REMOVING COLORIZATION ON SILICON CARBIDE CERAMIC MATRIX COMPOSITES.

REMOVING COLORIZATION ON SILICON CARBIDE CERAMIC MATRIX COMPOSITES

Номер патента: US20220055953A1
Опубликовано: 24-02-2022
Автор(ы): Lu Weiming, Nable Jun
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Ceramic matrix composite and method for manufacturing same

Номер патента: EP4269373A1. Автор: Isao Yamashita,Ikuya OHTA,Yushi NAWATA,Yo HIRATAKA. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Ceramic matrix composite and method for producing the same

Номер патента: US20240051881A1. Автор: Isao Yamashita,Ikuya OHTA,Yushi NAWATA,Yo HIRATAKA. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Ceramic matrix composite and method for manufacturing same

Номер патента: US20220227674A1. Автор: Takeshi Nakamura,Masahiro Kotani,Hiroto Hirano,Takahiko SHINOHARA. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Multi-stage consolidation process for ceramic matrix composite prepreg material

Номер патента: US20240158307A1. Автор: Matthew Hocking,Virtudes Rubio Diaz. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Nanograined smooth silicon carbide interface coating for improved durability

Номер патента: US20240043345A1. Автор: Evan B. CALLAWAY,Jun NABLE,Zachary Paul Konopaske. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Nanograined smooth silicon carbide interface coating for improved durability

Номер патента: EP4317105A1. Автор: Evan B. CALLAWAY,Jun NABLE,Zachary Paul Konopaske. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Methods for Producing High-Performance Silicon Carbide Fibers, Architectural Preforms, and High-Temperature Composite Structures

Номер патента: US20100289192A1. Автор: James A. DiCarlo,Hee-Mann Yun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Ceramic matrix composite component and method of forming

Номер патента: US20240286964A1. Автор: Michael Schuster,Daniel Gene Dunn. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for producing ceramic matrix composite and ceramic matrix composite

Номер патента: EP3928944A1. Автор: Akira Fukushima,Kosuke Nishikawa,Azusa TAMUGI,Ryoma Nogami. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Aero Engines Ltd. Дата публикации: 2021-12-29.

Ceramic matrix composite manufacturing method and ceramic matrix composite

Номер патента: US20220185741A1. Автор: Akira Fukushima,Kosuke Nishikawa,Azusa TAMUGI,Ryoma Nogami. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Aero Engines Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Method For Combined Desizing And Interface Coating Of Fibers For Ceramic Matrix Composites

Номер патента: US20160264475A1. Автор: Neal Magdefrau,Paul Sheedy. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Ceramic matrix composite for high temperature application containing ceramic fibers coated with a MAX phase

Номер патента: EP2905271A1. Автор: Hans-Peter Bossmann,Gregoire Etienne Witz,Michael Stuer. Владелец: Alstom Technology AG. Дата публикации: 2015-08-12.

A Method for Silicon Carbide Slip Casting and Sintering

Номер патента: LU102184B1. Автор: Changqing Li,Yansong Li,Baoliang Liu. Владелец: Univ Guangdong Petrochem Tech. Дата публикации: 2021-05-12.

Boron carbide ceramic and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100311561A1. Автор: Ken Hirota,Yoshihiro Nakayama,Shingo Nakane. Владелец: Doshisha Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-09.

Coating layer-attached continuous ceramic fiber and method for producing same, and ceramic matrix composite material and method for producing same

Номер патента: EP3950640A1. Автор: Isao Yamashita,Yushi NAWATA. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2022-02-09.

Coating layer-attached continuous ceramic fiber and method for producing same, and ceramic matrix composite material and method for producing same

Номер патента: US12134584B2. Автор: Isao Yamashita,Yushi NAWATA. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Process for producing silicon carbide

Номер патента: EP2297033A1. Автор: Ding Ma,Xinhe Bao,Lijun Gu,Wenjie Shen. Владелец: Dalian Institute of Chemical Physics of CAS. Дата публикации: 2011-03-23.

Method of fabricating a ceramic matrix composite for resistance against silicon attack

Номер патента: US11731910B1. Автор: Richard Kidd. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Vapor-mediated synthesis of silicon carbide matrices for ceramic matrix composites by reactive melt infiltration

Номер патента: WO2022150184A3. Автор: Ravit SILVERSTEIN,Frank W. Zok,Carlos G. Levi. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2022-10-20.

Vapor-mediated synthesis of silicon carbide matrices for ceramic matrix composites by reactive melt infiltration

Номер патента: US20240034686A1. Автор: Ravit SILVERSTEIN,Frank W. Zok,Carlos G. Levi. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-02-01.

SILICON TO SILICON CARBIDE CONVERSION FOR CERAMIC MATRIX COMPOSITE FABRICATION

Номер патента: US20220081368A1. Автор: ZHANG JIPING,Travis Austin,Opperman Jonas,Jacobsen George. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

Method and device for producing a silicon carbide-containing workpiece

Номер патента: AU2023214705A1. Автор: Siegmund Greulich-Weber. Владелец: Yellow Sic Holding GmbH. Дата публикации: 2024-08-22.

Sintered refractory block based on silicon carbide with silicon nitride binder

Номер патента: RU2395477C9. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье Маргюэн. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2010-10-10.

A method of forming a ceramic matrix composite, and a pin array

Номер патента: EP4446076A1. Автор: John D. Riehl,Zachary Paul Konopaske,Molly Kole. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Silicon nitride/silicon carbide nano-nano composites

Номер патента: US20040179969A1. Автор: Julin Wan,Amiya Mukherjee,Matthew Gasch. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2004-09-16.

Method of producing multifunctional ceramic matrix composite materials (versions)

Номер патента: RU2603330C2. Автор: Сергей Викторович Соколов,Ольга Георгиевна Рыжова,Евгений Акимович Богачев,Иван Анатольевич Тимофеев,Екатерина Сергеевна Сафонова,Павел Анатольевич Тимофеев,Светлана Викторовна Жукова. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московской области "Технологический университет". Дата публикации: 2016-11-27.

Ceramic matrix composites made by chemical vapor infiltration and methods of manufacture thereof

Номер патента: CA2924053C. Автор: Krishan Lal Luthra,Gregory Scot Corman,Badri Narayan Ramamurthi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-07-17.

Silicon carbide ceramic matrix composites

Номер патента: US09650303B2. Автор: Kang N. Lee,Adam L. Chamberlain,Andrew J. Lazur. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Silicon carbide ceramic matrix composites containing a rare earth compound

Номер патента: EP2970015A1. Автор: Kang N. Lee,Adam L. Chamberlain,Andrew J. Lazur. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2016-01-20.

Method for producing high strength ceramic matrix composites

Номер патента: EP2970024A2. Автор: Adrew J. LAZUR. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2016-01-20.

Method for producing high strength ceramic matrix composites

Номер патента: US09708226B2. Автор: Andrew J. Lazur. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Exfoliated boron nitride for interface coating for ceramic matrix composites

Номер патента: EP4321495A1. Автор: Andrew Joseph LAZUR,Mary Colby,Kenneth PETROSKI. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-02-14.

Exfoliated boron nitride for interface coating for ceramic matrix composites

Номер патента: US20240051879A1. Автор: Andrew Joseph LAZUR,Mary Colby,Kenneth PETROSKI. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Compressible coating reinforcements for ceramic matrix composites, and methods of making the same

Номер патента: US11787746B1. Автор: Phuong Bui,Tobias SCHAEDLER,Mark O'Masta. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Compressible coating reinforcements for ceramic matrix composites, and methods of making the same

Номер патента: US20230416160A1. Автор: Phuong Bui,Tobias SCHAEDLER,Mark O'Masta. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Modified preceramic polymers, method of making and ceramic matrix composite formed therefrom

Номер патента: US12024598B2. Автор: Paul Sheedy,Wayde R. Schmidt. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for incorporating refractory metal element into ceramic matrix composite

Номер патента: US09593049B2. Автор: Sean E. Landwehr,Sungbo Shim,Robert J. Shinavski,Stephen I. Harris. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Ceramic matrix composite and method for manufacturing same

Номер патента: US20240002296A1. Автор: Takuya Aoki,Yuki Kubota,Michimasa UDA,Haruhiko SOEDA. Владелец: IHI Aerospace Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Silicon to silicon carbide conversion for ceramic matrix composite fabrication

Номер патента: US12054433B2. Автор: Jiping Zhang,Jonas Opperman,Austin TRAVIS,George JACOBSEN. Владелец: General Atomics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Silicon to silicon carbide conversion for ceramic matrix composite fabrication

Номер патента: EP4211093A1. Автор: Jiping Zhang,Jonas Opperman,Austin TRAVIS,George JACOBSEN. Владелец: General Atomics Corp. Дата публикации: 2023-07-19.

Method and device for producing a silicon carbide-comprising workpiece

Номер патента: AU2023211108A1. Автор: Siegmund Greulich-Weber. Владелец: Yellow Sic Holding GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods of forming silicon carbide by spark plasma sintering, methods of forming articles including silicon carbide by spark plasma sintering, and related structures

Номер патента: US20170369381A1. Автор: Henry S. Chu,Robert C. O'Brien,Michael P. Bakas,Steven K. Cook. Владелец: Battelle Energy Alliance Llc. Дата публикации: 2017-12-28.

Silicon carbide joint and metal penetration connection method therefor

Номер патента: EP4421053A1. Автор: Yongdong Zhang,Xiansheng ZHANG,Qisen REN,Yehong LIAO,Lixiang Wu,Jiaxiang XUE,Jianhan ZHAI. Владелец: China Nuclear Power Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Silicon carbide ceramic composition and method of making

Номер патента: US6680267B2. Автор: Vimal K. Pujari,William T. Collins. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2004-01-20.

Discontinuous silicon carbide fiber reinforced ceramic composites

Номер патента: GB2114620A. Автор: Karl Michael Prewo,John Joseph Brennan. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1983-08-24.

Method for producing silicon carbide sintered body

Номер патента: US20180282227A1. Автор: Hiroki Ishida,Hironori Takahashi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Sintering method for improving antioxidant performance of nitride combined silicon carbide material

Номер патента: EP3988518A1. Автор: Zhigang Huang,Jie Li,Jiaping Wang,Wenwu Wang,Jiguang Wu. Владелец: Sinosteel Luoyang Institute of Refractories Research Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-27.

Diamond-silicon carbide composite

Номер патента: US20050209089A1. Автор: JIANG Qian,Yusheng Zhao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Diamond-silicon carbide composite and method for preparation thereof

Номер патента: US20040242399A1. Автор: JIANG Qian,Yusheng Zhao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Ceramic nanostructured material based on silicon nitride and method of its production

Номер патента: RU2653182C2. Автор: Михаил Юрьевич Попов,Иван Павлович Иллич-Свитыч,Николай Владимирович Хохлов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2018-05-07.

Method of making ceramics based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibres

Номер патента: RU2718682C2. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Сергей Николаевич Перевислов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2020-04-13.

Method of producing silicon carbide refractories

Номер патента: RU2740392C1. Автор: Сергей Викторович Зайцев,Василий Степанович Бессмертный,Надежда Ивановна Бондаренко,Евгений Иванович Евтушенко,Владимир Анатольевич Дороганов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова". Дата публикации: 2021-01-13.

Ceramic matrix composites and methods for producing ceramic matrix composites

Номер патента: US09512044B2. Автор: Adam L. Chamberlain,Andrew J. Lazur. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Readily sinterable silicon carbide powder and silicon carbide ceramic sintered body

Номер патента: CA2829057A1. Автор: Yoshitaka Aoki,Kazuhide YANAIZUMI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-13.

Dry prepreg for ceramic matrix composites

Номер патента: US20230365767A1. Автор: Amit J. Patel,Kari A. McGee,Henrik B. Van Lengerich,Aaron R. Beaber,Daimon K Heller. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2023-11-16.

Dry prepreg for ceramic matrix composites

Номер патента: EP3918000A1. Автор: Amit J. Patel,Kari A. McGee,Henrik B. Van Lengerich,Aaron R. Beaber,Daimon K Heller. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-12-08.

Dry prepreg for ceramic matrix composites

Номер патента: US12122889B2. Автор: Amit J. Patel,Kari A. McGee,Henrik B. Van Lengerich,Aaron R. Beaber,Daimon K Heller,James M. Reimer. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of manufacturing ceramic matrix composites reinforced with metallic particles

Номер патента: EP4426661A1. Автор: Pawel Falkowski,Joanna Tańska,Paulina Wiecińska,Jakub MISIUKIEWICZ,Anna Więcław-Midor. Владелец: Politechnika Warszawska. Дата публикации: 2024-09-11.

Manufacturing a ceramic matrix composite

Номер патента: GB2347113A. Автор: John Dominy,Paul Andrew Doleman,Anthony Gordon Razzell,Edwin Granville Butler,Ihsan Ali Hussein Al-Dawery. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2000-08-30.

Ceramic matrix composites and methods for producing ceramic matrix composites

Номер патента: EP2970020A2. Автор: Adam L. Chamberlain,Andrew J. Lazur. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2016-01-20.

Process for sintering silicon carbide

Номер патента: US09556073B2. Автор: Dale Adams. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for repairing ceramic matrix composite and ceramic matrix composite member

Номер патента: US11034106B2. Автор: Masahiko Mega,Taiji Torigoe,Mineaki Matsumoto,Takayuki Kurimura. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Method of altering a surface of a ceramic matrix composite to aid in nodule removal

Номер патента: US11760699B2. Автор: Sungbo Shim,Stephen Harris,Christopher Whitmore,Timothy Western. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for producing a ceramic matrix composite part

Номер патента: US20240018057A1. Автор: Cecile Pagnoux,Gautier Mecuson,Marc Singlard,Anne Aimable,Aude Paillassa. Владелец: IRT Saint Exupery. Дата публикации: 2024-01-18.

Boron nitride aerogel interface coating precursor for ceramic matrix composites

Номер патента: EP4389415A1. Автор: Evan B. CALLAWAY,Brendan Lenz. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-06-26.

Boron nitride aerogel interface coating precursor for ceramic matrix composites

Номер патента: US20240199498A1. Автор: Evan B. CALLAWAY,Brendan Lenz. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Process for making crack-free silicon carbide diffusion components

Номер патента: US5840639A. Автор: Stephen Dynan,Jack Shindle,John Vayda. Владелец: Saint Gobain Norton Industrial Ceramics Corp. Дата публикации: 1998-11-24.

Ceramic matrix composite cutting blade for wood machining and the method of manufacturing the cutting blade

Номер патента: WO2007038889A1. Автор: Bruno Ehrle,Jakob J. Kuebler,Fernando A. Eblagon. Владелец: Oertli Werkzeuge AG. Дата публикации: 2007-04-12.

High-temperature antioxidant coating for ceramic composite materials based on silicon carbide

Номер патента: RU2601676C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Олег Юрьевич Сорокин,Денис Вячеславович Гращенков,Сергей Станиславович Солнцев,Мария Леонидовна Ваганова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2016-11-10.

Ceramic matrix composite articles and methods for forming same

Номер патента: CA2920513C. Автор: James Dale Steibel. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-04-10.

Systems and methods for infiltrating porous ceramic matrix composite (CMC) preforms

Номер патента: US11746064B2. Автор: Canan Uslu Hardwicke,Srikanth Chandrudu Kottilingam,Jason Robert Parolini,James Joseph MURRAY, III. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-09-05.

Systems and methods for infiltrating porous ceramic matrix composite (cmc) preforms

Номер патента: EP3747850A1. Автор: Canan Uslu Hardwicke,Srikanth Chandrudu Kottilingam,Jason Robert Parolini,James Joseph Murray Iii. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-12-09.

Polymer composition for producing silicon carbide

Номер патента: RU2605257C1. Автор: Владимир Георгиевич Севастьянов,Николай Тимофеевич Кузнецов,Нелли Леонидовна Шембель,Игорь Дмитриевич Симонов-Емельянов,Елизавета Петровна Симоненко,Николай Петрович Симоненко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технологический университет". Дата публикации: 2016-12-20.

Ceramic matrix composite article and method of making the same

Номер патента: US20240116828A1. Автор: David C. Jarmon. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Ceramic matrix composite article and method of making the same

Номер патента: EP4349802A1. Автор: David C. Jarmon. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-04-10.

Method of producing silicon carbide sintered body for heater

Номер патента: US20070117722A1. Автор: Toshikazu Shinogaya,Fumio Odaka,Mari Miyano. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Silicon carbide based porous article and method for preparation thereof

Номер патента: US20040033893A1. Автор: Takashi Harada,Shuichi Ichikawa,Takahiro Tomita,Yuichiro Tabuchi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2004-02-19.

Atomic layer deposition method enhancing the nucleation and crystallinity of a boron nitride interface coating on a silicon carbide fiber

Номер патента: EP4414344A1. Автор: John E Holowczak. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Atomic layer deposition method enhancing the nucleation and crystallinity of a boron nitride interface coating on a silicon carbide fiber

Номер патента: US20240270652A1. Автор: John E. Holowczak. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of making articles from ceramic-matrix composite material

Номер патента: RU2687672C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Анатолий Сергеевич Воробьёв. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2019-05-15.

Method of producing structural ceramic material based on silicon carbide for articles of complex geometry

Номер патента: RU2739774C1. Автор: Алексей Владимирович Красиков,Михаил Александрович Марков,Павел Алексеевич Кузнецов,Евгений Александрович Самоделкин,Алина Дмитриевна Быкова,Михаил Валерьевич Хроменков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей" имени И.В. Горынина Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт"-ЦНИИ КМ "Прометей"). Дата публикации: 2020-12-28.

Method of forming ceramic matrix composite and ceramic matrix composite

Номер патента: EP4095113A1. Автор: Akira Fukushima,Takeshi Yoshikawa,Hisao Esaka,Hiromichi AKIYAMA,Takahiro Sekigawa,Kiichi NISHIGUCHI. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Aero Engines Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Cover-layer-including ceramic continuous fiber, method for producing the same, ceramic matrix composite material and method for producing the same

Номер патента: US20230406779A1. Автор: Isao Yamashita,Ikuya OHTA,Yushi NAWATA,Yo HIRATAKA. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of forming ceramic matrix composite and ceramic matrix composite

Номер патента: US20220380264A1. Автор: Akira Fukushima,Takeshi Yoshikawa,Hisao Esaka,Hiromichi AKIYAMA,Takahiro Sekigawa,Kiichi NISHIGUCHI. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Aero Engines Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Ceramic continuous fibers having coating layer and method for producing same, and ceramic matrix composite material and method for producing same

Номер патента: EP4219429A1. Автор: Isao Yamashita,Ikuya OHTA,Yushi NAWATA,Yo HIRATAKA. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2023-08-02.

Systems and methods for producing silicon carbide powder

Номер патента: EP4378890A1. Автор: Bahram Jadidian,Mehrad MEHR. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Composition for bonding ceramic composite materials based on silicon carbide

Номер патента: RU2604530C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Олег Юрьевич Сорокин,Денис Вячеславович Гращенков,Сергей Станиславович Солнцев,Мария Леонидовна Ваганова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2016-12-10.

Hybrid multilayer composite material with a ceramic matrix

Номер патента: RU2698695C2. Автор: Уильям П. КИТ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2019-08-28.

Ceramic articles containing silicon carbide

Номер патента: CA1267163A. Автор: Harold G. Sowman,Lien-Huong T. Pham,Jerome W. Mcallister. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1990-03-27.

Hybrid sandwich ceramic matrix composite

Номер патента: US09850173B2. Автор: William P. Keith. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-12-26.

Ceramic matrix composite component and method of making the same

Номер патента: US20230312425A1. Автор: Xia Tang,James T. Beals,Richard Wesley Jackson, III. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for making a passivating coating based on one or more silicon compounds on a ceramic matrix composite reinforced with carbon fibres and ceramic matrix composite reinforced with carbon fibres with such coating

Номер патента: WO2021053528A1. Автор: Massimiliano Valle,Lorenzo Cavalli,Giuseppe Carmine Rufolo,Roberto Gardi,Stefania Cantoni,Massimo Rosa,Mario DE STEFANO FUMO. Владелец: C.I.R.A. (Centro Italiano Ricerche Aerospaziali) S.C.P.A.. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for making a passivating coating based on one or more silicon compounds on a ceramic matrix composite reinforced with carbon fibres and ceramic matrix composite reinforced with carbon fibres with such coating

Номер патента: EP4031512A1. Автор: Massimiliano Valle,Lorenzo Cavalli,Giuseppe Carmine Rufolo,Roberto Gardi,Stefania Cantoni,Massimo Rosa,Mario DE STEFANO FUMO. Владелец: CIRA Centro Italiano Ricerche Aerospaziali SCPA. Дата публикации: 2022-07-27.

Method for making a passivating coating based on one or more silicon compounds on a ceramic matrix composite reinforced with carbon fibres and ceramic matrix composite reinforced with carbon fibres with such coating

Номер патента: US20230002290A1. Автор: Massimiliano Valle,Lorenzo Cavalli,Giuseppe Carmine Rufolo,Roberto Gardi,Stefania Cantoni,Massimo Rosa,Mario DE STEFANO FUMO. Владелец: CIRA Centro Italiano Ricerche Aerospaziali SCPA. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for producing ceramic matrix composite

Номер патента: US20170217842A1. Автор: Takeshi Nakamura,Akihiro Sato,Hisato Inoue,Shingo Kanazawa. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Method for producing ceramic composite material based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibers

Номер патента: RU2744543C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-03-11.

Process for production of graphene/silicon carbide ceramic composites

Номер патента: US09988313B2. Автор: Pilar MIRANZO,Carmen OCAL,Maria Isabel OSENDI,Manuel BELMONTE,Cristina RAMIREZ,Benito ROMAN-MANSO,Mauricio Terrones,Humberto R. Gutierrez. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-06-05.

Powder Compositions Including Chopped Coated Silicon Carbide Fibers and Method of Producing or Repairing a Fiber-Reinforced Ceramic Matrix Composite

Номер патента: US20240182368A1. Автор: Robert Hays,Chris Monteleone,Sujit Nanda. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Pressed silicon carbide ceramic (sic) fluidic modules with integrated heat exchange

Номер патента: US20230219053A1. Автор: James Scott Sutherland,Alexander Lee CUNO,Howen LIM. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Pressed silicon carbide ceramic (sic) fluidic modules with integrated heat exchange

Номер патента: WO2022005862A1. Автор: James Scott Sutherland,Alexander Lee CUNO,Howen LIM. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2022-01-06.

Fused silica tooling for high temperatures ceramic matrix composite sintering

Номер патента: US20240157601A1. Автор: Adam C. Healey. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Ceramic matrix composites enable through metal halide assisted sintering

Номер патента: WO2021150670A3. Автор: Lance Snead,Jason Trelewicz,David SPROUSTER. Владелец: The Research Foundation for The State University of New York. Дата публикации: 2021-10-21.

Boron carbride/silicon carbide ceramics

Номер патента: US5894066A. Автор: Inna G. Talmy,James A. Zaykoski. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1999-04-13.

Thin walled silicon carbide tube having low wall thickness variation

Номер патента: WO1996040600A1. Автор: John T. Vayda. Владелец: Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc.. Дата публикации: 1996-12-19.

Metal-matrix composites

Номер патента: US20230323555A1. Автор: Majid Minary Jolandan,Mohammadreza Mahmoudi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of obtaining articles of complex shape based on reaction-bonded silicon carbide

Номер патента: RU2735471C1. Автор: Владимир Сергеевич Зайцев,Михаил Юрьевич Русин,Наталья Александровна Голубева,Андрей Олегович Забежайлов,Илья Геннадьевич Михайлов,Максим Геннадьевич Лисаченко,Любовь Александровна Соловьёва. Владелец: Акционерное общество «Обнинское научно-производственное предприятие «Технология» им. А.Г.Ромашина». Дата публикации: 2020-11-02.

Crystalline silicon carbide fiber and method for manufacturing same, and ceramic composite substrate

Номер патента: US12060302B2. Автор: Hideki Ozawa,Hiroyuki Yamaoka,Yuusuke TOMINAGA,Kouichirou Suyama,Mao SUMINO. Владелец: Ube Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Boron carbide and silicon carbide armour

Номер патента: US11873257B2. Автор: Jerome Sant,Jérôme Brulin. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2024-01-16.

Substantially pore-free sintered polycrystalline articles of α-silicon carbide, boron carbide and free carbon and process for their manufacture

Номер патента: US4524138A. Автор: Klaus Hunold,Karl A. Schwetz,Klaus Reinmuth,Franz Isemann. Владелец: Elektroschmelzwerk Kempten GmbH. Дата публикации: 1985-06-18.

Silicon carbide whisker-reinforced ceramics with low rate of grain size increase upon densification

Номер патента: WO2005060549A3. Автор: Zhan Guodong,Julin Wan,Amiya K Mukherjee,Joshua D Kuntz. Владелец: Joshua D Kuntz. Дата публикации: 2005-11-24.

Continuous length silicon carbide fiber reinforced ceramic composites

Номер патента: US4324843A. Автор: Karl M. Prewo,John J. Brennan. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1982-04-13.

Silicon carbide fiber reinforced ceramic composites

Номер патента: CA1156044A. Автор: Karl M. Prewo,John J. Brennan. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1983-11-01.

Removing colorization on silicon carbide ceramic matrix composites

Номер патента: US11760695B2. Автор: Weiming Lu,Jun NABLE. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Ceramic matrix composite including silicon carbide fibers in a ceramic matrix comprising a max phase compound

Номер патента: US09856176B2. Автор: Stephen Harris,Robert Shinavski. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Doped silicon carbide ceramic matrix composite

Номер патента: EP3693350A1. Автор: Ying She,Kathryn S. Read,Andrew J. Lazur. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2020-08-12.

Doped silicon carbide ceramic matrix composite

Номер патента: US20200255351A1. Автор: Ying She,Kathryn S. Read,Andrew J. Lazur. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Doped silicon carbide ceramic matrix composite

Номер патента: US20230373872A1. Автор: Ying She,Kathryn S. Read,Andrew J. Lazur. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Boron carbide based ceramic matrix composites

Номер патента: EP1636148A2. Автор: Vijay V. Pujar,Sai-Kwing Lau,Gary L. Clark,Salvatore J. Calandra,Thomas Dwayne Nixon,Edward R. Stover,Lanny Ritz,Steve T. Keller. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2006-03-22.

Method for obtaining a wear-resistant composite material based on silicon carbide

Номер патента: RU2759858C1. Автор: Петр Александрович Витязь,Александр Федорович Ильющенко,Лариса Николаевна Дьячкова,Владимир Анатольевич Осипов. Владелец: ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ ПОРОШКОВОЙ МЕТАЛЛУРГИИ ИМЕНИ АКАДЕМИКА О.В. РОМАНА. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for fabricating an environmental barrier coating on a ceramic matrix composite

Номер патента: US11866380B2. Автор: Imelda P. Smyth,Sarah A. Frith. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for fabricating an environmental barrier coating on a ceramic matrix composite

Номер патента: EP3772501A1. Автор: Imelda P. Smyth,Sarah A. Frith. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2021-02-10.

Method for fabricating an environmental barrier coating on a ceramic matrix composite

Номер патента: US20240010574A1. Автор: Imelda P. Smyth,Sarah A. Frith. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Ceramic matrix composite and method for producing ceramic matrix composite

Номер патента: US20240101484A1. Автор: Yohei Ito,Masami Kume. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Ceramic matrix composite

Номер патента: US20210221744A1. Автор: Masato Ishizaki,Wataru Kubota,Yasutomo Tanaka,Yuuta Ootsuka,Hisato Inoue,Izumi MATSUKURA. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

High-throughput silicon carbide ceramic filter membrane and preparation method therefor

Номер патента: EP4332071A1. Автор: Johnny Marcher,Linfeng YUAN. Владелец: Nanjing Hanssen Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Method of making part from composite material with ceramic matrix

Номер патента: RU2728791C2. Автор: Эмили МЕНДЕС,Жером РОЖЕ,Ян ЛЕПЕТИКОР. Владелец: Сантр Насьональ Де Ля Решерш Сьянтифик. Дата публикации: 2020-07-31.

Ceramic matrix composite and method of manufacturing the same

Номер патента: US5990025A. Автор: Yasuhiro Goto,Masahiro Kato,Tsuneji Kameda,Shoko Suyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Process of producing a ceramic matrix composite turbine bucket, insert for a ceramic matrix composite turbine bucket and ceramic matrix composite turbine bucket

Номер патента: US09896945B2. Автор: John McConnell Delvaux,Glenn Curtis Taxacher,Peter de DIEGO. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-02-20.

Production of ceramic matrix composites containing carbon nanotubes and graphene

Номер патента: RU2744611C2. Автор: Джон Х. БЕЛК,Дэниэл Джозеф БРЭЙЛИ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2021-03-11.

Method of depositing silicon carbide on a preform to form a ceramic matrix composite

Номер патента: EP3957770A1. Автор: Weiming Lu,Jun NABLE. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2022-02-23.

Method for producing a surface layer on a ceramic matrix composite

Номер патента: US20210070664A1. Автор: Sungbo Shim,Pathikumar Sellappan,Kevin Mark Lukhard. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Reinforced ceramic matrix composite and method of manufacture

Номер патента: EP3838869A1. Автор: David C. Jarmon,Michael R. Kracum. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2021-06-23.

Ceramic matrix composites and method of making

Номер патента: US20240278543A1. Автор: James T. Roach,Brendan Michael LENZ,Kathryn Sarah Read. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method to process a ceramic matrix composite (CMC) with a protective ceramic coating

Номер патента: US11787159B2. Автор: Sungbo Shim. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of forming a ceramic matrix composite and a ceramic matrix component

Номер патента: US09663404B2. Автор: James Zhang,Peter de DIEGO. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-05-30.

Ceramic matrix composite material and method for manufacturing same

Номер патента: EP4455110A1. Автор: Isao Yamashita,Ikuya OHTA,Yushi NAWATA,Yo HIRATAKA. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2024-10-30.

Ceramic matrix composites having monomodal pore size distribution and low fiber volume fraction

Номер патента: US09850174B2. Автор: Krishan Lal Luthra,Gregory Scot Corman,Jared Hogg Weaver. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-12-26.

Composite with ceramic matrix and sic reinforcing element and method of manufacturing thereof

Номер патента: RU2193544C2. Автор: Стефан ГУЖАР,Рене Пайе,Себастьян БЕРТРАН,Алэн КАЙО,Жан-Люк ШАРВЕ. Владелец: Сосьете Насьональ Д'Этюд Э Де Констрюксьон Де Мотер Д'Авиасьон (Снекма). Дата публикации: 2002-11-27.

Sacrificial fibers for cooling air flow in ceramic matrix composites, methods of manufacture and articles comprising the same

Номер патента: US20230174432A1. Автор: Russell Kim,James T. Roach,Jonas S. Banhos. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Sacrificial fibers for cooling air flow in ceramic matrix composites, methods of manufacture and articles comprising the same

Номер патента: EP4194427A1. Автор: Russell Kim,James T. Roach,Jonas S. Banhos. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-14.

Aluminum-containing nitride ceramic matrix composite, method of making, and method of use

Номер патента: EP4416118A2. Автор: Mark P. D'Evelyn,David N. ITALIANO. Владелец: SLT Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Sintered silicon carbide ceramic body of high electrical resistivity

Номер патента: CA1267915A. Автор: Wolfgang D.G. Boecker,Laurence N. Hailey,Carl H. Mcmurtry. Владелец: Stemcor Corp. Дата публикации: 1990-04-17.

High-flux silicon carbide ceramic filter membrane and preparation method thereof

Номер патента: US20240033690A1. Автор: Johnny Marcher,Linfeng YUAN. Владелец: Nanjing Hanssen Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of processing a ceramic matrix composite (cmc) component

Номер патента: US20200123068A1. Автор: Jun Shi,Sungbo Shim. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Ceramic matrix composites and processes for their production

Номер патента: EP3166908A1. Автор: Walter Krenkel,Thomas Wamser,Sven Scheler. Владелец: UNIVERSITAET BAYREUTH. Дата публикации: 2017-05-17.

Ceramic matrix composite material part

Номер патента: US09604886B2. Автор: Sebastien Bertrand,Caroline Louchet,Franck Lamouroux,Sylvain Jacques. Владелец: Herakles SA. Дата публикации: 2017-03-28.

Sintered silicon carbide ceramic body

Номер патента: US4312954A. Автор: Carl H. Mcmurtry,John A. Coppola,Lawrence N. Hailey. Владелец: Kennecott Corp. Дата публикации: 1982-01-26.

Sic based ceramic matrix composites with layered matrices and methods for producing sic based ceramic matrix composites with layered matrices

Номер патента: EP2970017A2. Автор: Adam L. Chamberlain,Andrew J. Lazur. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2016-01-20.

Method for calculating gaseous diffusion and oxidation evolution of ceramic matrix composite (CMC) structure

Номер патента: US12060300B2. Автор: Sheng Zhang,Zheng Ni,Guoqiang Yu,Yingdong Song,Xiguang GAO,Xiaoting SHI. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2024-08-13.

Method and composition of scalable, infiltration free ceramic matrix composite

Номер патента: CA3153436A1. Автор: Gabriel Iftime,Jerome Unidad,Rahul Pandey,Junhua Wei,Mahati Chitapalli. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2022-10-03.

Rapid ceramic matrix composite production method

Номер патента: US09523149B2. Автор: Adam L. Chamberlain,Andrew J. Lazur. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for formation of composite material with ceramic matrix and part from composite material with ceramic matrix

Номер патента: RU2638498C2. Автор: ДИЕГО Питер ДЕ,Джеймс ЧЗАН. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2017-12-13.

Ceramic matrix composite component with modified thermal expansion and method for producing the same

Номер патента: US20230382812A1. Автор: Richard Wesley Jackson. Владелец: Rtx Corporation. Дата публикации: 2023-11-30.

SUBMICRON .beta. SILICON CARBIDE POWDER AND SINTERED ARTICLES OF HIGH DENSITY PREPARED THEREFROM

Номер патента: CA1236853A. Автор: Frederick G. Stroke. Владелец: PPG Industries Inc. Дата публикации: 1988-05-17.

Method for charging open pores in ceramic matrix composite, and ceramic matrix composite

Номер патента: US20240116824A1. Автор: Takuya Aoki,Yuki Kubota,Michimasa UDA,Haruhiko SOEDA. Владелец: IHI Aerospace Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for producing hollow part of composite material with ceramic matrix

Номер патента: RU2770493C2. Автор: Эрик ФИЛИПП,Максим Франсуа Роже КАРЛЕН,Маттье Арно ЖИМА,Реми ДЮПОН,Бенжамен ЛАКОМБ. Владелец: Сафран Серамикс. Дата публикации: 2022-04-18.

High density thermal shock resistant sintered silicon carbide

Номер патента: CA1107767A. Автор: Carl H. Mcmurtry,John A. Coppola,Yorihiro Murata. Владелец: Kennecott Corp. Дата публикации: 1981-08-25.

Surface layer on a ceramic matrix composite

Номер патента: US20200199033A1. Автор: Sungbo Shim,Camila Bortoluzzi,Andrew Phillip Kao. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Three-dimensional weave with sacrificial z-fibers for improved ceramic matrix composite microstructure

Номер патента: US20240308927A1. Автор: Olivier H. Sudre,Brendan Lenz. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Three dimensional weave with sacrifical z-fibers for improved ceramic matrix composite microstructure

Номер патента: EP4431483A1. Автор: Olivier H. Sudre,Brendan Lenz. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for integral joining infiltrated ceramic matrix composites

Номер патента: US09938198B2. Автор: Sean E. Landwehr,Ted J. Freeman,Daniel K. Vetters,Robert J. Shinavski. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Rapid ceramic matrix composite production method

Номер патента: US09758436B2. Автор: Adam L. Chamberlain,Andrew J. Lazur. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Silicon carbide-silicon composite having improved oxidation resistance and method of making

Номер патента: US5962103A. Автор: Hongyu Wang,Krishan Lal Luthra. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1999-10-05.

Ceramic matrix composite component and method of making the same

Номер патента: EP4257572A1. Автор: Xia Tang,James T. Beals,Richard Wesley JACKSON III. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Method of producing ceramic matrix composite, and ceramic matrix composite produced by the method for production

Номер патента: US20030059332A1. Автор: Makoto Kobashi,Masahiro Kida,Takahiro Ishikawa,Naoyuki Kanetake. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Ceramic matrix composite article and method of making the same

Номер патента: EP4183762A1. Автор: Kathryn S. Read,Zachary P. Konopaske,Shaun M. ENOS. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-24.

Aluminum nitride ceramic matrix composite and method of producing aluminum nitride matrix composite

Номер патента: EP1285897A3. Автор: Makoto Kobashi,Naoyuki Kanetake,Takahiro Intellectual Property Dept. Ishikawa,Masahiro Intellectual Property Dept. Kida. Владелец: Kanetake Yaoyuki. Дата публикации: 2003-04-23.

Ceramic matrix composites and method of making

Номер патента: EP4355577A1. Автор: James T. Roach,Brendan Michael LENZ,Kathryn Sarah Read. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-04-24.

Method of forming cooling channels in a ceramic matrix composite component

Номер патента: US20210001511A1. Автор: LEI Jin,Andrew J. Lazur,Bryan H. Farrar,Howard J. Liles,Zachary P. Konopaske,Ryan M. Brodeur. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Ceramic matrix composite (cmc) component resistant to edge cracks

Номер патента: EP4454880A1. Автор: Grant Henson. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-10-30.

Silicon carbide powder comprising alpha phase silicon carbide granules of trimodal particle size distribution and low impurities

Номер патента: US09440859B2. Автор: Dong Geun Shin,Byung Sook Kim,Jung Eun Han,Kyoung Seok MIN. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Ceramic matrix composites having monomodal pore size distribution and low fiber volume fraction

Номер патента: CA2960342C. Автор: Krishan Lal Luthra,Gregory Scot Corman,Jared Hogg Weaver. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-07-09.

Ceramic matrix composite articles and methods for forming same

Номер патента: CA2920510C. Автор: Krishan Lal Luthra,Gregory Scot Corman,Badri Narayan Ramamurthi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for manufacturing a hollow part made of metal matrix or ceramic matrix composite reinforced with short fibers

Номер патента: US20230382813A1. Автор: Arnaud DELEHOUZE,Eric Bouillon. Владелец: Safran Ceramics SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Ceramic matrix composites, and methods and systems for making same

Номер патента: US11993546B2. Автор: Christopher Corrado,Kenneth Church,Timothy J. Edwards,Terry A. Herb. Владелец: LANCER SYSTEMS LP. Дата публикации: 2024-05-28.

Ceramic matrix composite aerofoil with impact reinforcements

Номер патента: EP3739175A1. Автор: James Smith,Edward Jones,Michael Whittle,ian edmonds,Emma Steedman. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2020-11-18.

Fabrication of high heat capacity ceramic matrix composite aircraft brakes using spark plasma sintering

Номер патента: EP3805187A1. Автор: Jean-Francois Le Costaouec,Iwona WROBEL. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2021-04-14.

Ceramic matrix composite (cmc) component resistant to edge cracks

Номер патента: US20240359434A1. Автор: Grant Henson. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-10-31.

Ceramic matrix composite structures with controlled microstructures fabricated using chemical vapor infiltration (CVI)

Номер патента: US12054432B2. Автор: Krishan Lal Luthra,Gregory Scot Corman,Jared Hogg Weaver. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-08-06.

Ceramic material having ceramic matrix composite backing and method of manufacturing

Номер патента: EP1534652A1. Автор: Jay A. Morrison,Gary B. Merrill,Stefan Hoffmann,Michael A. Burke,Daniel Hofmann,Daniel G. Thompson,Mark Tertilt. Владелец: Siemens Power Generations Inc. Дата публикации: 2005-06-01.

Silicon carbide sintered body and sliding component using the same, and protective body

Номер патента: US09388083B2. Автор: Kazuhiro Ishikawa,Mieko Yashima,Mami IIDA,Yuusaku Ishimine. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Mullite-containing coatings for inorganic fibers and ceramic matrix composites

Номер патента: US6022621A. Автор: Mark Andrew Harmer,Eugene Michael Mccarron, Iii,Sujata Jagota. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2000-02-08.

Fiber-reinforced composite comprising mica-doped ceramic matrix

Номер патента: US5132256A. Автор: Kishor P. Gadkaree,George H. Beall,Kenneth Chyung. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 1992-07-21.

Aluminum-containing nitride ceramic matrix composite, method of making, and method of use

Номер патента: WO2023200492A3. Автор: Mark P. D'Evelyn,David N. ITALIANO. Владелец: Slt Technologies, Inc.. Дата публикации: 2024-02-08.

Aluminum-containing nitride ceramic matrix composite, method of making, and method of use

Номер патента: WO2023200492A2. Автор: Mark P. D'Evelyn,David N. ITALIANO. Владелец: Slt Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-10-19.

Ceramic matrix composite article and method of making the same

Номер патента: US20240044260A1. Автор: Daniel L. BECERRA,Cristal CHAN,Evan B. CALLAWAY. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Ceramic matrix composite article and method of making the same

Номер патента: EP4317109A1. Автор: Daniel L. BECERRA,Cristal CHAN,Evan B. CALLAWAY. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Preform for ceramic matrix composite, method of making a ceramic matrix composite and ceramic matrix composite

Номер патента: EP3825298A1. Автор: Brendan M. Lenz. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2021-05-26.

Method for the production of shaped articles from reaction-bonded, silicon-infiltrated silicon carbide and/or boron carbide and thus produced shaped body

Номер патента: US09695089B2. Автор: Arthur Lynen,Jens Larsen,Michael Clemens. Владелец: Schunk Ingenieurkeramik GmbH. Дата публикации: 2017-07-04.

Silicon carbide porous body, honeycomb structure, and electric heating type catalyst carrier

Номер патента: US09440225B2. Автор: Katsuhiro Inoue,Yoshimasa Kobayashi,Takahiro Tomita,Kiyoshi MATSUSHIMA. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of producing powder containing silicon carbide and aluminum nitride from natural coal ash

Номер патента: RU2731094C1. Автор: Геннадий Яковлевич Мамонтов,Владимир Евгеньевич Губин,Александр Яковлевич Пак,Юлия Захаровна Васильева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2020-08-28.

Method for manufacturing an elastic ceramic matrix composite

Номер патента: US20190210923A1. Автор: Patricia Sardou,Max Sardou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-07-11.

Method for calculating gaseous diffusion and oxidation evolution of ceramic matrix composite (cmc) structure

Номер патента: US20230234890A1. Автор: Sheng Zhang,Zheng Ni,Guoqiang Yu,Yingdong Song,Xiguang GAO,Xiaoting SHI. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2023-07-27.

Particle enhancement of ceramic matrix composites, method of manufacture thereof and articles comprising the same

Номер патента: WO2023122014A1. Автор: Kathryn S. Read,Tyler G. Vincent,Richard Wesley Jackson, III. Владелец: Raytheon Technologies Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

Dense, self-sintered silicon carbide/carbon-graphite composite and process for producing same

Номер патента: WO1994018141A1. Автор: Xin E. Chen,Mark E. Pfaff. Владелец: THE MORGAN CRUCIBLE COMPANY PLC. Дата публикации: 1994-08-18.

Silicon carbide powder and method for manufacturing the same

Номер патента: US09534316B2. Автор: Dong Geun Shin,Byung Sook Kim,Jung Eun Han,Bum Sup Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Silicon carbide porous material, honeycomb structure and electric heating-type catalyst carrier

Номер патента: US09457345B2. Автор: Katsuhiro Inoue,Yoshimasa Kobayashi,Takahiro Tomita,Kiyoshi MATSUSHIMA. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Methods and apparatus for making ceramic matrix composite lined automotive parts and fiber reinforced ceramic matrix composite automotive parts

Номер патента: US5947094A. Автор: Steven Donald Atmur,Thomas Edward Strasser. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

A method of making a multi-perforated part out of ceramic matrix composite material

Номер патента: CA2459498C. Автор: Dominique Coupe,Eric Bouillon,Remi Bouvier. Владелец: SNECMA Propulsion Solide SA. Дата публикации: 2012-01-17.

Ceramic matrix composite component with modified thermal expansion and method for producing the same

Номер патента: US11760696B2. Автор: Richard Wesley Jackson. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Sealing method for silicon carbide parts used at high temperatures

Номер патента: US09702490B2. Автор: Nicolas Leblond,Mehrdad Mahmoudi. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Detail from composite material with ceramic matrix and method of its manufacture

Номер патента: RU2531394C2. Автор: Себастьен БЕРТРАН,Жак ТЕБО. Владелец: Геракл. Дата публикации: 2014-10-20.

Silicon carbide fiber reinforced silicon carbide composite material

Номер патента: CA2974485C. Автор: Kazuya Shimoda,Tatsuya Hinoki. Владелец: KYOTO UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-16.

Ceramic substrate with reaction-bonded silicon carbide having diamond particles

Номер патента: US12054439B2. Автор: Samuel M. Salamone,Glen Evans, JR.. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Ceramic substate with reaction-bonded silicon carbide having diamond particles

Номер патента: US20240360049A1. Автор: Samuel M SALAMONE,Glenn EVANS, JR.. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Oxidation resistant ceramic matrix composites

Номер патента: CA2047294C. Автор: Paul Edward Gray. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2003-01-14.

A sintered silicon carbide product and a process for producing the same

Номер патента: GB2054540A. Автор: . Владелец: Nippon Crucible Co Ltd. Дата публикации: 1981-02-18.

Ceramic matrix composite turbine nozzle shell and method of assembly

Номер патента: US11035239B2. Автор: Matthew Troy HAFNER,John Ellington Greene,Peter de DIEGO,David Randall Hobart,James Joseph MURRAY, III. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-06-15.

Alumina-titanium carbide-silicon carbide composition

Номер патента: US5059564A. Автор: Pankaj K. Mehrotra,Elizabeth R. Billman. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 1991-10-22.

Silicon carbide fiber reinforced silicon carbide composite material

Номер патента: EP3231782A1. Автор: Kazuya Shimoda,Tatsuya Hinoki. Владелец: KYOTO UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-10-18.

Sintered silicon carbide/carbon composite ceramic body having ultrafine grain microstructure

Номер патента: CA1248975A. Автор: Wolfgang D.G. Boecker,George I. Reini. Владелец: Stemcor Corp. Дата публикации: 1989-01-17.

Process for the manufacturing of ceramic-matrix composite layers and related composite material

Номер патента: EP1241278B1. Автор: Mario c/o Ctro. Sviluppo Materiali S.p.A. Tului,Teodoro c/o Centro. Sviluppo Mat. S.p.A. Valente. Владелец: Centro Sviluppo Materiali SpA. Дата публикации: 2004-06-02.

Compression/injection molding of polymer-derived fiber reinforced ceramic matrix composite materials

Номер патента: US5738818A. Автор: Steven Donald Atmur,Thomas Edward Strasser. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 1998-04-14.

Compression/injection molding of polymer-derived fiber reinforced ceramic matrix composite materials

Номер патента: US5882575A. Автор: Steven Donald Atmur,Thomas Edward Strasser. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Carbon-silicon carbide composite material and method for the preparation thereof

Номер патента: US5326732A. Автор: Ichitaro Ogawa. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1994-07-05.

Silicon carbide powder compositions

Номер патента: CA1089882A. Автор: Carl H. Mcmurtry,John A. Coppola,Harry A. Lawler. Владелец: Carborundum Co. Дата публикации: 1980-11-18.

Method for producing silicon-carbide-based composite

Номер патента: US11148978B2. Автор: Hiroshi Yamauchi,Michimasa UDA,Haruhiko SOEDA. Владелец: IHI Aerospace Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-19.

Surface layer on a ceramic matrix composite

Номер патента: EP3670478A1. Автор: Sungbo Shim,Andrew Kao,Camila Bortoluzzi. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2020-06-24.

Method of manufacturing honeycomb structure and silicon carbide particles used for producing honeycomb structure

Номер патента: US20060154068A1. Автор: Takashi Harada,Shuichi Ichikawa,Aiko Otsuka. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2006-07-13.

An abrasive aggregate including silicon carbide and a method of making same

Номер патента: WO2013003814A3. Автор: Guan Wang,Russell Krause,Yves Boussant-Roux. Владелец: SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.. Дата публикации: 2013-02-28.

Method of depositing aluminium oxide coating on silicon carbide-coated substrate

Номер патента: RU2468361C2. Автор: Фредерик ЛЕМАН,Софи КОСТИЛЬ,Кристиан КОДДЕ,Пьер БЕРТРАН,Себастьен ЛЮКА. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2012-11-27.

Process for producing a conductive sintered body based on silicon carbide

Номер патента: MY113141A. Автор: SCHMIDT Helmut,Aslan Mesut,Nab Rudiger. Владелец: Institut Fur Neue Mat Gemeinnutzige Gmbh. Дата публикации: 2001-11-30.

Method of producing a conductive silicon carbide-based sintered compact

Номер патента: AU7288596A. Автор: Helmut Schmidt,Mesut Aslan,Rüdiger Nass. Владелец: Leibniz Institut fuer Neue Materialien Gemeinnuetzige GmbH. Дата публикации: 1997-04-30.

Process for joining bronze part and silicon carbide ceramic part and composite articles made by same

Номер патента: US20120148868A1. Автор: Cheng-Shi Chen,Huann-Wu Chiang,Hsin-Pei Chang,Wen-Rong Chen,Wen-Feng Hu. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Ceramic matrix composite component and method of producing the same

Номер патента: US11987533B2. Автор: Shinji Muto,Rie HARADA,Yousuke Mizokami,Takahiko SHINOHARA. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Ceramic matrix composite component coated with environmental barrier coatings and method of manufacturing the same

Номер патента: CA2874419C. Автор: Takeshi Nakamura,Kenichiro Watanabe,Yasutomo Tanaka,Hiroshige Murata,Yukihiro NAKADA. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for surfacing part made of composite with ceramic matrix

Номер патента: RU2520108C2. Автор: Эрик БУЙОН,Николя ЭБЕРЛИНГ-ФУКС,Серж ШАТЕНЬЕ. Владелец: Снекма Пропюльсьон Солид. Дата публикации: 2014-06-20.

Ceramic matrix composite article and method of making the same

Номер патента: US12071381B2. Автор: Richard Wesley Jackson,Tyler G. Vincent,Mary Colby. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Braze materials and method for joining of ceramic matrix composites

Номер патента: US09624786B2. Автор: Ted J. Freeman,Raymond R. Xu. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

High yield silicon carbide pre-ceramic polymers

Номер патента: CA1152724A. Автор: Ronald H. Baney,John H. Gaul, Jr.. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1983-08-30.

High yield silicon carbide pre-ceramic polymers

Номер патента: US4314956A. Автор: Ronald H. Baney,John H. Gaul, Jr.. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1982-02-09.

Methods for removing barrier coatings, bondcoat and oxide layers from ceramic matrix composites

Номер патента: EP3039243A1. Автор: Daniel Gene Dunn,Jared WEAVER. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-07-06.

Methods for removing barrier coatings, bondcoat and oxide layers from ceramic matrix composites

Номер патента: WO2015030970A1. Автор: Daniel Gene Dunn,Jared WEAVER. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-03-05.

Protected from corrosion component of composite material with ceramic matrix containing silicon

Номер патента: RU2436868C2. Автор: Эрик БУЙОН,Каролин ЛУШЕ-ПУИЛЛЬЕРИ,Анри ТАВИЛЬ,Жерар ГЮЭЛДРИ,Реми БУВЬЕ. Владелец: Снекма Пропюльсьон Солид. Дата публикации: 2011-12-20.

Process for joining brass part and silicon carbide ceramic part and composite articles made by same

Номер патента: US20120148867A1. Автор: Cheng-Shi Chen,Huann-Wu Chiang,Hsin-Pei Chang,Wen-Rong Chen,Wen-Feng Hu. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Method for metallizing the inner face of a tube made of a ceramic or a ceramic matrix composite

Номер патента: US20240208877A1. Автор: Christophe Lorrette,Guillaume NONY,Marie DUMERVAL. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-27.

Method to fabricate a machinable ceramic matrix composite

Номер патента: US12071380B2. Автор: Sungbo Shim,Pathikumar Sellappan. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Ceramic Matrix Compositions and Uses Thereof

Номер патента: US20170291853A1. Автор: Jonathan S. Harms. Владелец: Aermist LLC. Дата публикации: 2017-10-12.

Multilayer tube in ceramic matrix composite material, resulting nuclear fuel cladding and associated manufacturing processes

Номер патента: US09548139B2. Автор: Maxime Zabiego,Christophe Lorrette,Cedric Sauder,Philippe GUEDENEY. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-17.

Hot pressed silicon carbide

Номер патента: US3853566A. Автор: S Prochazka. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1974-12-10.

Preparing polysilanes and silicon carbide ceramics prepared thereby

Номер патента: CA1171871A. Автор: Ronald H. Baney. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1984-07-31.

Silicon carbide matrix composite material, process for producing the same and process for producing part of silicon carbide matrix composite material

Номер патента: US8568650B2. Автор: Tsuneji Kameda,Yoshiyasu Itoh,Shoko Suyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-29.

Ceramic matrix composite-based seal

Номер патента: US11920477B2. Автор: Olivier H. Sudre. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Ceramic matrix composite

Номер патента: US09726025B2. Автор: Andrew Joseph LAZUR. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for machining ceramic matrix composite

Номер патента: US20150376073A1. Автор: Takashi Ueda,Akira Hosokawa,Kuniyuki Imanari,Takahito Araki,Masaharu Yano,Tatsuaki Furumoto,Kouta ISHITSU. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Method for machining ceramic matrix composite

Номер патента: US09850175B2. Автор: Takashi Ueda,Akira Hosokawa,Kuniyuki Imanari,Takahito Araki,Masaharu Yano,Tatsuaki Furumoto,Kouta ISHITSU. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Ceramic matrix composite

Номер патента: US09757918B2. Автор: Steven HILLIER. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Ceramic matrix composite articles having different localized properties and methods for forming same

Номер патента: EP3478646A1. Автор: Jason David Shapiro,James Scott Vartuli,Daniel Gene Dunn,Shatil Sinha,Matthew HOCKEMEYER,Douglas DECESARE,K.M.K. Genghis Khan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-05-08.

Dual-walled ceramic matrix composite (CMC) component with integral cooling and method of making a CMC component with integral cooling

Номер патента: US09896954B2. Автор: Jeffrey A. Walston,Sean Landwehr. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Branched polysilahydrocarbon precursors for silicon carbide

Номер патента: CA1225511A. Автор: Thomas C. Williams,Curtis L. Schilling, Jr.. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1987-08-18.

Ceramic matrix composite component including cooling channels and method of producing

Номер патента: US20230313689A1. Автор: Thomas Earl Dyson,Matthew Harper Hockemeyer. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-10-05.

Ceramic matrix composite component and method of producing a ceramic matrix composite component

Номер патента: US20210189889A1. Автор: Douglas Glenn Decesare,Daniel Gene Dunn,Thomas Earl Dyson. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-06-24.

Ceramic matrix composite member and method of manufacturing the same

Номер патента: US09752443B2. Автор: Fumiaki Watanabe. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

High density hot pressed thermal shock resistant silicon carbide

Номер патента: CA1092615A. Автор: Carl H. Mcmurtry,John A. Coppola,Yorihiro Murata. Владелец: Carborundum Co. Дата публикации: 1980-12-30.

Ceramic matrix composite component including cooling channels in multiple plies and method of producing

Номер патента: CA3102100C. Автор: Douglas Glenn Decesare,Daniel Gene Dunn,Thomas Earl Dyson,Changjie SUN,Christopher Jon Potokar. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2022-11-15.

Method for predicting a creep fracture behavior of woven ceramic matrix composite material considering random load effect

Номер патента: US20210333184A1. Автор: Longbiao Li. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2021-10-28.

Method of fabricating a refractory metal ceramic matrix composite

Номер патента: US20240149490A1. Автор: David Mitchell,Richard A. Lowden,Corson L. CRAMER,Trevor Aguirre. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Ceramic matrix composite component for a gas turbine engine

Номер патента: WO2018013196A1. Автор: Mark Eugene Noe,Mark Willard Marusko,Darrell Glenn Senile. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2018-01-18.

Ceramic matrix composite manufacturing

Номер патента: US20190017704A1. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Ceramic matrix composite airfoil structures for a gas turbine engine

Номер патента: US09915154B2. Автор: Alvanos Ioannis,Gabriel L. Suciu,Brian D. Merry,Christopher M. Dye,Douglas M. Berczik. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Silicon carbide-tantalum carbide composite and susceptor

Номер патента: US09764992B2. Автор: Masato Shinohara. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for obtaining silicon carbide

Номер патента: RU2767270C1. Автор: Владимир Николаевич Старовойтов,Виктор Юрьевич Пиирайнен,Кирилл Борисович ИГНАТЬЕВ. Владелец: Кирилл Борисович ИГНАТЬЕВ. Дата публикации: 2022-03-17.

Carbon coated silicon carbide, silicon nitride or sialon fibers in a ceramic matrix

Номер патента: US5055430A. Автор: Hiroshi Sakamoto,Tadahiko Miyoshi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-10-08.

Needled ceramic matrix composite cooling passages

Номер патента: US20210163365A1. Автор: Tracy A. Propheter-Hinckley. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Ceramic matrix composite component including counterflow channels and methods of producing

Номер патента: CA3102024A1. Автор: Douglas Glenn Decesare,Thomas Earl Dyson,Changjie SUN. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-06-20.

Needled ceramic matrix composite cooling passages

Номер патента: US20190210929A1. Автор: Tracy A. Propheter-Hinckley. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Needled ceramic matrix composite cooling passages

Номер патента: EP3858567A1. Автор: Tracy A. Propheter-Hinckley. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2021-08-04.

Ceramic matrix composite structure having integral cooling passages and method of manufacture

Номер патента: EP1429917A2. Автор: Christian X. Campbell,Jay Morrison,Steven C. Butner,Harry A. Albrecht,Yevgeuiy Shteyman. Владелец: Siemens Westinghouse Power Corp. Дата публикации: 2004-06-23.

Ceramic matrix composite structure having integral cooling passages and method of manufacture

Номер патента: WO2003026887A2. Автор: Christian X. Campbell,Jay Morrison,Steven C. Butner,Harry A. Albrecht,Yevgeuiy Shteyman. Владелец: Siemens Westinghouse Power Corporation. Дата публикации: 2003-04-03.

Diamond-containing adhesive for joining reaction-bonded silicon-carbide parts

Номер патента: EP4365153A1. Автор: Glenn Evans,Sam Salamone,Sean Mcanany. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Ceramic matrix composite component for a gas turbine engine

Номер патента: EP3475082A1. Автор: Mark Eugene Noe,Mark Willard Marusko,Darrell Glenn Senile. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-05-01.

Methods and apparatus for crosslinking a silicon carbide fiber precursor polymer

Номер патента: US20150018448A1. Автор: Slawomir Rubinsztajn,Peter Kennedy Davis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-01-15.

Silicon carbide powder, method for manufacturing silicon carbide ingot using the same, and silicon carbide wafer

Номер патента: EP4212480A2. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-07-19.

Ceramic matrix composite manufacturing

Номер патента: US11286209B2. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2022-03-29.

Flexible insulation blanket having a ceramic matrix composite outer layer

Номер патента: US20040091699A1. Автор: Vann Heng,Leanne Lehman,Robert DiChiara,David Zorger,Jerry Denham. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2004-05-13.

Method for manufacturing a guide vane from a ceramic matrix composite material

Номер патента: US20230191746A1. Автор: Clément Marie Benoît Roussille,Matthieu Arnaud Gimat,Julien André Roger Mateo. Владелец: Safran Ceramics SA. Дата публикации: 2023-06-22.

Silicon carbide seed crystal

Номер патента: US20240262084A1. Автор: Ray-Hua Horng,Ying-Ru Shih,Tsung-Po Chuang,Chai-Wei Ku. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Ceramic matrix composite manufacturing

Номер патента: US20200300470A1. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Silicon carbide powder, method for manufacturing silicon carbide ingot using the same, and silicon carbide wafer

Номер патента: US20230203707A1. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Methods and apparatus for crosslinking a silicon carbide fiber precursor polymer

Номер патента: EP3019318A1. Автор: Slawomir Rubinsztajn,Peter Kennedy Davis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-05-18.

Methods and apparatus for crosslinking a silicon carbide fiber precursor polymer

Номер патента: WO2015006025A1. Автор: Slawomir Rubinsztajn,Peter Kennedy Davis. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-01-15.

Carbosilane polymer precursors to silicon carbide ceramics

Номер патента: US5153295A. Автор: Christopher K. Whitmarsh,Leonard V. Interrante. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 1992-10-06.

Needled ceramic matrix composite cooling passages

Номер патента: EP3858568A1. Автор: Tracy A. Propheter-Hinckley,Raymond Surace. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2021-08-04.

Ceramic matrix composite component having low density core and method of making

Номер патента: US20230250726A1. Автор: Michael G. Mccaffrey,Bryan P. Dube. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Gas turbine engine with pre-conditioned ceramic matrix composite components

Номер патента: US11933195B2. Автор: Michael J. WHITTLE,Michael G. Abbott,Anthony G. Razzell,Ian M. Edmonds,Louise J. Gale,Stephan J. Pattison. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Gas turbine engine with pre-conditioned ceramic matrix composite components

Номер патента: US20220154582A1. Автор: Michael J. WHITTLE,Michael G. Abbott,Anthony G. Razzell,Ian M. Edmonds,Louise J. Gale,Stephan J. Pattison. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Ceramic matrix composite component having low density core and method of making

Номер патента: US11976568B2. Автор: Michael G. Mccaffrey,Bryan P. Dube. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Needled ceramic matrix composite cooling passages

Номер патента: US20210381387A1. Автор: Raymond C. Surace,Tracy A. Propheter-Hinckley. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Composite body comprising silicon carbide and method for producing same

Номер патента: US20240149565A1. Автор: Hideki Takagi,Hitoshi Umezawa,Yuuichi KURASHIMA,Eiji Higurashi,Takashi MATSUMAE. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-05-09.

Non-contaminating bonding material for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor

Номер патента: US09662628B2. Автор: Michael V. Spangler,Barry Wemp,Matthew J. Miller,Sefa Yilmaz,Stein Julsrud. Владелец: REC SILICON INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for fabricating ceramic matrix composite

Номер патента: CA2378915C. Автор: Takeshi Nakamura,Hirohide Yamaguchi,Hiroshige Murata. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2007-06-05.

Method for making ceramic matrix composites

Номер патента: CA2055391A1. Автор: Victor F. Janas,Roger A. Allaire. Владелец: Roger A. Allaire. Дата публикации: 1992-06-07.

Ceramic matrix composite-based seal

Номер патента: US20230100318A1. Автор: Olivier H. Sudre. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Ceramic matrix composite

Номер патента: EP2970026A1. Автор: Andrew Joseph LAZUR. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2016-01-20.

Long life low cost environmental barrier coating for ceramic matrix composites

Номер патента: EP2964589A1. Автор: Kang N. Lee. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2016-01-13.

Silicon carbide monofilaments for improved composite properties and method

Номер патента: CA2001984A1. Автор: Raymond Loszewski. Владелец: Avco Corp. Дата публикации: 1990-05-28.

Silicon carbide element reinforced with continuous fibers, method of its production and structural element of nuclear reactor

Номер патента: RU2692765C1. Автор: Сёко СУЯМА,Масару УКАИ,Масаюки УТИХАСИ,Кадзуо КАКИУТИ,Хидеаки ХЕКИ. Владелец: Тосиба Энерджи Системс Энд Солюшнс Корпорейшн. Дата публикации: 2019-06-27.

Method of producing polyimide composite fibre based on carbon reinforced by nanostructured silicon carbide

Номер патента: RU2644906C2. Автор: Виталий Сергеевич Иванов,Антон Сергеевич Егоров,Алена Игоревна Возняк,Ксения Валерьевна Царькова,Алексей Вячеславович Антипов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт"-ИРЕА). Дата публикации: 2018-02-14.

Composition of coating to extend surface life of silicon carbide electric heaters

Номер патента: RU2049761C1. Автор: А.В. Иванов,Б.И. Поляк,к Б.И. Пол,В.А. Науменко,Н.П. Талакуев,В.Е. Сотников,А.Л. Юрков. Владелец: Юрков Андрей Львович. Дата публикации: 1995-12-10.

Ceramic matrix composite with interfacial coating system

Номер патента: US11919819B2. Автор: Nitin Garg,John H. Shaw,Olivier H. Sudre,Cristal CHAN,Ben Callaway. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Ceramic matrix composite articles having different localized properties and methods for forming same

Номер патента: US11890836B2. Автор: Jason David Shapiro,James Scott Vartuli,Suresh Subramanian,Daniel Gene Dunn,Shatil Sinha,Matthew HOCKEMEYER,Douglas DECESARE,K. M. K. Genghis Khan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-02-06.

Turbine blade assembly including multiple ceramic matrix composite components

Номер патента: US20200173293A1. Автор: Ahmed Kamel,Anand A. Kulkarni,Arindam Dasgupta. Владелец: Siemens Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Applying silicon metal-containing bond layer to ceramic or ceramic matrix composite substrates

Номер патента: US11878945B2. Автор: Kang N. Lee,Andrew Joseph LAZUR,Sungbo Shim,Stephen Isaiah Harris. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Ceramic matrix composite

Номер патента: US20150251378A1. Автор: Steven HILLIER. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of pre-conditioning ceramic matrix composite gas turbine engine components

Номер патента: EP3859124A2. Автор: Anthony Razzell,Michael Abbott,Michael Whittle,ian edmonds,Louise Gale,Stephen Pattison. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2021-08-04.

Use of high temperature insulation for ceramic matrix composites in gas turbines

Номер патента: EP1068161A1. Автор: Gary Brian Merrill,Jay Alan Morrison,Jay Edgar Lane,Evan Mcneil Ludeman. Владелец: Siemens Westinghouse Power Corp. Дата публикации: 2001-01-17.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: WO2021242425A9. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2022-03-31.

Fiber-reinforced silicon carbide composite materials, method for producing the fiber-reinforced silicon carbide composite materials, and uses of the fiber-reinforced silicon carbide composite materials

Номер патента: US09975814B2. Автор: Andreas Kienzle,Tanja Damjanovic,Ingrid Kraetschmer. Владелец: SGL CARBON SE. Дата публикации: 2018-05-22.

Composite coating layer for ceramic matrix composite substrate

Номер патента: US11976013B2. Автор: Li Li,Ann Bolcavage,Matthew R. Gold,Stephanie Gong,Sunny Chang,Ngunjoh Lawrence Ndamka,Taylor K. BLAIR. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: US20230183075A1. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: WO2021242425A3. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: WO2021242425A2. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2021-12-02.

Sintered silicon carbide-based refractory material with silicon nitride as binder

Номер патента: RU2496745C2. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье МАРГЮИН,Лионель МУАТРИЕ,Оливье Ситти. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2013-10-27.

Product from silicon carbide, which is saturated with resin

Номер патента: RU2508517C1. Автор: Освин ЭТТИНГЕР,Маркус ФРАНЦ. Владелец: Сгл Карбон Се. Дата публикации: 2014-02-27.

Fuel ignitor comprising a novel silicon carbide composition and process for preparing the composition

Номер патента: CA1102103A. Автор: James A. Hirsch,Martin R. Kasprzyk,Charles J. Boos,Elwood B. Hausler,Elmer G. Smith. Владелец: Carborundum Co. Дата публикации: 1981-06-02.

Method for coating a ceramic matrix composite part with an environmental barrier

Номер патента: US20240051884A1. Автор: Simon ARNAL,Lisa PIN. Владелец: Safran Ceramics SA. Дата публикации: 2024-02-15.

Dispersion for silicon carbide sintered body, green sheet for silicon carbide sintered body and prepreg material for silicon carbide sintered body using the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US11760697B2. Автор: Keiji Ashitaka,Naoya Miwa,Souma TAGUCHI,Keigo KAMOSHIDA. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Reinforced ceramic matrix composite components

Номер патента: WO2020112076A1. Автор: Jay A. Morrison. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2020-06-04.

Method for coating a ceramic matrix composite part with an environmental barrier

Номер патента: US11814325B2. Автор: Simon ARNAL,Lisa PIN. Владелец: Safran Ceramics SA. Дата публикации: 2023-11-14.

Silicon carbide powder, method for manufacturing silicon carbide ingot using the same, and silicon carbide wafer

Номер патента: EP4212480A3. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Method of forming silicon carbide film on aluminum nitride, film structure and silicon carbide film

Номер патента: US6617059B1. Автор: Hiromichi Kobayashi,Hirotake Yamada,Hiroshi Furukubo. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2003-09-09.

Process for manufacturing a silicon carbide coated body

Номер патента: EP3732158A1. Автор: Paul Westphal,Peter J. GUERCIO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Method for manufacturing silicone carbide bodies

Номер патента: CA1092793A. Автор: Wendel G. Brown. Владелец: Coors Porcelain Co. Дата публикации: 1981-01-06.

Reinforcement preform and metal matrix composites including the reinforcement preform

Номер патента: US6506502B2. Автор: Areekattuthazhayil K. Kuriakose,Raul Santos,Jason S. H. Lo. Владелец: Canada Minister of Natural Resources. Дата публикации: 2003-01-14.

Preform for magnesium metal matrix composites

Номер патента: CA2313865A1. Автор: Areekattuthazhayil K. Kuriakose,Jason Sin Hin Lo,Raul Santos. Владелец: Canada Minister of Natural Resources. Дата публикации: 2001-01-19.

Composite material of silicon carbide and silicon and methods of producing

Номер патента: CA1158259A. Автор: Martin R. Kasprzyk,Douglas J. Mcdowell,Francis J. Frechette,Joseph S. Zanghi. Владелец: Kennecott Corp. Дата публикации: 1983-12-06.

Silicon carbide member

Номер патента: US5229193A. Автор: Michio Hayashi,Fukuji Matsumoto,Junji Madono. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1993-07-20.

Preform for magnesium metal matrix composites

Номер патента: CA2313865C. Автор: Areekattuthazhayil K. Kuriakose,Jason Sin Hin Lo,Raul Santos. Владелец: Canada Minister of Natural Resources. Дата публикации: 2004-11-02.

Silicon carbide-alpha prime sialon

Номер патента: CA1298321C. Автор: Klaus-Markus Peters,Pankaj Kumar Mehrotra,Joyce L. Swiokla. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 1992-03-31.

Silicon carbide powder and method for producing the same

Номер патента: US6733736B2. Автор: Shigeki Endo,Masashi Otsuki. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2004-05-11.

Method for manufacturing a ceramic matrix composite part

Номер патента: US20230399265A1. Автор: Arnaud DELEHOUZE,Eric Bouillon,Clément Marie Benoît Roussille,Gildas Garnier. Владелец: Safran Ceramics SA. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for purifying silicon carbide structures

Номер патента: EP1791799B1. Автор: Larry Wayne MEMC Electronic Materials Inc SHIVE,Brian L. MEMC Electronic Materials Inc. GILMORE. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2010-11-24.

Method for manufacturing a ceramic matrix composite part

Номер патента: US11958784B2. Автор: Arnaud DELEHOUZE,Eric Bouillon,Clément Marie Benoît Roussille,Gildas Garnier. Владелец: Safran Ceramics SA. Дата публикации: 2024-04-16.

Diamond-containing adhesive for joining reaction-bonded silicon-carbide parts

Номер патента: US20240141212A1. Автор: Glenn Evans,Sam Salamone,Sean Mcanany. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Part including silicon carbide layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230068125A1. Автор: Ji-Hoon Lee,Nam-Ju Kim,In-Su Hwang,Bun-Hei Koo,Jong-hwa WEON,Myung-jin KO,Hyeon-jun CHO. Владелец: Knj Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Silicon carbide cladding and brazing connection method therefor, and fuel rod and fuel assembly

Номер патента: EP4230336A1. Автор: Yang Liu,Tong Liu,Rui Li,Yongdong Zhang,Xiansheng ZHANG,Haibin Ma,Qisen REN,Yehong LIAO,Jiaxiang XUE,Jianhan ZHAI. Владелец: Lingdong Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Reactive melt infiltrated-ceramic matrix composite

Номер патента: US09701578B2. Автор: Adam Lee Chamberlain. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Silicon carbide ceramic honeycomb structure and its production method

Номер патента: US20240262755A1. Автор: Kenichiro Shimizu. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Flexible ceramic matrix composite seal

Номер патента: EP2969554A1. Автор: Andrew J. Lazur. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2016-01-20.

Flexible ceramic matrix composite seal

Номер патента: US09757920B2. Автор: Andrew J. Lazur. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Silicon carbide ceramic honeycomb structure and its production method

Номер патента: US20240034685A1. Автор: Kenichiro Shimizu. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Silicon carbide ceramic honeycomb structure and its production method

Номер патента: US11993545B2. Автор: Kenichiro Shimizu. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Ceramic matrix composite articles

Номер патента: CA3016650C. Автор: Jason David Shapiro,James Dale Steibel,Suresh Subramanian,Daniel Gene Dunn,Mark Eugene Noe,Brandon ALlanson Reynolds,Jared Hogg Weaver,Kurtis C. Montgomery. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-04-13.

Method of preparing silicon carbide powder comprising converting a liquid SiC precursor to a B-phase SiC particulate material

Номер патента: US09551086B2. Автор: Kyoung Seok MIN. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of coating silicon carbide-coated substrate

Номер патента: RU2466116C2. Автор: Фредерик ЛЕМАН,Себастьян ЛЮКА,Софи КОСТИЛЬ,Кристиан КОДДЕ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2012-11-10.

Method for repairing ceramic matrix composite (cmc) articles

Номер патента: US20160279744A1. Автор: Stephen Isaiah Harris. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Silicon carbide powder and method of preparing the same using a hydrophobic spherical silica aerogel

Номер патента: US20190256360A1. Автор: Je Kyun Lee,Young Hun Kim,Kyoung Jin Lee,Hae Jin Hwang. Владелец: Inha University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2019-08-22.

Metal-silicon carbide-based composite material, and method for producing metal-silicon carbide-based composite material

Номер патента: EP3823017A1. Автор: Hiroaki Ota,Daisuke Goto. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Method for producing substrate based on silicon carbide and silicon carbide substrate

Номер патента: RU2756815C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2021-10-05.

Silicon carbide epitaxial wafer, method for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, device for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, and silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US09587326B2. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Process of producing ceramic matrix composites and ceramic matrix composites formed thereby

Номер патента: CA2860140A1. Автор: James Dale Steibel,Glen Harold Kirby,Nathaniel David Goss. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2013-07-11.

High strength, thermally stable magnesium aluminosilicate glass-ceramic matrix-sic fiber composites

Номер патента: CA1220495A. Автор: Mark P. Taylor,Kenneth Chyung,John J. Brennan. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1987-04-14.

Silicon Carbide Epitaxial Wafer, Method for Manufacturing Silicon Carbide Epitaxial Wafer, Device for Manufacturing Silicon Carbide Epitaxial Wafer, and Silicon Carbide Semiconductor Element

Номер патента: US20160168751A1. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-06-16.

Process for forming graphene layers on silicon carbide

Номер патента: US09771665B2. Автор: Francesca Iacopi,Mohsin Ahmed,Benjamin Vaughan CUNNING. Владелец: Griffith University. Дата публикации: 2017-09-26.

Cvd reactor for synthesis of heteroepitaxial silicon carbide films on silicon substrates

Номер патента: RU2767098C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Открытый код". Дата публикации: 2022-03-16.

Reducing electrical activity of defects in silicon carbide grown on silicon

Номер патента: WO2023111540A1. Автор: Martin LAMB. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for forming identification marks on silicon carbide single crystal substrate, and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20130157009A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of producing high temperature powder composite material based on silicon carbides and titanium

Номер патента: RU2638866C1. Автор: Максим Николаевич Каченюк,Олег Васильевич Сомов,Светлана Аркадьевна Оглезнева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2017-12-18.

Method for producing oxide-silicon carbide cutting ceramics of new fraction

Номер патента: RU2748537C1. Автор: Анатолий Андреевич Рыжкин,Владимир Николаевич Пучкин,Илья Андреевич Туркин,Юлия Анатольевна Олейникова,Татьяна Владимировна Кащеева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-05-26.

Method for fabricating ultra-thin graphite film on silicon carbide substrate

Номер патента: US20200203162A1. Автор: jun-bin Huang,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu,Cheng-Jung Ko,Chia-Hung Tai. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2020-06-25.

Buffer layer on silicon carbide substrate, and method for forming buffer layer

Номер патента: US20230118623A1. Автор: Xiang Li,Xuanjie Liu,Zhiping Xie,Maojie CONG,Zhiguo KAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2023-04-20.

Catalyst supports made from silicon carbide covered with TiO2 for Fischer-Tropsch synthesis

Номер патента: US09416066B2. Автор: Cuong Pham-Huu,Yuefeng Liu,Patrick Nguyen,Charlotte Pham. Владелец: Sicat Catalysts Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Process for forming graphene layers on silicon carbide

Номер патента: WO2015035465A1. Автор: Francesca Iacopi,Mohsin Ahmed,Benjamin Vaughan CUNNING. Владелец: Griffith University. Дата публикации: 2015-03-19.

Silicon carbide ceramic honeycomb structure and its production method

Номер патента: US11858857B2. Автор: Kenichiro Shimizu. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Silicon carbide-based ceramic honeycomb structure and production method therefor

Номер патента: EP4230279A1. Автор: Kenichiro Shimizu. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Silicon carbide ceramic honeycomb structure and its production method

Номер патента: US20230322630A1. Автор: Kenichiro Shimizu. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

An Aluminum Hybrid Metal Matrix Composite And Method Of Preparation Thereof

Номер патента: AU2021104792A4. Автор: Anshuman Das,Santosh Kumar Sahu,Ayusman Behera,Rajesh Behera,Sudhansu Ranjan Das,Bishnu Prasad Mishra,Kamalakanta Muduli,Noorhafiza Binti Muhammad,Sarat Chandra Panigrahi,Arun Kumar Parida,Debabrata Rath,Karthi S.,Ananya SAMAL,Birajendu Samal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-05-19.

Sublimation method for growing silicon carbide monocrystals and silicon carbide source involved

Номер патента: RU2094547C1. Автор: Юрий Николаевич Макаров,Евгений Николаевич Мохов,Юрий Александрович Водаков,Марк Григорьевич Рамм,Александр Дмитриевич Роенков,Сергей Юрьевич Карпов,Марк Спиридонович Рамм,Леонид Иосифович Темкин. Владелец: Леонид Иосифович Темкин. Дата публикации: 1997-10-27.

Glass-ceramic matrix composite feedstock and forming

Номер патента: US12024458B2. Автор: Paul Sheedy,John E. Holowczak,Justin B. Alms,Daniel A. Mosher,John J. Gangloff, JR.. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Process for Removing Color Bodies from Hydrocarbon-Based Fuels Using Activated Carbons

Номер патента: US20060219599A1. Автор: Joseph Joseph,James Miller,Tiejun Zhang,Michael Winward. Владелец: BP Corp North America Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Extractant and extraction method for removing color-expressing foreign substances from colored polymer containing ester functional group, and method for chemically selecting polymer containing ester functional group from colored polymer mixture

Номер патента: EP4317280A1. Автор: Joungmo CHO,Thi Hong Ngan LE,Ye Rim Jo. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for modification of silicon carbide

Номер патента: RU2600065C1. Автор: Виктор Федорович Каблов,Виталий Сергеевич Лифанов,Вера Павловна Шабанова,Никита Викторович Писарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2016-10-20.

Process for removing color bodies from used oil

Номер патента: US09512369B1. Автор: James Joseph Noble,Percy Norman Glynn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-06.

Article with silicon carbide coating and method for manufacturing of article with silicon carbide coating

Номер патента: RU2684128C1. Автор: Алексей Викторович Редьков,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов,Александр Сергеевич Гращенко,Генадий Викторович Святец,Сергей Дмитриевич Федотов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2019-04-04.

Ceramic-metal matrix composites for magnetic disk substrates for hard disk drives

Номер патента: US5948495A. Автор: Robin A. Carden,Raymond L. Stanish,William C. Harrigan. Владелец: Alyn Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

Composite silicon carbide substrate and preparation method therefor

Номер патента: EP4411788A1. Автор: Chao Guo,Fengwen MU. Владелец: Tj Innovative Semiconductor Substrate Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332364A1. Автор: Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12125881B2. Автор: Hiromu Shiomi,Tsutomu Hori,Takaya MIYASE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Active electronic devices based on gallium nitride and its alloys grown on silicon substrates with buffer layers of SiCAIN

Номер патента: US20040129200A1. Автор: John Kouvetakis,Ignatius Tsong,John Tolle,Radek Roucka. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2004-07-08.

Silicon carbide substrate

Номер патента: US20240254656A1. Автор: Hiroki Takaoka,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Manufacturing method of semi-insulating single-crystal silicon carbide powder

Номер патента: US12098477B2. Автор: Bo-Cheng Lin,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu. Владелец: Taisic Materials Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Integral ceramic matrix composite fastener with polymer rigidization

Номер патента: US12024474B2. Автор: David C. Jarmon. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240363696A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Reduction of carrot defects in silicon carbide epitaxy

Номер патента: US09903046B2. Автор: Michael John O'Loughlin,Joseph John Sumakeris. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Silicon carbide powder and method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US09816200B2. Автор: Masakazu Suzuki,Hideaki Tanaka,Tomohisa Kato,Kiyoshi Nonaka,Kenta Masuda,Kouki Ichitsubo. Владелец: Taiheiyo Cement Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US09605358B2. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US09422639B2. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of applying gas-tight coating of silicon carbide

Номер патента: RU2601049C1. Автор: Владимир Николаевич Курлов,Ирина Алексеевна Шикунова,Сергей Леонидович Шикунов,Антон Евгеньевич Ершов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2016-10-27.

Sacrificial 3-dimensional weaving method and ceramic matrix composites formed therefrom

Номер патента: US20180312950A1. Автор: Chris Barrett,Steffan Brown. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Method and device for manufacturing silicon carbide single-crystal

Номер патента: US20130239881A1. Автор: Shin Harada,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Shinsuke Fujiwara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Silicon carbide ingot, method for manufacturing silicon carbide ingot, and method for manufacturing silicon carbide wafer

Номер патента: US20230193510A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Cubic silicon carbide film manufacturing method, cubic silicon carbide film-attached substrate manufacturing method, and power device by use of the cubic silicon carbide film

Номер патента: US20150275394A1. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Method of manufacturing silicon carbide structure

Номер патента: US8865519B2. Автор: Joung Il Kim,Jae Seok Lim,Mi-Ra Yoon. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Recycle wafer of silicon carbide and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220085172A1. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of making composite articles from silicon carbide

Номер патента: US20200040449A1. Автор: William F Fischer, III,Walter Wrigglesworth, III,Lauren Montgomery. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Apparatus for producing bulk silicon carbide

Номер патента: US20210087706A1. Автор: Santhanaraghavan Parthasarathy,Roman V. Drachev,Andriy M. Andrukhiv,David S. Lyttle. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for producing polycrystalline silicon carbide substrate

Номер патента: EP4421220A1. Автор: Kuniaki Yagi. Владелец: Sicoxs Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Bulk silicon carbide having low defect density

Номер патента: US09512542B2. Автор: Parthasarathy Santhanaraghavan,Roman V. Drachev,Andriy M. Andrukhiv,David S. Lyttle. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09368345B2. Автор: Jun Genba. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Method for production of silicon carbide

Номер патента: RU2747988C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин. Владелец: Константин Сергеевич Ёлкин. Дата публикации: 2021-05-18.

Charge for production of silicon carbide

Номер патента: RU2673821C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин. Владелец: Константин Сергеевич Ёлкин. Дата публикации: 2018-11-30.

High temperature glass-ceramic matrix with embedded reinforcement fibers

Номер патента: US10676391B2. Автор: John L. Schneiter,Joseph Pegna,Shay L. Harrison,Marvin Keshner,Erik G. Vaaler. Владелец: Free Form Fibers LLC. Дата публикации: 2020-06-09.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20240110309A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210230768A2. Автор: Yohei FUJIKAWA,Hidetaka Takaba. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-07-29.

Growth of ulta-high purity silicon carbide crystals in an ambient containing hydrogen

Номер патента: EP1664397A1. Автор: Valeri F. Tsvetkov,Hudson McDonald Hobgood,Jason Ronald Jenny,David Phillip Malta. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-06-07.

Silicon carbide crystal expansion apparatus, silicon carbide crystal expansion method and silicon carbide crystal expansion process

Номер патента: US20240263345A1. Автор: Lei Fang,Min-Sheng Chu,Wei-Tse Hsu,Chi-Hang HUNG. Владелец: Winsheng Material Technology Wmt Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274434A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon carbide composite wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4095291A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Silicon carbide composite wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220384385A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Method for manufacturing honeycomb structure containing silicon carbide

Номер патента: US12103856B2. Автор: Keisuke Kimura,Suguru KODAMA,Taku Nishigaki. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide using a feed material including a surface layer containing a polycrystalline silicon carbide with a 3C crystal polymorph

Номер патента: US09725822B2. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Joint design for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor

Номер патента: US09446367B2. Автор: Michael V. Spangler,Walter J. Stupin,Matthew J. Miller,Gerald A. Zeininger,William J. Onstot. Владелец: REC SILICON INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for producing part incorporating silicon substrate whose surface is covered with silicon carbide film

Номер патента: RU2286616C2. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие"). Дата публикации: 2006-10-27.

Complex steel oxidazer based on lumpy silicon carbide

Номер патента: RU2631570C2. Автор: Виктор Владимирович Алексенко. Владелец: ООО "НПК "КарбонГрупп". Дата публикации: 2017-09-25.

Process for removing color bodies from hydrocarbon-based fuels using activated carbon

Номер патента: EP1928981A2. Автор: James Miller,Tiejun Zhang,Joseph T. Joseph,Michael R. Winward. Владелец: BP Corp North America Inc. Дата публикации: 2008-06-11.

Process for removing color bodies from hydrocarbon-based fuels using activated carbon

Номер патента: CA2601433A1. Автор: James R. Miller,Tiejun Zhang,Joseph T. Joseph,Michael R. Winward. Владелец: Michael R. Winward. Дата публикации: 2006-10-05.

Process for removing color bodies from hydrocarbon-based fuels using activated carbon

Номер патента: WO2006105318A2. Автор: James R. Miller,Tiejun Zhang,Joseph T. Joseph,Michael R. Winward. Владелец: BP CORPORATION NORTH AMERICA INC.. Дата публикации: 2006-10-05.

Process for removing color bodies from hydrocarbon-based fuels using activated carbon

Номер патента: CA2601439A1. Автор: James R. Miller,Tiejun Zhang,Joseph T. Joseph,Michael R. Winward. Владелец: Michael R. Winward. Дата публикации: 2006-10-05.

Silicon carbide epitaxial wafer and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190333998A1. Автор: Tomohisa Kato,Takashi Mitani,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO,Kazuma ETO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2019-10-31.

Method for producing a silicon carbide substrate

Номер патента: US20240240357A1. Автор: Andrei Mihaila,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20160340796A1. Автор: Akira Matsushima,Tsutomu Hori,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20120073495A1. Автор: Yasushi Urakami,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Method for manufacturing silicon carbide base body, method for manufacturing semiconductor device, silicon carbide base body, and semiconductor device

Номер патента: US20210217619A1. Автор: Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US12071709B2. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Single-crystal silicon carbide wafer, single-crystal silicon carbide ingot, and single-crystal silicon carbide production method

Номер патента: EP4411029A1. Автор: Tomonori Umezaki,Gaku KONO,Kazuto KUMAGAI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Silicon carbide EPI wafer and method for manufacturing same

Номер патента: US09991344B2. Автор: Seok Min Kang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09957638B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of manufacturing silicon carbide substrate

Номер патента: US09631296B2. Автор: Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi,Tsutomu Hori,Naoki Ooi,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Manufacturing method and apparatus for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer

Номер патента: US09564315B1. Автор: Takahiro Yamamoto,Yasuhiro Kimura,Masashi Sakai,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno,Takuma Mizobe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for obtaining large homogeneous crystals of silicon carbide using distillation and condensation processes

Номер патента: RU2495163C2. Автор: Марк ЛОБОДА,Сеунг-хо ПАРК,Виктор ТОРРЕС. Владелец: Доу Корнинг Корпорейшн. Дата публикации: 2013-10-10.

Glass-ceramic matrix composite feedstock and forming

Номер патента: EP3964486A1. Автор: Paul Sheedy,John E. Holowczak,Justin B. Alms,John J. Gangloff,Daniel A. Mosher. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2022-03-09.

Method of manufacturing an integral ceramic matrix composite fastener with a polymer rigidization step

Номер патента: EP2942340A1. Автор: David C. Jarmon. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2015-11-11.

Integral ceramic matrix composite fastener with non-polymer rigidization

Номер патента: US20220411334A1. Автор: David C. Jarmon. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Integral ceramic matrix composite fastener with non-polymer rigidization

Номер патента: US11878943B2. Автор: David C. Jarmon. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Silicon carbide wafer and silicon carbide semiconductor device including the same

Номер патента: US20240234515A9. Автор: Hideyuki Uehigashi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20150010726A1. Автор: Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Ingot, silicon carbide substrate, and method for producing ingot

Номер патента: US9546437B2. Автор: Makoto Sasaki,Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for evaluating crystal defects in silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20240142390A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Coloured silicon carbide

Номер патента: WO2001074951A1. Автор: Adrian John Shortland. Владелец: ALTRO LIMITED. Дата публикации: 2001-10-11.

Coloured silicon carbide

Номер патента: EP1268676A1. Автор: Adrian John Shortland. Владелец: Altro Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: EP2563950A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-03-06.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: US20110266556A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: WO2011137202A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2011-11-03.

Silicon carbide single crystal and method and apparatus for producing the same

Номер патента: EP1540048A1. Автор: Naoki c/o Showa Denko K.K. OYANAGI,Yasuyuki c/o Showa Denko K.K. SAKAGUCHI,Atsushi c/o Showa Denko K.K. TAKAGI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2005-06-15.

Silicon carbide single crystal wafer and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: EP4411030A1. Автор: Tomonori Umezaki,Kazuto KUMAGAI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Silicon carbide crystal growing apparatus and crystal growing method thereof

Номер патента: US20210246573A1. Автор: Min-Sheng Chu,Wei-Tse Hsu,chun-sheng Peng,Yun-Fu Chen. Владелец: Winsheng Material Technology Wmt Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Silicone carbide crystals and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200190693A1. Автор: Ching-Shan Lin,I-Ching Li,Chien-Cheng Liou,Jian-Hsin Lu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Device and method for the production of silicon carbide

Номер патента: AU2023214706A1. Автор: Siegmund Greulich-Weber. Владелец: Yellow Sic Holding GmbH. Дата публикации: 2024-08-22.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240337044A1. Автор: Takeshi Okamoto,Nobuyuki Oya,Akiyoshi HORIAI. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Electronic devices comprising silicon carbide materials

Номер патента: US20240332002A1. Автор: Santanu Sarkar,Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon carbide substrate

Номер патента: US12091772B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semi-insulating silicon carbide crystalline ingot having a resistivity larger than 10∧7 Ohm-cm and manufacturing method therefor

Номер патента: US11041255B2. Автор: Ching-Shan Lin,I-Ching Li,Chien-Cheng Liou,Jian-Hsin Lu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US09799735B2. Автор: Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US09777404B2. Автор: Keiji Wada,Jun Genba,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Seed material for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide, and method for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon

Номер патента: US09447517B2. Автор: Tsuyoshi Matsumoto,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of producing textile silicon carbide materials

Номер патента: RU2694340C1. Автор: Елена Иннокентьевна Истомина,Павел Валентинович Истомин,Владислав Эвальдович Грасс,Александр Вениаминович Надуткин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Коми научного центра Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2019-07-11.

Glues based on silicon-acryl hybrid polymer

Номер патента: RU2544702C2. Автор: Чарльз У. ПОЛ,Юксиа ЛИУ,Джиангбо ОУЯНГ,Пол ФОРМАН,Лаксмиша М. СРИДХАР,Смита ШАХ. Владелец: Хенкель Корпорейшн. Дата публикации: 2015-03-20.

MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE SiC AND METHOD OF ITS PRODUCTION (VERSIONS)

Номер патента: RU2162902C1. Автор: Кити Танино,Кития Танино. Владелец: Ниппон Пиллар Пэкинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2001-02-10.

Method of producing silicon carbide

Номер патента: RU2689586C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин. Владелец: Константин Сергеевич Ёлкин. Дата публикации: 2019-05-28.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US20140123901A1. Автор: Kazukuni Hara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: US20130153928A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180323262A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10700169B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

Apparatus for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: EP2107138A3. Автор: Kazukuni Hara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-08-04.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978651B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Single-crystal silicon carbide and single-crystal silicon carbide wafer

Номер патента: US09777403B2. Автор: Tatsuo Fujimoto,Hiroshi Tsuge,Masakazu Katsuno,Masashi Nakabayashi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Reaction bonded silicon carbide bodies made from high purity carbonaceous preforms

Номер патента: US09676631B2. Автор: Lori Bracamonte. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-13.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US09644286B2. Автор: Kazukuni Hara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of producing a composite based on microporous zeolite and silicon carbide

Номер патента: RU2725586C1. Автор: Алексей Георгиевич Дедов,Александр Александрович Караваев,Алексей Сергеевич Локтев,Илья Иосифович Моисеев,Алексей Сергеевич Митиненко,Екатерина Андреевна Исаева. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Российский государственный университет нефти и газа (национальный исследовательский университет) имени И.М. Губкина". Дата публикации: 2020-07-02.

Mixture for producing silicon carbide for metallurgical production

Номер патента: RU2715828C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин,Иван Миронович Кашлев. Владелец: Иван Миронович Кашлев. Дата публикации: 2020-03-03.

Device for growing silicon carbide crystals

Номер патента: RU2341595C2. Автор: Данило КРИППА,Франко ПРЕТИ,Натале СПЕЧИАЛЕ,Джан Лука ВАЛЕНТЕ,Витторио ПОДЗЕТТИ,Ольле КОРДИНА,Маурицио МАСИ. Владелец: Лпе Спа. Дата публикации: 2008-12-20.

Method for preparation of charge for the production of silicon carbide

Номер патента: RU2771203C1. Автор: Олег Иванович Дошлов,Михаил Сергеевич Ковалев,Иван Олегович Дошлов,Никита Александрович Горяшин,Александр Андреевич Турусин,Юлия Сергеевна Лукьянова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Иркутский национальный исследовательский технический университет" (ФГБОУ ВО "ИРНИТУ"). Дата публикации: 2022-04-28.

Method of obtaining ceramic matrix coating on steel, working in high-temperature aggressive environments

Номер патента: RU2678045C1. Автор: Игорь Всеволодович Улин,Алексей Владимирович Красиков,Михаил Александрович Марков,Дмитрий Анатольевич Геращенков,Алексей Сергеевич Орыщенко,Алексей Филиппович Васильев,Павел Алексеевич Кузнецов,Алина Дмитриевна Быкова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей" имени И.В. Горынина Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ЦНИИ КМ "Прометей"). Дата публикации: 2019-01-22.

Method for making a silicon carbide substrate

Номер патента: US4582561A. Автор: Takeshi Sakurai,Toshinori Ioku. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1986-04-15.

Silicon carbide substrate manufacturing method, silicon carbide substrate, and method of removing strain layer introduced into silicon carbide substrate by laser processing

Номер патента: EP4137619A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Daichi DOJIMA. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2023-02-22.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US20160326669A1. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US20150255279A1. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20190194818A1. Автор: Takahiro IGI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-06-27.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20230279580A1. Автор: Takashi Kanemura,Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: CENTRAL RESEARCH INST OF ELECTRIC POWER IND. Дата публикации: 2023-09-07.

Silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US11984480B2. Автор: Taro Nishiguchi,Tsutomu Hori,Taro Enokizono. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide single-crystal substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230369411A1. Автор: Hirofumi Yamamoto,Takashi Sakurada,Makoto Sasaki,Naoki Matsumoto,Tetsuro Kondo,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus and method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20220213617A1. Автор: Rimpei Kindaichi,Nobutoshi SUDOH. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-07-07.

Laser Guided Nano-Brazing Method for Reinforced Aluminum Composite Material having High Volume Fraction Silicon Carbide Particles

Номер патента: US20150196965A1. Автор: QIANG LI,PENG Wang,Gang Zeng,Sijie CHEN,Xitao WANG,Zeng GAO,Jitai Niu,Dongfeng Cheng,Baoqing Zhang,Erzhen Mu,Hengze Xian. Владелец: Henan Jingtai Areospace High-Novel Materials Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Silicon carbide single crystal wafer, and methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and the silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20210108334A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Method for reducing stacking faults in silicon carbide, and structure created by means of said method

Номер патента: EP4415024A1. Автор: Kiyoshi Kojima,Jun Sasaki,Tadaaki Kaneko,Kohei Toda,Daichi DOJIMA. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190221647A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200287000A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10998406B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US20200219981A1. Автор: Tsutomu Hori,Takaya MIYASE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Method of producing silicon carbide: heating and lighting elements

Номер патента: US20020104984A1. Автор: Gady Golan. Владелец: Silbid Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for purifying silicon carbide

Номер патента: US20220250918A1. Автор: Matthias Hausmann,Wenzel KLIETZ,Josef GARBES. Владелец: Esk Sic GmbH. Дата публикации: 2022-08-11.

Method for removing layers of silicon carbide, as well as process and apparatus for cleaning epitaxial reactor components

Номер патента: EP4424868A1. Автор: Giovanni Franco,Maria Elena Fragala. Владелец: Universita degli Studi di Catania. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for removing layers of silicon carbide, as well as process and apparatus for cleaning epitaxial reactor components

Номер патента: US20240293850A1. Автор: Giovanni Franco,Maria Elena Fragala. Владелец: Catania, University of. Дата публикации: 2024-09-05.

Silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240304676A1. Автор: Takaya MIYASE,Hideyuki Hisanabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Porous silicon dioxide-carbon composite and method for preparing high-purity granular beta-phase silicon carbide powder with using the same

Номер патента: US09994454B2. Автор: Sang Whan Park,Mi Rae YOUM,Sung Il YOUN,Gyoung Sun CHO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-06-12.

Silicon carbide semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US09966249B2. Автор: Kenji Kanbara,Taro Nishiguchi,So Tanaka,Kyoko Okita,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semi-insulating silicon carbide monocrystal and method of growing the same

Номер патента: US09893152B2. Автор: Yu Liu,BO Wang,Gang Wang,Xiaolong Chen,Wenjun Wang,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Longyuan Li. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685566B2. Автор: Naoki Yutani,Daisuke CHIKAMORI,Yasuhiko NISHIO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods of depositing an alpha-silicon-carbide-containing film at low temperature

Номер патента: US09546420B1. Автор: Scott D. Habermehl. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Production method of polyimide composite film coating reinforced by nanostructured silicon carbide (versions)

Номер патента: RU2620122C2. Автор: Виталий Сергеевич Иванов,Антон Сергеевич Егоров,Алена Игоревна Возняк,Ксения Валерьевна Царькова,Алексей Вячеславович Антипов. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Химических Реактивов И Особо Чистых Химических Веществ". Дата публикации: 2017-05-23.

Method for producing silicon carbide felt

Номер патента: RU2758311C9. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-12-08.

Method for producing silicon carbide felt

Номер патента: RU2758311C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Антон Сергеевич Лысенков,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Марианна Геннадьевна Флорова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-10-28.

Methods of fabricating silicon carbide crystals

Номер патента: US6706114B2. Автор: Stephan Mueller. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-03-16.

Method for producing a porous layer of a silicon carbide heterostructure on a silicon substrate

Номер патента: RU2653398C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Михаил Вячеславович Долгополов,Альбина Валентиновна Гурская,Наталья Виленовна Латухина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика". Дата публикации: 2018-05-08.

Silicon carbide material, honeycomb structure and electric-heating type catalyst carrier

Номер патента: EP2671857A1. Автор: Yoshimasa Kobayashi,Takahiro Tomita,Miyuki Yabuki. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-12-11.

Process for removing color bodies from brown phosphoric acid

Номер патента: CA1133226A. Автор: Bruce D. Wells,Thomas A. Mcconomy. Владелец: Calgon Corp. Дата публикации: 1982-10-12.

Methods of fabricating silicon carbide crystals

Номер патента: US7135072B2. Автор: Stephan Mueller. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-11-14.

Recovery of silicon carbide whiskers from coked, converted rice hulls by froth flotation

Номер патента: US4293099A. Автор: William M. Goldberger,Bhupendra K. Parekh. Владелец: Silag A Inc. Дата публикации: 1981-10-06.

Surface texture enhanced glass-ceramic matrix composite heat exchanger

Номер патента: US20230384044A1. Автор: Paul Sheedy,John E. Holowczak,Justin B. Alms,Daniel A. Mosher,Ram Ranjan,Thomas M. Yun,Kathryn L. Kirsch,John Joseph Gangloff. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

High quality silicon carbide seed crystal, silicon carbide crystal, silicon carbide substrate, and preparation method therefor

Номер патента: US20230295838A1. Автор: He Zhang,Jian Yang,Yu Guo,BO Wang,Ning Zhao,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Yanfang LOU. Владелец: Jiangsu Tankeblue Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method and apparatus for manufacturing silicon carbide single crystal, and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20220112623A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210060818A1. Автор: Naoki Matsumoto,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190245044A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Method for producing silicon carbide single-crystal ingot and silicon carbide single-crystal ingot

Номер патента: US20180066380A1. Автор: Tatsuo Fujimoto,Takayuki Yano,Kazuaki Seki,Hiroshi Tsuge,Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Komomo TANI. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Recycle wafer of silicon carbide and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11862684B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10396163B2. Автор: Keiji Wada,Kenji Kanbara,Hironori Itoh,Takemi Terao,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-08-27.

Bulk silicon carbide having low defect density

Номер патента: US20150072101A1. Автор: Parthasarathy Santhanaraghavan,Roman V. Drachev,Andriy M. Andrukhiv,David S. Lyttle. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Silicon carbide semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US20150228482A1. Автор: Naohiko Hirano,Shouichi Yamauchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Method of ceramic matrix composite repair

Номер патента: WO2019028217A1. Автор: Canan Uslu Hardwicke,Matthew Troy HAFNER,James Joseph Murray,Jason Robert Parolini. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2019-02-07.

Method of ceramic matrix composite repair

Номер патента: EP3661896A1. Автор: Canan Uslu Hardwicke,Matthew Troy HAFNER,James Joseph Murray,Jason Robert Parolini. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-06-10.

Surface texture enhanced glass-ceramic matrix composite heat exchanger

Номер патента: EP4282836A1. Автор: Paul Sheedy,John E. Holowczak,Justin B. Alms,John J. Gangloff,Daniel A. Mosher,Ram Ranjan,Thomas M. Yun,Kathryn L. Kirsch. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2023-11-29.

Silicon carbide structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168697A1. Автор: Joung Il Kim,Jae Seok Lim,Mi-Ra Yoon. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US20240026569A1. Автор: Taro Nishiguchi,Takaya MIYASE,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240183073A1. Автор: Takahiro Kanda,Soma SAKAKIBARA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Silicon carbide single crystal ingot, silicon carbide wafer, and method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240110308A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of forming a laminate of epitaxially grown cubic silicon carbide layers, and method of forming a substrate-attached laminate of epitaxially grown cubic silicon carbide layers

Номер патента: US9732439B2. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Silicon carbide single crystal and manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20240191392A1. Автор: Takashi Kanemura,Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Takahiro Kanda,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods for Preparing Silicon Carbide Powder and Single Crystal Silicon Carbide

Номер патента: US20220371901A1. Автор: Yong Jin Kwon,Il Gon Kim,In Seok Yang. Владелец: HANA MATERIALS Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Silicon carbide magnetometer and associated material formation methods

Номер патента: US11993864B2. Автор: Robert Osiander,John B. Abraham,Brian D. Clader,Cameron A. Gutgsell,Dalibor J. Todorovski,Scott A. Sperling,Jacob E. Epstein,Timothy M. Sweeney,Elizabeth A. Pogue,Tyrel M. McQueen. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-28.

Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide

Номер патента: WO2018165598A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of fabricating silicon carbide ingot

Номер патента: US20240271322A1. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for selectively depositing a polycrystalline diamond coating on silicon bases

Номер патента: RU2656627C1. Автор: Степан Андреевич Линник,Виталий Владимирович Охотников,Александр Валерьевич Гайдайчук. Владелец: Александр Валерьевич Гайдайчук. Дата публикации: 2018-06-06.

Epitaxial growth of silicon carbide and resulting silicon carbide structures

Номер патента: CA2205918C. Автор: Vladimir A. Dmitriev,Calvin H. Carter, Jr.,Svetlana V. Rendakova,Vladimir A. Ivantsov. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2002-01-29.

Method of manufacturing silicon carbide crystals

Номер патента: US3962406A. Автор: Gerrit Verspui,Wilhelmus Franciscus Knippenberg. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-06-08.

Granular silicon carbide abrasive grain coated with refractory material, method of making the same and articles made therewith

Номер патента: CA1213443A. Автор: Thomas Gabor,David E. Broberg,Gunther H. Dierssen,Donley D. Rowenhorst. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1986-11-04.

Process for preparing a silicon carbide sintered body for use in semiconductor equipment

Номер патента: US5589116A. Автор: Hiroaki Wada,Tadaaki Miyazaki,Shoichi Kojima,Kazuhiro Minagawa,Haruyuki Kano. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1996-12-31.

Automatic method for separating and cleaning silicon carbide furnace materials

Номер патента: CA1265473A. Автор: Robert J. Seider,Philip J. Guichelaar,Robert O. Anderson. Владелец: Washington Mills Electro Minerals Corp. Дата публикации: 1990-02-06.

Method for evaluating crystal defects of silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: EP4310893A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Methods of forming silicon carbide coated base substrates at multiple temperatures

Номер патента: US11827999B2. Автор: Hui Chen,Shawn Thomas,Xinning Luan,Yen Lin Leow,Kirk Allen Fisher. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20190127880A1. Автор: Shin Harada,Tsutomu Hori,Sho Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Magnetron sputtering scanning method for modifying silicon carbide optical reflector surface and improving surface profile

Номер патента: US20200270745A1. Автор: Meng HUANG,Jie TIAN,Jinfeng Wang,Yeru Wang. Владелец: Nanjing Institute Of Astronomical Optics Technology National Astorn. Дата публикации: 2020-08-27.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and apparatus for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US20180237942A1. Автор: Keiji Wada,Hideyuki Doi,Hironori Itoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

Remote plasma based deposition of graded or multi-layered silicon carbide film

Номер патента: US20180240664A9. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Zhe Gui,Guangbi Yuan,Fengyuan Lai. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

High-purity silicon to form silicon carbide for use in a fluidized bed reactor

Номер патента: WO2016025013A1. Автор: Michael V. Spangler,Matthew J. Miller,Sefa Yilmaz. Владелец: REC SILICON INC. Дата публикации: 2016-02-18.

Methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20230374699A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing a silicon carbide ingot comprising moving a heater surrounding a reactor to induce silicon carbide raw materials to sublimate and growing the silicon carbide ingot on a seed crystal

Номер патента: US11795572B2. Автор: Jong Hwi Park,Jung-Gyu Kim,Eun Su Yang,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Method for producing a silicon carbide substrate

Номер патента: EP4089719A1. Автор: Andrei Mihaila,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-11-16.

Method of growing silicon carbide crystals

Номер патента: US20240011188A1. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Silicon carbide crystals and silicon carbide wafer

Номер патента: US20240011190A1. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Silicon carbide seed crystal and method of manufacturing silicon carbide ingot

Номер патента: US11821105B2. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Process for growing silicon carbide single crystal and device for the same

Номер патента: US20130305982A1. Автор: Young Shol Kim,Sung Wan Hong. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-21.

Methods of forming silicon carbide coated base substrates at multiple temperatures

Номер патента: US20240052521A1. Автор: Hui Chen,Shawn Thomas,Xinning Luan,Yen Lin Leow,Kirk Allen Fisher. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods of forming power semiconductor devices using boule-grown silicon carbide drift layers and power semiconductor devices formed thereby

Номер патента: CA2542704A1. Автор: Calvin H. Carter, Jr.,Michael James Paisley,Joseph John Sumakeris,Hudson McDonald Hobgood,Jason Ronald Jenny,Valeri Fedorovich Tsvetkov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-06.

Silicon carbide substrate, silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing silicon carbide substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130092956A1. Автор: Keiji Ishibashi,Tsutomu Hori,Yu Saitoh,Kosuke Uchida,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Silicon carbide single crystal and method and apparatus for producing the same

Номер патента: US20050205003A1. Автор: Takayuki Maruyama,Shigeki Endo. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Silicon carbide single crystal growth apparatus and method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210262119A1. Автор: Toru Takahashi,Hitoshi Ikeda,Yuichi Matsumoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for producing a silicon carbide substrate

Номер патента: WO2022238029A1. Автор: Andrei Mihaila,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-11-17.

Silicon carbide single crystal wafer, crystal, preparation methods therefor, and semiconductor device

Номер патента: US20230053509A1. Автор: FAN YANG,Jian Yang,Yu Guo,Ping Zhang,BO Wang,Yu Zou,Ning Zhao,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Yanfang LOU. Владелец: Jiangsu Tankeblue Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Epitaxial growth method for silicon carbide

Номер патента: US20180266012A1. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-09-20.

Silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide substrate

Номер патента: US20240234509A9. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide wafer and method of manufacturing same

Номер патента: US12037704B2. Автор: Jong Hwi Park,Jung Woo Choi,Jung Doo Seo,Myung Ok Kyun,Jung Gyu Kim,Kap Ryeol Ku. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide substrate

Номер патента: US20240136403A1. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Silicon carbide manufacturing device and method of manufacturing silicon carbide

Номер патента: US20080053371A1. Автор: Fusao Hirose,Masao Nagakubo,Yasuo Kitoh. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Silicon carbide manufacturing device and method of manufacturing silicon carbide

Номер патента: US7879150B2. Автор: Fusao Hirose,Masao Nagakubo,Yasuo Kitoh. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Silicon carbide thin films and vapor deposition methods thereof

Номер патента: WO2022072258A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2022-04-07.

Process and apparatus for silicon carbide production by means of a solid-state carbothermal reduction process

Номер патента: EP4405298A1. Автор: Simone BONANOMI,Sandro USSEGLIO NANOT,David CALLEJO MUNOZ DAVID. Владелец: Sicreate GmbH. Дата публикации: 2024-07-31.

Silicon carbide-containing mold and facecoat compositions and methods for casting titanium and titanium aluminide alloys

Номер патента: EP3074366A2. Автор: Bernard Patrick Bewlay,Brian Michael Ellis,Joan McKIEVER,Nicholas Vincent Mclasky. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-10-05.

Silicon carbide-containing mold and facecoat compositions and methods for casting titanium and titanium aluminide alloys

Номер патента: WO2015112232A2. Автор: Bernard Patrick Bewlay,Brian Michael Ellis,Joan McKIEVER,Nicholas Vincent Mclasky. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMAPNY. Дата публикации: 2015-07-30.

Housing of semiconductor device from metal matrix composite and method of its manufacturing

Номер патента: RU2724289C1. Автор: Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Алексеевич Золотарев,Лариса Владимировна Чумакова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Black silicon carbide ceramic based thermoelectric photodetector, optical power meter and optical energy meter

Номер патента: EP4113079A1. Автор: Delong LI. Владелец: Shandong Xinyuan Photoelectric Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

High-resistance resistor based on silicon carbide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230317770A1. Автор: Kun Hu,Yuan Tian,Guohui Li,Bingshe Xu,Yanxia CUI,Yuying XI. Владелец: Institute Of New Materials And Chemical Engineering Zhejiang University Shanxi. Дата публикации: 2023-10-05.

Black silicon carbide ceramic based thermoelectric photodetector, optical power meter and optical energy meter

Номер патента: US20220412806A1. Автор: Delong LI. Владелец: Shandong Xinyuan Photoelectric Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Forming silicon dioxide on silicon carbide

Номер патента: WO2013140122A1. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Limited. Дата публикации: 2013-09-26.

Forming a Metal Contact Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device with Metal Contact Structure

Номер патента: US20180174840A1. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Light emitting diode on silicon substrate

Номер патента: RU2755933C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Ирина Павловна Смирнова,Александр Сергеевич Гращенко,Лев Константинович Марков,Андрей Евгеньевич Николаев,Алексей Сергеевич Павлюченко,Генадий Викторович Святец,Андрей Федорович Цацульников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2021-09-23.

Method for producing thin membranes of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer membranes obtained by molecular layer precipitation

Номер патента: RU2749573C1. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-06-15.

Method for producing thin films of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer films obtained by molecular layer deposition

Номер патента: RU2749573C9. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-08-17.

Ceramic matrix composite article and process of fabricating a ceramic matrix composite article

Номер патента: US09926791B2. Автор: Ronald Ralph Cairo,Paul Stephen Dimascio,Jason Robert Parolini. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for removing color noise and image-capturing device that uses this method

Номер патента: US20120050585A1. Автор: Kenji Shiraishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-01.

Turbine ring assembly comprising a plurality of ring sectors made of composite material with ceramic matrix

Номер патента: RU2717180C2. Автор: Жилль ЛЕПРЕТР,Тьерри ТЕССОН,Клер ГРОЛО,Этьенн ВОЛАН. Владелец: Сафран Эркрафт Энджинз. Дата публикации: 2020-03-18.

Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures

Номер патента: US5629531A. Автор: John W. Palmour. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1997-05-13.

Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures

Номер патента: US5776837A. Автор: John W. Palmour. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1998-07-07.

Method and apparatus for removing color noise of image signal

Номер патента: GB2455858B. Автор: Soon-geun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-13.

Forming a metal contact layer on silicon carbide and semiconductor device with metal contact structure

Номер патента: US10256097B2. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-09.

Method and device with durable contact on silicon carbide

Номер патента: EP1743373A2. Автор: Richard L. Woodin,William F. Seng. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-01-17.

Method and device with durable contact on silicon carbide

Номер патента: EP1743373A4. Автор: Richard L Woodin,William F Seng. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-03-25.

Method and device with durable contact on silicon carbide

Номер патента: US20080227275A1. Автор: Richard L. Woodin,William F. Seng,Carl Anthony Witt. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Removable color gel used as an indicator composition to assess the correctness of the impact of the instrument on models or dummies of human body organs

Номер патента: RU2746244C1. Автор: Антон Вадимович Табакаев,Богдан Олегович Щеглов,Илья Александрович Баранчугов,Алексей Олегович Лембиков,Егор Михайлович Щелканов,Светлана Николаевна Щеглова,Михаил Юрьевич Щелканов,Ованнес Мнацаканович Григорян,Ксения Александровна Баранчугова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный федеральный университет" (ДВФУ). Дата публикации: 2021-04-09.

Attachment of ceramic matrix composite panel to liner

Номер патента: US09890953B2. Автор: Jose E. Ruberte SANCHEZ,Kevin L. Rugg,Timothy J. Mcalice. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Ceramic matrix composite airfoil cooling

Номер патента: WO2018009261A2. Автор: Kirk Douglas Gallier. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2018-01-11.

Adaptive vibration amplitude for impact grinding of ceramic matrix composite components

Номер патента: EP4375010A1. Автор: Zhigang Wang,Alan C. Barron,Cheng GAO,John D. Riehl,Andrzej E. Kuczek,Robin H. Fernandez,Evan B. CALLAWAY,John Henry Shaw. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-05-29.

Cooled ceramic matrix composite airfoil

Номер патента: US09739157B2. Автор: Aaron D. Sippel,Richard C. Uskert. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for making gas turbine engine ceramic matrix composite airfoil

Номер патента: US09683443B2. Автор: Ted J. Freeman,Richard C. Uskert. Владелец: Rolls Royce North American Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Ceramic matrix composite liner attachment

Номер патента: US09638133B2. Автор: George J. Kramer. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Thermal analysis method for ceramic matrix composite (cmc) turbine vane considering micro-woven structure and change of direction of fiber bundles

Номер патента: US20230061642A1. Автор: Xinyu Wu,Junkui MAO,Zecan TU,Chenwei ZHAO,Xingsi HAN,Zhenzong HE. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2023-03-02.

Hybrid component comprising a metal-reinforced ceramic matrix composite material

Номер патента: EP3317584A1. Автор: Jay A. Morrison,Sachin R. Shinde,Phillip W. Gravett,Zachary D. Dyer,Kimber-Lee BROWN. Владелец: Siemens Energy Inc. Дата публикации: 2018-05-09.

Method for predicting high-temperature fatigue shear stress in fiber/matrix interface of woven ceramic-matrix composite by hysteresis dissipated energy

Номер патента: US20200210633A1. Автор: Longbiao Li. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2020-07-02.

Methods for forming self-aligned contacts using spin-on silicon carbide

Номер патента: WO2022177828A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Predictive torque control and capacitor balancing of a silicon-carbide based dual t-type drive system

Номер патента: US11870373B2. Автор: Aboubakr SALEM,Mohamed Ali ABIDO,Mohamed MAMDOUH. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-01-09.

Die division method and inspection apparatus for avoiding defects locations on silicon carbide wafers

Номер патента: US20220199470A1. Автор: Min Park,Jongho YOON. Владелец: Etamax Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Methods for Forming Self-Aligned Contacts Using Spin-on Silicon Carbide

Номер патента: US20220262679A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

High-pressure turbine blades made of ceramic matrix composites

Номер патента: US09482104B2. Автор: Francois Gallet. Владелец: SNECMA SAS. Дата публикации: 2016-11-01.

Ceramic matrix composite vane seals

Номер патента: EP1795705A3. Автор: John Greene,Ian Francis Prentice,Thomas Allen Wells,Nitin Bhate. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-05-07.

Method for removing color from artificially colored hair

Номер патента: US20240122833A1. Автор: Shahid Mohammad NASEER,Sarah Mary SPEER. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-04-18.

Structural integrated design method for ceramic matrix composite bolt preform

Номер патента: US20220277112A1. Автор: Sheng Zhang,Guoqiang Yu,Yingdong Song,Xiguang GAO,Baocheng Zhu,Hongnian Dong. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2022-09-01.

Compositions and methods for removing color from hair

Номер патента: US20240197591A1. Автор: Sivaramakrishnan Muthukrishnan,Tathagata Mukherjee,Shahid Mohammad NASEER,Matthew PROEFKE,Sarah SPEER. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-06-20.

Large area silicon carbide devices and manufacturing methods therefor

Номер патента: EP1444729A2. Автор: John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-08-11.

Silicon carbide substrate, silicon carbide wafer, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240250128A1. Автор: Hideyuki Uehigashi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Compositions and methods for removing color from hair

Номер патента: WO2024137598A1. Автор: Sivaramakrishnan Muthukrishnan,Tathagata Mukherjee,Shahid Mohammad NASEER,Matthew PROEFKE,Sarah SPEER. Владелец: L'oreal. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of securing a ceramic matrix composite (cmc) component to a metallic substructure using cmc straps

Номер патента: EP3990754A1. Автор: Allister William James,Jan H. Marsh. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-05-04.

Method of securing a ceramic matrix composite (cmc) component to a metallic substructure using cmc straps

Номер патента: WO2021021206A1. Автор: Allister William James,Jan H. Marsh. Владелец: Siemens Energy Global GmbH & Co. KG. Дата публикации: 2021-02-04.

Methods for Processing a Silicon Carbide Wafer, and a Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20190362972A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Werner Schustereder,Wolfgang Lehnert,Alexander Breymesser,Mihai Draghici,Tobias Franz Wolfgang Hoechbauer,Guenter Denifl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-11-28.

Passive control of gas turbine clearances using ceramic matrix composites inserts

Номер патента: US20220349316A1. Автор: Scott Hunter,Bhaskar Nanda MONDAL,Steven A. Ross,John Joseph Rahaim,Thomas Moniz,Joel KIRK,Daniel FUSINATO. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2022-11-03.

Method of debulking of ceramic matrix composite prepreg material

Номер патента: US20240157658A1. Автор: Matthew Hocking,Virtudes Rubio Diaz. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods of fabricating silicon carbide power devices by at least partially removing an n-type silicon carbide substrate, and silicon carbide power devices so fabricated

Номер патента: EP2149154A2. Автор: Mrinal Kanti Das,Matthew Donofrio,Qingchun Zhang,John M. Clayton, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-02-03.

Silicon carbide substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371945A1. Автор: Ching-Shan Lin,Ying-Ru Shih,Chung Chi Yang,Chih Shan Tan. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of machining holes and chamfers in ceramic matrix composites

Номер патента: US20240024963A1. Автор: Chris Downie. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Ceramic matrix composite article and method of making the same

Номер патента: EP4219904A1. Автор: David A. Litton,Bryan P. Dube. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-02.

Ceramic matrix composite article and method of making the same

Номер патента: US12006837B2. Автор: David A. Litton,Bryan P. Dube. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Ceramic matrix composite brake with wear debris delivery system

Номер патента: EP4261430A1. Автор: Christopher T. Kirkpatrick. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2023-10-18.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204051A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Compositions and methods for removing color from hair

Номер патента: US20240197599A1. Автор: Shahid NASEER,Sarah SPEER. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-06-20.

Ceramic matrix composite blade track segment with attachment flange cooling chambers

Номер патента: US12031443B2. Автор: Ted J. Freeman,Aaron D. Sippel. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Ceramic matrix composite and metal attachment configurations

Номер патента: EP2867542A1. Автор: James Hamilton Grooms. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-05-06.

Silicon Carbide Device and a Method for Manufacturing A Silicon Carbide Device

Номер патента: US20150008447A1. Автор: Roland Rupp,Christian Hecht,Bernd Leonhard Zippelius. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-08.

Compositions and methods for removing color from hair

Номер патента: US20240197586A1. Автор: Shahid NASEER,Sarah SPEER. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-06-20.

Compositions and methods for removing color from hair

Номер патента: US20240197592A1. Автор: Shahid NASEER,Sivaramakrishnan Muthukrishnan,Matthew PROEFKE,Sarah SPEER,Tathagata MUKHEREJEE. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-06-20.

Turbine section assembly with ceramic matrix composite vane

Номер патента: US20200340370A1. Автор: Michael J. WHITTLE,David J. Shepherd,Anthony G. Razzell,Roderick M. Townes,Duncan Forbes. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2020-10-29.

Ceramic matrix composite vane set with platform linkgage

Номер патента: EP3770380A1. Автор: Alexander Wong,Michael Whittle. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2021-01-27.

Silicon carbide vertical field effect transistor

Номер патента: US20140008666A1. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20090134404A1. Автор: Kenichi Kuroda,Hiroshi Sugimoto,Noboru Mikami,Yoshinori Matsuno,Kenichi Ohtsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Method for oxidizing a silicon carbide based on microwave plasma at an ac voltage

Номер патента: US20200152451A1. Автор: HONG Chen,Yun Bai,Xinyu Liu,Xiaoli Tian,Yidan TANG,Chengyue Yang,Shengkai WANG,Zhonglin Han. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-05-14.

Blade outer air seal made of ceramic matrix composite

Номер патента: EP3039250A1. Автор: Michael G. Mccaffrey. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2016-07-06.

Gas turbine engine assemblies with ceramic matrix composite components having undulated features

Номер патента: US20170298777A1. Автор: Joseph P. Lamusga. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

Silicon carbide components and methods for producing silicon carbide components

Номер патента: US11715768B2. Автор: Roland Rupp,Ronny Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-01.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing thereof, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11201218B2. Автор: Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

Ceramic matrix composite airfoil for a gas turbine engine, corresponding vane structure and method of forming

Номер патента: EP2570604A3. Автор: Ioannis Alvanos,Gabriel L. Suciu. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2015-01-21.

Passive control of gas turbine clearances using ceramic matrix composites inserts

Номер патента: US20240218803A1. Автор: Scott Hunter,Bhaskar Nanda MONDAL,Steven A. Ross,John Joseph Rahaim,Thomas Moniz,Joel KIRK,Daniel FUSINATO. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-07-04.

Turbine assembly for a gas turbine engine with ceramic matrix composite vane

Номер патента: EP3730739A1. Автор: David Shepherd,Anthony Razzell,Roderick Townes,Michael Whittle,Duncan Forbes. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2020-10-28.

Passive control of gas turbine clearances using ceramic matrix composites inserts

Номер патента: US20200131922A1. Автор: Scott Hunter,Bhaskar Nanda MONDAL,Steven A. Ross,John Joseph Rahaim,Thomas Moniz,Joel KIRK,Daniel FUSINATO. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-04-30.

Cooled attachment sleeve for a ceramic matrix composite rotor blade

Номер патента: US20200355084A1. Автор: Michael G. Mccaffrey. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Rotary engine with side housing having a side plate with a ceramic matrix composite core

Номер патента: US12104550B1. Автор: Michel Bousquet,Johnny Vinski,Larry Lebel,Christopher GOVER. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Ceramic matrix composite seal segment for a gas turbine engine

Номер патента: US09963990B2. Автор: Jun Shi,David J. Thomas,Ted Freeman,Daniel Kent Vetters,Douglas David Dierksmeier,Todd Engel. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method and system for a ceramic matrix composite shroud hanger assembly

Номер патента: US09874104B2. Автор: Jason David Shapiro. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-01-23.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for manufacturing a silicon carbide device and a silicon carbide device

Номер патента: US09704718B2. Автор: Ralf Otremba,Anton Mauder,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Silicon carbide device and a method for manufacturing a silicon carbide device

Номер патента: US09412808B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Christian Hecht,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of surface modification of silicon carbide crystals

Номер патента: RU2745736C1. Автор: Александр Владимирович Петров,Даниил Алексеевич Евстигнеев,Владимир Александрович Карачинов,Александр Сергеевич Ионов,Андрей Валерьевич Желаннов. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2021-03-31.

Method of processing surface of silicon carbide plates in low-temperature inductively coupled plasma

Номер патента: RU2708812C1. Автор: Сергей Евгеньевич Александров,Артём Арменакович Осипов,Екатерина Вячеславовна Ендиярова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2019-12-11.

Method for removing color resist for exposure alignment

Номер патента: US20040241594A1. Автор: Chi-Ming Cheng. Владелец: TOPPLY OPTOELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-12-02.

Silicon carbide epitaxial wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190273136A1. Автор: Tomohisa Kato,Satoshi Segawa,Toshiyuki Ohno,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2019-09-05.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150371856A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160225855A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160056257A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Silicon carbide semiconductor device including a resin covering a silicon carbide semiconductor chip

Номер патента: US11387156B2. Автор: So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Silicon carbide substrate, silicon carbide device, and substrate thinning method thereof

Номер патента: US20220293737A1. Автор: Yuxi Wan,Boning Huang,Yiyu Wang,Xiaobiao HAN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Controlled Ion Implantation into Silicon Carbide Using Channeling and Devices Fabricated Using Controlled Ion Implantation into Silicon Carbide Using Channeling

Номер патента: US20180069083A1. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Methods of Forming Buried Junction Devices in Silicon Carbide Using Ion Implant Channeling and Silicon Carbide Devices Including Buried Junctions

Номер патента: US20170084700A1. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Methods of forming buried junction devices in silicon carbide using ion implant channeling and silicon carbide devices including buried junctions

Номер патента: WO2015013628A2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-01-29.

Silicon Carbide Device and a Method for Manufacturing a Silicon Carbide Device

Номер патента: US20150187871A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Christian Hecht,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Silicon carbide semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09923090B2. Автор: Osamu Kusumoto,Masao Uchida,Nobuyuki HORIKAWA,Atsushi Ohoka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09893162B2. Автор: Takumi Fujimoto,Yoshiyuki Sakai,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor apparatus and silicon carbide semiconductor apparatus fabricated thereby

Номер патента: US09768260B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627488B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Silicon carbide switching devices including P-type channels

Номер патента: US09552997B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Qingchun Zhang,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Edge termination structures for silicon carbide devices

Номер патента: US09515135B2. Автор: Allan Ward,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods of forming buried junction devices in silicon carbide using ion implant channeling and silicon carbide devices including buried junctions

Номер патента: US09484413B2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09466675B2. Автор: Chikayuki Okamoto,Tomihito Miyazaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Attachment of ceramic matrix composite panel to liner

Номер патента: US20150345790A1. Автор: Jose E. Ruberte SANCHEZ,Kevin L. Rugg,Timothy J. Mcalice. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-03.

Laser Assisted SiC Growth On Silicon

Номер патента: US20180226247A1. Автор: Tim Hogan,Amanpreet Kaur,Premjeet Chahal. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2018-08-09.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device having improved mechanical stability

Номер патента: EP4160655A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi,Paolo BADALÁ. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-04-05.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device having improved mechanical stability

Номер патента: US20230094592A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Paolo BADALA',Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-03-30.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9040402B2. Автор: Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro,Masahide Goto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Semiconductor device with first and second electrodes forming schottky junction with silicon carbide semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US9577044B2. Автор: Masashi Hayashi,Masao Uchida,Koutarou Tanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Silicon carbide-based full-spectrum-responsive photodetector and method for producing same

Номер патента: US11710801B2. Автор: Yuan Tian,Guohui Li,Yanxia CUI,Yaping FAN,Xianyong YAN. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-07-25.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150295048A1. Автор: Toru Hiyoshi,Takashi Tsuno,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Method for manufacturing silicon carbide substrate and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8969103B2. Автор: Shin Harada,Satomi Itoh,Makoto Sasaki,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Silicon carbide transistor device

Номер патента: US12062698B2. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160181373A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Integrated silicon carbide ultraviolet sensors and methods

Номер патента: US11031513B1. Автор: Matthew Francis,James A. Holmes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-08.

Controlled ion implantation into silicon carbide

Номер патента: EP3025372A1. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-06-01.

Controlled ion implantation into silicon carbide

Номер патента: EP4009380A2. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2022-06-08.

A method for reducing warpage of silicon carbide substrate

Номер патента: ZA202308586B. Автор: Shen Xiaoyu,Shen Mengfei,Chen Wenjin. Владелец: Huzhou Tony Semiconductor Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Method for producing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12100739B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Carbon based contact structure for silicon carbide device technical field

Номер патента: US09917170B2. Автор: Markus Kahn,Romain Esteve,Ravi Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Silicon carbide substrate and method for producing silicon carbide substrate

Номер патента: US09882010B2. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Densification of silicon carbide film using remote plasma treatment

Номер патента: US09837270B1. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Zhe Gui,Guangbi Yuan,Fengyuan Lai. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Controlled ion implantation into silicon carbide using channeling and devices fabricated using controlled ion implantation into silicon carbide using channeling

Номер патента: US09768259B2. Автор: Vipindas Pala,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716168B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691859B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647081B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09640618B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09620358B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09608074B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon carbide epitaxy

Номер патента: US09520285B2. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09449823B2. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Ceramic matrix composite turbine vane and method for making

Номер патента: US20200378267A1. Автор: Ted J. Freeman,Robert J. Shinavski,Thomas Tran,Kevin Lukhard,Steffan Brown. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Ceramic matrix composite turbine vane and method for making

Номер патента: CA3075577A1. Автор: Ted J. Freeman,Robert J. Shinavski,Thomas Tran,Kevin Lukhard,Steffan Brown. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2020-11-30.

Ceramic matrix composite turbine vane and method for making

Номер патента: US20220034233A1. Автор: Ted J. Freeman,Robert J. Shinavski,Thomas Tran,Kevin Lukhard,Steffan Brown. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Nondestructive inspection method for coatings and ceramic matrix composites

Номер патента: SG11201903682WA. Автор: Russell Craig Baucke,Glen David Hilderbrand,Timothy Francis DECKER,Benjamin Reid CROWGEY. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 2019-05-30.

Silicon carbide semiconductor device, power conversion device, and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027590B2. Автор: Munetaka Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027576B2. Автор: Tomoaki Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicon carbide wafer and silicon carbide semiconductor device including the same

Номер патента: US20240213332A1. Автор: Hideyuki Uehigashi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Silicon carbide power device equipped with termination structure

Номер патента: US20150102362A1. Автор: Cheng-Tyng Yen,Lurng-Shehng Lee,Chien-Chung Hung,Chwan-Ying Lee. Владелец: Hestia Power Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120261677A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Silicon carbide device and a method for forming a silicon carbide device

Номер патента: US20160104779A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Bergner,Christian Hecht,Rudolf Elpelt,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-14.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181376A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210265469A1. Автор: Toru Hiyoshi,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor circuit device

Номер патента: US11695045B2. Автор: Keiji Okumura,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Silicon carbide device with compensation region and method of manufacturing

Номер патента: US11764063B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Romain Esteve,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Trench power MOSFET in silicon carbide and method of making the same

Номер патента: US20050266623A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Yen Chuo,Yung-Chung Lee,Tsung-Ming Pan. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-12-01.

Silicon carbide semiconductor device, silicon carbide semiconductor assembly, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200152594A1. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240321947A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Silicon carbide and related wide-bandgap transistors on semi insulating epitaxy

Номер патента: NZ572662A. Автор: Michael S Mazzola. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-02-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181160A1. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332414A1. Автор: Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon carbide static induction transistor and method for manufacturing same

Номер патента: WO1998034283A1. Автор: Saptharishi Sriram,Rowland C. Clarke,Richard R. Siergiej. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 1998-08-06.

Schottky barrier structure for silicon carbide (SiC) power devices

Номер патента: US09960247B2. Автор: Ruigang Li,Zheng Zuo,Bochao Huang,Da Teng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-01.

Silicon-carbide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954072B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Shiro Hino,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09935170B2. Автор: Yoichiro Tarui,Masayuki Furuhashi,Toshikazu Tanioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905653B2. Автор: Masayuki Kobayashi,Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Shinji Kimura,So Tanaka,Taku Horii,Ryosuke Kubota,Daisuke Hamajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09893177B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09722017B2. Автор: Nobuyuki Tomita,Takaaki TOMINAGA,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by using protective films to activate dopants in the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691616B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Silicon carbide static induction transistor and process for making a silicon carbide static induction transistor

Номер патента: US09490355B2. Автор: Pierre Morin,John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09455197B2. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Silicon-carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09425261B2. Автор: Yutaka Fukui,Yuji Abe,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of producing different types of silicon carbide surface morphology

Номер патента: RU2724142C1. Автор: Александр Владимирович Петров,Даниил Алексеевич Евстигнеев,Владимир Александрович Карачинов,Александр Сергеевич Ионов,Андрей Валерьевич Желаннов. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-06-22.

Turbine assembly with ceramic matrix composite vane components and cooling features

Номер патента: US11047258B2. Автор: Michael J. WHITTLE,Jade L. Whittle. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2021-06-29.

Spring loaded and sealed ceramic matrix composite combustor liner

Номер патента: CA2922569A1. Автор: Bryan Robert Dery. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-03-19.

Silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel and methods of fabricating silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel

Номер патента: US6956238B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Ranbir Singh,John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Lori A. Lipkin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-10-18.

Polymer derived fiber reinforced ceramic matrix composite clutch

Номер патента: US5857550A. Автор: Steven Donald Atmur,Thomas Edward Strasser,William Scott Richardson. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Ceramic matrix composite blade track segments

Номер патента: US20180306045A1. Автор: Ted J. Freeman,Joseph P. Lamusga,Chris Barrett. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Radome with ceramic matrix composite

Номер патента: US11901619B2. Автор: Vann Heng,Thomas R. Pinney,Jonathan D. Embler,Robert A. DiChiara,Michael J. Best,Brian L. Muench,Holly M. O'Brien. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-02-13.

Gas turbine engine operation management for optimizing ceramic matrix composite component life

Номер патента: EP3889413A1. Автор: Stephen Harris,Michael Whittle,ian edmonds. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2021-10-06.

Methods of Forming Semiconductor Devices in a Layer of Epitaxial Silicon Carbide

Номер патента: US20230361196A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: Infineon Techmologies Ag. Дата публикации: 2023-11-09.

Silicon carbide power mosfet with floating field ring and floating field plate

Номер патента: WO1993026047A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1993-12-23.

Optimized designing method for laminate preform of ceramic matrix composite

Номер патента: US20220309213A1. Автор: Sheng Zhang,LU Zhang,Chao You,Chenyang Liu,Guoqiang Yu,Yingdong Song,Xiguang GAO,Hongnian Dong,Chengqian Dong. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2022-09-29.

Adaptive vibration amplitude for impact grinding of ceramic matrix composite components

Номер патента: US20240165764A1. Автор: Zhigang Wang,Alan C. Barron,Cheng GAO,John D. Riehl,Andrzej E. Kuczek,Robin H. Fernandez,Evan B. CALLAWAY,John Henry Shaw. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device

Номер патента: EP4113581A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Paolo BADALA',Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-04.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170250082A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Silicon Carbide Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20160181374A1. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190237547A1. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Method of manufacturing silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130017683A1. Автор: Shin Harada,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230335632A1. Автор: Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Piezoelectric single crystal silicon carbide microelectromechanical resonators

Номер патента: US20190305749A1. Автор: Raviv Perahia,Logan D. Sorenson,Lian X. Huang,Jeremy BREGMAN. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2019-10-03.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: EP1796148A3. Автор: Satoshi Tanimoto. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-26.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9397155B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Masaki Furumai,Mitsuhiko Sakai,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150236148A1. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of manufacturing silicon carbide seminconductor device

Номер патента: US20100233832A1. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Silicon carbide substrate

Номер патента: US20110175107A1. Автор: Shin Harada,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-21.

Superjunction silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing superjunction silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240347587A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09985125B1. Автор: Takashi Hasegawa,Osamu Kusumoto,Kouichi Saitou,Osamu Ishiyama,Tsutomu Kiyosawa,Tsuneichiro Sano,Atsushi Ohoka,Daisuke Shindo,Takayuki Wakayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09923062B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Motor drive with silicon carbide MOSFET switches

Номер патента: US09787212B2. Автор: Lixiang Wei,Neil Gollhardt,Kevin Baumann,William Brumsickle,Rangarajan Tallam,Richard Lukaszewski,Navid R. Zargari,Lee Gettelfinger,Stephen E. Denning,Garron Morris,Bruce Weiss,Robert Wright Reese. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US09761453B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Insulated gate silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09741797B2. Автор: Yutaka Fukui,Yuji Abe,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09627525B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09543412B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Conductivity modulation in a silicon carbide bipolar junction transistor

Номер патента: US09478629B2. Автор: Martin Domeij,Benedetto Buono. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of forming trenches in monocrystalline silicon carbide

Номер патента: US5436174A. Автор: Bantval J. Baliga,Dev Alok. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1995-07-25.

Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor

Номер патента: CA2257232A1. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-12-11.

Silicon carbide semiconductor devices having buried silicon carbide conduction barrier layers therein

Номер патента: US5543637A. Автор: Bantval J. Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1996-08-06.

Wafer base for silicon carbide semiconductor devices, incorporating alloy substrates

Номер патента: US5043773A. Автор: Walter Precht,Richard Koba,Donald Kupp,Delwyn Cummings. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1991-08-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200343345A1. Автор: Makoto Utsumi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

High voltage silicon carbide schottky diode flip chip array

Номер патента: WO2019184005A1. Автор: Shu Kin Yau,Sui Wai WONG. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited. Дата публикации: 2019-10-03.

Silicon carbide power mosfet with floating field ring and floating field plate

Номер патента: AU4528993A. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1994-01-04.

Devices with monochromatic liquid crystal on silicon displays

Номер патента: EP4220279A1. Автор: Jacques Gollier. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-02.

Superior silicon carbide integrated circuits and method of fabricating

Номер патента: US20020034852A1. Автор: Dev Alok. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Silicon Carbide Components and Methods for Producing Silicon Carbide Components

Номер патента: US20190067425A1. Автор: Roland Rupp,Ronny Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-02-28.

Silicon carbide components and methods for producing silicon carbide components

Номер патента: US11069778B2. Автор: Roland Rupp,Ronny Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-07-20.

Silicon Carbide Components and Methods for Producing Silicon Carbide Components

Номер патента: US20230334337A1. Автор: Roland Rupp,Ronny Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180090320A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Masaki Miyazato,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Methods of processing semiconductor wafers having silicon carbide power devices thereon

Номер патента: EP1935007A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Matt Donofrio. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-06-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160163853A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Diffusion Bonded Silicon Carbide Having Iridium and Hermetic Silicon Carbide-Iridium Bonds

Номер патента: US20190329519A1. Автор: Brian V. Cockeram. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 2019-10-31.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US12057498B2. Автор: Takehiro Kato,Katsumi Suzuki,Yuichi Takeuchi,Yusuke Yamashita. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of preparing a silicon carbide wafer

Номер патента: EP4214741A2. Автор: Michael Cooke,Andrew Newton,Samantha MAZZAMUTO,Matthew LOVEDAY. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230299144A1. Автор: Shinichiro Matsunaga. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12080762B2. Автор: Makoto Utsumi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180308937A1. Автор: Akira Saito,Takayuki Hirose,Yutaka Terao,Hideaki Teranishi,Aki Takigawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240347599A1. Автор: Cheng-Tyng Yen,Fu-Jen Hsu,Hsiang-Ting Hung. Владелец: Fast SIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332363A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339499A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Yu Saitoh,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Silicon carbide semiconductor device having stacked epitaxial layers

Номер патента: US09997358B2. Автор: Masanobu IWAYA,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09960040B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Youichi Makifuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09922822B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

High temperature transducer using SOI, silicon carbide or gallium nitride electronics

Номер патента: US09915578B2. Автор: Anthony D. Kurtz,Wolf S. Landmann,Alexander A. Ned,Joseph R. VanDeWeert. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09799732B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09799515B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09773874B2. Автор: Yutaka Fukui,Nobuo Fujiwara,Yasuhiro Kagawa,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09722027B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09680006B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09647106B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647072B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Takashi Tsuno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Diffused junction termination structures for silicon carbide devices

Номер патента: US09570560B2. Автор: Qingchun Zhang,Anant K. Agarwal,Tangali S. Sudarshan,Alexander Bolotnikov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09559217B2. Автор: Keiji Wada,Kenji Kanbara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09530703B2. Автор: Hiroshi Sugimoto,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240371766A1. Автор: Yu Saitoh,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09502552B2. Автор: Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Silicon carbide semiconductor apparatus and method of manufacturing same

Номер патента: US09490338B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Seiji Suzuki,Kazuhiro Adachi,Kenji Fukuda,Shinsuke Harada,Tsutomu Yatsuo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits

Номер патента: US09490169B2. Автор: Helmut Hagleitner,Zoltan Ring,Scott Thomas Sheppard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09472635B2. Автор: Shunsuke Yamada,Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Silicon carbide field controlled bipolar switch

Номер патента: CA2285067C. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-05-02.

Silicon carbide n-channel power LMOSFET

Номер патента: US6593594B1. Автор: Dev Alok. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-07-15.

Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor

Номер патента: CA2257232C. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Reflective ohmic contacts for silicon carbide including a layer consisting essentially of nickel, methods of fabricating same, and light emitting devices including the same

Номер патента: MY127699A. Автор: Helmut Hagleitner,David B Slater Jr. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-12-29.

Fiber reinforced glass matrix and glass-ceramic matrix composite articles

Номер патента: US5372868A. Автор: Martin J. Gibler,Karl M. Prewo,Otis Y. Chen,Glenn M. Allen. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1994-12-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10236372B2. Автор: Keiji Okumura,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Method of making a hybride substrate having a thin silicon carbide membrane layer

Номер патента: US6699770B2. Автор: John Tarje Torvik. Владелец: Astralux Inc. Дата публикации: 2004-03-02.

Silicon carbide switching device with rectifying-gate

Номер патента: US5396085A. Автор: Bantval J. Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1995-03-07.

Silicon carbide cmos and method of fabrication

Номер патента: AU2667597A. Автор: David B. Slater Jr.,Lori A. Lipkin,John W Palmour,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1997-11-07.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP4322202A1. Автор: Gregor Langer,Axel Koenig,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-14.

Silicon carbide epitaxial wafer, method for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, and power converter

Номер патента: US20200321437A1. Автор: Masashi Sakai,Yoichiro Mitani,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Large area silicon carbide devices and manufacturing methods therefor

Номер патента: EP1444729B1. Автор: John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-02-23.

Large area silicon carbide devices and manufacturing methods therefor

Номер патента: EP1428268A1. Автор: John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-06-16.

Manufacturing methods for large area silicon carbide devices

Номер патента: EP1428268B1. Автор: John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-02-10.

Bidirectional silicon carbide transient voltage supression devices

Номер патента: US20130240908A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Sarah Kay Haney. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Bidirectional silicon carbide transient voltage suppression devices

Номер патента: EP2409329A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Sarah Kay Haney. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-01-25.

Methods of Re-using a Silicon Carbide Substrate

Номер патента: US20210265484A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240055256A1. Автор: Axel König,Gregor Langer,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods for silicon carbide gate formation

Номер патента: US20230207638A1. Автор: Yi Zheng,Er-Xuan Ping. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Silicon carbide junction barrier schottky diodes with suppressed minority carrier injection

Номер патента: EP1880423A2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-01-23.

Fabricating a silicon carbide and nitride structures on a carrier substrate

Номер патента: AU2021201807A1. Автор: Daniel Yap,Edward H. CHEN,Samuel J. Whiteley,Danny M. Kim,Thaddeus D. Ladd. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-12-02.

Silicon carbide device

Номер патента: US20230275134A1. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Rui Wang,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Silicon Carbide Device and Method for Forming a Silicon Carbide Device

Номер патента: US20240113026A1. Автор: Wolfgang Scholz,Thomas Basler,Edward Fürgut,Martin Gruber,Ravi Keshav Joshi,Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Silicon carbide semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20140001472A1. Автор: Akihiko Furukawa,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-01-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180301536A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for manufacturing a silicon carbide device and a silicon carbide device

Номер патента: US20140284615A1. Автор: Ralf Otremba,Anton Mauder,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-09-25.

Superior silicon carbide integrated circuits and method of fabricating

Номер патента: EP1157412A1. Автор: Dev Alok. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-28.

Apparatus and method for silicon carbide ingot peeling

Номер патента: US20240149494A1. Автор: Yi-Wei Lin,Weng-Jung Lu,Ying-Fang Chang,Pin-Yao Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-05-09.

Composite silicon carbide substrate and preparation method therefor

Номер патента: EP4391070A1. Автор: Chao Guo,Fengwen MU. Владелец: Tj Innovative Semiconductor Substrate Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160300943A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Fabrication of a high temperature silicon carbide transistor device

Номер патента: US11823899B1. Автор: Neil Goldsman,Zeynep Dilli,Akin Akturk,Mitchell Adrian Gross,Aysanew Abate. Владелец: CoolCAD Electronics LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

Silicon carbide semiconductor device and power converter using silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240250165A1. Автор: Yuichi Nagahisa,Kotaro Kawahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of fabricating self-aligned silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US7508000B2. Автор: Bart J. Van Zeghbroeck,John T. Torvik. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide power bipolar devices with deep acceptor doping

Номер патента: US20160035836A1. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20100258816A1. Автор: Yoshitaka Sugawara,Tomonori Nakamura,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Katsunori Asano,Joji Nakayama,Toshiyuki Miyanagi. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Process for manufacturing localized ion implants in silicon-carbide power electronic devices

Номер патента: US20240297044A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Gabriele BELLOCCHI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Silicon carbide mems structures and methods of forming the same

Номер патента: WO2006020674A1. Автор: Chien-Hung Wu,Jeffrey M. Melzak. Владелец: Flx Micro, Inc.. Дата публикации: 2006-02-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09887270B2. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Terahertz modulator based on silicon micro-nano structure and its preparation method

Номер патента: LU500934B1. Автор: Jingbo Liu,Dongxiong LING,Qinnan Zhang. Владелец: Univ Dongguan Technology. Дата публикации: 2022-06-01.

Method of forming a silicon-carbide device with a shielded gate

Номер патента: US09577073B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09490328B2. Автор: Koji Fujisaki,Takashi Takahama,Keisuke Kobayashi,Naoki Tega. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing products, containing silicon substrate with silicon carbide film on its surface and reactor of realising thereof

Номер патента: RU2522812C1. Автор: Сергей Германович Жуков,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2014-07-20.

Silicon carbide shapes resistance heater elements

Номер патента: CA1062891A. Автор: Frank J. Hierholzer (Jr.),John A. Ancona,Gerald L. Shelton. Владелец: EMERSON ELECTRIC CO. Дата публикации: 1979-09-25.

Antimicrobial compositions for oral cavity based on silicon dioxide

Номер патента: RU2727205C2. Автор: Терри НАССИВЕРА,Карл ГАЛЛИС,Эрик ЛИНДКВИСТ,Линда МАУЛЛЕР. Владелец: Эвоник Оперейшнс Гмбх. Дата публикации: 2020-07-21.

Method for increasing current density and degradation resistance of auto-emission codes on silicon plates

Номер патента: RU2654522C1. Автор: Сергей Петрович Тимошенков,Сергей Николаевич Орлов,Геннадий Яковлевич Красников,Валерий Петрович Тимошенков,Равиль Кяшшафович Яфаров,Евгений Сергеевич Горнев,Андрей Равильевич Яфаров. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" (АО "НИИМЭ"). Дата публикации: 2018-05-21.

Silicon carbide interconnect for semiconductor components and method of fabrication

Номер патента: US20030143764A1. Автор: Salman Akram,Alan Wood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2669949A1. Автор: Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-06-05.

Vibratory grinding of silicon carbide

Номер патента: CA1276428C. Автор: Carl H. Mcmurtry,Tadeusz M. Korzekwa,Wolfgang D. G. Boecker. Владелец: Stemcor Corp. Дата публикации: 1990-11-20.

Process for Producing Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20090317983A1. Автор: Koji Nakayama,Yoshitaka Sugawara,Masahiro Nagano,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Ryosuke Ishii,Toshiyuki Miyanagi. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2009-12-24.

Methods of fabricating voltage breakdown resistant monocrystalline silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US5635412A. Автор: Bantval J. Baliga,Dev Alok. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1997-06-03.

Layered structures comprising silicon carbide layers, a process for their manufacture and their use

Номер патента: EP2277194A1. Автор: Norbert Wagner,Chien Hsueh Steve Shih,Alexander Traut. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2011-01-26.

Improvements relating to Silicon Carbide Crystals

Номер патента: GB1182634A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1970-02-25.

Zirconium-coated silicon carbide fuel cladding for accident tolerant fuel application

Номер патента: US11862351B2. Автор: Joonhyung Choi,Yuriy Aleshin. Владелец: Westinghouse Electric Co LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device.

Номер патента: US20160254356A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190214264A1. Автор: Katsumi Suzuki,Shigeyuki Takagi,Yuichi Takeuchi,Masaki Shimomura,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Silicon carbide mosfet inverter circuit

Номер патента: US20190198620A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Silicon carbide MOSFET inverter circuit

Номер патента: US10896960B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-19.

Fabricating a silicon carbide and nitride structures on a carrier substrate

Номер патента: US20210358747A1. Автор: Daniel Yap,Edward H. CHEN,Samuel J. Whiteley,Danny M. Kim,Thaddeus D. Ladd. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-11-18.

Silicon carbide semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170125575A1. Автор: Osamu Kusumoto,Masao Uchida,Nobuyuki HORIKAWA,Atsushi Ohoka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Self Aligned Silicon Carbide Contact Formation Using Protective Layer

Номер патента: US20180076036A1. Автор: Markus Kahn,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Kurt Pekoll,Juergen Steinbrenner,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-15.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210272867A1. Автор: So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210013039A1. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Method for manufacturing a cubic silicon carbide single crystal thin film and semiconductor device based on the cubic silicon carbide single crystal thin film

Номер патента: US20100270561A1. Автор: Masaaki Sakuta,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

High temperature sensors utilizing doping controlled, dielectrically isolated beta silicon carbide (SiC) sensing elements on a specifically selected high temperature force collecting membrane

Номер патента: US20030087481A1. Автор: Anthony Kurtz,Alexander Ned. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Methods of forming uniformly doped deep implanted regions in silicon carbide and silicon carbide layers including uniformly doped implanted regions

Номер патента: US20230420575A1. Автор: Steven Rogers,Edward Robert Van Brunt,Rahul R. Potera. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.