мурат Хажисмелович Понежев,Аслан Зарифович Кашежев,Артур Рубенович Манукянц,Андрей Дмитриевич Прохоренко,Кристина Муратовна Елекоева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет) (СКГМИ (ГТУ). Дата публикации: 2013-03-10.

IMAGE SENSOR COMPRISING ISOLATED GERMANIUM PHOTODETECTORS INTEGRATED WITH A SILICON SUBSTRATE AND SILICON CIRCUITRY

Номер патента: US20120043637A1. Автор: Rafferty Conor S.,King Clifford Alan. Владелец: Infrared Newco, Inc.. Дата публикации: 2012-02-23.

Fabrication of nanoboulders on silicon surfaces

Номер патента: NZ523921A. Автор: Andreas Markwitz. Владелец: Inst Of Geol & Nuclear Science. Дата публикации: 2005-08-26.

Method of test for defects of silicon dioxide films on silicon backings

Номер патента: RU2033660C1. Автор: В.Д. Скупов,А.С. Виноградов,Б.В. Гуденко,С.А. Орловская. Владелец: Научно-исследовательский институт измерительных систем. Дата публикации: 1995-04-20.

Method of manufacturing products from material based on silicon binding substances

Номер патента: RU2121918C1. Автор: В.В. Карпов,А.И. Батулов,В.П. Птичников,П.Л. Гусика,Б.П. Милиневский,Ю.С. Шафран. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью "ЭКОЮРУС-ППТМ". Дата публикации: 1998-11-20.

Process of manufacture of contacts of integrated circuits based on silicon

Номер патента: RU2034364C1. Автор: В.А. Хрусталев,А.И. Мочалов,Д.Г. Громов,В.П. Пугачевич,А.А. Азаров. Владелец: Московский институт электронной техники. Дата публикации: 1995-04-30.

METHOD OF MICROWAVE PLASMA FORMATION OF CUBIC SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON (3С-SiC)

Номер патента: RU2013127679A. Автор: Петр Павлович Мальцев,Юрий Владимирович Федоров,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2014-12-27.

Forming silicon dioxide on silicon carbide

Номер патента: GB201204826D0. Автор: . Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2012-05-02.

Processes for forming an insulating coating on silicon, and to coated silicon

Номер патента: CA847830A. Автор: Partridge Graham,W. Mcmillan Peter,R. Ward Frank. Владелец: English Electric Co Ltd. Дата публикации: 1970-07-28.

Method of operation of the process of epitaxy of silicon from gaseous phase,especially on silicon substrate gazy,osobenno na kremnievojj podlozhke

Номер патента: PL120490B3. Автор: Jacek Korec,Jerzy Borkowicz,Elzbieta Nossarzewskaorlowska. Владелец: Osrodek Naukowo Prod Materialo. Дата публикации: 1982-03-31.

Process of production of magnetic fluid on silicon-organic base

Номер патента: RU2023318C1. Автор: В.А. Силаев,Е.Н. Бойкова. Владелец: Редкинский опытный завод. Дата публикации: 1994-11-15.

METHOD FOR DEPOSITING A SILICON OXIDE LAYER OF SAME THICKNESS ON SILICON AND ON SILICON-GERMANIUM

Номер патента: US20130072032A1. Автор: Dutartre Didier,Campidelli Yves,Breil Nicolas,Gourhant Olivier. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

SILICON FOR TINNING A SILICON FILM ON SILICON

Номер патента: RU2011132771A. Автор: Виктор Адыгеевич Созаев,Мурат Хажисмелович Понежев,Аслан Зарифович Кашежев,Артур Рубенович Манукянц,Кристина Муратовна Елекоев,Андрей Дмитриевич Прохоренко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет)(СККМИ(ГТУ). Дата публикации: 2013-02-10.

Group iii nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlayer structure

Номер патента: CA2493503C. Автор: John Adam Edmond,Hua-Shuang Kong,Kathleen Marie Doverspike,Michelle Turner Leonard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-11-29.

Method for deposition of high purity silicon on silicon particles from silicon source gases in fluidized bed reactor

Номер патента: KR960014593B1. Автор: 김희영,권대혁,전종열,박동순,이강모,송영목,이재송. Владелец: 재단법인 한국화학연구소. Дата публикации: 1996-10-16.

SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE STRUCTURES

Номер патента: US20120138886A1. Автор: Kuhn Kelin J.,Kim Seiyon,Rios Rafael,Cea Stephen M.,Giles Martin D.,Cappellani Annalisa,Rakshit Titash,Chang Peter,Rachmady Willy. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-07.

STRAIN TUNABLE SILICON AND GERMANIUM NANOWIRE OPTOELECTRONIC DEVICES

Номер патента: US20120199812A1. Автор: Baykan Mehmet Onur,Nishida Toshikazu,Thompson Scott Emmet. Владелец: University of Florida Research Foundation, Incorporated. Дата публикации: 2012-08-09.

Germanium nanowire structure manufacturing method

Номер патента: CN103693615B. Автор: 刘洪刚,常虎东,孙兵,赵威,王盛凯. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-04-01.

Biosensor based on germanium nanowire field effect transistor, method and application

Номер патента: CN104730136A. Автор: 赵建龙,蔡奇,狄增峰,金庆辉,叶林,许宝建. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2015-06-24.

Heater Chips with Silicon Die Bonded on Silicon Substrate, Including Offset Wire Bonding

Номер патента: US20120133710A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

FABRICATION OF THROUGH-SILICON VIAS ON SILICON WAFERS

Номер патента: US20120164827A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-06-28.

FABRICATION OF THROUGH-SILICON VIAS ON SILICON WAFERS

Номер патента: US20120164829A1. Автор: Rajagopalan Nagarajan,Park Ji Ae,Yamase Ryan,Patel Shamik,Nowak Thomas,Xia Li-Qun,Kim Bok Hoen,Ding Ran,Baldino Jim,Naik Mehul,Ramaswami Sesh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-06-28.

GROWING COMPRESSIVELY STRAINED SILICON DIRECTLY ON SILICON AT LOW TEMPERATURES

Номер патента: US20120205784A1. Автор: Bedell Stephen W.,Sadana Devendra K.,Reznicek Alexander,Shahidi Ghavam G.,Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-16.

METHOD FOR FORMING FULLY RELAXED SILICON GERMANIUM ON SILICON

Номер патента: US20120299155A1. Автор: Liu Jinping. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2012-11-29.

SINTERED REFRACTORY MATERIAL BASED ON SILICON CARBIDE WITH A SILICON NITRIDE BINDER

Номер патента: US20130056915A9. Автор: Jorge Eric,Citti Olivier,Moitrier Lionel,Marguin Olivier. Владелец: SAINT-GOBAIN CENTRE DE RECHERCHES ET D'ETUDES EUROPEEN. Дата публикации: 2013-03-07.

METHOD FOR PRODUCING HETEROEPITAXIAL SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2012140590A. Автор: Шихгасан Муфтялиевич Рамазанов,Гусейн Муфтялиевич Рамазанов,Газимагомед Убайдулаевич Газимагомедов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СИКЛАБ". Дата публикации: 2014-03-27.

Preparation method of composite structure material based on silicon-based porous silicon/tungsten oxide nanowires

Номер патента: CN103526157A. Автор: 曾鹏,胡明,李明达,武雅乔,马双云,崔珍珍. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-01-22.

CVD EDITOR (OPTIONS) AND METHOD FOR SYNTHESIS OF HETEROEPITAXIAL SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON

Номер патента: RU2008110877A. Автор: Борис Михайлович Синельников,Виталий Алексеевич Тарала,Иван Сергеевич Митченко,Борис Михайлович Синельников (RU),Виталий Алексеевич Тарала (RU),Иван Сергеевич Митченко (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-Производственная Фирма "ЭПИКРИСТ" (RU). Дата публикации: 2009-09-27.

Low voltage silicon controlled rectifier (SCR) for electrostatic discharge (ESD) protection on silicon-on-insulator technologies

Номер патента: CN100423256C. Автор: 柯尼里·克里斯汀·鲁斯,菲利普·裘思维克,马克斯·莫俊斯,约翰·亚莫,康-颂·特里恩,罗素·莫恩,柯恩·法海吉. Владелец: Sanorff European Corp. Дата публикации: 2008-10-01.

Method for producing high strength silicon nitride products based on silicon carbide

Номер патента: CN1131134A. Автор: 薛天瑞. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-09-18.

Micro-mechanical acceleration transducer with directly linked silicon wafers based on silicon through-hole technique

Номер патента: CN102435772A. Автор: 郭述文. Владелец: SUZHOU WENZHIXIN MICROSYSTEM TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2012-05-02.

SALVATOR СНзСН, \ КОз5СН2СН (р.) С (о) о (СН2) з-31-0- [81-о] -81 - ((:: Н5,) ЗО (о) СНС (к) СН2бОММ \ <т \ sn , W, CH3, where R = H, CH3; M = Na, K, NH4; m = 4, 8, 12, 16, having surface-active properties. Salts of bis- (• y-sulfopropionate propyl-n sulfonic isobutyratepropyl) - nolydimenylsiloxane decree Formulas with increased surface activity can be used as effective surface-active substances (surfactants). P1 are known surfactants based on silicon organosulfur sulfoesters [1], sulfates [2] or sulfonates [3], reducing surface tension of water up to 20-30 dyn / cm. The closest to the described compounds to the technical essence are Na, K or NH4 salts of 1,3-bis- (sulfopropionalkyl or sulfoisobutyrate alkyl-1,1,3, 3-tetra-20 methyldisiloxane [4]. However, these compounds have insufficient activity at the boundaries phases: water - air (reduce surface tension from 72.5 to 25-30 dyn / cm) and water - silicon - organic liquid (reduce interfacial tension from 47 to 6-14 dyn / cm). The purpose of the invention is to synthesize compounds with high efficiency as a PAV. For this, the salts of bis- (i'-sulfopropionate or sulfoisobutnylpropyl) - iolididimethylsiloxane are used as surfactants contain an extended siloxane day. The salts of this formula are present in concentrations 1-10 ~ h - 5-10 ~ 2 mol / l leads to a sharp decrease in the surface natn

Номер патента: SU548609A1. Автор: Николай Семенович Федотов,Григорий Саннович Гольдин,Киролина Ошеровна Авербах,Татьяна Афанасьевна Музыченко. Владелец: Предприятие П/Я Г-4236. Дата публикации: 1977-02-28.

Method for preparing ferromagnetic manganese silicon film on silicon substrate by magnetic control sputtering

Номер патента: CN1885493A. Автор: 尹志岗,陈诺夫,杨霏,刘力锋,柴春林. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2006-12-27.

Suspension guided-wave optical device based on silicon substrate nitride and method for producing suspension guided-wave optical device based on silicon substrate nitride

Номер патента: CN102778724A. Автор: 朱洪波,王永进,胡芳仁,于庆龙. Владелец: Nanjing Post and Telecommunication University. Дата публикации: 2012-11-14.

Method of producing phosphor in form of amorphous film of silicon dioxide with selenium ions on silicon substrate

Номер патента: RU2504600C1. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина&#34;. Дата публикации: 2014-01-20.

Method of silicon nitride precipitation on silicon substrate

Номер патента: RU2518283C1. Автор: Андрей Александрович Жуков,Алексей Евгеньевич Ануров,Владимир Миронович Долгополов. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных системы&#34; (ОАО &#34;Российские космические системы&#34;). Дата публикации: 2014-06-10.

TECHNOLOGICAL LINE FOR THE PRODUCTION OF WALL CERAMIC PRODUCTS OF SEMI-DRY PRESSING BASED ON SILICON OPAL-CRYSTOBALITE ROCKS

Номер патента: RU2013139804A. Автор: Владимир Дмитриевич Котляр,Александр Владимирович Козлов,Антон Владимирович Котляр,Юлия Викторовна Терёхина,Андрей Викторович Устинов,Анастасия Сергеевна Новикова. Владелец: Андрей Викторович Устинов. Дата публикации: 2015-03-10.

METHOD FOR PRODUCING PRODUCTS FROM COMPOSITE MATERIAL BASED ON SILICON NITRIDE

Номер патента: RU2010124344A. Автор: Георгий Юрьевич Сморчков,Анатолий Иванович Рачковский,Игорь Евгеньевич Вичканский,Валентина Павловна Белова,Анатолий Иванович Рачковский (RU),Игорь Евгеньевич Вичканский (RU),Георгий Юрьевич Сморчков (RU),Валентина Павловна Белова (RU). Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии &#34;Росатом&#34; - Госкорпорация &#34;Росатом&#34; (RU). Дата публикации: 2011-12-20.

METHOD OF SOLDING CRYSTALS BASED ON SILICON CARBIDE

Номер патента: RU2009149796A. Автор: Владимир Иванович Бойко,Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,Александр Валерьевич Кочергин,Андрей Владимирович Строгонов,Борис Анатольевич Спиридонов (RU),Виктор Васильевич Зенин (RU),Владимир Иванович Бойко (RU),Александр Валерьевич Кочергин (RU),Андрей Владимирович Строгонов (RU). Владелец: ОАО &#34;Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка&#34; (RU). Дата публикации: 2011-07-10.

TIR TRANSISTOR ON SILICON STRUCTURE ON SAPPHIRE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2004117756A. Автор: Алексей Сергеевич Адонин,Алексей Сергеевич Адонин (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образовани Московский государственный институт электроники и математики (Технический Университет) (RU). Дата публикации: 2005-11-20.

COMPOSITE MATERIAL BASED ON SILICON DIOXIDE

Номер патента: RU2006113902A. Автор: Михаил Юрьевич Русин,Тамара Алексеевна Пашутина,Василий Васильевич Василенко,Любовь Павловна Мужанова,Александр Иванович Триполитов,Михаил Юрьевич Русин (RU),Тамара Алексеевна Пашутина (RU),Любовь Павловна Мужанова (RU),Василий Васильевич Василенко (RU),Александр Иванович Триполитов (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предпри тие&#34;Обнинское научно-производственное предпри тие &#34;Технологи &#34; (RU). Дата публикации: 2007-11-10.

METHOD FOR FORMING A SUPER-SOLID DOPED CARBON COATING ON SILICON IN VACUUM

Номер патента: RU2007112606A. Автор: Марина Евгеньевна Галкина,Александр Яковлевич Колпаков,Ольга Вениаминовна Сафронова,Ирина Васильевна Суджанская,Александр Яковлевич Колпаков (RU),Марина Евгеньевна Галкина (RU),Ольга Вениаминовна Сафронова (RU),Ирина Васильевна Суджанска (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образовани &#34;Белгородский государственный университет&#34; (RU). Дата публикации: 2008-10-10.

COMPOSITE MATERIAL BASED ON SILICON DIOXIDE AND METHOD FOR PRODUCING IT

Номер патента: RU2004109984A. Автор: Михаил Юрьевич Русин,Виктор Федорович Соколов,Тамара Алексеевна Пашутина,Любовь Павловна Мужанова,Александр Иванович Триполитов,Михаил Юрьевич Русин (RU),Тамара Алексеевна Пашутина (RU),Любовь Павловна Мужанова (RU),Александр Иванович Триполитов (RU),Виктор Федорович Соколов (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предпри тие &#34;Обнинское научно-производственное предпри тие &#34;Технологи &#34; (RU). Дата публикации: 2005-10-10.

WAY OF SEALING OLED ON SILICON SUBSTRATE USING GLASS PASTE

Номер патента: RU2013136736A. Автор: Владимир Игоревич Иванов,Николай Николаевич Усов,Александр Вадимович Нуриев,Борис Афанасьевич Кондрацкий,Олег Алексеевич Грачев,Людмила Александровна Костышина,Мария Владимировна Маркелова,Анатолий Анатольевич Морозов. Владелец: Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт &#34;ЦИКЛОН&#34;. Дата публикации: 2015-02-20.

METHOD FOR PRODUCING COMPOSITE MATERIALS BASED ON SILICON DIOXIDE

Номер патента: RU2012155364A. Автор: Абдулгалим Будаевич Исаев,Зазав Мустафаевич Алиев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВРСИТЕТ&#34;. Дата публикации: 2014-06-27.

Method of manufacturing cavity body with vibrating membrane on silicon wafer

Номер патента: TW201110223A. Автор: xue-zhuan Liao,Xi-Zhe Huang. Владелец: Phoenix Silicon Int Corp. Дата публикации: 2011-03-16.

Aligning method of liquid crystal on silicon (LCOS) display panel

Номер патента: TW200611044A. Автор: Meng-Hsun Hsieh. Владелец: Himax Tech Inc. Дата публикации: 2006-04-01.

Reflective liquid crystal on silicon panel and projection display apparatus using the same

Номер патента: TW200708800A. Автор: Whitehead Tony,Da-Shuang Kuan,Chi-Tai Meng. Владелец: United Microdisplay Optronics Corp. Дата публикации: 2007-03-01.

Improvements in or relating to methods of providing a contact on silicon

Номер патента: AU1890256A. Автор: Marius Nijland Louis. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1956-12-13.

Edge-on-silicon carbide light-emitting diodes

Номер патента: CA907214A. Автор: Addamiano Arrigo,M. Hertz Lester. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1972-08-08.

Power MOSFET on silicon-on-insulator and method thereof

Номер патента: TW554466B. Автор: Keh-Yuh Yu. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2003-09-21.

Method of producing an electrode on silicon

Номер патента: CA641008A. Автор: M. Nijland Louis. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1962-05-08.

Liquid crystal on silicon display panel

Номер патента: TWI285289B. Автор: Chia-Te Lin,Ta-Shuang Kuan,Chia-Tsung Chan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-11.

Flue gas desulfurization adsorption device based on silicon-based mesoporous material and method of using same

Номер патента: ZA202110837B. Автор: Gang Li,Xiaoyan Wu. Владелец: Huawei National Engineering Res Center For Efficient Recycling Of Metal Mineral Resources Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-30.

Paper sizing based on silicones

Номер патента: CA762887A. Автор: DAMM Klaus,Noll Walter,Steinbach Hans-Horst,Toepsch Hans,Troemel Gerhard,Seibert Heinrich. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1967-07-11.

Liquid crystal on silicon display

Номер патента: TW200604688A. Автор: Chia-Te Lin,Ta-Shuang Kuan,Chia-Tsung Chan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-02-01.

Manufacturing method of forming glass layer on silicon wafer surface

Номер патента: TW201137973A. Автор: Chung-Yu Kuo,Tzu-Chiang Wang,Chih-Huan Shen. Владелец: Anova Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-01.

Process of growing SiO2 layer including fluorine on silicon substrate

Номер патента: TW288177B. Автор: Jenn-Gwo Hu,Jer-Ming Jeng. Владелец: Nat Science Council. Дата публикации: 1996-10-11.

Method of providing a contact on silicon

Номер патента: CA556070A. Автор: M. Nijland Louis. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1958-04-15.

Method of selective etching on silicon

Номер патента: CA808166A. Автор: Kover Francois. Владелец: Compagnie Generale dElectricite SA. Дата публикации: 1969-03-11.

Method for laying of colden contacts on silicon detectors for noucleous radiation

Номер патента: BG31018A1. Автор: Mikhajjlov,Gumnerova. Владелец: Gumnerova. Дата публикации: 1981-10-15.

Package structure of liquid crystal on silicon panel

Номер патента: TWM348447U. Автор: Yu-Wen Lin,Chun-Hao Su,Meng-Ju WU,Chi-Jui Wu. Владелец: Himax Display Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Cosmic ray flux measuring device based on silicon photomultiplier

Номер патента: CN118938286A. Автор: 王小龙,邹世明,王曦阳,刘子煜,张鸿玉. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-12.

Image sensor based on silicon germanium PIN structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN118943152A. Автор: 苗渊浩,亨利·H·阿达姆松. Владелец: Guangdong Greater Bay Area Institute of Integrated Circuit and System. Дата публикации: 2024-11-12.

METHOD OF MANUFACTURING OLED-ON-SILICON

Номер патента: US20120032204A1. Автор: . Владелец: X-Fab Semiconductor Foundries AG. Дата публикации: 2012-02-09.

METHOD AND RESULTING CAPACITOR STRUCTURE FOR LIQUID CRYSTAL ON SILICON DISPLAY DEVICES

Номер патента: US20120081649A1. Автор: Li Wei Min,Huang Herb H.. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2012-04-05.

Method for forming a protective coating against high-temperature oxidation on a refractory composite material based on silicon and niobium

Номер патента: US20120082857A1. Автор: Bacos Marie-Pierre,Josso Pierre. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-05.

METHOD AND STRUCTURE FOR TOP METAL FORMATION OF LIQUID CRYSTAL ON SILICON DEVICES

Номер патента: US20120092604A1. Автор: . Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2012-04-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD WITH IMPROVED EPITAXIAL QUALITY OF III-V COMPOUND ON SILICON SURFACES

Номер патента: US20120094467A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-19.

Process for Manufacturing a Ceramic Composite Based on Silicon Nitride and Beta-Eucryptite

Номер патента: US20120115707A1. Автор: Vitupier Yann,BLANCHARD Laurent,FANTOZZI Gilbert,PELLETANT Aurélien,REVERON Helen,CHEVALIER Jérôme. Владелец: THALES. Дата публикации: 2012-05-10.

DRY ETCHING METHOD OF SURFACE TEXTURE FORMATION ON SILICON WAFER

Номер патента: US20120138139A1. Автор: . Владелец: INTEVAC, INC.. Дата публикации: 2012-06-07.

Color Filter of Liquid Crystal on Silicon Display Device

Номер патента: US20120148946A1. Автор: . Владелец: HIMAX TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2012-06-14.

Process for Making a Slot-Type Optical Waveguide on Silicon

Номер патента: US20120149178A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

Process for forming silver films on silicon

Номер патента: US20120156585A1. Автор: Murphy Brian,MILLER Jeff,Modawar Faris,Jura Mike,Black Marcie,Buchine Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-21.

THERMOELECTRIC DEVICE BASED ON SILICON NANOWIRES AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120167936A1. Автор: . Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-07-05.

HEXAGONAL REO TEMPLATE BUFFER FOR III-N LAYERS ON SILICON

Номер патента: US20120183767A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-19.

STRUCTURE AND METHOD TO REDUCE WAFER WARP FOR GALLIUM NITRIDE ON SILICON WAFER

Номер патента: US20120211759A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Liu Ming Chyi,Pei Hsieh Ching,Yu Jiun-Lei,Chen Chi-Ming,Liu Shih-Chang,Yu Chung-Yi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-08-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD WITH IMPROVED EPITAXIAL QUALITY OF III-V COMPOUND ON SILICON SURFACES

Номер патента: US20120211803A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-08-23.

METHOD AND APPARATUS FOR GROWING THIN OXIDE FILMS ON SILICON WHILE MINIMIZING IMPACT ON EXISTING STRUCTURES

Номер патента: US20120298039A1. Автор: Timans Paul Janis,Savas Stephen E.,PEUSE Bruce W.,HU Yaozhi,XING Guangcai,LERCH Wilfried,TAY Sing-Pin,ROTERS Georg,NENYEI Zsolt,SINHA Ashok. Владелец: MATTSON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-11-29.

METHOD OF FORMING HIGH GROWTH RATE, LOW RESISTIVITY GERMANIUM FILM ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20120306054A1. Автор: SANCHEZ ERROL ANTONIO C.,HUANG YI-CHIAU,Tao Xianzhi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-12-06.

METHOD OF FORMING HIGH GROWTH RATE, LOW RESISTIVITY GERMANIUM FILM ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20120306055A1. Автор: SANCHEZ ERROL ANTONIO C.,HUANG YI-CHIAU,Tao Xianzhi. Владелец: APPLIED MATERIALS, INC. Дата публикации: 2012-12-06.

METHOD FOR FABRICATING MOSFET ON SILICON-ON-INSULATOR WITH INTERNAL BODY CONTACT

Номер патента: US20120309137A1. Автор: Majumdar Amlan,Cai Jin,Koester Steven J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

METHOD FOR ISOLATING RF FUNCTIONAL BLOCKS ON SILICON-ON-INSULATOR (SOI) SUBSTRATES

Номер патента: US20120313173A1. Автор: Deuchars Robert,Peachey Nathaniel,Dickey Carl. Владелец: RF MICRO DEVICES, INC.. Дата публикации: 2012-12-13.

SUPER-HIGH-VOLTAGE RESISTOR ON SILICON

Номер патента: US20120313692A1. Автор: Sutardja Sehat,Krishnamoorthy Ravishanker,CHUI Siew Yong. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

SILICA-ON-SILICON WAVEGUIDES AND RELATED FABRICATION METHODS

Номер патента: US20120321245A1. Автор: Chen Tong,LI Jiang,VAHALA Kerry,LEE Hansuek. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-20.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR MATERIALS AND DEVICES ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20120326210A1. Автор: Shi Zhisheng. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

III-V PHOTONIC INTEGRATION ON SILICON

Номер патента: US20130022072A1. Автор: Bowers John Edward. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2013-01-24.

Boron-Containing Buffer Layer for Growing Gallium Nitride on Silicon

Номер патента: US20130026482A1. Автор: Fenwick William E.. Владелец: Bridgelux, Inc.. Дата публикации: 2013-01-31.

LED ON SILICON SUBSTRATE USING ZINC-SULFIDE AS BUFFER LAYER

Номер патента: US20130032810A1. Автор: Chen Zhen. Владелец: Bridgelux, Inc.. Дата публикации: 2013-02-07.

RARE EARTH OXY-NITRIDE BUFFERED III-N ON SILICON

Номер патента: US20130032858A1. Автор: Clark Andrew,LEBBY MICHAEL,Arkun Erdem,Smith Robin. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

III-N FET ON SILICON USING FIELD SUPPRESSING REO

Номер патента: US20130062609A1. Автор: LEBBY MICHAEL,Williams David,Dargis Rytis,Smith Robin. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-14.

STRAIN COMPENSATED REO BUFFER FOR III-N ON SILICON

Номер патента: US20130099357A1. Автор: Clark Andrew,LEBBY MICHAEL,Arkun Erdem,Dargis Rytis,Roucka Radek. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-25.

NEW III-NITRIDE GROWTH METHOD ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20130112939A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chang Chin-Cheng,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Hwang Ho-Yung David,LIN Hung-Ta,Liu Po-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-09.

GALLIUM NITRIDE GROWTH METHOD ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20130140525A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Hwang Ho-Yung David,LIN Hung-Ta,Liu Po-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-06-06.

HIGH QUALITY GAN HIGH-VOLTAGE HFETS ON SILICON

Номер патента: US20130146863A1. Автор: Ramdani Jamal,Liu LinLin,EDWARDS John P.. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-13.

LOW SERIES RESISTANCE TRANSISTOR STRUCTURE ON SILICON ON INSULATOR LAYER

Номер патента: US20130175625A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Mehta Sanjay,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,Majumdar Amlan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

COLD FIELD ELECTRON EMITTERS BASED ON SILICON CARBIDE STRUCTURES

Номер патента: US20130187532A1. Автор: Sharifi Fred,Kang Myung-Gyu,Lezec Henri. Владелец: THE NATIONAL INSTITUTE OF STANDARDS AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-07-25.

LASER USING LOCALLY STRAINED GERMANIUM ON SILICON FOR OPTO-ELECTRONIC APPLICATIONS

Номер патента: US20130202005A1. Автор: Dutt Birendra. Владелец: APIC Corporation. Дата публикации: 2013-08-08.

III-N ON SILICON USING NANO STRUCTURED INTERFACE LAYER

Номер патента: US20130214282A1. Автор: Clark Andrew,LEBBY MICHAEL,Arkun Erdem,Roucka Radek,Smith Robin. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-22.

LIQUID CRYSTAL ON SILICON DISPLAY PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130250219A1. Автор: TSAI Ching-Huei. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-26.

METHOD FOR FORMING GROUP III/V CONFORMAL LAYERS ON SILICON SUBSTRATES

Номер патента: US20130256760A1. Автор: CARLSON DAVID K.,Ye Zhiyuan,SANCHEZ ERROL ANTONIO C.,BAO XINYU. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-10-03.

METHODS AND APPARATUS FOR HEAT SPREADER ON SILICON

Номер патента: US20130270686A1. Автор: Chen Hsien-Wei,Wu Kai-Chiang,Shih Chao-Wen,YANG Chung-Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-10-17.

Graded Aluminum-Gallium-Nitride and Superlattice Buffer Layer for III-V Nitride Layer on Silicon Substrate

Номер патента: US20140001439A1. Автор: Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-01-02.

TIME-VARIANT ANTENNA ENABLED BY SWITCHED CAPACITOR ARRAY ON SILICON

Номер патента: US20140004804A1. Автор: Suh Seong-Youp,Suarez-Gartner Ricardo. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

Diffusion Barrier Layer for Group III Nitride on Silicon Substrate

Номер патента: US20140014967A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Chiu Han-Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-01-16.

GROWING OF GALLIUM-NITRADE LAYER ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20140027777A1. Автор: LEE Sang In. Владелец: SYNOS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-30.

Fast Turn On Silicon Controlled Rectifiers for ESD Protection

Номер патента: US20140027815A1. Автор: TSENG Jen-Chou,CHANG Tzu-Heng,SONG Ming-Hsiang,SU YU-TI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-01-30.

GRADED GeSn ON SILICON

Номер патента: US20140053894A1. Автор: LEBBY MICHAEL,Roucka Radek,Semans Scott. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

III-V SEMICONDUCTOR INTERFACE WITH GRADED GeSn ON SILICON

Номер патента: US20140076390A1. Автор: LEBBY MICHAEL,Roucka Radek,Semans Scott. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.