Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Self-Injection Locking Using Resonator On Silicon Based Chip

Self-Injection Locking Using Resonator On Silicon Based Chip

Номер патента: US20220006260A1
Опубликовано: 06-01-2022
Автор(ы): Antman Yair, Gaeta Alexander L., Ji Xingchen, Lipson Michal
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Hybrid III-V on silicon laser device with transverse mode filter

Номер патента: US09941664B1. Автор: Folkert Horst,Herwig Hahn,Marc Seifried. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Photonic circuit with hybrid III-V on silicon active section with inverted silicon taper

Номер патента: US11670912B2. Автор: Antonin GALLET,Théo Verolet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-06.

Photonic circuit with hybrid iii-v on silicon active section with inverted silicon taper

Номер патента: US20210083456A1. Автор: Antonin GALLET,Théo Verolet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-03-18.

Method for operating a frequency agile tunable self-injection locking laser system and self-injection locking laser system

Номер патента: EP4427313A1. Автор: Hao Tian,Tobias Kippenberg,Sunil Bhave,Johann Riemensberger,Grigorii LIKHACHEV,Anat SIDDHARTH. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-09-11.

Method for operating a frequency agile tunable self-injection locking laser system and self-injection locking laser system

Номер патента: US20240322522A1. Автор: Hao Tian,Tobias Kippenberg,Sunil Bhave,Johann Riemensberger,Grigorii LIKHACHEV,Anat SIDDHARTH. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for operating a frequency agile tunable self-injection locking laser system and self-injection locking laser system

Номер патента: WO2023078555A1. Автор: Hao Tian,Tobias Kippenberg,Sunil Bhave,Johann Riemensberger,Grigorii LIKHACHEV,Anat SIDDHARTH. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-05-11.

Self-injection locked tunable laser

Номер патента: US20200295536A1. Автор: Boon S. OOI,Tien Khee Ng,Mohammed Zahed Mustafa KHAN,Md. Hosne Mobarok SHAMIM. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2020-09-17.

Self-injection locked stimulated brillouin scattering laser

Номер патента: US20210384695A1. Автор: Matthew Wade Puckett,Jianfeng Wu,Karl D. Nelson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Self-injection locked stimulated brillouin scattering laser

Номер патента: EP3920346A1. Автор: Matthew Wade Puckett,Jianfeng Wu,Karl D. Nelson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

PLASMON-ACTIVATED MONOLITHIC CAVITIES FOR SELF-INJECTION LOCKING OF LASERS

Номер патента: US20190341742A1. Автор: Matsko Andrey B.,SAVCHENKOV Anatoliy A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Frequency shift self-injection locking-based high-linearity narrow-linewidth swept source

Номер патента: CN114389145A. Автор: 郑小平,薛晓晓,李尚远,李佳钉. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-04-22.

Laser structure on silicon using aspect ratio trapping growth

Номер патента: US09401583B1. Автор: Ning Li,Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Silicon-based mounting structure for semiconductor optical devices

Номер патента: US4937660A. Автор: Yiu-Huen Wong,Norman R. Dietrich,Ralph S. Moyer. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-06-26.

SELF-INJECTION LOCKED TUNABLE LASER

Номер патента: US20200295536A1. Автор: OOI Boon S.,NG Tien Khee,KHAN Mohammed Zahed Mustafa,SHAMIM Md. Hosne Mobarok. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

6.4 tbps silicon-based photonics engine transceiver chip module for high-speed optical communication

Номер патента: US20230253760A1. Автор: Hui Yu,Qiang Zhang. Владелец: Zhejiang Lab. Дата публикации: 2023-08-10.

Long wavelength VCSEL and integrated VCSEL systems on silicon substrates

Номер патента: US11769989B2. Автор: Elad Mentovich,Vladimir Iakovlev,Yuri Berk,Isabelle Cestier. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

External cavity lasing and on-chip self-injection locking based on cascaded grating structures

Номер патента: US20240258769A1. Автор: Matthew Wade Puckett,Neal Eldrich Solmeyer,Jianfeng Wu,Karl D. Nelson,Mary Salit. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Bandwidth enhanced self-injection locked DFB laser with narrow linewidth

Номер патента: US20020163941A1. Автор: Daniel Yap,Tsung-Yuan Hsu,Willie Ng. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2002-11-07.

Silicon-based cooling package for light-emitting devices

Номер патента: US09570666B2. Автор: Gerald Ho Kim,Jay Eunjae Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-14.

Iii-v photonic crystal microlaser bonded on silicon-on-insulator

Номер патента: US20150222092A1. Автор: Axel Scherer,Seheon KIM,William DOS SANTOS FEGADOLLI. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2015-08-06.

Silicon-Based Cooling Apparatus For Laser Gain Medium

Номер патента: US20140269798A1. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-18.

Silicon-Based Lens Support Structure For Diode Laser

Номер патента: US20120275482A1. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-01.

Silicon-based tunable filter, tunable laser and optical module

Номер патента: US20230268718A1. Автор: Xianyao Li,Yuzhou SUN,Wenkai Tu,Defen GUO,Tianhua LIN. Владелец: Innolight Technology Suzhou Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Laser device integrated with semiconductor optical amplifier on silicon substrate

Номер патента: US09960567B2. Автор: Taek Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Monolithic iii-v nanolaser on silicon with blanket growth

Номер патента: US20170012405A1. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Noncontact self-injection-locked sensor

Номер патента: US20190175117A1. Автор: Chih-Lin Chang,Li-Te Yu,Jyun-Kai Huang,Chao-Hsiung Tseng. Владелец: SIL Radar Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Frequency-converted self-injection-locked radar

Номер патента: US20200295770A1. Автор: Fu-Kang WANG,Pin-Hsun Juan,Sheng-You Tian. Владелец: SIL Radar Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Distributed feedback (dfb) laser on silicon and integrated device comprising a dfb laser on silicon

Номер патента: US20210273409A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Distributed feedback (dfb) laser on silicon and integrated device comprising a dfb laser on silicon

Номер патента: EP4111556A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

Template-based epitaxial growth of lattice mismatched materials on silicon

Номер патента: US20190033524A1. Автор: Harry E. Ruda,Igor SAVELYEV,Marina BLUMIN,Christina F. SOUZA. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Laser using locally strained germanium on silicon for opto-electronic applications

Номер патента: US09653639B2. Автор: Birendra Dutt. Владелец: APIC Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

III-V laser platforms on silicon with through silicon vias by wafer scale bonding

Номер патента: US11728616B2. Автор: Dominic F. Siriani,Vipulkumar K. Patel,Jock T. Bovington. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Iii-v laser platforms on silicon with through silicon vias by wafer scale bonding

Номер патента: US20210359490A1. Автор: Dominic F. Siriani,Vipulkumar K. Patel,Jock T. Bovington. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Iii-v laser platforms on silicon with through silicon vias by wafer scale bonding

Номер патента: US20200212649A1. Автор: Dominic F. Siriani,Vipulkumar K. Patel,Jock T. Bovington. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Self-injection-locked phase-locked loop optoelectronic oscillator.

Номер патента: JP2016506545A. Автор: ローデ，ウルリッヒ・エル,ポダー，アジャイ・クマール,ダリウシュ，アフシン・エス. Владелец: Synergy Microwave Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

SELF-INJECTION LOCKED STIMULATED BRILLOUIN SCATTERING LASER

Номер патента: US20210384695A1. Автор: Wu Jianfeng,Nelson Karl D.,Puckett Matthew Wade. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2021-12-09.

Method for on-silicon integration of a component iii-v and on-silicon integrated component iii-v

Номер патента: US20230145652A1. Автор: David BITAULD,Delphine Neel. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2023-05-11.

Silicon-based heat dissipation device for heat-generating devices

Номер патента: US09743555B2. Автор: Gerald Ho Kim,Jay Eunjae Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-22.

Silicon-Based Cooling Package For Laser Gain Medium

Номер патента: US20130299135A1. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-14.

Silicon-based cooling package for cooling and thermally decoupling devices in close proximity

Номер патента: US09769956B2. Автор: Gerald Ho Kim,Jay Eunjae Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Silicon-based base, base substrate and manufacturing method therefor, and optoelectronic device

Номер патента: EP3866186A1. Автор: LEI Liu,Ting Wang,Jianjun Zhang,Nguyen Binh LE,Zhuang Zhao. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2021-08-18.

Method for preparing ER- or ER/O-doped silicon-based luminescent material emitting communication band at room temperature, the luminescent material and ER- or ER/O-SI lasers

Номер патента: US11367998B2. Автор: Yaping Dan,Huimin Wen,Jiajing He. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2022-06-21.

Silicon-Based Heat Dissipation Device For Heat-Generating Devices

Номер патента: US20180019179A1. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-18.

Silicon-based cooling package for laser gain medium

Номер патента: US9184550B2. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-10.

Silicon-Based Cooling Package For Laser Gain Medium

Номер патента: US20130206365A1. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-15.

Silicon-based substrate, substrate, manufacturing method thereof, and optoelectronic device

Номер патента: US20210265528A1. Автор: LEI Liu,Ting Wang,Jianjun Zhang,Nguyen Binh LE,Zhuang Zhao. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for attaching optical components onto silicon-based integrated circuits

Номер патента: US8313962B2. Автор: Vitaly Shchukin,Nikolai Ledentsov,James A. Lott. Владелец: CONNECTOR OPTICS LLC. Дата публикации: 2012-11-20.

Method for preparing er- or er/o-doped silicon-based luminescent material emitting communication band at room temperature, the luminescent material and er- or er/o-si lasers prepared

Номер патента: US20200366063A1. Автор: Yaping Dan,Huimin Wen,Jiajing He. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2020-11-19.

NON-CONTACT PHASE-LOCKED AND SELF-INJECTION-LOCKED VITAL SIGN SENSOR

Номер патента: US20200313680A1. Автор: Tseng Chao-Hsiung,Yu Li-Te. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

NONCONTACT SELF-INJECTION-LOCKED SENSOR

Номер патента: US20190175117A1. Автор: Chang Chih-Lin,Tseng Chao-Hsiung,Yu Li-Te,Huang Jyun-Kai. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

FREQUENCY-CONVERTED SELF-INJECTION-LOCKED RADAR

Номер патента: US20200295770A1. Автор: Wang Fu-Kang,Tian Sheng-You,Juan Pin-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

NON-CONTACT SELF-INJECTION-LOCKED VITAL SIGN SENSOR

Номер патента: US20200359930A1. Автор: Lin Yi-Hua,Tseng Chao-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Frequency-converted self-injection-locked radar

Номер патента: TWI669913B. Автор: 王復康,阮品勳,田勝侑. Владелец: 昇雷科技股份有限公司. Дата публикации: 2019-08-21.

Phase-tracking self-injection-locked radar

Номер патента: US20220128651A1. Автор: Tzyy-Sheng Horng,Kang-Chun PENG,Shiang-Hwua Yu,Wei-Chih Su. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-04-28.

Self-Injection Locking for Low-Power Low-Phase Noise Oscillators

Номер патента: US20190068197A1. Автор: Baher Haroun,Ali Kiaei,Bichoy BAHR. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Wavelength tunable bidirectional optical wireless communication system based on self-injection lock

Номер патента: US11314002B2. Автор: Hsi-Hsir Chou,Wei-Ta HUANG. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2022-04-26.

Wavelength tunable bidirectional optical wireless communication system based on self-injection lock

Номер патента: US20210302631A1. Автор: Hsi-Hsir Chou,Wei-Ta HUANG. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2021-09-30.

Ultra-high q micro-resonator on silicon substrate and method of fabrication thereof

Номер патента: EP1554618A2. Автор: Sean M. Spillane,Kerry J. Vahala,Deniz K. Armani,Tobias J. Kippenberg. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2005-07-20.

Ultra-high q micro-resonator on silicon substrate and method of fabrication thereof

Номер патента: AU2003304193A8. Автор: Kerry J Vahala,Deniz K Armani,Tobias J Kippenberg,Sean M Spillane. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2005-01-04.

Silica-on-silicon-based hybrid integrated optoelectronic chip and manufacturing method therefor

Номер патента: US20150355424A1. Автор: Liang Zhou,Xiaoge Cao,Xianghong Yu. Владелец: Wuhan Telecommunication Devices Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Epitaxial buffer layers for group III-N transistors on silicon substrates

Номер патента: US09583574B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Silica-on-silicon-based hybrid integrated optoelectronic chip and manufacturing method therefor

Номер патента: US09482831B2. Автор: Liang Zhou,Xiaoge Cao,Xianghong Yu. Владелец: Wuhan Telecommunication Devices Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Integration of inductors on silicon-based solar cells

Номер патента: NL2030089B1. Автор: Manganiello Patrizio,ISABELLA Olindo,Auke Van Nijen David. Владелец: Univ Delft Tech. Дата публикации: 2023-06-26.

Method for producing substrate based on silicon carbide and silicon carbide substrate

Номер патента: RU2756815C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2021-10-05.

Silicon-based spin-qubit quantum magnetometer and radar system with all electrical control

Номер патента: US20220190174A1. Автор: Pierre Gandolfo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-16.

Monolithic iii-v-on-silicon opto-electronic phase modulator with a ridge waveguide

Номер патента: US20220011641A1. Автор: Bernardette Kunert,Joris Van Campenhout,Younghyun Kim,Maria Ioanna Pantouvaki,Didit Yudistira. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of nitride monocrystal growth on silicon plate, nitride semi-conductor light emitting diode, which is produced with its utilisation, and method of such production

Номер патента: RU2326993C2. Автор: Хее Сеок ПАРК,ев Юрий Васильевич Жил,Юрий Васильевич ЖИЛЯЕВ,Василий Николаевич БЕССОЛОВ. Владелец: Физико-Технический Институт Имени А.Ф.Иоффе Ран. Дата публикации: 2008-06-20.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Silicon-based spin-qubit quantum magnetometer and radar system with all electrical control

Номер патента: US11894475B2. Автор: Pierre Gandolfo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-06.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: EP2901471A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: WO2014051779A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: US20170141219A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide

Номер патента: WO2018165598A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-09-13.

Method for increasing current density and degradation resistance of auto-emission codes on silicon plates

Номер патента: RU2654522C1. Автор: Сергей Петрович Тимошенков,Сергей Николаевич Орлов,Геннадий Яковлевич Красников,Валерий Петрович Тимошенков,Равиль Кяшшафович Яфаров,Евгений Сергеевич Горнев,Андрей Равильевич Яфаров. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" (АО "НИИМЭ"). Дата публикации: 2018-05-21.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Method for placing nano-diamonds with nv-centers on silicon nitride

Номер патента: RU2761426C2. Автор: Вадим Владиславович Воробьев,Владимир Владимирович Сошенко,Степан Викторович Большедворский,Алексей Владимирович Акимов,Вадим Викторович Ковалюк,Григорий Наумович Гольцман,Павел Павлович Ан,Евгения Витальевна Зубкова,Анна Валерьевна Елманова,Илья Александрович Елманов,София Андреевна Комракова,Джавид Намик оглы Джавадзаде. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский педагогический государственный университет. Дата публикации: 2021-12-08.

Germanium-On-Silicon Avalanche Photodetector In Silicon Photonics Platform, Method Of Making The Same

Номер патента: US20220406955A1. Автор: Yu Li,Masaki Kato. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

High-resistance resistor based on silicon carbide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230317770A1. Автор: Kun Hu,Yuan Tian,Guohui Li,Bingshe Xu,Yanxia CUI,Yuying XI. Владелец: Institute Of New Materials And Chemical Engineering Zhejiang University Shanxi. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of unit level liquid crystal display device assembly process for liquid crystal on silicon

Номер патента: US09829748B2. Автор: Chun Chiu Daniel Wong,Hiap Liew Ong. Владелец: Syndiant Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Hybrid integration of group iii-v semiconductor devices on silicon

Номер патента: EP2795675A1. Автор: John Heck,Avi Feshali,Hanan Bar,Ran FELDESH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-10-29.

HgZnTe DETECTOR ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20240170600A1. Автор: Jeffrey M. Peterson. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-05-23.

Forming LED structures on silicon fins

Номер патента: US09847448B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Sanaz Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Strain compensated REO buffer for III-N on silicon

Номер патента: US09443939B2. Автор: Andrew Clark,Rytis Dargis,Michael Lebby,Radek Roucka,Erdem Arkun. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Light emitting diode on silicon substrate

Номер патента: RU2755933C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Ирина Павловна Смирнова,Александр Сергеевич Гращенко,Лев Константинович Марков,Андрей Евгеньевич Николаев,Алексей Сергеевич Павлюченко,Генадий Викторович Святец,Андрей Федорович Цацульников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2021-09-23.

Method for producing thin membranes of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer membranes obtained by molecular layer precipitation

Номер патента: RU2749573C1. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-06-15.

Method for producing thin films of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer films obtained by molecular layer deposition

Номер патента: RU2749573C9. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-08-17.

Formation of pure silicon oxide interfacial layer on silicon-germanium channel field effect transistor device

Номер патента: US10008386B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Silicon nitride hard mask for epitaxial germanium on silicon

Номер патента: US11830961B2. Автор: Edward J. Preisler,Difeng Zhu. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Aqueous polishing composition and method for chemical-mechanical polishing of substrates, containing film based on silicon oxide dielectric and based on polycrystalline silicon

Номер патента: RU2588620C2. Автор: Шиам Сундар ВЕНКАТАРАМАН,Исон Юй-Шен СУ,Аренд Йоукэ КИНГМА,Бастиан Мартен НОЛЛЕР. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2016-07-10.

Ionizing radiation sensor based on silicon of crucible-free melting zone of p-type conductivity

Номер патента: RU2634324C1. Автор: Владимир Александрович Елин,Михаил Моисеевич Меркин. Владелец: Публичное акционерное общество "Интерсофт Евразия", ПАО "Интерсофт Евразия". Дата публикации: 2017-10-25.

Nitsinitride and oxidized nitsinitride dielectrics on silicon

Номер патента: CA1252372A. Автор: Joseph P. Ellul,Sing P. Tay. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1989-04-11.

Methods, compositions and devices for performing ionization desorption on silicon derivatives

Номер патента: WO2005001423A3. Автор: Bruce Compton,Gary Siuzdak,Zhouxin Shen,Eden Go,Edouard S P Bouvier. Владелец: Edouard S P Bouvier. Дата публикации: 2007-08-16.

Integration of III-V compound materials on silicon

Номер патента: US10217632B2. Автор: SANGHOON Lee,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-26.

Iii-n fet on silicon using field suppressing reo

Номер патента: US20130062609A1. Автор: David Williams,Rytis Dargis,Michael Lebby,Robin Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Integration of III-V compound materials on silicon

Номер патента: US09406566B1. Автор: SANGHOON Lee,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures

Номер патента: US5629531A. Автор: John W. Palmour. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1997-05-13.

Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures

Номер патента: US5776837A. Автор: John W. Palmour. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1998-07-07.

Technique for threshold control over edges of devices on silicon-on-sapphire

Номер патента: US4070211A. Автор: Eliyahou Harari. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1978-01-24.

Germanium-on-silicon avalanche photodetector in silicon photonics platform, method of making the same

Номер патента: US20220069153A1. Автор: Yu Li,Masaki Kato. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Devices and methods related to radio-frequency filters on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US20240154639A1. Автор: James Phillip Young. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Light emitting device grown on silicon substrate

Номер патента: RU2657335C2. Автор: Раджвиндер СИНГХ,Джон Эдвард ЭПЛЕР. Владелец: Люмиледс Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2018-06-13.

Hybrid thermal management for liquid crystal on silicon head-up displays

Номер патента: US11835811B1. Автор: Thomas A. Seder,Taeyoung Han,Kuo-Huey CHEN,Bahram Khalighi,Shailendra Kaushik,Chih-Hung Yen. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

Lead-frame-based chip-scale package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020070433A1. Автор: Eric Ko,Chien-Ping Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-13.

Wafer-level liquid-crystal-on-silicon projection assembly, systems and methods

Номер патента: US09851575B2. Автор: Chun-Sheng Fan. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

High-speed germanium on silicon avalanche photodiode

Номер патента: US09478689B2. Автор: Wang Chen,Su Li,Dong Pan,Pengfei Cai,Mengyuan Huang,Liangbo Wang,Ching-yin Hong. Владелец: SiFotonics Technologies Co Ltd Cayman Islands. Дата публикации: 2016-10-25.

Structure for III-V devices on silicon

Номер патента: US09373502B2. Автор: Errol Antonio C. Sanchez,Xinyu Bao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

System for plausibilizing a first clock of a system base chip of an electrochemical energy store and method for operating a system for plausibilizing a first clock of a system base chip of an electrochemical energy store

Номер патента: US20240162509A1. Автор: Jens Becker,Michael Besemer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-05-16.

Strain compensated reo buffer for iii-n on silicon

Номер патента: US20160133708A1. Автор: Andrew Clark,Rytis Dargis,Michael Lebby,Radek Roucka,Erdem Arkun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-12.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Direct mombe and movpe growth of ii-vi materials on silicon

Номер патента: CA2128590C. Автор: John E. Jensen,Jennifer J. Zinck,Damodaran Rajavel. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1998-08-25.

FABRICATION AND PROCESSING OF GRAPHENE ELECTRONIC DEVICES ON SILICON WITH A SiO2 PASSIVATION LAYER

Номер патента: WO2023183987A1. Автор: Mohammad Choucair,Alexander James PORKOVICH. Владелец: Archer Materials Limited. Дата публикации: 2023-10-05.

Redispersible particles based on silicon particles and polymers

Номер патента: US20200006752A1. Автор: Dominik Jantke,Rebecca Bernhard. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2020-01-02.

Silicon-based anode material and preparation method therefor, and secondary battery

Номер патента: US20230268494A1. Автор: Yucai Zhang,Yuanxin WAN,Zeqin ZHONG,Lingyong Kong,Wangbao REN,Chengben ZHU,Shaozhen HUANG. Владелец: SHENZHEN DYNANONIC CO Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Silicone-based adhesive sheet, multilayer structure including same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: PH12020550712A1. Автор: Manabu Sutoh,Nohno TODA. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-26.

Semiconductor element, and method of forming silicon-based film

Номер патента: EP2230685A3. Автор: Shotaro Okabe,Masafumi Sano,Akira Sakai,Takaharu Kondo,Ryo Hayashi,Shuichiro Suigiyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Composite silicon-based negative electrode material, preparation method therefor, negative electrode sheet comprising same, and lithium-ion secondary battery

Номер патента: US20240250244A1. Автор: LI Wang,YULI Li,Yan Zhou,Junjie Guo,Kazumasa Takeshi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Tandem photovoltaic device combining a silicon-based sub-cell and a perovskite-based sub-cell comprising a p- or n-type material/perovskite composite layer

Номер патента: CA3197677A1. Автор: Noella Lemaitre,Matthieu MANCEAU,Olivier DUPRE. Владелец: 3Sun SRL. Дата публикации: 2022-05-12.

A method of transferring silicon based layer onto polymer film

Номер патента: WO2012074363A1. Автор: Bien Chia Sheng Daniel,Mohd Saman Rahimah,Buyong Muhamad Ramdzan,Mohamad Badaruddin Siti Aishah. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2012-06-07.

Silicon-based anode active material, method for preparing silicon-based anode active material, anode comprising silicon-based anode active material, and secondary battery comprising anode

Номер патента: EP4376124A1. Автор: Yong Ju Lee,Hyun Min Jun,Dong Hyuk Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Silicon-based negative electrode sheet and preparation method therefor, and lithium-ion battery

Номер патента: EP4411900A1. Автор: Yang Li,HAO Zhang,Qian Wang,Guannan Zhu,Yonggang Shi,Zhijian GAN. Владелец: Shanghai Xuanyi New Energy Development Co ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for processing three-dimensional (3d) silicon-based transfer structure based on photosensitive composite, and device manufactured thereby

Номер патента: US20240321588A1. Автор: Liang Zhou,Ziqi Zhang,Chengrui Zhang,Junfa MAO. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-09-26.

Silicon-based optical device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240329435A1. Автор: Jing-Hwang Yang,Wen-Shun Lo,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for passivating silicon-based semiconductor device, and silicon-based semiconductor device

Номер патента: US12125936B2. Автор: Xinyu Zhang,Xueting Yuan. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Porous silicon-based particles, method of preparing the same, and lithium secondary battery including the porous silicon-based particles

Номер патента: US09947922B2. Автор: Yong Ju Lee,Mi Rim Lee,Eun Kyung Kim,Jung Woo Yoo,Han Ho Lee,Chang Rae Lee,Mi Kyeong Lee,Ji Hyun Yoon,Byoung Man BANG,Il Kyo Jeong. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for making crystalline silicon-based solar cell, and method for making solar cell module

Номер патента: US09871161B2. Автор: Daisuke Adachi,Toshihiko Uto. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Hollow silicon-based particle, preparation method thereof and anode active material for lithium secondary battery including the same

Номер патента: US09722242B2. Автор: Wang Mo JUNG,Hong Kyu Park,Chi Ho Jo,Gi Beom Han,Ji Hoon Ryu,Sung Joong Kang. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Active material of negative electrode based on silicone alloy for electric device

Номер патента: RU2508579C2. Автор: Такаси МИЯМОТО,Манабу ВАТАНАБЕ,Осаму ТАНАКА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-02-27.

Contact grid of heterotransitional photoelectric converter based on silicon and method of its manufacture

Номер патента: RU2624990C1. Автор: Алексей Валерьевич Кукин,Геннадий Анатольевич Иванов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Хевел", ООО "Хевел". Дата публикации: 2017-07-11.

Iii-v semiconductor growth initiation on silicon

Номер патента: CA1332141C. Автор: Jack P. Salerno,Jhang Woo Lee,Richard E. Mccullough. Владелец: Kopin Corp. Дата публикации: 1994-09-27.

Methods for forming self-aligned contacts using spin-on silicon carbide

Номер патента: WO2022177828A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Photodetector circuit comprising a compound semiconductor device on silicon

Номер патента: US11881498B2. Автор: Jonathan KLAMKIN. Владелец: Aeluma Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Process for fabricating an optoelectronic device comprising a germanium-on-silicon photodiode optically coupled to an integrated waveguide

Номер патента: US20240069282A1. Автор: Bertrand Szelag. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods related to radio-frequency filters on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US11817895B2. Автор: James Phillip Young. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Photodetector circuit comprising a compound semiconductor device on silicon

Номер патента: US20240162270A1. Автор: Jonathan KLAMKIN. Владелец: Aeluma Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Gallium nitride-on-silicon devices

Номер патента: US20240145587A1. Автор: Jun-De JIN,Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Non-destructive bond line thickness measurement of thermal interface material on silicon packages

Номер патента: US20210123729A1. Автор: Yu Luo,Hongqing Zhang,David J. Lewison,Jay A. Bunt,Joyce Molinelli Acocella. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Methods for Forming Self-Aligned Contacts Using Spin-on Silicon Carbide

Номер патента: US20220262679A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Gallium nitride-on-silicon devices

Номер патента: US11888055B2. Автор: Jun-De JIN,Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Gallium nitride-on-silicon devices

Номер патента: US20210305419A1. Автор: Jun-De JIN,Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Tandem photovoltaic device combining a silicon-based sub-cell and a perovskite-based sub-cell comprising an n-layer with controlled carbon content

Номер патента: AU2021374854A9. Автор: Noella Lemaitre,Stephane Cros,Matthieu MANCEAU,Pia DALLY,Olivier DUPRE. Владелец: 3Sun SRL. Дата публикации: 2024-06-20.

Tandem photovoltaic device combining a silicon-based sub-cell and a perovskite-based sub-cell comprising a p- or n-type material/perovskite composite layer

Номер патента: AU2021375370A1. Автор: Noella Lemaitre,Matthieu MANCEAU,Olivier DUPRE. Владелец: 3Sun SRL. Дата публикации: 2023-06-22.

Apparatus for mass-producing sulicon-based thin film and method for mass-producing silicon-based thin film

Номер патента: EP2107592A3. Автор: Takao Saito,Minoru Imaeda,Yuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Silicone based resin composition, and semiconductor device comprising the same

Номер патента: WO2024149457A1. Автор: Jungyu Lee,Taejoon KIM,Jonghak CHOI,YoungHyuk Joo. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for surface treatment of silicon based substrate

Номер патента: US20020148810A1. Автор: Hiroshi Haji,Kiyoshi Arita,Shoji Sakemi,Tetsuhiro Iwai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-17.

Method for low-temperature sharpening of silicon-based field emitter tips

Номер патента: US20020187714A1. Автор: John Dunfield,Donald Milligan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Hollow/porous silicon-based composite material and preparation method thereof

Номер патента: US12100833B2. Автор: LUO Yan,Anhua ZHENG. Владелец: Guangdong Kaijin New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Silicon-based anode material for lithium-ion battery, preparation method therefor, and battery

Номер патента: US12095093B2. Автор: Fei Luo,HAO LU,Bonan Liu,Geng Chu. Владелец: Tianmulake Excellent Anode Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Perovskite silicon-based laminated solar cell and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4432810A1. Автор: Xin Dong,Lei DING,Bo He,Yongcai He,Yonglei Wang. Владелец: Xian Longi Solar Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Silicon-based thin films from N-alkyl substituted perhydridocyclotrisilazanes

Номер патента: US12065737B2. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Porous silicon-based anode active material, method of preparing the same, and lithium secondary battery including the anode active material

Номер патента: US09843034B2. Автор: Yong Ju Lee,Mi Rim Lee,Je Young Kim,Jung Woo Yoo. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for manufacturing crystalline silicon-based solar cell and method for manufacturing crystalline silicon-based solar cell module

Номер патента: US09634176B2. Автор: Daisuke Adachi,Hisashi Uzu,Masanori Kanematsu. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Embedded silicon-based device components in a thick core substrate of an integrated circuit package

Номер патента: US20240222213A1. Автор: Ronilo Boja,Padam Jain. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Silicon-based material, method for producing the same and applications thereof

Номер патента: US20220344652A1. Автор: Hsiao-Hsuan SHEN. Владелец: Eternal Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Silicon-based hetero-junction solar cell and photovoltaic module

Номер патента: WO2024109576A1. Автор: Zhiguang Zhang,Leizhen HU,Huiguo ZHANG,Silin MENG,Changrong ZHANG. Владелец: Jiangsu Clelo Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and silicone-based resin composition contained therein

Номер патента: WO2024083341A1. Автор: Jungyu Lee,Taejoon KIM,Jonghak CHOI,YoungHyuk Joo. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of manufacturing amorphous silicon based thin film photoelectric conversion device

Номер патента: EP1032054B1. Автор: Kenji Yamamoto,Masashi Yoshimi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2006-07-05.

Apparatus for depositing silicon-based thin film and method for depositing silicon-based thin film

Номер патента: US7927981B2. Автор: Takao Saito,Minoru Imaeda,Yuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2011-04-19.

Silicon-based particle-polymer composite and negative electrode active material comprising the same

Номер патента: US20200365882A1. Автор: Yong Ju Lee,Je Young Kim,Su Min Lee,Rae Hwan Jo,Jung Hyun Choi,Se Mi Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Silicone based resin composition, and semiconductor device comprising the same

Номер патента: WO2024149458A1. Автор: Jungyu Lee,Taejoon KIM,Jonghak CHOI,YoungHyuk Joo. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Silicon-based thin films from n-alkyl substituted perhydridocyclotrisilazanes

Номер патента: US20240279806A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Apparatus for depositing silicon-based thin film and method for depositing silicon-based thin film

Номер патента: EP2107593A3. Автор: Takao Saito,Minoru Imaeda,Yuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2011-12-14.

Silicon-based composite material and preparation method therefor, negative electrode material, and lithium-ion battery

Номер патента: EP4439733A1. Автор: Cheng Cheng,Mao Xu,Zhiquan Wang,Yuanyuan Rao. Владелец: Hefei Gotion Battery Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Capacity compensating electrolyte with sulfite solvent for lithium ion batteries with silicon-based anodes

Номер патента: US12119451B2. Автор: Peng Lu,Wei Zhou,Kai Yan,Tsuyonobu Hatazawa. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Silicon-based composite anode active material for secondary battery, anode comprising same

Номер патента: US11031588B2. Автор: Jung Young Cho,Seung-Min Oh,Yoon Sung Lee,Yeolmae YEO. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-06-08.

Silicon-based molded body and method for continuously preparing silicon oxide by using same

Номер патента: EP4403518A1. Автор: Sunho Choi,Jaewoo Lee,Junghoon Cheon,Jingee PARK. Владелец: Posco Silicon Solution Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Silicone-based thermal interface materials

Номер патента: US09911681B2. Автор: Jing Zhang,Joseph Kuczynski,Jason T. Wertz,Sarah K. Czaplewski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Nanostructured silicon based solar cells and methods to produce nanostructured silicon based solar cells

Номер патента: US09705017B2. Автор: Anja Boisen,Ole Hansen,Rasmus Schmidt DAVIDSEN,Michael Stenbaek Schmidt. Владелец: Danmarks Tekniskie Universitet. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for producing silicon-based negative electrode active material, negative electrode active material for lithium secondary battery, and lithium secondary battery comprising same

Номер патента: US09660254B2. Автор: Soojin Park,Jaephil Cho,Byoung Man BANG,Sin Ho CHOI. Владелец: SJ MATERIALS Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Anode Active Material for All-Solid-State Battery Comprising Carbon-Based Material and Silicon-Based Material and Method of Manufacturing Same

Номер патента: US20220166008A1. Автор: HONG Seok Min,Sang Heon Lee,Yun Sung Kim,Yong Gu Kim,Sung Woo Noh,Yong Jun Jang,In Woo Song,Ju Yeong Seong,Yong Sub Yoon,Jae Phil Cho,A Reum Ha,Ki Hong Ahn. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Silicon-based anode material with high stability and conductivity for lithium-ion batteries and preparation method thereof

Номер патента: US20240178371A1. Автор: Bin Zhang,Junyan Zhang,Zhengde Wang. Владелец: Lanzhou Institute Of Chemical Physics Cas. Дата публикации: 2024-05-30.

Silicon-based composite material for negative electrode of lithium ion battery, preparation method therefor and application thereof

Номер патента: EP4270536A1. Автор: Daoyi JIANG,Zhihuan Chen. Владелец: Ningde Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Manufacturing method for flexible silicon-based cell module

Номер патента: US11973162B2. Автор: Hsin-Wang Chiu. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Silicon-Based Composite Anodes for High Energy Density, High Cycle Life Solid-State Lithium-Ion Battery

Номер патента: US20220376255A1. Автор: Zhigang Lin,Kevin Zanjani. Владелец: Solid Energies Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for Manufacturing a Transistor Device Comprising a Germanium Channel Material on a Silicon Based Substrate, and Associated Transistor Device

Номер патента: US20160126109A1. Автор: Roger Loo,Jianwu Sun. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-05-05.

Silicon-based composite materials, lithium-ion battery anodes, lithium-ion batteries, and preparing methods thereof

Номер патента: US20240297301A1. Автор: Jianbin Li,Yurong REN,Hongshun ZHAO. Владелец: CHANGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-05.

Silicon-based substrate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09966259B2. Автор: Masaru Shinomiya,Ken Sato,Hirokazu Goto,Hiroshi Shikauchi,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto. Владелец: Shanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Silicon-based compound and organic light-emitting diode comprising the same

Номер патента: US09773987B2. Автор: Seok-Hwan Hwang,Young-Kook Kim,Hye-jin Jung,Jin-O Lim,Jong-hyuk Lee,Jun-Ha Park,Eun-young Lee,Sang-hyun Han,Eun-Jae Jeong,Soo-Yon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Silicon-based substrate having first and second portions

Номер патента: US09673052B2. Автор: Masaru Shinomiya,Ken Sato,Hirokazu Goto,Hiroshi Shikauchi,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Surface modification compositions, methods of modifying silicon-based materials, and methods of forming high aspect ratio structures

Номер патента: US09653307B1. Автор: Michael T. Andreas,Sanjeev Sapra,Prashant Raghu,Jerome A. Imonigie,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for manufacturing a transistor device comprising a germanium channel material on a silicon based substrate, and associated transistor device

Номер патента: US09640411B2. Автор: Roger Loo,Jianwu Sun. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-05-02.

Silicon-based composite and production method thereof

Номер патента: US09627681B2. Автор: Yoon Ah Kang,Yong Ju Lee,Mi Rim Lee,Je Young Kim,Hye Ran Jung. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Silicon-based anode and method for manufacturing the same

Номер патента: US09543575B2. Автор: Igor Luzinov,Bogdan Zdyrko,Gleb Nikolayevich Yushin,Alexandre Magasinski. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Pre-lithiated silicon-based anode, and manufacturing method thereof

Номер патента: US11923532B2. Автор: Lei Wang,QIANG Lu,Jingjun Zhang,Yunhua Chen,Chuanling LI,Rongrong JIANG,Xiaogang HAO,Yuqian Dou. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-03-05.

Tandem photovoltaic device combining a silicon-based sub-cell and a perovskite-based sub-cell including an n-layer with controlled carbon content

Номер патента: US20240016052A1. Автор: Noella Lemaitre,Stephane Cros,Matthieu MANCEAU,Pia DALLY,Olivier DUPRE. Владелец: Enel Green Power Italia SRL. Дата публикации: 2024-01-11.

Silicon-based negative electrode composite material and lithium secondary battery

Номер патента: EP4220758A1. Автор: Hong Li,Fei Luo,Bonan Liu,Yingying YIN. Владелец: Tianmulake Excellent Anode Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Silicon-based negative electrode material, preparation method therefor and use thereof in lithium-ion battery

Номер патента: EP3726630A1. Автор: Min Yue,Youyuan Huang,Jianguo Ren,Chunlei PANG,Zhiqiang DENG. Владелец: BTR New Material Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-21.

Silicon-based negative electrode material, preparation method therefor and use thereof in lithium-ion battery

Номер патента: US20200280061A1. Автор: Min Yue,Youyuan Huang,Jianguo Ren,Chunlei PANG,Zhiqiang DENG. Владелец: BTR New Material Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

A silicone-based fire protection sheet, its production process, and battery package having the sheet

Номер патента: WO2024055287A1. Автор: Bizhong Zhu,Xiangyang Tai,Fuming Huang. Владелец: Dow Silicones Corporation. Дата публикации: 2024-03-21.

Self-filled coated silicon-based composite material, method for preparing same, and use thereof

Номер патента: US20220181608A1. Автор: Yongjun Yang,Anhua ZHENG,Dexin Yu,Yunlin Yang. Владелец: Guangdong Kaijin New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Silicon-based nanowire, preparation method thereof, and thin film transistor

Номер патента: US11860541B2. Автор: Xue Dong,Guangcai Yuan,Feng Guan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Silicon-based nanowire, preparation method thereof, and thin film transistor

Номер патента: US20210240080A1. Автор: Xue Dong,Guangcai Yuan,Feng Guan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Silicon-based film formation process, silicon-based film, semiconductor device, and silicon-based film formation system

Номер патента: US20030143822A1. Автор: Hiroyuki Ozaki,Tadashi Sawayama,Masafumi Sano,Akira Sakai,Yoshinori Sugiura,Takaharu Kondo,Ryo Hayashi,Shuichiro Sugiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Silicon-based anode material and preparation method thereof

Номер патента: US20230420660A1. Автор: Rusheng Fu,Yonglong WANG,Dexin Yu,Yunlin Yang. Владелец: Guangdong Kaijin New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Silicon-based fan out package structure and preparation method therefor

Номер патента: US20230317559A1. Автор: Wei Wang,Yuchi YANG,Jianyu DU. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-05.

Silicon-based composite negative electrode material, preparation method therefor, and energy storage device

Номер патента: EP4235865A3. Автор: HANG Su,Yangxing Li,Pinghua Wang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Uniformly modified silicon-based composite material, preparation method therefor and application thereof

Номер патента: EP4358181A1. Автор: Fei Luo. Владелец: Tianmulake Excellent Anode Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Silicon-based negative electrode material and method for preparing the same, and battery

Номер патента: US20230402588A1. Автор: Yilei CHEN. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Silicon-based negative electrode material and preparation method therefor, and negative electrode, battery and electronic apparatus

Номер патента: EP4287311A1. Автор: Yilei CHEN. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2023-12-06.

Tandem photovoltaic device combining a silicon-based sub-cell and a perovskite-based sub-cell comprising a p- or n-type material/perovskite composite layer

Номер патента: US20240008296A1. Автор: Noella Lemaitre,Matthieu MANCEAU,Olivier DUPRE. Владелец: Enel Green Power Italia SRL. Дата публикации: 2024-01-04.

Silicon-based anodes for high energy-density, high cycle-life lithium-ion battery

Номер патента: US20230163282A1. Автор: Shuyi Chen,Zhigang Lin,Chunhu Tan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-25.

Carbon-coated lithiated silicon-based electroactive materials and methods of making the same

Номер патента: US20230231110A1. Автор: Xiaochao Que,Haijing Liu,Meiyuan Wu,Mengyan Hou. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-07-20.

Silicon-based composite negative electrode material, preparation method therefor, and energy storage device

Номер патента: EP3799161A1. Автор: HANG Su,Yangxing Li,Pinghua Wang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-31.

Silicon-based PT/PZT/PT sandwich structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020175356A1. Автор: Zhi-Jian Li,Lin-Tao Zhang,Tian-Ling Ren,Li-Tian Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-28.

Silicone based circuit board indicator led lens

Номер патента: EP2186142A1. Автор: Richard Liskoff. Владелец: Dialight Corp. Дата публикации: 2010-05-19.

Silicon-based quantum processor

Номер патента: WO2024078949A1. Автор: Ross Cho Chun LEON,Miguel Fernando Gonzalez-Zalba. Владелец: Quantum Motion Technologies Limited. Дата публикации: 2024-04-18.

Multi-step deep reactive ion etching fabrication process for silicon-based terahertz components

Номер патента: US20140340178A1. Автор: Choonsup Lee,Goutam Chattopadhyay,Robert H. Lin,Imran Mehdi,Ken B. Cooper,Cecile Jung-Kubiak,Alejandro Peralta,Theodore Reck,Jose Vicente Siles Perez. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2014-11-20.

Silicon-based PT/PZT/PT sandwich structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030089924A1. Автор: Zhi-Jian Li,Lin-Tao Zhang,Tian-Ling Ren,Li-Tian Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Multi-Layered Anode Containing Silicon-Based Compound and Lithium Secondary Battery Including the Same

Номер патента: US20240258504A1. Автор: Tae Hee Kim,Dong Hwi Kim,Nanji YUN,Yojin KIM,Hyunkyung Do. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Multi-Layered Anode Containing Silicon-Based Compound and Lithium Secondary Battery Including the Same

Номер патента: US20240258507A1. Автор: Tae Hee Kim,Dong Hwi Kim,Nanji YUN,Yojin KIM,Hyunkyung Do. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Silicon-based polymer-derived ceramic composites comprising H-BN nanosheets

Номер патента: US10093584B2. Автор: Gurpreet Singh,Lamuel David. Владелец: Kansas State University. Дата публикации: 2018-10-09.

A method of transferring silicon based layer onto polymer film

Номер патента: MY155587A. Автор: Daniel Bien Chia SHENG,Muhamad Ramdzan Buyong,Siti Aishah Mohamad Badaruddin,Rahimah Mohd Saman. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2015-11-03.

Movable jig for silicon-based thin film solar cell

Номер патента: US20120142137A1. Автор: Yi Li,Jianhua Zhou,Zhijiang Li,Zhubing He,Shengming Hu,Chunzhu Wang. Владелец: Shenzhen Trony Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Method for fabricating a self-limiting silicon based interconnect for testing bare semiconductor dice

Номер патента: AU4232396A. Автор: Salman Akram,Warren M Farnworth,Alan G Wood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-05-31.

Silicon-based quantum dot device

Номер патента: US20170288076A1. Автор: David Williams,Yuji Suwa,Ryuta Tsuchiya,Aleksey Andreev. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-10-05.

Positive electrode lead paste for long-life silicon-based bipolar lead battery and preparation method thereof

Номер патента: US20240304807A1. Автор: Bo Zhang,Shuxiang Zhang,Jianghong DOU,Nawa HOU. Владелец: Anhui Leoch Battery Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Silicon-based quantum dot device

Номер патента: US09941430B2. Автор: David Williams,Yuji Suwa,Ryuta Tsuchiya,Aleksey Andreev. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Material structure for low thermal resistance silicon-based gallium nitride microwave and millimeter-wave devices and manufacturing method thereof

Номер патента: US12142643B2. Автор: LU Hao,Yue Hao,Zhihong Liu,Junwei Liu,Jincheng Zhang,Weihang Zhang,Yachao Zhang,Kunlu SONG. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2024-11-12.

Method of making thermally-isolated silicon-based integrated circuits

Номер патента: US09824932B1. Автор: Roy Olsson,Kenneth Wojciechowski,Peggy J. Clews,Todd Bauer. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Silicon-based anode active material and secondary battery comprising the same

Номер патента: US09780357B2. Автор: Yong Ju Lee,Mi Rim Lee,Je Young Kim,Hye Ran Jung,Soo Jin Park,Jung In Lee,Jae Phil Cho. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for fabrication of a silicon-based component with at least one optical illusion pattern

Номер патента: US09740174B2. Автор: Pierre Cusin,Alex Gandelhman,Michel MUSY. Владелец: Nivarox Far SA. Дата публикации: 2017-08-22.

Thermally-isolated silicon-based integrated circuits and related methods

Номер патента: US09646874B1. Автор: Roy H. Olsson,Kenneth Wojciechowski,Peggy J. Clews,Todd Bauer. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Sensor arrangement with a silicon-based optical sensor and a substrate for functional layer systems

Номер патента: US09595554B2. Автор: Gunter Siess,Wilfried Krueger,Marcus ROEPPISCHER. Владелец: MAZeT GmbH. Дата публикации: 2017-03-14.

Silicon-based compound and organic light emitting diode comprising the same

Номер патента: US09525145B2. Автор: Jae-Young Hwang,Mi-Kyung Kim,Chang-Woong Chu,Soon-ki Kwon,Yun-hi Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of GNU. Дата публикации: 2016-12-20.

Device and method for restoring silicon-based photovoltaic solar cells

Номер патента: US09520528B2. Автор: Sebastien Dubois,Nicolas Enjalbert,Pierre Gidon,Jean-Paul Garandet,Jordi Veirman,Florent Tanay. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-12-13.

Device and method for restoring silicon-based solar cells using an ultrasound transducer

Номер патента: US09484483B2. Автор: Sebastien Dubois,Nicolas Enjalbert,Pierre Gidon,Jean-Paul Garandet,Jordi Veirman,Florent Tanay. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-01.

Silicon based MEMS microphone, a system and a package with the same

Номер патента: US09438972B2. Автор: Zhe Wang,Mengjin CAI. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method to make fibres of silicon or silicon-based material, and their application in rechargeable lithium accumulators

Номер патента: RU2444092C2. Автор: Мино ГРИН,Фенг-Минг ЛИУ. Владелец: Нексеон Лтд.. Дата публикации: 2012-02-27.

Silicon-based anode material and preparation method thereof, lithium ion battery

Номер патента: CA3203562A1. Автор: Zhihong Wu,Fei Ma,Dongdong Liu,Liangqin WEI,Yuhu WU,Xiaoyang Ding,Fengfeng LI. Владелец: Shanghai Shanshan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Silicon-based lithium storage material and preparation method therefor

Номер патента: EP4231382A1. Автор: Zhihong Wu,Fei Ma,Dongdong Liu,Fengfeng LI. Владелец: Shanghai Shanshan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Recycling silicon from batteries with silicon-based active materials

Номер патента: US20230395887A1. Автор: Xiang Li,Benjamin Yong Park,Heidi Anderson. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Silicon-based anode material for secondary battery and preparation method thereof, secondary battery

Номер патента: US11876220B2. Автор: Zhihong Wu,Fei Ma,Dongdong Liu,Liangqin WEI,Yuhu WU,Xiaoyang Ding,Fengfeng LI. Владелец: Shanghai Shanshan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Silicon-based negative electrode material, preparation method therefor and application thereof

Номер патента: EP4340088A1. Автор: Fei Luo. Владелец: Tianmulake Excellent Anode Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Uniformly modified cathode material for silicon-based lithium ion battery, preparation method therefor and application thereof

Номер патента: EP4340066A1. Автор: Fei Luo. Владелец: Tianmulake Excellent Anode Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Silicon-based particle with core-shell structure, method for preparing the same, anode material, electrode and battery

Номер патента: US20240002239A1. Автор: Zhe Li,Shu Luo,Daosong ZHA,Hebao ZHANG,Cen WANG. Владелец: Berzelius Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Silicon-based carbon composite, preparation method therefor, and anode active material comprising same

Номер патента: US20230238514A1. Автор: Jong Chan Lim,Junghyun Lee,Hyun Hee Lim,Seul Gi Lee,Heonsoo Park. Владелец: Dae Joo Electronic Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Porous silicon-based carbon composite, method for preparing same, and negative electrode active material comprising same

Номер патента: US20230352665A1. Автор: Seung Min Oh,Jong Chan Lim,Jung Hyun Lee,Hyun Seok Lee,Jeong Gyu PARK,Young Min Jeon,Hyun Hee Lim,Sung Woo Lim,Heon Soo Park. Владелец: Dae Joo Electronic Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Silicon-based composite battery anode material, preparation method thereof, and energy storage device

Номер патента: US20210175497A1. Автор: HANG Su,Yangxing Li,Pinghua Wang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Lithium-doped silicon-based negative electrode active material, method of producing the same, method of post-treating the same, and negative electrode and secondary battery including the same

Номер патента: EP4286329A1. Автор: Ju Ho Chung,Eun Jun Park,Joon Hyung Moon. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Silicon-based composite material with pomegranate-like structure, method for preparing same, and use thereof

Номер патента: US20220181614A1. Автор: Yongjun Yang,Anhua ZHENG,Dexin Yu,Yunlin Yang. Владелец: Guangdong Kaijin New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Capacity Compensating Electrolyte With Sulfite Solvent For Lithium Ion Batteries With Silicon-Based Anodes

Номер патента: US20210376385A1. Автор: Peng Lu,Wei Zhou,Kai Yan,Tsuyonobu Hatazawa. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Electrolyte for lithium-ion batteries with silicon-based anodes

Номер патента: US20230420742A1. Автор: Woo Cheol Shin,Oujung Kwon,Hyea Kim. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Propylene carbonate-based electrolyte for lithium ion batteries with silicon-based anodes

Номер патента: WO2022026086A1. Автор: Woo Cheol Shin,Oujung Kwon,Hyea Kim. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2022-02-03.

Propylene Carbonate-Based Electrolyte For Lithium Ion Batteries With Silicon-Based Anodes

Номер патента: US20220037699A1. Автор: Woo Cheol Shin,Oujung Kwon,Hyea Kim. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Passivated silicon-based anode material particles

Номер патента: US11831012B2. Автор: Daniel Aronov,Hani FARRAN,Ohad Goldbart,Nitzan SHADMI. Владелец: Storedot Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Preparation method of silicon-based molecular beam heteroepitaxy material, memristor, and use thereof

Номер патента: US11974512B2. Автор: Zhen Zhao,Xiaobing Yan,Haidong HE. Владелец: Hebei University. Дата публикации: 2024-04-30.

Apparatus for mass-producing silicon-based thin film and method for mass-producing silicon-based thin film

Номер патента: US20090246943A1. Автор: Takao Saito,Minoru Imaeda,Yuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Apparatus for mass-producing silicon-based thin film and method for mass-producing silicon-based thin film

Номер патента: US7927982B2. Автор: Takao Saito,Minoru Imaeda,Yuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2011-04-19.

Silicon-based negative electrode material containing silicate skeleton, negative electrode plate, and lithium battery

Номер патента: EP4220757A1. Автор: Hong Li,Fei Luo,Bonan Liu,Yingying YIN. Владелец: Tianmulake Excellent Anode Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Negative electrode including silicon-based negative electrode active material and secondary battery including the same

Номер патента: US20230395792A1. Автор: Eun Jun Park,Joon Hyung Moon,Jung Hyun Yun. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Silicon-based composite material, lithium ion battery, and preparation method thereof

Номер патента: US20220352509A1. Автор: Peng He,Jianguo Ren,Xueqin He,Chengmao XIAO. Владелец: BTR New Material Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Silicon-based anode material and preparation method thereof, lithium ion battery

Номер патента: CA3203562C. Автор: Zhihong Wu,Fei Ma,Dongdong Liu,Liangqin WEI,Yuhu WU,Xiaoyang Ding,Fengfeng LI. Владелец: Shanghai Shanshan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Porous Silicon-Based Composite, Preparation Method Therefor, And Anode Active Material Comprising Same

Номер патента: US20240010503A1. Автор: Jong Chan Lim,Jung Hyun Lee,Hyun Seok Lee,Jeong Gyu PARK,Young Min Jeon,Hyun Hee Lim,Eo Rang LEE. Владелец: Dae Joo Electronic Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Silicon-based anode material for secondary battery and preparation method thereof, secondary battery

Номер патента: US20240105924A1. Автор: Zhihong Wu,Fei Ma,Dongdong Liu,Liangqin WEI,Yuhu WU,Xiaoyang Ding,Fengfeng LI. Владелец: Shanghai Shanshan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Silicon-based negative electrode material containing silicate skeleton, negative electrode plate, and lithium battery

Номер патента: US20230369589A1. Автор: Hong Li,Fei Luo,Bonan Liu,Yingying YIN. Владелец: Tianmutake Excellent Anode Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

A silicon-based lithium storage material and a preparation method thereof

Номер патента: US20230361279A1. Автор: Zhihong Wu,Fei Ma,Dongdong Liu,Fengfeng LI. Владелец: Shanghai Shanshan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Lithium-doped silicon-based negative electrode active material, method of producing the same, method of post-treating the same, and negative electrode and secondary battery including the same

Номер патента: US20230395800A1. Автор: Ju Ho Chung,Eun Jun Park,Joon Hyung Moon. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of manufacturing epitaxial wafer and silicon-based substrate for epitaxial growth

Номер патента: US20160365239A1. Автор: Shoichi Kobayashi,Hirotaka Kurimoto,Masaru Shinomiya,Ken Sato,Hirokazu Goto,Hiroshi Shikauchi,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Silicon based shape memory alloy negative active material, negative active material composition including same, rechargeable lithium battery including same, and method of preparing same

Номер патента: US20130130112A1. Автор: Chun-Gyoo Lee,Byung-joo Chung. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Method of manufacturing amorphous silicon based thin film photoelectric conversion device

Номер патента: AU4473399A. Автор: Kenji Yamamoto,Masashi Yoshimi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2000-08-31.

Silicon-based micro display screen and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230120428A1. Автор: Feng Zhang,Jian Sun,Yudi Gao,Wenbin Zhou,Xiaolong Yang,Xiaosong Du. Владелец: Kunshan Fantaview Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Silicon-based active material particles, silicon-based active material precursor particles and method for producing same

Номер патента: EP4155267A1. Автор: Yusuke KASHITANI,Kohki TAKESHITA. Владелец: Osaka Titanium Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-29.

Silicon-based active material particles, silicon-based active material precursor particles

Номер патента: US20230080920A1. Автор: Yusuke KASHITANI,Kohki TAKESHITA. Владелец: Osaka Titanium Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Integration of compound-semiconductor-based devices and silicon-based devices

Номер патента: EP4210088A1. Автор: Mark Levy,Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Alvin Joseph. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Silicon-Based Photovoltaic Cell and Its Red Light Conversion Layer

Номер патента: US20090025792A1. Автор: Soshchin Naum,Wei-Hung Lo,Chi-Ruei Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Negative electrode containing two types of silicon-based materials and lithium secondary battery including the same

Номер патента: US20240204189A1. Автор: Sang Gil WOO,Je Nam LEE. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-06-20.

Energy storage device containing a pre-lithiated silicon based anode and a carbon nanotube based cathode

Номер патента: US20210175495A1. Автор: John Collins,Ali Afzali-Ardakani,Devendra K. Sadana,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Method for producing silicon-based active material particles and silicon-based active material precursor particles

Номер патента: US20220416234A1. Автор: Yusuke KASHITANI,Kohki TAKESHITA. Владелец: Osaka Titanium Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Silicon-based hetero-junction solar cell and photovoltaic module

Номер патента: US20240170599A1. Автор: Zhiguang Zhang,Leizhen HU,Huiguo ZHANG,Silin MENG,Changrong ZHANG. Владелец: Jiangsu Clelo Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Silicon based conductive material and process for production thereof

Номер патента: CA2307231C. Автор: Osamu Yamashita,Nobuhiro Sadatomi,Shunichi Haruyama,Tsunekazu Saigou. Владелец: Neomax Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-20.

Silicone-based thermal interface materials

Номер патента: US9673127B2. Автор: Jing Zhang,Joseph Kuczynski,Jason T. Wertz,Sarah K. Czaplewski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of making integrated circuit silicon die composite having hot melt adhesive on its silicon base

Номер патента: US4624724A. Автор: Gary C. Davis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-11-25.

Silicon based light emitting diode

Номер патента: US20090242913A1. Автор: Kyung-hyun Kim,Gun-Yong Sung,Tae-Youb KIM,Nae-Man Park. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2009-10-01.

Anode including graphite and silicon-based material having different diameters and lithium secondary battery including the same

Номер патента: US11929490B2. Автор: Sunghae PARK,Junghyun Choi,Minsu Cho,Joo Hwan Sung,Sue Jin KIM,Hyeon Min Song,Han Sol Park,Jingoo KWAK,Younguk Park,Jinsu JANG. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Manufacturing method for flexible silicon-based cell module

Номер патента: US20230170433A1. Автор: Hsin-Wang Chiu. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Integrated silicon-based nonlinear photodetector

Номер патента: US8515216B2. Автор: Marin Soljacic,Erich P. Ippen,Jorge Bravo Abad. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-08-20.

Silicone-based adhesive sheet, multilayer structure including same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: EP3730567A1. Автор: Manabu Sutoh,Nohno TODA. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-28.

Organic light-emitting diode (OLED) image display apparatus driven by silicon-based complementary metal oxide semiconductor (CMOS) and manufacturing method

Номер патента: US10763318B2. Автор: Ping Liu. Владелец: Shenzhen Dianbond Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

System and method of generating quantum unitary noise using silicon based quantum dot arrays

Номер патента: US20220149823A1. Автор: Dirk Robert Walter Leipold,Robert Bogdan Staszewski,Imran Bashir,David J. Redmond. Владелец: Equal1 Labs Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

System and method of quantum stochastic rounding using silicon based quantum dot arrays

Номер патента: WO2022101812A1. Автор: Dirk Robert Walter Leipold,Robert Bogdan Staszewski,Imran Bashir,David J. Redmond. Владелец: equal1.labs Inc.. Дата публикации: 2022-05-19.

Accelerated learning in neural networks incorporating quantum unitary noise and quantum stochastic rounding using silicon based quantum dot arrays

Номер патента: WO2022101813A1. Автор: Dirk Robert Walter Leipold,Robert Bogdan Staszewski,Imran Bashir,David J. Redmond. Владелец: equal1.labs Inc.. Дата публикации: 2022-05-19.

Silicon-based composite anodes for high energy density, high cycle life solid-state lithium-ion battery

Номер патента: US11888162B2. Автор: Zhigang Lin,Kevin Zanjani. Владелец: Solid Energies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Increasing the service life of silicon-based negative electrodes by particles with a silicon oxide and lipon coating

Номер патента: US20190115593A1. Автор: Linda-Susann Schramm. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2019-04-18.

Silicon-Based Composite Anodes for High Energy Density, High Cycle Life Solid-State Lithium-Ion Battery

Номер патента: US20240113299A1. Автор: Zhigang Lin,Kevin Zanjani. Владелец: Solid Energies Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Silicon-based josephson junction for qubit devices

Номер патента: US20210226114A1. Автор: Devendra K. Sadana,Steven J. Holmes,Brent A. Wacaser,Damon Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Integrated silicon-based nonlinear photodetector

Номер патента: WO2010087885A3. Автор: Marin Soljacic,Erich P. Ippen,Jorge Bravo Abad. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2010-09-23.

A silicon-based particulate material for use in an anode active material for a lithium-ion battery cell

Номер патента: WO2024074353A1. Автор: Christopher John Cook. Владелец: Northvolt AB. Дата публикации: 2024-04-11.

Oled image display apparatus driven by silicon-based cmos and manufacturing method

Номер патента: US20180261659A1. Автор: Ping Liu. Владелец: Shenzhen Dianbond Tech Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Amorphous silicon-based thin film photovoltaic device

Номер патента: AU2228100A. Автор: Hitoshi Nishio. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2001-01-18.

Amorphous silicon-based thin film photovoltaic device

Номер патента: AU767930B2. Автор: Hitoshi Nishio. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Amorphous silicon-based thin film photovoltaic device

Номер патента: EP1069623B1. Автор: Hitoshi Nishio. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2003-11-05.

Uniformly modified cathode material for silicon-based lithium ion battery, preparation method therefor and application thereof

Номер патента: US20240213462A1. Автор: Fei Luo. Владелец: Tianmulake Excellent Anode Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Silicon-based negative electrode and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4080602A2. Автор: Jae Kyu Jin,Jeong A Kim,Byoung Ho KO,Joon Yeob Lee. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-26.

Silicon-based negative electrode and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4080602A3. Автор: Jae Kyu Jin,Jeong A Kim,Byoung Ho KO,Joon Yeob Lee. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-02.

Silicon-based double-sided heterojunction photovoltaic converter

Номер патента: RU2757544C1. Автор: Александр Вячеславович Семенов,Дмитрий Александрович Андроников,Илья Александрович Няпшаев,Алексей Станиславович Абрамов,Сергей Николаевич Аболмасов,Дмитрий Львович Орехов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике». Дата публикации: 2021-10-18.

Silicon-based semiconductor devices

Номер патента: CA1157963A. Автор: Andrzej Szadkowski,Stefan Zukotynski,Ki B. Ma,John Perz,Ben-Gur Yacobi. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 1983-11-29.

Method for coating substrates with silicon based compounds

Номер патента: CA2069329A1. Автор: James J. Hofmann,Jesse D. Wolfe,Carolynn Boehmler. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-05-09.

A method of fabricating fibres composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries

Номер патента: CA2636471C. Автор: Mino Green,Feng-Ming Liu. Владелец: Nexeon Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Multi-Layered Anode Containing Silicon-Based Compound and Lithium Secondary Battery Including the Same

Номер патента: US20240030416A1. Автор: Tae Hee Kim,Dong Hwi Kim,Nanji YUN,Yojin KIM,Hyunkyung Do. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Multi-layered anode containing silicon-based compound and lithium secondary battery including the same

Номер патента: US11936037B2. Автор: Tae Hee Kim,Dong Hwi Kim,Nanji YUN,Yojin KIM,Hyunkyung Do. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Silicon-based compositions and applications thereof

Номер патента: EP4305116A1. Автор: DIAO Cheng,Monjit Phukan,Murali MG,Kartick BINDUMADHAVAN,Debanga Bhusan KONWAR,Raghavendra HEBBAR,Praveen MISHAR,Karthik SIVASUBRAMANIAN. Владелец: Momentive Performance Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Silicon-based molten composition and manufacturing method of sic single crystal using the same

Номер патента: US20180245235A1. Автор: Dae Sung Kim,Sung Soo Lee,Chan Yeup Chung,Ho Rim Lee,Jung Min Ko,Chang Sun Eun. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-08-30.

Methods and apparatus to form silicon-based transistors on group iii-nitride materials using aspect ratio trapping

Номер патента: US20190181265A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Silicon-based compound and organic light emitting diode comprising the same

Номер патента: US20140191207A1. Автор: Jae-Young Hwang,Mi-Kyung Kim,Chang-Woong Chu,Soon-ki Kwon,Yun-hi Kim. Владелец: INDUSTRY-ACADEMIC COORPERATION FOUNDATION GYEONGSANG NATIONAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-07-10.

Multi-layered anode containing silicon-based compound and lithium secondary battery including the same

Номер патента: US11811055B2. Автор: Tae Hee Kim,Dong Hwi Kim,Nanji YUN,Yojin KIM,Hyunkyung Do. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Electrostatic chuck with embossments that comprise diamond-like carbon and deposited silicon-based material, and related methods

Номер патента: US20220063035A1. Автор: Yan Liu,Jakub Rybczynski,Steven Donnell,Chun Wang CHAN,Caleb MINSKY. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Layer system of a silicon-based support and a heterostructure applied directly onto the support

Номер патента: US20140001513A1. Автор: Alois Krost,Armin Dadgar. Владелец: Otto Von Guericke Universitaet Magdeburg. Дата публикации: 2014-01-02.

Silicone-based adhesive sheet, multilayer structure including same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US11939497B2. Автор: Manabu Sutoh,Nohno TODA. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Silicon-Based Molten Composition And Method For Manufacturing Silicon Carbide Single Crystal Using The Same

Номер патента: US20190106806A1. Автор: Kyoung Hoon Kim,Chan Yeup Chung,Ho Rim Lee,Jung Min Ko. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Method of stabilizing a silicon base mos device with zinc

Номер патента: US3873384A. Автор: Chun-Yen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 1975-03-25.

Welding method for flexible and rollable silicon-based solar module

Номер патента: AU2021266258B1. Автор: Hsin-Wang Chiu. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Methods for fabricating silicon-based electrodes comprising naturally occurring carbonaceous filaments and battery cells utilizing the same

Номер патента: US20210083264A1. Автор: Mark W. Verbrugge,Raghunathan K,Ion C. Halalay,Meng Jiang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2021-03-18.

Silicone based circuit board indicator led lens

Номер патента: WO2009023602A1. Автор: Richard Liskoff. Владелец: Dialight Corporation. Дата публикации: 2009-02-19.

Multi-Layered Anode Containing Silicon-Based Compound and Lithium Secondary Battery Including the Same

Номер патента: US20240186492A1. Автор: Tae Hee Kim,Dong Hwi Kim,Nanji YUN,Yojin KIM,Hyunkyung Do. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Liquid Electrolyte For An Electrochemical Cell With A Silicon-Based Anode

Номер патента: US20240178449A1. Автор: Alan A. Ritchie,Karl M. Brown,Andrew Basile,Bernd Jurgen Neudecker. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Silicon based capacitive microphone

Номер патента: US20130216068A1. Автор: Guojun Liu. Владелец: ACC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Multi-step deep reactive ion etching fabrication process for silicon-based terahertz components

Номер патента: US9461352B2. Автор: Choonsup Lee,Goutam Chattopadhyay,Robert H. Lin,Imran Mehdi,Ken B. Cooper,Cecile Jung-Kubiak,Alejandro Peralta,Theodore Reck,Jose Vicente Siles Perez. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2016-10-04.

Silicon-based molten composition and manufacturing method of sic single crystal using the same

Номер патента: US20180127891A1. Автор: Dae Sung Kim,Sung Soo Lee,Chan Yeup Chung,Jung Min Ko,Chang Sun Eun. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-05-10.

Silicon-based polymer-derived ceramic composites comprising h-bn nanosheets

Номер патента: US20170144935A1. Автор: Gurpreet Singh,Lamuel David. Владелец: Kansas State University. Дата публикации: 2017-05-25.

Heat dissipation optimization method of silicon-based SU-8 thin film package

Номер патента: US20230420327A1. Автор: Zhonglin Xu,Junfa MAO,Linsheng Wu,Xianglin Zhong,Liangfeng Qiu. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2023-12-28.

Large area synthesis of cubic phase gallium nitride on silicon

Номер патента: US20230235480A1. Автор: Can Bayram,Muhammad Ali Johar. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-07-27.

Large area synthesis of cubic phase gallium nitride on silicon

Номер патента: US20230238246A1. Автор: Can Bayram,Muhammad Ali Johar. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for monolithic integration of photonic device based on silicon-based quantum dots

Номер патента: CN111883524B. Автор: 廖梦雅. Владелец: Hunan Huisi Photoelectric Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-26.

An optical interconnect module with polymer waveguide on silicon substrate

Номер патента: WO2018213038A1. Автор: Abraham JOU,Paul Mao-Jen WU. Владелец: Adolite Inc.. Дата публикации: 2018-11-22.

Bright Few-Cycle Fiber Source using Resonant Dispersive Wave Emission in an Optical Fiber

Номер патента: US20160028204A1. Автор: Stephen A. Boppart,Haohua Tu. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2016-01-28.

Digital self-injection-locked radar

Номер патента: US20210341595A1. Автор: Tzyy-Sheng Horng,Shiang-Hwua Yu,Wei-Chih Su. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2021-11-04.

Self-injection-locking monopulse radar

Номер патента: US20230228864A1. Автор: Tzyy-Sheng Horng,Mu-Cyun Tang,Wei-Chih Su,Xuan-Xin Wu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2023-07-20.

INTEGRATED PRODUCTION OF SELF INJECTION LOCKED SELF PHASE LOOP LOCKED OPTOELECTRONIC OSCILLATOR

Номер патента: US20140270786A1. Автор: Poddar Ajay Kumar,Rohde Ulrich L.,Daryoush Afshin S.. Владелец: Synergy Microwave Corporation. Дата публикации: 2014-09-18.

Integrated self injection locked self phase loop locked optoelectronic oscillator

Номер патента: AU2014254441B2. Автор: Ulrich L. Rohde,Ajay Kumar Poddar,Afshin S. Daryoush. Владелец: Synergy Microwave Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Wavelength division multiplexing-passive optical network system of self-injection locking using fabry perot filter

Номер патента: KR101095371B1. Автор: 김경민. Владелец: 주식회사 럭스퍼트. Дата публикации: 2011-12-16.

SELF INJECTION LOCKED PHASE LOCKED LOOPED OPTOELECTRONIC OSCILLATOR

Номер патента: US20140186045A1. Автор: Poddar Ajay Kumar,Rohde Ulrich L.,Daryoush Afshin S.. Владелец: Synergy Microwave Corporation. Дата публикации: 2014-07-03.

Self-Injection Locking for Low-Power Low-Phase Noise Oscillators

Номер патента: US20190068197A1. Автор: Haroun Baher,KIAEI ALI,BAHR BICHOY. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Wavelength tunable bidirectional optical wireless communication system based on self-injection lock

Номер патента: US20210302631A1. Автор: CHOU Hsi-Hsir,HUANG Wei-Ta. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

Wavelength tracking system using self-injection locking, wdm-pon system comprising it and wavelength tracking method

Номер патента: KR100860548B1. Автор: 김태영,한승헌,박창수. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2008-09-26.

Quadrature self-injection-locked radar

Номер патента: US10281561B2. Автор: Fu-Kang WANG,Tzyy-Sheng Horng,Mu-Cyun Tang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2019-05-07.

WDM-PON system using self-injection locking, optical line terminal thereof and data transmission method

Номер патента: KR100889861B1. Автор: 김태영,백승현,한승헌,박창수. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2009-03-24.

Dense wavelength division multiplexing-passive optical network using self-injection locking of fabry-perot laser diode

Номер патента: KR100489922B1. Автор: 이종훈,송재원. Владелец: 최준국. Дата публикации: 2005-05-17.

Method for forming microelectrode-pair arrays on silicon substrate surface with hydrophobic silicon pillars

Номер патента: US20140120271A1. Автор: Lei Jiang,Jie Ma,Bin Su,Yanlin Song,Shutao Wang. Владелец: Institute of Chemistry CAS. Дата публикации: 2014-05-01.

Antireflective covering structure with diffraction grating using resonance elements

Номер патента: RU2617460C2. Автор: Эндрю ТАЙН,Жиль ПЕРЕС. Владелец: Еуропиан Аэронотик Дефенс Энд Спэйс Компани Идс Франс. Дата публикации: 2017-04-25.

Forming silicon dioxide on silicon carbide

Номер патента: WO2013140122A1. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Limited. Дата публикации: 2013-09-26.

Magnetic tunnel junction based chip identification

Номер патента: US09569712B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata,Philip L. Trouilloud. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Anti-reflecting covering structure with a diffraction grating using resonant elements

Номер патента: US09507063B2. Автор: Andrew Thain,Gilles Peres. Владелец: EUROPEAN AERONAUTIC DEFENCE AND SPACE COMPANY EADS FRANCE. Дата публикации: 2016-11-29.

Electromagnetic coupling of electronic devices using resonant terminations that shift resonant frequencies

Номер патента: US9246548B2. Автор: Kenichi Kawasaki,Hisashi Masuda,Yugang Ma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Method of doping silicon with phosphorus and growing oxide on silicon in the presence of steam

Номер патента: EP1281196A1. Автор: James E. Rapp,Russell B. Rogenski. Владелец: Techneglas LLC. Дата публикации: 2003-02-05.

Method of doping silicon with phosphorus and growing oxide on silicon in the presence of steam

Номер патента: WO2001073828A1. Автор: James E. Rapp,Russell B. Rogenski. Владелец: Techneglas, Inc.. Дата публикации: 2001-10-04.

Photoelectric converter based on semiconductor compounds a2b4c5 2 formed on silicon substrate

Номер патента: RU2624831C2. Автор: Дмитрий Александрович Кудряшов,Жорес Иванович Алферов,Александр Сергеевич Гудовских,Иван Сергеевич Мухин,Алексей Михайлович Можаров,Алексей Дмитриевич Большаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки "Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук". Дата публикации: 2017-07-07.

Thin film capacitors on silicon germanium substrate and process for making the same

Номер патента: WO2001009930A2. Автор: Koji Arita,Carlos A. Paz de Araujo,Larry D. McMillan,Masamichi Azuma. Владелец: SYMETRIX CORPORATION. Дата публикации: 2001-02-08.

High quality gan high-voltage hfets on silicon

Номер патента: US20130146863A1. Автор: Jamal Ramdani,Linlin Liu,John P. EDWARDS. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Buffer layers for device isolation of devices grown on silicon

Номер патента: US20090218596A1. Автор: Mohamad A. Shaheen,Peter G. Tolchinsky,Mantu K. Hudait,Loren A. Chow,Dmitri Loubychev,Joel M. Fastenau,Amy W. K. Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Light engine based on silicon photonics tsv interposer

Номер патента: US20230299008A1. Автор: LIANG Ding,Radhakrishnan L. Nagarajan. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Light engine based on silicon photonics TSV interposer

Номер патента: US12057403B2. Автор: LIANG Ding,Radhakrishnan L. Nagarajan. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Monolithic visible-infrared focal plane array on silicon

Номер патента: US09917122B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Robert L. Wisnieff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Monolithic visible-infrared focal plane array on silicon

Номер патента: US09911784B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Robert L. Wisnieff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Monolithic visible-infrared focal plane array on silicon

Номер патента: US09685481B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Robert L. Wisnieff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device by selectively removing silicon from silicon carbide substrate to form protective carbon layer on silicon carbide substrate for activating dopants

Номер патента: US09659773B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Growing a III-V layer on silicon using aligned nano-scale patterns

Номер патента: US09601328B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for producing microelectronic device, involves forming and oxidizing silicon-germanium based semi-conductor layer on silicon based semi-conductor zones with different thicknesses resting on substrate

Номер патента: FR2908924A1. Автор: Yves Morand,Jean Francois Damlencourt,Laurent Chevalier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-05-23.

Preparation method of silicon-carbon composite material based on silicon-based molecular sieve structure and lithium battery

Номер патента: CN108258227B. Автор: 刘丰,陈海鹏,刘金强,刘贵龙,刘献明,毋乃腾,袁巍巍,赵运霞. Владелец: Luoyang Normal University. Дата публикации: 2021-01-22.

Forming a Metal Contact Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device with Metal Contact Structure

Номер патента: US20180174840A1. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

External stontium tianate on silicon

Номер патента: US20210028009A1. Автор: Yong Liang. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Fabrication method of nitride forming on silicon substrate

Номер патента: US20130217212A1. Автор: Chih-Yen Chen,Chih-Chung Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2013-08-22.

Fabrication method of nitride forming on silicon substrate

Номер патента: US9281184B2. Автор: Chih-Yen Chen,Chih-Chung Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-03-08.

Epitaxial strontium titanate on silicon

Номер патента: US20230197443A1. Автор: Yong Liang. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Growing compressively strained silicon directly on silicon at low temperatures

Номер патента: US20120205784A1. Автор: Alexander Reznicek,Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Epitaxial Growth of III-V Compound Semiconductors on Silicon Surfaces

Номер патента: US20110304021A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Light-induced aluminum plating on silicon for solar cell metallization

Номер патента: US20240240346A1. Автор: MENG Tao,Laidong Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

Protective coatings on silicon anodes for effective management in high volume cell plant

Номер патента: US20240113303A1. Автор: Xingcheng Xiao,Wai Ping Gloria Tam. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Methods for depositing iii-v compositions on silicon

Номер патента: US20210020437A1. Автор: Emily Lowell Warren,Jeramy David Zimmerman,Theresa Emily SAENZ. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device structure with metal ring on silicon-on-insulator (SOI) substrate

Номер патента: US09799557B2. Автор: Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Nitride UV light sensors on silicon substrates

Номер патента: US09780239B2. Автор: Wladyslaw Walukiewicz,Robert Forcier. Владелец: ROSESTREET LABS LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Process for forming graphene layers on silicon carbide

Номер патента: US09771665B2. Автор: Francesca Iacopi,Mohsin Ahmed,Benjamin Vaughan CUNNING. Владелец: Griffith University. Дата публикации: 2017-09-26.

Reducing electrical activity of defects in silicon carbide grown on silicon

Номер патента: WO2023111540A1. Автор: Martin LAMB. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Masking technique for depositing gallium arsenide on silicon

Номер патента: US5256594A. Автор: Thomas George,Masayoshi Umeno,Shinji Nozaki,Albert T. Wu,Sandra S. Lee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1993-10-26.

Method for depositing a silicon oxide layer of same thickness on silicon and on silicon-germanium

Номер патента: US8603887B2. Автор: Yves Campidelli,Didier Dutartre,Nicolas Breil,Olivier Gourhant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-10.

Methods of etching silicon-containing films on silicon substrates

Номер патента: US20110028000A1. Автор: Dmitry Poplavskyy,Elena Rogojina,Eric Rosenfeld. Владелец: INNOVALIGHT INC. Дата публикации: 2011-02-03.

A Low Power Decoder Using Resonant Drive Circuitry

Номер патента: US20180211698A1. Автор: David A. HUFFMAN. Владелец: Power Down Semiconductor Iinc. Дата публикации: 2018-07-26.

Hetero integration of semiconductor materials on silicon

Номер патента: EP1525614A1. Автор: Suresh Venkatesan,Papa D. Maniar. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-04-27.

A low power decoder using resonant drive circuitry

Номер патента: EP3329599A1. Автор: David A. HUFFMAN. Владелец: Power Down Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-06-06.

Method and Structure of Forming Silicide and Diffusion Barrier Layer With Direct Deposited Film on Silicon

Номер патента: US20110309508A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,John M. Cotte,Cyril Cabral, Jr.,Christian Lavoie,Zhu Liu,Laura L. Kosbar,Xiaoyan Shao,Kathryn C. Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

High-quality gan high-voltage hfets on silicon

Номер патента: US20150364552A1. Автор: Jamal Ramdani,Linlin Liu,John P. EDWARDS. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2015-12-17.

Wafer pretreatment to decrease rate of silicon dioxide deposition on silicon nitride compared to silicon substrate

Номер патента: TW519692B. Автор: Manuel Anselmo Hernandez,Scott Brandd Herner. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-02-01.

Visible to longwave infrared photodetector on silicon

Номер патента: US20240347561A1. Автор: Clifford King,Baohua Li,Shui-Qing Fisher Yu. Владелец: University of Arkansas System. Дата публикации: 2024-10-17.

Transistor having germanium channel on silicon nanowire and fabrication method thereof

Номер патента: US09935189B2. Автор: Seongjae Cho,Mina Yun. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2018-04-03.

MOCVD growth of highly mismatched III-V CMOS channel materials on silicon substrates

Номер патента: US09530888B2. Автор: David K. Carlson,Zhiyuan Ye,Errol Antonio C. Sanchez,Xinyu Bao,Keun-Yong BAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

High-quality GaN high-voltage HFETs on silicon

Номер патента: US09437688B2. Автор: Jamal Ramdani,Linlin Liu,John P. EDWARDS. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Leadframe-based chip scale semiconductor packages

Номер патента: US7944031B2. Автор: Manolito Galera,Leocadio Morona Alabin. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Parasitic capacitance reduction in gan-on-silicon devices

Номер патента: WO2019236702A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2019-12-12.

External charger for an implantable medical device for determining position and optimizing power transmission using resonant frequency as determined from at least one sense coil

Номер патента: CA3212988A1. Автор: Daniel Aghassian,Thomas W. Stouffer,Lev Freidin. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

External charger for an implantable medical device for determining position and optimizing power transmission using resonant frequency as determined from at least one sense coil

Номер патента: CA3022731C. Автор: Daniel Aghassian,Thomas W. Stouffer,Lev Freidin. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Method for fabricating ultra-thin graphite film on silicon carbide substrate

Номер патента: US20200203162A1. Автор: jun-bin Huang,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu,Cheng-Jung Ko,Chia-Hung Tai. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2020-06-25.

Quantum-Confined Stark Effect Electro-Optic Modulator In Perovskite Quantum Wells Integrated On Silicon

Номер патента: US20230132224A1. Автор: Alexander A. Demkov,Agham POSADAS,John Elliott Ortmann, JR.. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2023-04-27.

Method for forming identification marks on silicon carbide single crystal substrate, and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20130157009A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Quantum-confined stark effect electro-optic modulator in perovskite quantum wells integrated on silicon

Номер патента: WO2021178959A1. Автор: Alexander A. Demkov,Agham POSADAS,John Elliott ORTMANN. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2021-09-10.

Buffer layer on silicon carbide substrate, and method for forming buffer layer

Номер патента: US20230118623A1. Автор: Xiang Li,Xuanjie Liu,Zhiping Xie,Maojie CONG,Zhiguo KAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2023-04-20.

Low power SRAM bitcell using resonant drive circuitry

Номер патента: US10510399B2. Автор: David A. HUFFMAN. Владелец: Power Down Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-12-17.

Production of silicon-on-insulator substrate for high frequency devices involves forming surface-oxidized monocrystalline silicon layer on monocrystalline silicon-germanium layer formed on silicon monocrystal silicon assembly layer

Номер патента: FR2796757A1. Автор: Junji Nakanishi,Satoshi Yamakawa,Nobuyoshi Hattori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-01-26.

Method for transferring patterns on silicone ladder type resin and etching solution used in such method

Номер патента: CA2010030C. Автор: Hiroshi Adachi,Osamu Hayashi,Etsushi Adachi,Yoshiko Aiba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

Method for transferring patterns on silicone ladder type resin and etching solution used in such method

Номер патента: CA2010030A1. Автор: Hiroshi Adachi,Osamu Hayashi,Etsushi Adachi,Yoshiko Aiba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-08-23.

Active electronic devices based on gallium nitride and its alloys grown on silicon substrates with buffer layers of SiCAIN

Номер патента: US20040129200A1. Автор: John Kouvetakis,Ignatius Tsong,John Tolle,Radek Roucka. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2004-07-08.

External charger for an implantable medical device for determining position and optimizing power transmission using resonant frequency as determined from at least one sense coil

Номер патента: EP4234000A2. Автор: Daniel Aghassian,Thomas W. Stouffer,Lev Freidin. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

External charger for an implantable medical device for determining position and optimizing power transmission using resonant frequency as determined from at least one sense coil

Номер патента: EP4234000A3. Автор: Daniel Aghassian,Thomas W. Stouffer,Lev Freidin. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2023-11-08.

Method of forming functional coatings on silicon substrates

Номер патента: WO2014044922A2. Автор: Ari Kärkkäinen,Paul Williams,Milja Hannu-Kuure,Jarkko Leivo,Henna Jarvitalo,Jianhui Wang,Amir Hadzic. Владелец: OPTITUNE Oy. Дата публикации: 2014-03-27.

Growing a III-V Layer on Silicon using Aligned Nano-Scale Patterns

Номер патента: US20170194141A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Stress relaxation trenches for gallium nitride microled layers on silicon substrates

Номер патента: US20230369532A1. Автор: Raghav SREENIVASAN,Tyler Sherwood. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for producing ceramic passivation layers on silicon for solar cell manufacture

Номер патента: US8482106B2. Автор: Hartmut Wiezer,Klaus Rode. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2013-07-09.

Thin film capacitors on silicon germanium substrate and process for making the same

Номер патента: WO2001009930A3. Автор: Koji Arita,Masamichi Azuma,Larry D Mcmillan,De Araujo Carlos A Paz. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Electronic-photonic integrated circuit based on silicon photonics technology

Номер патента: US20220091332A1. Автор: Heuk Park,Jyung Chan Lee,Joon Ki Lee,Sanghwa YOO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-03-24.

Gallium nitride-based chip, chip preparation method, gallium nitride power device, and circuit

Номер патента: US20230085872A1. Автор: Zhaozheng Hou,Gaofei TANG,Hanxing WANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Germanium-on-silicon avalanche photodetector in silicon photonics platform

Номер патента: EP3971996B1. Автор: Yu Li,Masaki Kato. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11557333B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20210335414A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20240029785A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11776619B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11056179B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Method of Growing Titanium Nitride on Silicon Substrate Free from Silicon Nitride Interface by Using a Titanium Seed Layer

Номер патента: US20210135330A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: EP4018489A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: WO2021089706A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A Mueed. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2021-05-14.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: AU2020378613B2. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A. Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Fabrication of through-silicon vias on silicon wafers

Номер патента: TW201250882A. Автор: Li-Qun Xia,Mehul Naik,Bok Hoen Kim,Thomas Nowak,Ran Ding,Nagarajan Rajagopalan,Shamik PATEL,Ji-Ae Park,Ryan Yamase,Jim Baldino,Sesh Ramaswami. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-12-16.

Use of oxalyl chloride to form chloride-doped silicon dioxide films on silicon substrates

Номер патента: SG42804A1. Автор: Herman J Boeglin,Michael J Mcgeary. Владелец: Olin Corp. Дата публикации: 1997-10-17.

Structure and method for forming integral nitride light sensors on silicon substrates

Номер патента: US20140264358A1. Автор: Robert Forcier. Владелец: ROSESTREET LABS LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Single molecule array on silicon substrate for quantum computer

Номер патента: EP1315667A1. Автор: Michelle Yvonne Simmons,Andrew Steven Dzurak,Robert Graham Clark,Jeremy Lloyd O'brien,Steven Richard Schofield. Владелец: Unisearch Ltd. Дата публикации: 2003-06-04.

Photodetector on silicon-on-insulator

Номер патента: US20150249179A1. Автор: Bruno Rauber. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2015-09-03.

Method and device with durable contact on silicon carbide

Номер патента: EP1743373A2. Автор: Richard L. Woodin,William F. Seng. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-01-17.

Method and device with durable contact on silicon carbide

Номер патента: EP1743373A4. Автор: Richard L Woodin,William F Seng. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-03-25.

Method and device with durable contact on silicon carbide

Номер патента: US20080227275A1. Автор: Richard L. Woodin,William F. Seng,Carl Anthony Witt. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Method of doping silicon with phosphorus and growing oxide on silicon in the presence of steam

Номер патента: AU2001249349A1. Автор: James E. Rapp,Russell B. Rogenski. Владелец: Techneglas LLC. Дата публикации: 2001-10-08.

Method of doping silicon with phosphorus and growing oxide on silicon in the presence of steam

Номер патента: EP1281196A4. Автор: James E Rapp,Russell B Rogenski. Владелец: Techneglas LLC. Дата публикации: 2008-12-31.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US12087352B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Photodetector on silicon-on-insulator

Номер патента: US09997550B2. Автор: Bruno Rauber. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-06-12.

Resonant cavity strained III-V photodetector and LED on silicon substrate

Номер патента: US09991417B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing solar cells having nano-micro composite structure on silicon substrate and solar cells manufactured thereby

Номер патента: US09972732B2. Автор: Ho Sung Kim,Jong Hwan Lee,Chae Hwan Jeong,Chang Heon Kim. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2018-05-15.

FinFET device on silicon-on-insulator and method of forming the same

Номер патента: US09793174B1. Автор: Yu-Ren Wang,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin,Shu-Ming Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Dual-material mandrel for epitaxial crystal growth on silicon

Номер патента: US09754969B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Liquid crystal display and infrared image sensor on silicon

Номер патента: US09749562B2. Автор: YIN Qian,Takayuki Goto,Chen-Wei Lu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for manufacturing solar cells having nano-micro composite structure on silicon substrate and solar cells manufactured thereby

Номер патента: US09530914B2. Автор: Ho Sung Kim,Jong Hwan Lee,Chae Hwan Jeong,Chang Heon Kim. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2016-12-27.

SELECTIVE GROWTH OF SILICON OXIDE OR SILICON NITRIDE ON SILICON SURFACES IN THE PRESENCE OF SILICON OXIDE

Номер патента: US20180261448A1. Автор: Hausmann Dennis M.,Smith David Charles. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

Utilization of miscut substrates to improve relaxed graded silicon-germanium and germanium layers on silicon

Номер патента: US6039803A. Автор: Eugene A. Fitzgerald,Srikanth B. Samavedam. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2000-03-21.

Process for forming graphene layers on silicon carbide

Номер патента: WO2015035465A1. Автор: Francesca Iacopi,Mohsin Ahmed,Benjamin Vaughan CUNNING. Владелец: Griffith University. Дата публикации: 2015-03-19.

Devices and methods related to radio-frequency filters on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: GB2588357A. Автор: Phillip Young James. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-04-21.

Advanced technique to improve the bonding arrangement on silicon surfaces to promote uniform nitridation

Номер патента: US5445999A. Автор: Randhir P. S. Thakur,Viju K. Mathews. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-08-29.

Silicon-controlled rectifier structures on silicon-on insulator with shallow trench isolation

Номер патента: US6987303B2. Автор: Ta Lee Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-01-17.

III-V fin generation by lateral growth on silicon sidewall

Номер патента: US10068994B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Method for improving the interface characteristics of CaF2 on silicon

Номер патента: US5229333A. Автор: Bruce E. Gnade,Chih-Chen Cho,Tae S. Kim,Hung-Yu Liu,Yasushiro Nishioka. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-07-20.

Method for depositing silicon oxide layer on silicon substrate utilized to form gate of e.g. N-channel metal-oxide-semiconductor transistor, involves forming silicon layer over silicon-germanium to deposit oxide layer on substrate

Номер патента: FR2978602A1. Автор: Yves Campidelli,Didier Dutartre,Nicolas Breil,Olivier Gourhant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-01.

Method for growing group-III nitride semiconductor heterostructure on silicon substrate

Номер патента: US20050106849A1. Автор: Shangir Gwo. Владелец: Shangir Gwo. Дата публикации: 2005-05-19.

Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide

Номер патента: KR102491771B1. Автор: 데이비드 찰스 스미스,데니스 엠. 하우스만. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-01-25.

III-V semiconductor interface with graded GeSn on silicon

Номер патента: US8889978B2. Автор: Scott Semans,Michael Lebby,Radek Roucka. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

III-V SEMICONDUCTOR INTERFACE WITH GRADED GeSn ON SILICON

Номер патента: US20140076390A1. Автор: Scott Semans,Michael Lebby,Radek Roucka. Владелец: Radek Roucka. Дата публикации: 2014-03-20.

Rough buffer layer for group III-V devices on silicon

Номер патента: US11862720B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Light-induced aluminum plating on silicon for solar cell metallization

Номер патента: US11932960B2. Автор: MENG Tao,Laidong Wang. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device with treated interfacial layer on silicon germanium

Номер патента: US20230282753A1. Автор: Zi-Wei FANG,Chih-Yu Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Selective Deposition On Silicon Containing Surfaces

Номер патента: US20200066539A1. Автор: Ronald Martin Pearlstein. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Selective deposition on silicon containing surfaces

Номер патента: EP3844799A1. Автор: Ronald Martin Pearlstein. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-07-07.

Forming a metal contact layer on silicon carbide and semiconductor device with metal contact structure

Номер патента: US10256097B2. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-09.

Method for forming fully relaxed silicon germanium on silicon

Номер патента: US20120299155A1. Автор: Jinping Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2012-11-29.

Rough buffer layer for group iii-v devices on silicon

Номер патента: US20240088285A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

DIRECT FORMATION OF HEXAGONAL BORON NITRIDE ON SILICON BASED DIELECTRICS

Номер патента: US20190097000A1. Автор: Seacrist Michael R.,Berry Vikas,Nguyen Phong,Behura Sanjay. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

PATTERN FORMATION AND TRANSFER DIRECTLY ON SILICON BASED FILMS

Номер патента: US20150132959A1. Автор: NEMANI Srinivas,Tedeschi Leonard. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

DIRECT FORMATION OF HEXAGONAL BORON NITRIDE ON SILICON BASED DIELECTRICS

Номер патента: US20200152744A1. Автор: Seacrist Michael R.,Berry Vikas,Nguyen Phong,Behura Sanjay. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

Direct formation of hexagonal boron nitride on silicon based dielectrics

Номер патента: US20200152745A1. Автор: Phong Nguyen,Michael R. Seacrist,Vikas Berry,Sanjay BEHURA. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Methods For Selective Deposition On Silicon-Based Dielectrics

Номер патента: US20200234950A1. Автор: Mark Saly,Bhaskar Jyoti Bhuyan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Methods for characterizing defects on silicon surfaces, etching composition for silicon surfaces and process of treating silicon surfaces with the etching composition

Номер патента: EP1918985B1. Автор: Alexandra Abbadie. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2010-05-26.

A kind of thin film silicon crystalline silicon laminate solar photovoltaic cell based on silicon nanowires

Номер патента: CN106784114A. Автор: 朱红英,王珺,郭群超,丁云飞,朱晨烜. Владелец: Shanghai Dianji University. Дата публикации: 2017-05-31.

Method of depositing charge trapping polycrystalline silicon films on silicon substrates with controllable film stress

Номер патента: EP3266038A1. Автор: Gang Wang,Igor Peidous,Jeffrey Louis LIBBERT,Shawn G. Thomas. Владелец: SunEdison Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-10.

Component e.g. silicon on insulator component, fabrication method for e.g. high speed processor fabrication, involves pulverizing single-crystal silicon target on silicon wafer to create oxide layer on wafer for forming insulating layer

Номер патента: FR2894715A1. Автор: Pierre Tauzinat,Michel Ancilotti. Владелец: XBYBUS SOC PAR ACTIONS SIMPLIF. Дата публикации: 2007-06-15.

Insulator based on silicon dioxide and an organic polymer

Номер патента: GB2326168A. Автор: Kazuhiko Endo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-12-16.

Methods for characterizing defects on silicon surfaces, etching composition for silicon surfaces and process of treating silicon surfaces with the etching composition

Номер патента: TW200819519A. Автор: Alexandra Abbadie,Bernd Kolbesen,Jochen Maehliss. Владелец: Soitec Silicon On Insulator. Дата публикации: 2008-05-01.

Nitride epitaxial structure grown on silicon-based substrate and growth method thereof

Номер патента: CN110556454A. Автор: 王玮竹. Владелец: Shanghai Industrial Utechnology Research Institute. Дата публикации: 2019-12-10.

Direct formation of hexagonal boron nitride on silicon based dielectrics

Номер патента: EP4131339A3. Автор: Phong Nguyen,Michael R. Seacrist,Vikas Berry,Sanjay BEHURA. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-15.

Growth of delta-doped layers on silicon CCD/S for enhanced ultraviolet response

Номер патента: US5376810A. Автор: Michael E. Hoenk,Paula J. Grunthaner,Frank J. Grunthaner,Robert W. Terhune,Michael H. Hecht. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 1994-12-27.

Direct formation of hexagonal boron nitride on silicon based dielectrics

Номер патента: JP2022121422A. Автор: Berry Vikas,Behura Sanjay,マイケル・アール・シークリスト,Phong Nguyen,Michael R Seacrist,ビカス・ベリー,サンジャイ・ベフラ,フォン・グエン. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-19.

Capacitor, methods of forming capacitors, methods for forming silicon nitride layers on silicon-comprising substrates, and methods of densifying silicon nitride layers

Номер патента: US6323138B1. Автор: Trung Tri Doan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-27.

Method of Integrating All Active and Passive Integrated Optical Devices on Silicon-based Integrated Circuit

Номер патента: TWI549259B. Автор: 李明昌,曾治國. Владелец: 國立清華大學. Дата публикации: 2016-09-11.

Silicon-based chip with function of enhancing mid-infrared spectrum signal and preparation method thereof

Номер патента: CN108807587B. Автор: 伍科,叶辉,徐泽民,种海宁,王哲玮. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2020-04-14.

Wafer pretreatment to decrease the deposition rate of silicon dioxide on silicon nitride in comparison to its deposition rate on a silicon substrate

Номер патента: EP1178528B1. Автор: Scott Brad Herner,Manuel Anselmo Hernandez. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-01-11.

Silica-on-silicon-based hybrid integrated optoelectronic chip and manufacturing method therefor

Номер патента: EP2940739A4. Автор: Liang Zhou,Xiaoge Cao,Xianghong Yu. Владелец: Wuhan Telecommunication Devices Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-13.

Method for manufacturing semiconductor device with low electric resistance silicide layer on silicon surface

Номер патента: US5665646A. Автор: Tomohisa Kitano. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-09-09.

Methods for selective deposition on silicon-based dielectrics

Номер патента: WO2019023001A1. Автор: Mark Saly,Bhaskar Jyoti Bhuyan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-01-31.

Metamorphic Growth Of III-V Semiconductor On Silicon Substrate By MOCVD for High Speed III-V Transistors

Номер патента: US20140209979A1. Автор: Kei May Lau,Chak Wah TANG. Владелец: Nano and Advanced Materials Institute Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Ge QUANTUM DOTS FOR DISLOCATION ENGINEERING OF III-N ON SILICON

Номер патента: US20130069039A1. Автор: Andrew Clark,Erdem Arkun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-21.

Methods for controlling formation of multilayer carbon coatings on silicon-containing electroactive materials for lithium-ion batteries

Номер патента: US11843110B2. Автор: Wei Li,Lei Wang,Xingcheng Xiao,Mark W. Verbrugge,Michael P. Balogh. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-12-12.

A capacitorless dram device on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: WO1995015562A1. Автор: Chenming Hu,Hsing-Jen C. Wann. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 1995-06-08.

Treatment on silicon oxynitride

Номер патента: US20010001707A1. Автор: Horng-Bor Lu,I. Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-24.

Method for constructing heat resistant electrode structures on silicon substrates

Номер патента: WO1999010108A1. Автор: Leonard Boyer. Владелец: Radiant Technologies, Inc.. Дата публикации: 1999-03-04.

Laser Assisted SiC Growth On Silicon

Номер патента: US20180226247A1. Автор: Tim Hogan,Amanpreet Kaur,Premjeet Chahal. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2018-08-09.

Transceiver using resonant coupling and nonlinear effect by plasma wave

Номер патента: KR20150083771A. Автор: 홍성철,임성묵,채승완. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2015-07-20.

Resonator, method for manufacturing filter by using resonator and filter manufactured by the same method

Номер патента: US20090091405A1. Автор: Jin Tae Kim,Tae Goo Choy,Myung Yung Jeong,In Kui Cho. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2009-04-09.

A Power Generator using Resonant Frequency and Atomic Magnetic Resonance

Номер патента: KR20200083075A. Автор: 엄용호,엄재풍. Владелец: 엄재풍. Дата публикации: 2020-07-08.

A Low Power SRAM Bitcell Using Resonant Drive Circuitry

Номер патента: US20180218768A1. Автор: David A. HUFFMAN. Владелец: Power Down Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Method and apparatus for block-based chip timing estimation in a code division multiple access communication system

Номер патента: EP1556972A2. Автор: Sanyogita Shamsunder. Владелец: Sandbridge Technologies Inc. Дата публикации: 2005-07-27.

Process for producing a conductive sintered body based on silicon carbide

Номер патента: MY113141A. Автор: SCHMIDT Helmut,Aslan Mesut,Nab Rudiger. Владелец: Institut Fur Neue Mat Gemeinnutzige Gmbh. Дата публикации: 2001-11-30.

Local buffers in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: EP2949127A1. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Nicholas F. Jungels,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2015-12-02.

Local buffers in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: WO2014117024A1. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Nicholas F. Jungels,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-31.

Pixel test in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: EP2948939A1. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2015-12-02.

Pixel test in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: WO2014117026A1. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-31.

Local buffers in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: US09681207B2. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Nicholas F. Jungels,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Panel carrier for a liquid crystal on silicon panel and method for electrically interconnecting same

Номер патента: US09568789B2. Автор: Chun-Sheng Fan,Wei-Feng Lin. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Preparation of superconducting oxide films on silicon and silicon dioxide substrates

Номер патента: CA1332326C. Автор: Richard E. Soltis,Mohammad Aslam,Eleftherios M. Logothetis. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1994-10-11.

Projection device and method with liquid crystal on silicon panel

Номер патента: EP4145823A1. Автор: Chi-Wen Lin,Biing-Seng Wu,Kuan-Hsu Fan Chiang. Владелец: Himax Display Inc. Дата публикации: 2023-03-08.

Performance enhancement of silicon-based device

Номер патента: US20210313872A1. Автор: Alan Wayne Brown,Philip Michael Johnson. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2021-10-07.

Performance enhancement of silicon-based device

Номер патента: EP3834275A1. Автор: Alan Wayne Brown,Philip Michael Johnson. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2021-06-16.

Silicon-based OLED display substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US11765933B2. Автор: Pengcheng LU,Shengji Yang,Kuanta HUANG,Yuanlan TIAN,Junbo WEI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for Unlocking a Lock Using Real-Time Wireless Power Supply

Номер патента: US20220398882A1. Автор: I-Ting Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-12-15.

Method for Unlocking a Lock Using Real-Time Wireless Power Supply

Номер патента: US20230343157A1. Автор: I-Ting Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-26.

Silicon-based thermoelectric materials including isoelectronic impurities

Номер патента: EP3004410A1. Автор: Matthew L. Scullin,Lindsay MILLER,John REIFENBERG. Владелец: Alphabet Energy Inc. Дата публикации: 2016-04-13.

Silicon-based transducer for use in hearing instruments

Номер патента: AU2003290452A1. Автор: Aart Zeger Van Halteren,Matthias Mullenborn. Владелец: SonionMems AS. Дата публикации: 2004-07-14.

Silicon-Based Microphone Device And Electronic Device

Номер патента: US20230353949A1. Автор: Guanghua Wu,Yunlong Wang,Xingshuo Lan. Владелец: Gmems Tech Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Silicon-Based Microphone Device And Electronic Device

Номер патента: US20230370784A1. Автор: Guanghua Wu,Yunlong Wang,Xingshuo Lan. Владелец: Gmems Tech Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Silicon Based Microphone Apparatus And Electronic Device

Номер патента: US20230370785A1. Автор: Guanghua Wu,Yunlong Wang,Xingshuo Lan. Владелец: Gmems Tech Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Silicon-Based Microphone Apparatus And Electronic Device

Номер патента: US20230403490A1. Автор: Guanghua Wu,Yunlong Wang,Xingshuo Lan. Владелец: Gmems Tech Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Silicon-Based Microphone Apparatus And Electronic Device

Номер патента: US20230179927A1. Автор: Guanghua Wu,Yunlong Wang,Xingshuo Lan. Владелец: Gmems Tech Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Silicon-based microphone device and electronic device

Номер патента: EP4138413A1. Автор: Guanghua Wu,Yunlong Wang,Xingshuo Lan. Владелец: Gmems Tech Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

Silicon-based sensor system

Номер патента: EP1214864A2. Автор: Matthias Mullenborn,Jochen F. Kuhmann,Peter U. Scheel. Владелец: Microtronic AS. Дата публикации: 2002-06-19.

Anti-impact silicon based MEMS microphone, a system and a package with the same

Номер патента: US09462389B2. Автор: Zhe Wang. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Miniature optical microphone with resonator on whispering gallery modes

Номер патента: RU2771592C1. Автор: Игорь Владиленович Минин,Олег Владиленович Минин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Сибирский государственный университет геосистем и технологий». Дата публикации: 2022-05-06.

The use of glassy silicone-based hard coating as release coatings for printable electronics

Номер патента: EP2242811B1. Автор: James Tonge,Michael Brasseur,Karen Hueston. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2011-09-14.

High speed, silicon-based electro-optic modulator

Номер патента: CA2523298C. Автор: Prakash Gothoskar,Robert Keith Montgomery,Margaret Ghiron,Vipulkumar Patel,Kalpendu Shastri,Soham Pathak,Katherine A. Yanushefski. Владелец: LIGHTWIRE LLC. Дата публикации: 2013-10-01.

Full-color silicon-based organic light-emitting diode (OLED) display device and method

Номер патента: US20230329029A1. Автор: SONG Xu,Weiwei Li,Shengfang LIU,Xiaojia LIU,Lei Lv,Zhengtao Zhao. Владелец: Anhui Semiconductor Integrated Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Silicon-based Josephson junction for qubit devices

Номер патента: AU2021211858B2. Автор: Devendra Sadana,Steven Holmes,Damon Farmer,Brent WACASER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Silicon-based transducer for use in hearing instruments

Номер патента: EP1574112B1. Автор: Aart Zeger Van Halteren,Matthias Mullenborn. Владелец: Sonion Mems AS. Дата публикации: 2007-12-12.

Silicon-based Josephson junction for qubit devices

Номер патента: AU2021211858A1. Автор: Devendra Sadana,Steven Holmes,Damon Farmer,Brent WACASER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Silicon-based josephson junction for qubit devices

Номер патента: EP4094301A1. Автор: Devendra Sadana,Steven Holmes,Damon Farmer,Brent WACASER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-11-30.

Silicon-based josephson junction for qubit devices

Номер патента: WO2021148331A1. Автор: Devendra Sadana,Steven Holmes,Damon Farmer,Brent WACASER. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2021-07-29.

Silicon-based transducer for use in hearing instruments

Номер патента: WO2004057909A3. Автор: Halteren Aart Zeger Van,Matthias Muellenborn. Владелец: Sonion Lyngby As. Дата публикации: 2004-12-02.

Silicon-based transducer for use in hearing instruments

Номер патента: EP1574112A2. Автор: Aart Zeger Van Halteren,Matthias Mullenborn. Владелец: Sonion Lyngby As. Дата публикации: 2005-09-14.

Ultra low-leakage silicone-based heater thermally coupled to heat transfer body

Номер патента: US20240082468A1. Автор: Senthilkumar MK,George WHYTE,John STOPFORTH,Claudia ACOSTA,Marco BARRON,Anton Jeysing. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Full-color silicon-based organic light-emitting diode (OLED) structure and preparation method thereof

Номер патента: US20230232654A1. Автор: SONG Xu,Weiwei Li,Shengfang LIU,Lei Lv,Xueyuan LI,Zhengtao Zhao. Владелец: Anhui Semiconductor Integrated Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Systems and methods for implementing a proximity lock using bluetooth low energy

Номер патента: US10135798B2. Автор: Steven J. Ulbrich. Владелец: JPMorgan Chase Bank NA. Дата публикации: 2018-11-20.

Method for unlocking a lock using real-time wireless power supply

Номер патента: US12008851B2. Автор: I-Ting Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for unlocking a lock using real-time wireless power supply

Номер патента: US11756355B2. Автор: I-Ting Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-12.

Frequency-converted frequency-modulated self-injection-locked radar

Номер патента: US11747458B2. Автор: Fu-Kang WANG,Pin-Hsun Juan,Chao-Kai Wen,De-Ming Chian. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2023-09-05.

FREQUENCY-OFFSET SELF-INJECTION-LOCKED RADAR

Номер патента: US20220146624A1. Автор: CHEN Kuan-Hung,Wang Fu-Kang,Juan Pin-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

QUADRATURE SELF-INJECTION-LOCKED RADAR

Номер патента: US20180224526A1. Автор: Horng Tzyy-Sheng,Wang Fu-Kang,Tang Mu-Cyun. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

DIGITAL SELF-INJECTION-LOCKED RADAR

Номер патента: US20210341595A1. Автор: Horng Tzyy-Sheng,SU WEI-CHIH,Yu Shiang-Hwua. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-04.

DUAL-LOOP SELF-INJECTION LOCKED OPTOELECTRONIC OSCILLATOR

Номер патента: US20180329235A1. Автор: Vikulin Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

SIX-PORT SELF-INJECTION-LOCKED RADAR

Номер патента: US20200341110A1. Автор: Wang Fu-Kang,Tian Sheng-You,Juan Pin-Hsun,Lee Chan-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

Self-injection locking resonance type optical gyroscope and its method of work

Номер патента: CN107843248A. Автор: 张�荣,孔梅. Владелец: Changchun University of Science and Technology. Дата публикации: 2018-03-27.

Six-port self-injection-locked radar

Номер патента: US11520007B2. Автор: Fu-Kang WANG,Zhi-Rong Liu,Pin-Hsun Juan. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-12-06.

Six-port self-injection-locked radar

Номер патента: TW202142891A. Автор: 王復康,阮品勳,劉致榕. Владелец: 國立中山大學. Дата публикации: 2021-11-16.

Motion/vibration detection system and method with self-injection locking

Номер патента: US9603555B2. Автор: Fu-Kang WANG,Tzyy-Sheng Horng,Kang-Chun PENG. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-03-28.

Self-injection locking formula concatenated flux door sensor and implementation

Номер патента: CN107450036B. Автор: 王言章,陈思宇,李京杰,纪诚. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2019-07-05.

Method for selectively depositing a polycrystalline diamond coating on silicon bases

Номер патента: RU2656627C1. Автор: Степан Андреевич Линник,Виталий Владимирович Охотников,Александр Валерьевич Гайдайчук. Владелец: Александр Валерьевич Гайдайчук. Дата публикации: 2018-06-06.

Catalyst based on tantalum deposited on silicon oxide for converting ethanol to butadiene

Номер патента: RU2726116C2. Автор: Александра ШОМОННО,Николя КАДРАН. Владелец: Ифп Энержи Нувелль. Дата публикации: 2020-07-09.

Plasma sprayed mullite coatings on silicon based ceramic materials

Номер патента: EP1047653B1. Автор: Stephen Chin,Daniel R. Godin,George E. Foster,Philip H. McCluskey,Harry E. Eaton, Jr.,Charles A. Ellis,Glenn A. Cotnoir,H. David Harter. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2002-03-13.

Plasma sprayed mullite coatings on silicon based ceramic materials

Номер патента: EP1047653A2. Автор: Stephen Chin,Daniel R. Godin,George E. Foster,Philip H. McCluskey,Harry E. Eaton, Jr.,Charles A. Ellis,Glenn A. Cotnoir,H. David Harter. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2000-11-02.

Plasma sprayed mullite coatings on silicon based ceramic materials and a method of making the same

Номер патента: WO1999024379A2. Автор: Stephen Chin,Daniel R. Godin,George E. Foster,Philip H. McCluskey,Harry E. Eaton, Jr.,Charles A. Ellis,Glenn A. Cotnoir,H. David Harter. Владелец: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 1999-05-20.

Glues based on silicon-acryl hybrid polymer

Номер патента: RU2544702C2. Автор: Чарльз У. ПОЛ,Юксиа ЛИУ,Джиангбо ОУЯНГ,Пол ФОРМАН,Лаксмиша М. СРИДХАР,Смита ШАХ. Владелец: Хенкель Корпорейшн. Дата публикации: 2015-03-20.

Method for producing ceramic composite material based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibers

Номер патента: RU2744543C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon-based protective film for adhesive, method of production thereof and uses thereof

Номер патента: US11725123B2. Автор: Nicolas Vandencasteele,ERIC Lucien Marie GAT. Владелец: Coating Plasma Innovation SAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Method of making ceramics based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibres

Номер патента: RU2718682C2. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Сергей Николаевич Перевислов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2020-04-13.

Ceramic nanostructured material based on silicon nitride and method of its production

Номер патента: RU2653182C2. Автор: Михаил Юрьевич Попов,Иван Павлович Иллич-Свитыч,Николай Владимирович Хохлов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2018-05-07.

Method for obtaining a wear-resistant composite material based on silicon carbide

Номер патента: RU2759858C1. Автор: Петр Александрович Витязь,Александр Федорович Ильющенко,Лариса Николаевна Дьячкова,Владимир Анатольевич Осипов. Владелец: ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ ПОРОШКОВОЙ МЕТАЛЛУРГИИ ИМЕНИ АКАДЕМИКА О.В. РОМАНА. Дата публикации: 2021-11-18.

Composition for bonding ceramic composite materials based on silicon carbide

Номер патента: RU2604530C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Олег Юрьевич Сорокин,Денис Вячеславович Гращенков,Сергей Станиславович Солнцев,Мария Леонидовна Ваганова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2016-12-10.

Electro-optical modulators and applications based on silicon processing compatible nonlinear optical materials

Номер патента: US20230168561A1. Автор: Rajat Sharma,Alex Friedman,Yeshaiahu Fainman,Andrew Ingram,Andrew GRIECO,Alexei Smolyaninov,Dhaifallah Almutairi,Naif Alshamrani,Hani NEJADRIAHI,Dmitrii Belogolovskii. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-06-01.

Method of depositing aluminium oxide coating on silicon carbide-coated substrate

Номер патента: RU2468361C2. Автор: Фредерик ЛЕМАН,Софи КОСТИЛЬ,Кристиан КОДДЕ,Пьер БЕРТРАН,Себастьен ЛЮКА. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2012-11-27.

Antimicrobial compositions for oral cavity based on silicon dioxide

Номер патента: RU2727205C2. Автор: Терри НАССИВЕРА,Карл ГАЛЛИС,Эрик ЛИНДКВИСТ,Линда МАУЛЛЕР. Владелец: Эвоник Оперейшнс Гмбх. Дата публикации: 2020-07-21.

Base chip and semiconductor package including the same

Номер патента: US09972378B2. Автор: Chun-Seok Jeong,Hyun-Sung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Terahertz modulator based on silicon micro-nano structure and its preparation method

Номер патента: LU500934B1. Автор: Jingbo Liu,Dongxiong LING,Qinnan Zhang. Владелец: Univ Dongguan Technology. Дата публикации: 2022-06-01.

Method of producing sensitive elements based on silicon-carbon composites and making gas sensors based thereon

Номер патента: RU2732802C1. Автор: Наталья Васильевна Меньшутина,Мария Геннадьевна Гордиенко,Ирина Сергеевна Бриллиантова,Дмитрий Давидович Белоус,Павел Юрьевич Циганков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2020-09-22.

MATERIAL FOR CONVERSION OF VACUUM ULTRAVIOLET RADIATION INTO VISIBLE RANGE RADIATION IN FORM OF AMORPHOUS FILM OF SILICON OXIDE SiO2Sx ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2584205C2. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов,Владимир Алексеевич Пустоваров,Фиттинг Ганс-Йохим. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2016-05-20.

Lubricant grease composition based on silicone base stock

Номер патента: WO2020018286A1. Автор: Detlev HESSE. Владелец: Dow Silicones Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Method for producing a silicon-based timepiece spring

Номер патента: US20210109483A1. Автор: Frédéric Maier,Sylvain Jeanneret,Jean-Luc Bucaille. Владелец: PATEK PHILIPPE SA GENEVE. Дата публикации: 2021-04-15.

Method for producing a silicon-based timepiece spring

Номер патента: US11796966B2. Автор: Frédéric Maier,Sylvain Jeanneret,Jean-Luc Bucaille. Владелец: PATEK PHILIPPE SA GENEVE. Дата публикации: 2023-10-24.

Care and/or makeup composition comprising a silicone elastomer containing carboxylic acid functions and a copolymer based on silicone resin and on silicone of dimethiconol type

Номер патента: EP4401704A1. Автор: Guillaume Kergosien,Kévin DU. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-07-24.

Care and/or makeup composition comprising a silicone elastomer containing carboxylic acid functions and a copolymer based on silicone resin and on silicone of dimethiconol type

Номер патента: US20240358622A1. Автор: Guillaume Kergosien,Kévin DU. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-10-31.

Sintered refractory block based on silicon carbide with silicon nitride binder

Номер патента: RU2395477C9. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье Маргюэн. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2010-10-10.

On-chip laser neuron integrated on silicon

Номер патента: US20240311627A1. Автор: Di Liang,Bassem Tossoun. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2024-09-19.

Composition based on zirconium oxide, titanium oxide or mixed zirconium and titanium oxide, deposited on silicon oxide support, methods of producing said composition and use thereof as catalyst

Номер патента: RU2448908C1. Автор: Симон ИФРА,Стефан ВЕРДЬЕ,Гийом КРИНЬЕР,КОЭЛЬО МАРКЕШ Руй ЖОРЖЕ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2012-04-27.

Method of producing porous material based on silicon nitride

Номер патента: RU2736195C1. Автор: Владимир Николаевич Манжай,Мария Сергеевна Фуфаева,Константин Александрович Болгару. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Томский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (ТНЦ СО РАН). Дата публикации: 2020-11-12.

Method of making ceramics based on silicon nitride - titanium nitride composite

Номер патента: RU2697987C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Светлана Николаевна Ивичева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2019-08-21.

Composition, based on zirconium oxide, titanium oxide or mixed zirconium and titanium oxide, applied on silicon oxide carrier, methods of obtaining thereof, applying thereof and applying thereof as catalyst

Номер патента: RU2531306C2. Автор: Симон ИФРА,Стефан ВЕРДЬЕ,Гийом КРИНЬЕР,КОЭЛЬО МАРКЕШ Руй ЖОРЖЕ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2014-10-20.

Process for the preparation of polyurethane solutions based on silicon-polycarbonate diols

Номер патента: EP3302589A1. Автор: Francis P. MAGUIRE,Sriram Venkataramani. Владелец: Aortech Europe Ltd. Дата публикации: 2018-04-11.

Process for the preparation of polyurethane solutions based on silicon-polycarbonate diols

Номер патента: AU2016274604B2. Автор: Francis P. MAGUIRE,Sriram Venkataramani. Владелец: Aortech Europe Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Device for measuring resistance and internal resistance using resonant oscillation

Номер патента: US20230280400A1. Автор: Tai Gia Hua,Quoc Bao Le. Владелец: Welgun Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Method and base chip for monitoring the operation of a microcontroller unit

Номер патента: US20060116776A1. Автор: Matthias Muth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-01.

Method and base chip for monitoring the operation of a microcontroller unit

Номер патента: EP1516254A2. Автор: Matthias c/o Philips Intellectual Property MUTH. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2005-03-23.

Method and base chip for monitoring the operation of a microcontroller unit

Номер патента: WO2003104992A3. Автор: Matthias Muth. Владелец: Philips Intellectual Property. Дата публикации: 2004-03-11.

Process for the production of mouldings from materials based on silicon nitride

Номер патента: WO1982004245A1. Автор: Robert Pompe. Владелец: Robert Pompe. Дата публикации: 1982-12-09.

Method for Obtaining Bimodal Mesoporous Materials Based on Silicon Oxides Using Microwave Radiation

Номер патента: US20230294997A1. Автор: Pedro Amoros Del Toro,Ruth DE LOS REYES CÁNOVAS,Ana María COSTERO NIETO,Jose Vicente Ros Lis,Jamal EL HASKOURI BENNAGI,Borja DÍAZ DE GREÑU PUERTAS,Sara MUÑOZ PINA. Владелец: UNIVERSITAT DE VALENCIA. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for obtaining bimodal mesoporous materials based on silicon oxides using microwave radiation

Номер патента: EP4253320A1. Автор: Pedro Amoros Del Toro,Ruth DE LOS REYES CÁNOVAS,Ana María COSTERO NIETO,Jose Vicente Ros Lis,Jamal EL HASKOURI BENNAGI,Borja DÍAZ DE GREÑU PUERTAS,Sara MUÑOZ PINA. Владелец: UNIVERSITAT DE VALENCIA. Дата публикации: 2023-10-04.

Cvd reactor for synthesis of heteroepitaxial silicon carbide films on silicon substrates

Номер патента: RU2767098C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Открытый код". Дата публикации: 2022-03-16.

A silicon mesa structure integrated in a glass-on-silicon waveguide, and a method of manufacturing it

Номер патента: EP1230717A1. Автор: Kent Erik Mattsson. Владелец: NKT Research Center AS. Дата публикации: 2002-08-14.

Method of producing structural ceramic material based on silicon carbide for articles of complex geometry

Номер патента: RU2739774C1. Автор: Алексей Владимирович Красиков,Михаил Александрович Марков,Павел Алексеевич Кузнецов,Евгений Александрович Самоделкин,Алина Дмитриевна Быкова,Михаил Валерьевич Хроменков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей" имени И.В. Горынина Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт"-ЦНИИ КМ "Прометей"). Дата публикации: 2020-12-28.

High-temperature antioxidant coating for ceramic composite materials based on silicon carbide

Номер патента: RU2601676C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Олег Юрьевич Сорокин,Денис Вячеславович Гращенков,Сергей Станиславович Солнцев,Мария Леонидовна Ваганова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2016-11-10.

Method for crosslinking hyaluronic acid using resonant acoustic mixing

Номер патента: WO2023184029A1. Автор: Felix Polyak. Владелец: Studio Bioscience Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

GRPC-Based Chip Test Method, GRPC-Based Chip Test Apparatus, and Storage Medium

Номер патента: US20240103075A1. Автор: Yufeng Peng,Ligang Yuan,Zeliang Xie,Zuhua Shi,Huichuang Ma. Владелец: Guangzhou Transa Semi Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of fabricating mirrors for liquid crystal on silicon display device

Номер патента: US20080135515A1. Автор: Yiqun Chen,Xianyong Pu,Jing Fu,Jianhong Mao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Method of producing high temperature powder composite material based on silicon carbides and titanium

Номер патента: RU2638866C1. Автор: Максим Николаевич Каченюк,Олег Васильевич Сомов,Светлана Аркадьевна Оглезнева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2017-12-18.

Explosives detection using resonance fluorescence of bremsstrahlung radiation

Номер патента: US5115459A. Автор: William Bertozzi. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1992-05-19.

Compound decomposing devices and methods using resonance of electromagnetic waves

Номер патента: US20240117502A1. Автор: Myeong-Eun Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-11.

Abrasion resistant articles based on silicon nitride

Номер патента: CA1155874A. Автор: Sergej-Tomislav Buljan,Vinod K. Sarin. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1983-10-25.

Method and base chip for monitoring the operation of a microcontroller unit

Номер патента: WO2003104992A2. Автор: Matthias Muth. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2003-12-18.

Wavelength selective switch, alignment direction acquisition method, liquid crystal on silicon, and manufacturing method

Номер патента: EP3677959A1. Автор: Mi Wang,Han Zhao,Lei Mao,Liangjia ZONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-08.

Liquid crystal on silicon panel with electrically-conductive adhesive

Номер патента: US20230296941A1. Автор: Edward Wang,Wenlin Jin,Chi-li-ma Harnold. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Preparation of nanometric arrays of biomolecules on oligo- or poly(ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: WO2005112565A2. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2005-12-01.

Method and base chip for monitoring the operation of a microcontroller unit

Номер патента: EP1516255A2. Автор: Martin Wagner,Matthias Philips Int. Prop. &Standards Gmbh MUTH. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2005-03-23.

Liquid-crystal-on-silicon display with photolithographic alignment posts and optical interference layers

Номер патента: US20020047967A1. Автор: SU Jie,HAN Gang,Ravi Yalamanchi. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Preparation of Nanometric Arrays of Biomolecules on Oligo-or Poly(Ethylene Glycol) Films on Silicon Surfaces

Номер патента: US20070212555A1. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Yam. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2007-09-13.

Preparation of nanometric arrays of biomolecules on oligo- or poly(ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: WO2005112565A3. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: Chin Ming Yam. Дата публикации: 2006-09-14.

Highly-reflective liquid crystal on silicon panel comprising a continuous reflective coating covering pixel electrodes and an inter-pixel coating

Номер патента: US09958726B2. Автор: Chun-Sheng Fan. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Liquid crystal on silicon panels and associated methods

Номер патента: US09459500B2. Автор: Chun-Sheng Fan,Wei-Feng Lin. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Composition for pigment dying based on specific acrylic polymer and on silicone copolymer and dying method

Номер патента: RU2643298C2. Автор: Карен ТЕБУЛЬ. Владелец: Л'Ореаль. Дата публикации: 2018-01-31.

Silicon oxide based support, heteropolyacid catalyst based on said support and synthesis of esters in presence of heteropolyacid catalyst deposited on silicon oxide

Номер патента: RU2395487C2. Автор: Крейг БЕЙЛИ,Бенджамин Патрик ГРЕЙСИ. Владелец: Бп Кемикэлз Лимитед. Дата публикации: 2010-07-27.

Process for preparing moldings based on silicon oxycarbide

Номер патента: US4833220A. Автор: Bernd Pachaly,Volker Frey,Norbert Zeller. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 1989-05-23.

Devices with monochromatic liquid crystal on silicon displays

Номер патента: EP4220279A1. Автор: Jacques Gollier. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-02.

Carbon nano tube technology in liquid crystal on silicon micro-display

Номер патента: US20060072063A1. Автор: Gihong Kim,Charles Koo. Владелец: NANO ACQUISITION CORP. Дата публикации: 2006-04-06.

Wavelength selective switch, alignment direction obtaining method, and liquid crystal on silicon and method for manufacturing same

Номер патента: US20200225418A1. Автор: Mi Wang,Han Zhao,Lei Mao,Liangjia ZONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Liquid crystal on silicon micro-display using carbon nanotube

Номер патента: US7728947B1. Автор: Gihong Kim,Charles Chul-Whei Koo. Владелец: Sysview Tech Inc. Дата публикации: 2010-06-01.

Carbon nanotube technology in liquid crystal on silicon micro-display

Номер патента: WO2006041914A1. Автор: Gihong Kim,Charles Chul-Whei Koo. Владелец: Charles Chul-Whei Koo. Дата публикации: 2006-04-20.

Method for elimination or furnace roll pickup marks on silicon containing sheet steel

Номер патента: CA1049904A. Автор: Arthur R. Henricks. Владелец: USS Engineers and Consultants Inc. Дата публикации: 1979-03-06.

Drug delivery device containing silicon-based carrier particles

Номер патента: RU2695536C2. Автор: Кристиан БАРНЕТТ,Лей Т. КЭНЭМ,Хонг Гуо,Мартин НАЗЗАРО. Владелец: Айпоинт Фармасьютикалз Юэс, Инк.. Дата публикации: 2019-07-23.

Chip-scale silicon-based hybrid-integrated LiDAR system

Номер патента: US12032094B2. Автор: Liangjun Lu,Jianping Chen,Linjie Zhou,Jiao LIU,Weihan Xu. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-07-09.

Silicone-Based Coating Composition and Silicone-Based Release Film Comprising Same

Номер патента: US20230094474A1. Автор: Kwang Su Seo,Jihye JUNG,Jun Hyoung Park,Jun Beom Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Silicone-based pressure-sensitive adhesive

Номер патента: EP3688099A1. Автор: Stephen B. Roscoe,Kevin M. Lewandowski,Babu N. Gaddam,George W. Griesgraber,Jitendra S. Rathore,Payam KHODAPARAST. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2020-08-05.

Silicone-based adhesive film, optical member comprising same, and optical display device comprising same

Номер патента: US20240327691A1. Автор: Il Jin KIM,Do Young Kim,Dong Myeong SHIN,Ji Won Kang,Sung Hyun Mun. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for processing silicon-based wire optical waveguide

Номер патента: US09442249B2. Автор: Takashi Nishi,Masahiko Mori,Tomoya Yoshida,Youichi Sakakibara. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of producing thin-film materials based on silicon, phosphorus, calcium and magnesium oxides

Номер патента: RU2719580C1. Автор: Людмила Павловна Борило,Екатерина Сергеевна Лютова,Лариса Николаевна Спивакова,Елена Анатольевна Изосимова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2020-04-21.

Method for obtaining sheet billets from hardened steel coated on aluminum or aluminum-silicon based coating

Номер патента: RU2680485C1. Автор: Арндт БРОЙЕР,Кристиан БОТ. Владелец: Виско Тейлорд Блэнкс Гмбх. Дата публикации: 2019-02-21.

Liquid crystal on silicon (LCOS) display device having a uniform cell gap

Номер патента: EP1550900A1. Автор: Jin-woo Cho,Su-Ho Shin,Su-gun Kim,Seong-woon 119-403 Ssangyong Apt. Booh,Jong-min 303-502 Hanra Apartment Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-06.

Liquid crystal on silicon panel with electrically-conductive adhesive

Номер патента: US11906852B2. Автор: Edward Wang,Wenlin Jin,Chi-li-ma Harnold. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-02-20.

Highly-Reflective Liquid Crystal On Silicon Panel

Номер патента: US20160246115A1. Автор: Chun-Sheng Fan. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Driving and encoding of a digitial liquid crystal on silicon (lcos) display

Номер патента: EP4338149A1. Автор: Guang Yang,Denise LEE,Tengjie SUI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Method for controlling voltages of liquid crystal on silicon two-dimensional array and related device

Номер патента: US11953803B2. Автор: TONG Li,HONG Yang,Lei Mao,Liangjia ZONG,Zeshan CHANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Systems And Methods For Integrating A-Axis Oriented Barium Titanate Thin Films On Silicon (001) Via Strain Control

Номер патента: US20200409190A1. Автор: Marc Reynaud,Alexander A. Demkov,Agham POSADAS. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2020-12-31.

Reinforcement learning (rl) based chip design optimization using trained graph convolutional networks (gcn) for ultra-fast cost function calculation

Номер патента: US20240169135A1. Автор: Joseph Robb WALSTON,Stylianos DIAMANTIDIS,Akash LEVY. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Polarization Control Device Based on Silicon Waveguide and Phase Change Material

Номер патента: US20230418090A1. Автор: Yan Li,Zhaohui Li,Ying Yu,Yuhang WEI,Siqing Zeng. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2023-12-28.

Method and base chip for monitoring the operation of a microcontroller unit

Номер патента: US20050251704A1. Автор: Martin Wagner,Mathias Muth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-10.

Retardation compensator for a liquid crystal-on-silicon imager

Номер патента: US7327423B2. Автор: Achintya K. Bhowmik. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-02-05.

Method and base chip for monitoring the operation of a microcontroller unit

Номер патента: WO2003104993A1. Автор: Matthias Muth,Martin Wagner. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2003-12-18.

Liquid crystal on silicon imager

Номер патента: US20110025957A1. Автор: Herb He Huang. Владелец: Jiangsu Lexvu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

Systems, methods and devices for aerosol spraying of silicone based topical skin adhesives for sealing wounds

Номер патента: WO2021240363A1. Автор: Duan Li Ou,Carolyn J. Mordas. Владелец: ETHICON, INC.. Дата публикации: 2021-12-02.

Silicone-based foam layer

Номер патента: US20240158594A1. Автор: YING Wang,Jia Liu,Fei Wang,Kai Gao,Balaji Gopalan,Arthur L. Adam, Jr.,Chuanping Li,Aaron Kessman,Shuai Liang,Cassandra Tubbs. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

High performance silicon based coatings

Номер патента: US20230399542A1. Автор: Chris FISH,Jerry KILBY. Владелец: BURNING BUSH GROUP LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Silicone-based products and their applications

Номер патента: US12104020B2. Автор: Frederic GUBBELS,Victor Baily. Владелец: Dow Silicones Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of making silicone-based foam material and silicon-based materials formed therefrom

Номер патента: US12129351B1. Автор: Matthew Lee,Kyle Cluff. Владелец: Triad National Security LLC. Дата публикации: 2024-10-29.

Silicon-based films and methods of forming the same

Номер патента: US09879340B2. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Anupama Mallikarjunan,Matthew R. Macdonald. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Silicon-based tetrahydrocannabinol derivatives and compositions thereof

Номер патента: EP4259065A1. Автор: Barry C. Arkles,Jonathan D. GOFF,Taewoo Min. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

Silicon-based materials containing indium and methods of forming the same

Номер патента: US20180079688A1. Автор: Glen Harold Kirby,Julin Wan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-03-22.

Method for sealing airbag inflator, silicone-based pressure-sensitive adhesive tape and airbag inflator

Номер патента: WO2009014915A1. Автор: Harumi Ushito. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2009-01-29.

Method for dismantling bonded member, bonded member, and easily dismantled silicone-based liquid adhesive

Номер патента: EP4410921A1. Автор: Norio Kameda. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Silicon-based Tetrahydrocannabinol Derivatives and Compositions Thereof

Номер патента: US20220185829A1. Автор: Barry C. Arkles,Jonathan D. GOFF,Taewoo Min. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Silicon-based cured foam material for rapidly blocking forest fire, and preparation method and use thereof

Номер патента: US20240327712A1. Автор: Pengfei Wang. Владелец: Tianjin Fire Science And Technology Research Institute Of Mem. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon-based materials containing indium and methods of forming the same

Номер патента: US09944563B2. Автор: Glen Harold Kirby,Julin Wan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing silicon-based anode active material and manufacturing equipment implementing such method

Номер патента: US20240101432A1. Автор: Chung-Wen Lan. Владелец: Blue Star Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Silicon-based optical modulator

Номер патента: US20210072614A1. Автор: Joon Ki Lee,Sanghwa YOO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2021-03-11.

A silicon-based micro-machined vibratory gyroscope with an i-shaped structure

Номер патента: US20190017822A1. Автор: YANG Zhao,Qin Shi,Anping QIU,Guoming XIA. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2019-01-17.

Acetoacetyl-functional silicon-based resin and process for preparing the same

Номер патента: US20150218414A1. Автор: NIU Song,Wen Jinsong,Gang Duan. Владелец: Valspar Sourcing Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Silane coating compositions containing silicon-based polyether copolymers, methods for coating metal surfaces and articles made therefrom

Номер патента: EP2382277A1. Автор: George Policello,Christopher M. BYRNE,Suresh Rajamaran. Владелец: Momentive Performance Materials Inc. Дата публикации: 2011-11-02.

Method of synthesizing silicon carbide materials from silicon based polymers

Номер патента: US20100222207A1. Автор: Masahito Yoshikawa,Ryoji Tanaka,Masaki Sugimoto,Akira Idesaki. Владелец: JAPAN ATOMIC ENERGY AGENCY. Дата публикации: 2010-09-02.

Silicon-based cured foam material for rapidly blocking forest fire, and preparation method and use thereof

Номер патента: US12110440B1. Автор: Pengfei Wang. Владелец: Tianjin Fire Science And Technology Research Institute Of Mem. Дата публикации: 2024-10-08.

Invert emulsions made with non-PEG containing silicone based polyhydric emulsifiers

Номер патента: US10336776B1. Автор: Rick Vrckovnik,Mark Riddle,Fenbao David Zhang. Владелец: Siltech Corp. Дата публикации: 2019-07-02.

Acryl-silicone-based hybrid emulsion adhesive composition and method of preparing the same

Номер патента: US09856405B2. Автор: Young-Min Kim,Mi Young Kim,Jung Sup Han,Kumhyoung LEE,Jae Woung Ha,Kong Ju Song. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Door lock using a mobile device as an input interface

Номер патента: US09779567B1. Автор: I-Ting Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-03.

Circuitry and techniques for determining an SOC of a battery/cell having a silicon-based anode and a fuel gauge therefor

Номер патента: US09500713B1. Автор: Fred Berkowitz,Dania Ghantous,Nadim Maluf,David Bruce Koons,Miroslav Zmrzli,Christina Peabody. Владелец: Qnovo Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Acetoacetyl-functional silicon-based resin and process for preparing the same

Номер патента: US09403949B2. Автор: NIU Song,Wen Jinsong,Gang Duan. Владелец: Valspar Sourcing Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Silicone-based tube for removal of bad-smelling substances from human body

Номер патента: RU2454976C2. Автор: Минлян Лоренс ЦАЙ,Кристофер ГРЕГОРИ. Владелец: Конватек Текнолоджиз Инк.. Дата публикации: 2012-07-10.

Silicone-based composition for skin treatment

Номер патента: CA2857043A1. Автор: Charles D. Hodge,Jay Richard Ii Ray. Владелец: JCDS Holdings LLC. Дата публикации: 2013-07-04.

Silicone-based composition for skin treatment

Номер патента: CA2857043C. Автор: Charles D. Hodge,Jay Richard Ii Ray. Владелец: CMPD LICENSING LLC. Дата публикации: 2016-01-05.

Coupling alignment device and method for laser chip and silicon-based optoelectronic chip

Номер патента: US11803019B2. Автор: Chao Peng,Heng ZHAO,Junbo FENG. Владелец: United Microelectronics Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method for processing silicon-based wire optical waveguide

Номер патента: US20160047979A1. Автор: Takashi Nishi,Masahiko Mori,Tomoya Yoshida,Youichi Sakakibara. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-02-18.

Silicon-based solid amine sorbent for co2 and making method thereof

Номер патента: US20240123423A1. Автор: FENG Yan,Chunyan Li,Xuehua Shen,Fan QU,Zuotai ZHANG. Владелец: Decarbon Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Silicon-based integrated optical chip integrating silicon-based optical modulator and germanium-silicon detector and preparation method therefor

Номер патента: US20240151899A1. Автор: Yadong Liu,Pengfei Cai,Tzung-I Su. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicone-based polymer compound and silicone-based polymer material

Номер патента: EP4375312A1. Автор: Minoru Igarashi,Yoshinori Takashima,Masanao Kamei,Hideo Nakagawa,Akira Harada,Motofumi Osaki,Kentaro Ogura,Nobu Kato,Junsu PARK,Daichi YOSHIDA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-05-29.

Silicon-based modulator with optimized doping profiles and different transition zone thicknesses

Номер патента: EP3743765A1. Автор: Yves Painchaud,Alexandre Delisle-Simard. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2020-12-02.

Pixel circuit, silicon-based display panel, and display device

Номер патента: US20210335264A1. Автор: Tong Wu,Chang-Ho Tseng,Ping-Lin Liu. Владелец: Seeya Optronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Silicon-based reconfigurable microwave photonic multi-beam forming network chip

Номер патента: US20240219631A1. Автор: Liangjun Lu,Jianping Chen,Linjie Zhou,Jiao LIU,Ziheng NI. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-07-04.

Public health screening for cognitive health using silicone based eeg dry sensor

Номер патента: AU2021106555A4. Автор: Sendilkumar B.,Deepiga G.,Tamilchudar R.,Priyamathi T.. Владелец: Vinayaka Misions Res Foundation. Дата публикации: 2021-12-09.

Silicon-based opto-electronic integrated circuit with reduced polarization dependent loss

Номер патента: WO2012082834A1. Автор: Kalpendu Shastri,Raymond Nering. Владелец: LIGHTWIRE, INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

Silicon-based explosive devices and methods of manufacture

Номер патента: US20120174808A1. Автор: Ronald G. Polcawich,Luke J. Currano,Wayne Churaman,Mark Gelak. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2012-07-12.

Bifunctional silicon based photoinitiators

Номер патента: EP4352067A1. Автор: Marika MORONE,Vincenzo RAZZANO,Gianni CASALUCE. Владелец: Igm Resins Italia Srl. Дата публикации: 2024-04-17.

Low loss contact structures for silicon based optical modulators and methods of manufacture

Номер патента: WO2006020701A1. Автор: Thomas Keyser,Cheisan J. Yue. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2006-02-23.

Alkoxysilyl functional silicone based materials

Номер патента: EP1470193A1. Автор: Arnold W. Lomas,William Schulz, Jr.. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2004-10-27.

Alkoxysilyl functional silicone based materials

Номер патента: US20030158326A1. Автор: William Schulz,Arnold Lomas. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Alkoxysilyl functional silicone based materials

Номер патента: EP1470193B1. Автор: Arnold W. Lomas,William Schulz, Jr.. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2008-12-31.

Alkoxysilyl functional silicone based materials

Номер патента: WO2003064533A1. Автор: Arnold W. Lomas,William Schulz, Jr.. Владелец: Dow Corning Corporation. Дата публикации: 2003-08-07.

Silicon-based opto-electronic integrated circuit with reduced polarization dependent loss

Номер патента: EP2652534A1. Автор: Kalpendu Shastri,Raymond Nering. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-23.

Welding method for flexible and rollable silicon-based solar module

Номер патента: US12059740B2. Автор: Hsin-Wang Chiu. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Bifunctional silicon based photoinitiators

Номер патента: US20240279257A1. Автор: Marika MORONE,Vincenzo RAZZANO,Gianni CASALUCE. Владелец: Igm Resins Italia Srl. Дата публикации: 2024-08-22.

Silicone-based pressure-sensitive adhesive composition and pressure-sensitive tape or sheet

Номер патента: US8618234B2. Автор: Seiji Hori,Takateru Yamada,Robert Alan Ekeland,Haruna Mizuno. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-31.

Silicone-based sealant and methods of forming the same

Номер патента: US20240191115A1. Автор: Hua Wang,Shuai Liang. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Pixel circuit, silicon-based display panel, and display device

Номер патента: US20210335229A1. Автор: Tong Wu,Chang-Ho Tseng,Ping-Lin Liu. Владелец: Seeya Optronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Oxidation barrier coatings for silicon based ceramics

Номер патента: EP1685083A1. Автор: Poandl Lee,Derek Raybould,Bjoern Schenk,Chien-Wei Li,Paul Chipko,Thomas Strangman. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-08-02.

Silicone-based pressure-sensitive adhesive composition and pressure-sensitive tape or sheet

Номер патента: EP2197971A2. Автор: Seiji Hori,Takateru Yamada,Robert Alan Ekeland,Haruna Mizuno. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-23.

Silicone-based sealant and methods of forming the same

Номер патента: WO2024129859A1. Автор: Hua Wang,Shuai Liang. Владелец: Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Split prism silicon-based liquid immersion microchannel measuring device and method

Номер патента: US20240337591A1. Автор: Hyun Mo Cho,Dong Hyung Kim. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2024-10-10.

Bioerodible silicon-based compositions for delivery of therapeutic agents

Номер патента: US09980911B2. Автор: Paul Ashton,Leigh T. Canham,Christian Barnett. Владелец: PSIVIDA US Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Silicone-based copolymer resin powder, making method, and cosmetics

Номер патента: US09980885B2. Автор: Akira Yamamoto,Kentaro Watanabe. Владелец: Nissin Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Silicon based drug conjugates and methods of using same

Номер патента: US09931407B2. Автор: Douglas S. Werner,Kenneth W. Foreman,Jutta Wanner,Leslie O. OFORI,Hanh N. Nguyen. Владелец: Blinkbio Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

High performance silicon based coating compositions

Номер патента: US09856400B2. Автор: Chris FISH,Jerry KILBY. Владелец: BURNING BUSH GROUP LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Silicon-based cross coupling agents and methods of their use

Номер патента: US09850261B2. Автор: Luis Sanchez,Amos B. Smith, III,Adam T. HOYE,Won-Suk Kim,Dionicio MARTINEZ-SOLORIO,Rongbiao TONG,Minh Huu Nguyen,Bruno Nicolas MELILLO. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2017-12-26.

Silicon based terahertz full wave liquid crystal phase shifter

Номер патента: US09835924B1. Автор: Tsung-Hsien Lin,Chun-Ta Wang,Chao-Kuei Lee,Han-Wei Zhang,jun-ting Guo. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-12-05.

Bioerodible silicon-based devices for delivery of therapeutic agents

Номер патента: US09808421B2. Автор: Paul Ashton,Leigh T. Canham,Christian Barnett. Владелец: PSIVIDA US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Silicon-based electro-optic modulator

Номер патента: US09703125B2. Автор: Junichi Fujikata,Shigeki Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Bioerodible silicon-based compositions for delivery of therapeutic agents

Номер патента: US09603801B2. Автор: Paul Ashton,Leigh T. Canham,Christian Barnett. Владелец: PSIVIDA US Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Sunscreen formulations comprising Gemini surfactants and silicone based surfactants

Номер патента: US09603787B2. Автор: Michael Russell,Qiwei He. Владелец: Akzo Nobel Chemicals International BV. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon-based monolithic integrated sonar array

Номер патента: US09581686B2. Автор: JIAO Xu,Guojun Zhang,Jijun Xiong,Wendong Zhang,Chenyang Xue,Linggang Guan,Xibao Liu,Xiaoyao Wang. Владелец: NORTH UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2017-02-28.

High performance silicon based coating compositions

Номер патента: US09567488B2. Автор: Chris FISH. Владелец: BURNING BUSH GROUP LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Silicon-based repair methods and composition

Номер патента: US09540497B2. Автор: Kevin Paul Mcevoy,Don Mark Lipkin,Nicholas Edward Antolino,David POERSCHKE. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-01-10.

High performance silicon-based compositions

Номер патента: US09505949B2. Автор: Chris FISH. Владелец: BURNING BUSH GROUP LLC. Дата публикации: 2016-11-29.

Silicon-based cross coupling agents and methods of their use

Номер патента: US09499660B2. Автор: Luis Sanchez,Amos B. Smith, III,Adam T. HOYE,Bruno Melillo,Won-Suk Kim,Dionicio MARTINEZ-SOLORIO,Rongbiao TONG,Minh Huu Nguyen. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2016-11-22.

Silicon-based rib-waveguide modulator and fabrication method thereof

Номер патента: US09429776B2. Автор: Changhua Chen,Dong Pan,Tuo SHI,Tzung-I Su,Yongbo Shao. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Silicone based tube for transporting malodoriforous matter from the human body

Номер патента: AU2007308971B2. Автор: Christopher Gregory,Mingliang Lawrence Tsai. Владелец: Convatec Technologies Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Silicone based tube for transporting malodoriforous matter from the human body

Номер патента: CA2667822C. Автор: Christopher Gregory,Mingliang Lawrence Tsai. Владелец: Convatec Technologies Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Silicone based tube for transporting malodoriforous matter from the

Номер патента: US20080103463A1. Автор: Christopher Gregory,Mingliang Lawrence Tsai. Владелец: Bristol Myers Squibb Co. Дата публикации: 2008-05-01.

Repair methods for silicon-based components

Номер патента: CA3015901A1. Автор: Satya Kishore Manepalli,Don Mark Lipkin,Nicholas Edward Antolino,Atanu Saha. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-03-14.

Machine for mixing and extruding rubber-based and silicone-based plastic materials and method therefor

Номер патента: AU2003283815A1. Автор: Ubaldo Colombo. Владелец: Colmec SpA. Дата публикации: 2005-05-11.

Process for preparing silicon-base complex ferrous alloys

Номер патента: US4576637A. Автор: Istvan Tamas,Janos Kovacs,Szilard Riederauer. Владелец: Vasipari Kutato Es Fejleszto Vallalat. Дата публикации: 1986-03-18.

Silicone-based barrier compositions

Номер патента: CA3145255C. Автор: Zhifeng BAI,Jodi M. Mecca,Sudhakar Balijepalli,Yiyong He,Michael Brasseur,John J. Rabasco,Tirtha Chatterjee,Michael P. Tate. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 2022-10-04.

Silicone-based adhesive protective film and optical member comprising the same

Номер патента: US20230407155A1. Автор: Won Kim,Il Jin KIM,Dong Il Han,Dong Myeong SHIN,Tae Ji KIM. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Curable silicone-based gel composition, cured gel thereof, encapsulant agent, electronic article and protection method for semiconductor chip

Номер патента: WO2024020137A1. Автор: Ryan Thomas,Myoungbae LEE,Michael WHITBRODT. Владелец: Dow Silicones Corporation. Дата публикации: 2024-01-25.

Silicon-based cannabidiol derivatives and compositions thereof

Номер патента: WO2021080648A1. Автор: Barry C. Arkles,Youlin Pan,Jonathan D. GOFF,Taewoo Min,Tatyana Abel-Roberman. Владелец: GELEST TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2021-04-29.

Silicon-based cannabidiol derivatives and compositions thereof

Номер патента: US10933008B1. Автор: Barry C. Arkles,Youlin Pan,Jonathan D. GOFF,Taewoo Min,Tatyana Abel-Roberman. Владелец: Gelest Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-02.

Silicone-based dyes and methods for making and using the same

Номер патента: EP4337221A1. Автор: Jared Heath Delcamp,David Ndaleh Dodah NGHOMBUI,William Edward MEADOR. Владелец: UNIVERSITY OF MISSISSIPPI. Дата публикации: 2024-03-20.

Method of adhering silicone base material to a substrate

Номер патента: EP3452559A1. Автор: Frederic GUBBELS,Tatiana Dimitrova,Gregory Chambard,Tommy Detemmerman. Владелец: Dow Silicones Corp. Дата публикации: 2019-03-13.

Silicone-based adhesive protective film and optical member comprising the same

Номер патента: US11767453B2. Автор: Won Kim,Il Jin KIM,Dong Il Han,Dong Myeong SHIN,Tae Ji KIM. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Silicone-based dyes and methods for making and using the same

Номер патента: AU2022272326A1. Автор: Jared Heath Delcamp,David Ndaleh Dodah NGHOMBUI,William Edward MEADOR. Владелец: UNIVERSITY OF MISSISSIPPI. Дата публикации: 2023-12-07.

Oil compound for silicone-based defoaming agents, method for producing same, and defoaming agent containing oil compound for silicone-based defoaming agents

Номер патента: US20240093119A1. Автор: Takeshi Yoshizawa,Kazuhiko Kojima,Tsunehito Sugiura,Ikutaro Morikawa. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Silicon-based cross-coupling reagent and production method of organic compound using the same

Номер патента: US7960571B2. Автор: Yoshiaki Nakao,Tamejiro Hiyama. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2011-06-14.

Systems, methods and devices for aerosol spraying of silicone based topical skin adhesives for sealing wounds

Номер патента: US20210371190A1. Автор: Duan Li Ou,Carolyn J. Mordas. Владелец: Ethicon Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Silicon-based tetrahydrocannabinol derivatives and compositions thereof

Номер патента: CA3201704A1. Автор: Barry C. Arkles,Jonathan D. GOFF,Taewoo Min. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Silicon-based cannabidiol derivatives and compositions thereof

Номер патента: WO2021080648A8. Автор: Youlin Pan,Jonathan D. GOFF,Taewoo Min,Tatyana Abel-Roberman,Barry C. ARKLES, Ph.D.. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of adhering silicone base material to a substrate

Номер патента: CA3023155C. Автор: Frederic GUBBELS,Tatiana Dimitrova,Gregory Chambard,Tommy Detemmerman. Владелец: Dow Silicones Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Silicone-based foam layer

Номер патента: WO2024107785A1. Автор: YING Wang,Jia Liu,Fei Wang,Kai Gao,Balaji Gopalan,Chuanping Li,Aaron Kessman,Shuai Liang,JR. Arthur L. ADAM,Cassandra Tubbs. Владелец: Saint-Gobain Performance Plastics Corporation. Дата публикации: 2024-05-23.

Electronic device and method for releasing lock using element combining color and symbol

Номер патента: US09477831B2. Автор: Kyung-Duk CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Silicon-based sleeve devices for chemical reactions

Номер патента: US5589136A. Автор: Raymond P. Mariella, Jr.,M. Allen Northrup,Anthony V. Carrano,Joseph W. Balch. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1996-12-31.

Method of indicating mechanical resonances on photographs of fluorescent marker tracks

Номер патента: RU2666583C1. Автор: Александр Иванович Королев. Владелец: Федеральное государственное автономное научное учреждение "Центральный научно-исследовательский и опытно-конструкторский институт робототехники и технической кибернетики" (ЦНИИ РТК). Дата публикации: 2018-09-11.

Coating system for silicon based substrates

Номер патента: US7374818B2. Автор: Wayde R. Schmidt,Tania Bhatia,William K. Tredway,Venkata R. Vedula. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2008-05-20.

High-speed silicon-based electro-optic modulator

Номер патента: CA2519672C. Автор: Prakash Gothoskar,Robert Keith Montgomery,Margaret Ghiron,Vipulkumar Patel,Kalpendu Shastri,Soham Pathak,Katherine A. Yanushefski. Владелец: SiOptical Inc. Дата публикации: 2012-11-13.

Integrated approach for design, simulation and verification of monolithic, silicon-based opto-electronic circuits

Номер патента: CA2581451A1. Автор: Prakash Gothoskar,Paulius Mosinskis,Kalpendu Shastri,Soham Pathak,Bipin Dama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Silicone-based material

Номер патента: SG184986A1. Автор: Naiyong Jing,David Scott Thompson,Junkang Jacob Liu,Todd G Pett,Timothy J Hebrink,Justin A Riddle,Andrew K Hartzell. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2012-11-29.

Silicon-based optical modulator with improved efficiency and chirp control

Номер патента: WO2010144346A2. Автор: Mark Webster,Kalpendu Shastri,Russell Romano. Владелец: 4Lightwire, Inc.. Дата публикации: 2010-12-16.

Thermoplastic silicone-based polymer process additives for injection molding applications

Номер патента: US8552136B2. Автор: Claude Lavallée,Audrey A. Sherman,Siegmund Papp. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2013-10-08.

Silicon-based optical modulator with improved efficiency and chirp control

Номер патента: CA2764643C. Автор: Mark Webster,Kalpendu Shastri,Russell Romano. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Silicone-based composition and cured product thereof

Номер патента: EP4310119A1. Автор: ROY Basab,Kazuhisa Ono,Koji Okawa,Sangjae Lee,Jinhyouk LEE. Владелец: Momentive Performance Materials Korea Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Silicone-based composition and article made therefrom

Номер патента: EP3555213A1. Автор: Michael J. Tzivanis,Alban Letailleur,JianFeng Zhang,Brian J. Ward,Xipeng Liu,Jian L. DING. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2019-10-23.

Silicone-based composition and article made therefrom

Номер патента: US20180171143A1. Автор: Michael J. Tzivanis,Alban Letailleur,JianFeng Zhang,Brian J. Ward,Xipeng Liu,Jian L. DING. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Silicone-based electrodepositable coating composition

Номер патента: US20210198523A1. Автор: David A. Stone,Jonathan A. Love,Casey Sample. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Silicone-based electrodepositable coating composition

Номер патента: US20230059457A1. Автор: David A. Stone,Jonathan A. Love,Casey Sample. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Silicone-based electrodepositable coating composition

Номер патента: EP4085106A1. Автор: David A. Stone,Jonathan A. Love,Casey Sample. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2022-11-09.

Silicone-based adhesive and adhesive tape

Номер патента: US20230235206A1. Автор: Yoshinori Watanabe,Izumi Shimizu. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Oil compound for silicone-based defoaming agents, method for producing same, and defoaming agent containing oil compound for silicone-based defoaming agents

Номер патента: EP4268921A1. Автор: Takeshi Yoshizawa,Kazuhiko Kojima,Tsunehito Sugiura,Ikutaro Morikawa. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Silicone-based adhesive and adhesive tape

Номер патента: EP4180496A1. Автор: Yoshinori Watanabe,Izumi Shimizu. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2023-05-17.

Coplanar Waveguide Transmission Line And Silicon-Based Electro-Optic Modulator Comprising The Same

Номер патента: US20210286202A1. Автор: Yadong Liu,Dong Pan,Pengfei Cai,Tzung-I Su. Владелец: SiFotonics Technologies Co Ltd Cayman Islands. Дата публикации: 2021-09-16.

Coplanar waveguide transmission line and silicon-based electro-optic modulator comprising the same

Номер патента: US11480817B2. Автор: Yadong Liu,Dong Pan,Pengfei Cai,Tzung-I Su. Владелец: SiFotonics Technologies Co Ltd Cayman Islands. Дата публикации: 2022-10-25.

Silicone-based composition and cured product thereof

Номер патента: US20240174850A1. Автор: ROY Basab,Kazuhisa Ono,Koji Okawa,Sangjae Lee,Jinhyouk LEE. Владелец: Momentive Performance Materials Korea Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Silicone-based adhesive protection film and optical member comprising same

Номер патента: US20220206190A1. Автор: Won Kim,Yoo Jin SUH,Il Jin KIM,Tae Ji KIM,Bong Soo Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Drip irrigation emitter having a silicone-based membrane containing ferric oxide

Номер патента: US20220132755A1. Автор: Tsipora Yankovitz,Eliyahu Hay Madar. Владелец: Netafim Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Silicone based tube for transporting malodoriforous matter from the human body

Номер патента: NZ577154A. Автор: Christopher Gregory,Mingliang Lawrence Tsai. Владелец: Convatec Technologies Inc. Дата публикации: 2012-06-29.

Silicone-based stabilizers useful in the preparation of improved polyurethane foams

Номер патента: US4797501A. Автор: Michael W. Jorgenson,Frank E. Critchfield,Richard C. Myerly. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1989-01-10.

Monomer systems with dispersed silicone-based engineered particles

Номер патента: WO2013085814A3. Автор: Charles W. Scales,Brent Matthew Healy,Christopher D. Anderson,Eric R. George,Robert D. Gleim. Владелец: JOHNSON & JOHNSON VISION CARE, INC.. Дата публикации: 2013-08-01.

Monomer systems with dispersed silicone-based engineered particles

Номер патента: EP2788405A2. Автор: Charles W. Scales,Brent Matthew Healy,Christopher D. Anderson,Eric R. George,Robert D. Gleim. Владелец: Johnson and Johnson Vision Care Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

Silicon-based sensors and method of making same

Номер патента: WO1989005968A1. Автор: Ki W. Lee. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 1989-06-29.

Silicone-based synthetic fiber finishing agent

Номер патента: US4725635A. Автор: Masaki Tanaka,Hiroshi Ohashi,Fumio Okada. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1988-02-16.

Introduced in processes for the manufacture of silicon-based curable compositions

Номер патента: US4312801A. Автор: Jean-Michel Hiriart Bodin,Jean-Claude Lahournere Irubetagoyena. Владелец: Krafft SL. Дата публикации: 1982-01-26.

Process for manufacturing silicon-based nanoparticles from metallurgical-grade silicon or refined metallurgical-grade silicon

Номер патента: CA2829147C. Автор: Volodymyr Lysenko,Jed Kraiem,Mahdi Medjaoui. Владелец: Apollon Solar SAS. Дата публикации: 2019-04-30.

Silicon based quaternary ammonium functional compositions and their applications

Номер патента: EP1440124B1. Автор: Feifei Lin,Bethany Johnson,John Kennan. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2008-09-17.

High yield-low carbon ceramic via silicon-based polymers

Номер патента: US5948348A. Автор: Louis Richard Semff. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1999-09-07.

Low weight and high durability soft body armor composite using silicone-based topical treatments

Номер патента: CA2710393C. Автор: Brian D. Arvidson,Henry G. Ardiff. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Silicon based drug conjugates and methods of using same

Номер патента: AU2016262107B2. Автор: Douglas S. Werner,Kenneth W. Foreman,Jutta Wanner,Hanh Nho Nguyen,Leslie Odame Ofori. Владелец: Blinkbio Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Heat activated silicon-based adhesive

Номер патента: CA1319216C. Автор: Anthony V. Rende, Jr.. Владелец: Lord Corp. Дата публикации: 1993-06-15.

Topical formulation compositions containing silicone based excipients to deliver actives to a substrate

Номер патента: EP2841106A1. Автор: Gerald K. Schalau,Robert O. Huber,Hyder Aliyar,Gary L. LOUBERT. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2015-03-04.

Silicon-based solar energy conversion cells

Номер патента: CA1240284A. Автор: Stefan Zukotynski. Владелец: Innovations Foundation of University of Toronto. Дата публикации: 1988-08-09.

Silicone-based aqueous emulsion composition

Номер патента: US5827921A. Автор: Satoshi Kuwata,Yoshinobu Takahashi,Yoshihito Osawa,Sachiko Nezu. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-27.

Silicon-based cross coupling agents and methods of their use

Номер патента: WO2013185021A2. Автор: Luis Sanchez,Adam T. HOYE,Amos B. Smith,Won-Suk Kim,Dionicio MARTINEZ-SOLORIO,Rongbiao TONG,Minh Huu Nguyen. Владелец: THE TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF PENNSYLVANIA. Дата публикации: 2013-12-12.

Photomask blank and manufacturing method thereof, photomask, light pattern exposure method, and design method of transition metal/silicon base material film

Номер патента: EP2428841A3. Автор: Takashi Haraguchi,Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yukio Inazuki,Ryuji Koitabashi,Yosuke Kojima,Tomohito Hirose. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-02.

High performance silicon-based coating compositions

Номер патента: CA2878452C. Автор: Chris FISH. Владелец: BURNING BUSH GROUP LLC. Дата публикации: 2019-06-04.

Silicone-based fabric finishing agent and fabric material finished therewith

Номер патента: US5102930A. Автор: Masaki Tanaka,Hideki Hagiwara,Morizo Nakazato,Toshio Ohba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1992-04-07.

Assembly of an active semiconductor component and of a silicon-based passive optical component

Номер патента: US11934007B2. Автор: Hélène Debregeas,François Lelarge,David Carrara. Владелец: ALMAE TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2024-03-19.

Silicone-based membrane surface chemistry and topography control for making self-assembled cell sheets with cell alignment and positioning

Номер патента: US11718830B1. Автор: Alireza Shahin-Shamsabadi. Владелец: Caromeats Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Electrochemical discharge-enabled micro-grinding process for micro-components of silicon-based materials

Номер патента: US11904400B2. Автор: Wei Li,FENG Shi,Gang Wu,Weidong Tang,Mingjun Zhang,Kun TANG,Cong MAO,Yuanqiang LUO,Yinghui REN,Yongle HU,Ziyang Chen,Zhuo WEN. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-02-20.

Welding method for flexible and rollable silicon-based solar module

Номер патента: US20230142665A1. Автор: Hsin-Wang Chiu. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Silicon based melting composition and manufacturing method for silicon carbide single crystal using the same

Номер патента: US11873576B2. Автор: Chanyeup CHUNG,Junghwan Kim,Horim Lee,Jung Min Ko. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

High performance silicon-based coating compositions

Номер патента: US20240043717A1. Автор: Chris FISH. Владелец: DYNA-TEK LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

High performance silicon-based compositions

Номер патента: US20150099848A1. Автор: Chris FISH. Владелец: Burning Bush Technologies LLC. Дата публикации: 2015-04-09.

Silicon-based cross coupling agents and methods of their use

Номер патента: US20170210766A1. Автор: Luis Sanchez,Adam T. HOYE,Amos B. Smith,Won-Suk Kim,Dionicio MARTINEZ-SOLORIO,Rongbiao TONG,Minh Huu Nguyen,Bruno Nicolas MELILLO. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2017-07-27.

Sunscreen formulations comprising gemini surfactants and silicone based surfactants

Номер патента: EP3038594A1. Автор: Michael Russell,Qiwei He. Владелец: Akzo Nobel Chemicals International BV. Дата публикации: 2016-07-06.

Silicon-based fluoride acceptor groups for radiopharmaceuticals

Номер патента: WO2024023332A1. Автор: Sebastian FISCHER,Hans-Jürgen Wester,Thomas Gunther,Markus Frederik FAHNAUER,Nadine HOLZLEITNER,Jan-Philip KUNERT,Roswitha BECK,Sebastian Alexander FENZL,Sandra Michaela DEISER,León STOPPER,Nicole URTZ-URBAN. Владелец: Technische Universität München. Дата публикации: 2024-02-01.

Silicon-based electro-optic modulator

Номер патента: US11402674B2. Автор: Xianyao Li,Dongdong YAN. Владелец: Innolight Technology Suzhou Ltd. Дата публикации: 2022-08-02.

Low loss contact structures for silicon based optical modulators and methods of manufacture

Номер патента: EP1784683A1. Автор: Thomas Keyser,Cheisan J. Yue. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-05-16.

Method of fabricating silicon-based MEMS devices

Номер патента: EP1493712A2. Автор: Luc Ouellet,Robert Antaki. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-01-05.

Silicon based alloy, method for the production thereof and use of such alloy

Номер патента: GEP20237563B. Автор: Ole Svein Klevan,Amélie Dieudonne. Владелец: Elkem Materials. Дата публикации: 2023-10-25.

Silicone based water repellent coating composition for modifying the surface of non-porous substrate

Номер патента: WO2012018160A1. Автор: Myong Woon Kim,Ki Hun Song,Hyun Gwan KIM,Kang Gil Lee,Sung Jun Jeon. Владелец: Dnf Co.,Ltd.. Дата публикации: 2012-02-09.

Method for applying high performance silicon-based coating compositions

Номер патента: US11773290B2. Автор: Chris FISH. Владелец: BURNING BUSH GROUP LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Pixel driving circuit, method for driving the pixel driving circuit, silicon-based display panel and display device

Номер патента: US11967279B2. Автор: Tong Wu,Ping-Lin Liu. Владелец: Seeya Optronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

A silicon-based radiation detection device

Номер патента: WO2023146495A3. Автор: Mehmet İrfan GEDİK. Владелец: Osti̇m Tekni̇k Üni̇versi̇tesi̇. Дата публикации: 2023-08-31.

Production method of monocrystalline silicon based on an emissivity of a production apparatus

Номер патента: US11634833B2. Автор: Toshirou Kotooka,Shinichi Kawazoe,Yuuji Tsutsumi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-04-25.

Silicon-based modulator with different transition zone thicknesses

Номер патента: US20200124883A1. Автор: Yves Painchaud,Alexandre Delisle-Simard. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Electrochemical Discharge-Enabled Micro-grinding process for Micro-Components of Silicon-based Materials

Номер патента: US20230294189A1. Автор: Wei Li,FENG Shi,Gang Wu,Weidong Tang,Mingjun Zhang,Kun TANG,Cong MAO,Yuanqiang LUO,Yinghui REN,Yongle HU,Ziyang Chen,Zhuo WEN. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-09-21.

Silicon-Based Rib-Waveguide Modulator And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150378185A1. Автор: Changhua Chen,Dong Pan,Tuo SHI,Tzung-I Su,Yongbo Shao. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Silicon-based melt composition and method for producing silicon carbide single crystal using same

Номер патента: EP3636806A1. Автор: Chanyeup CHUNG,Junghwan Kim,Horim Lee,Jung Min Ko. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-04-15.

Silicon Based Melting Composition and Manufacturing Method for Silicon Carbide Single Crystal Using the Same

Номер патента: US20200224330A1. Автор: Chanyeup CHUNG,Junghwan Kim,Horim Lee,Jung Min Ko. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Pixel circuit, silicon-based display panel, and display device

Номер патента: US11200846B2. Автор: Tong Wu,Chang-Ho Tseng,Ping-Lin Liu. Владелец: Seeya Optronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

Sunscreen Formulations Comprising Gemini Surfactants and Silicone Based Surfactants

Номер патента: US20160166496A1. Автор: Michael Russell,Qiwei He. Владелец: Akzo Nobel Chemicals International BV. Дата публикации: 2016-06-16.

Silicon-based electro-optic modulator

Номер патента: US20210055581A1. Автор: Xianyao Li,Dongdong YAN. Владелец: Innolight Technology Suzhou Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of fabricating silicon-based MEMS devices

Номер патента: US20060110895A1. Автор: Luc Ouellet,Robert Antaki. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-25.

Method of fabricating silicon-based MEMS devices

Номер патента: US7459329B2. Автор: Luc Ouellet,Robert Antaki. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-02.

Iron-manganese-silicon based shape memory alloys containing chromium and nitrogen

Номер патента: US20040231761A1. Автор: Jihua Zhang,Shipu Chen,Zuyao Xu,Jianfeng Wan,Zhenghong Guo,Yonghua Rong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-25.

Iron-manganese-silicon-based shape memory alloys containing chromium and nitrogen

Номер патента: WO2002034958A1. Автор: Zhang Jihua,Wan Jainfeng,Chen Shipu,Rong Yonghua,Guo Zhenghong,Xu Zuyao. Владелец: Emerson Electric (China) Holdings Co. Ltd.. Дата публикации: 2002-05-02.

Silicon-based modulator with optimized doping profile

Номер патента: US20220260864A1. Автор: Yves Painchaud,Alexandre Delisle-Simard. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Silicon Based Fusion Composition and Manufacturing Method of Silicon Carbide Single Crystal Using the Same

Номер патента: US20200010973A1. Автор: Chan Yeup Chung,Ho Rim Lee,Jung Min Ko,Manshik Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Closed force transmission device and safety door lock using same

Номер патента: EP2818613A1. Автор: Young Hee Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-31.

Downhole power and data transfer using resonators

Номер патента: EP3063369A1. Автор: Etienne Samson,Neal Gregory Skinner. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2016-09-07.

Downhole power and data transfer using resonators

Номер патента: US09915145B2. Автор: Etienne Samson,Neal Gregory Skinner. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Apparatus and method for transmitting wireless power by using resonant coupling and system for the same

Номер патента: US09496731B2. Автор: Hee-Won Jung,Se-Ho Park,Ki-Hyun Kim,Jin-Hyoung Park,Sung-Kweon Park,Young-Min Lee,Hong-Kweun Kim,Seung-Woo Han,Kil-Soo Ko,Sea-Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Magnetic tunnel junction based chip identification

Номер патента: US9705500B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata,Philip L. Trouilloud. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Magnetic tunnel junction based chip identification

Номер патента: US20170170827A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata,Philip L. Trouilloud. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Magnetic tunnel junction based chip identification

Номер патента: US09576634B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata,Philip L. Trouilloud. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Magnetic tunnel junction based chip identification

Номер патента: US09495627B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata,Philip L. Trouilloud. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Photon RF frequency doubling chip based on silicon-based micro-ring modulator and control method thereof

Номер патента: CN115037379A. Автор: 张强,余辉. Владелец: Zhejiang Lab. Дата публикации: 2022-09-09.

Thin-film litao3 saw resonator on silicon substrate with reduced spurious modes

Номер патента: WO2021008847A1. Автор: Matthias Knapp,Gholamreza Dadgar Javid,Manuel Sabbagh. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2021-01-21.

Downhole power and data transfer using resonators

Номер патента: US20170167250A1. Автор: Etienne Samson,Neal Gregory Skinner. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Class F amplifiers using resonant circuits in an output matching network

Номер патента: US09673766B1. Автор: Ning Zhu,Damon G. Holmes,Jeffrey S. Roberts. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Monocentric autostereoscopic optical apparatus using resonant fiber-optic image generation

Номер патента: US20030169405A1. Автор: John Agostinelli,Joshua Cobb. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2003-09-11.

Low power interconnect using resonant drive circuitry

Номер патента: US11784648B2. Автор: David A Huffman. Владелец: Power Down Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Low power interconnect using resonant drive circuitry

Номер патента: WO2022256374A1. Автор: David A. HUFFMAN. Владелец: Power Down Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2022-12-08.

A low power sram bitcell using resonant drive circuitry

Номер патента: EP3329490A1. Автор: David A. HUFFMAN. Владелец: Power Down Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-06-06.

Antenna radiation heater for heating a material by using resonance

Номер патента: US20030155348A1. Автор: Helmut Reichelt. Владелец: Moletherm Holding AG. Дата публикации: 2003-08-21.

A low power sram bitcell using resonant drive circuitry

Номер патента: WO2017019715A1. Автор: David A. HUFFMAN. Владелец: Power Down Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-02-02.

Remote device identification using resonant frequency

Номер патента: NZ577900A. Автор: David W Baarman,Scott A Mollema. Владелец: Access Business Group Int Llc. Дата публикации: 2012-05-25.

Optical architecture with hybrid on-silicon III-V modulator

Номер патента: US12078909B2. Автор: Jin Hong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Optical architecture with hybrid on-silicon iii-v modulator

Номер патента: US20240369898A1. Автор: Jin Hong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Zinc oxide on silicon device for parallel in, serial out, discrete fourier transform

Номер патента: US4194171A. Автор: Edward C. Jelks. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1980-03-18.

DC/DC RESONANT CONVERTERS AND POWER FACTOR CORRECTION USING RESONANT CONVERTERS, AND CORRESPONDING CONTROL METHODS

Номер патента: US20190006940A1. Автор: Jans William Peter Mechtildis Marie,ELFERICH Reinhold,JOHN David Llewellyn,OP HET VELD Johannes Hubertus Gerardus. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

DC/DC RESONANT CONVERTERS AND POWER FACTOR CORRECTION USING RESONANT CONVERTERS, AND CORRESPONDING CONTROL METHODS

Номер патента: US20200007032A1. Автор: Jans William Peter Mechtildis Marie,ELFERICH Reinhold,JOHN David Llewellyn,OP HET VELD Johannes Hubertus Gerardus. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Dc/dc resonant converters and power factor correction using resonant converters, and corresponding control methods

Номер патента: US20190044432A1. Автор: Reinhold Elferich,William Peter Mechtildis Marie Jans,David Llewellyn JOHN,Johannes Hubertus Gerardus Op Het Veld. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2019-02-07.

DC/DC RESONANT CONVERTERS AND POWER FACTOR CORRECTION USING RESONANT CONVERTERS, AND CORRESONDING CONTROL METHODS

Номер патента: US20190044433A1. Автор: Jans William Peter Mechtildis Marie,ELFERICH Reinhold,JOHN David Llewellyn,OP HET VELD Johannes Hubertus Gerardus. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

DC/DC RESONANT CONVERTERS AND POWER FACTOR CORRECTION USING RESONANT CONVERTERS, AND CORRESPONDING CONTROL METHODS

Номер патента: US20190044434A1. Автор: Jans William Peter Mechtildis Marie,ELFERICH Reinhold,JOHN David Llewellyn,OP HET VELD Johannes Hubertus Gerardus. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

DC/DC RESONANT CONVERTERS AND POWER FACTOR CORRECTION USING RESONANT CONVERTERS, AND CORRESPONDING CONTROL METHODS

Номер патента: US20190081565A1. Автор: ELFERICH Reinhold,JOHN David Llewellyn,Hubertus,JANS William Peter Mechtildis Maie,OP HET VELD Johannes. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

Thin-film litao3 saw resonator on silicon substrate with reduced spurious modes

Номер патента: US20220173714A1. Автор: Matthias Knapp,Gholamreza Dadgar Javid,Manuel Sabbagh. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2022-06-02.

Dc/dc resonant converters and power factor correction using resonant converters, and corresponding control methods

Номер патента: EP3414823B1. Автор: Reinhold Elferich,William Peter Mechtildis Marie Jans,David Llewellyn JOHN,Johannes Hubertus Gerardus Op Het Veld. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2019-07-31.

DC/DC resonant converters and power factor correction using resonant converters, and corresponding control methods

Номер патента: US10734889B2. Автор: Reinhold Elferich,William Peter Mechtildis Marie Jans,David Llewellyn JOHN,Johannes Hubertus Gerardus Op Het Veld. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2020-08-04.

Optical transmitter and optical communication system using resonance modulator that is thermally coupled

Номер патента: US8983307B2. Автор: Dong-Jae Shin,Hyun-Il Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-17.

Multiple-valued literal circuit using resonant tunneling diodes

Номер патента: US5714891A. Автор: Tang Hao,Hung C. Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-02-03.

Fabrication of film bulk acoustic resonators on silicon less than110greater than wafers using crystal-orientation-dependent anisotropic etching

Номер патента: AU2003272580A1. Автор: Qing Ma,Li-Peng Wang,Richard Butler,Israel Yankovich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-04-19.

Fabrication of film bulk acoustic resonators on silicon wafers using crystal-orientation-dependent anisotropic etching

Номер патента: WO2004030208A3. Автор: Qing Ma,Li-Peng Wang,Richard Butler,Israel Yankovich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Dc/dc resonant converters and power factor correction using resonant converters, and corresponding control methods

Номер патента: EP3414821B1. Автор: Reinhold Elferich,William Peter Mechtildis Marie Jans,David Llewellyn JOHN,Johannes Hubertus Gerardus Op Het Veld. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-04-10.

Antenna radiation heater for heating a material by using resonance

Номер патента: AU2001279640A1. Автор: Helmut Reichelt. Владелец: Molekulare Energietechnik AG. Дата публикации: 2002-02-13.

Biochip based on silicon base produced in photolithography and etching technology useful in biological and medical analysis, comprises several individual recesses deposited in top e.g. silicon- or metal oxide layer of silicon based chips

Номер патента: DE102011104143A1. Автор: Auf Nichtnennung Antrag. Владелец: Borros Arneth. Дата публикации: 2012-12-20.

Method and apparatus for analyzing hybridized biochip patterns using resonance interactions employing quantum expressor functions

Номер патента: US6136541A. Автор: Sandeep Gulati. Владелец: ViaLogy Corp. Дата публикации: 2000-10-24.

Nano-liquid crystal on silicon (lcos) chip having reduced noise

Номер патента: WO2007024924A3. Автор: Gihong Kim,Tae Soo Chun. Владелец: Sysview Technology Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Photonic device using resonator differencing technique

Номер патента: US11815405B2. Автор: Mohammad Amin Tadayon,Kevin R. Williamson. Владелец: Fluke Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Photonic device using resonator differencing technique

Номер патента: WO2021247904A1. Автор: Mohammad Amin Tadayon,Kevin R. Williamson. Владелец: FLUKE CORPORATION. Дата публикации: 2021-12-09.

Liquid crystal on silicon display

Номер патента: US20060012734A1. Автор: Chia-Te Lin,Ta-Shuang Kuan,Chia-Tsung Chan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-01-19.

Area selective deposition of metal film on silicon containing surfaces utilizing halides

Номер патента: WO2024215931A1. Автор: Chang-Won Lee,Po-Chun Liu,Tingmin Wang,Lanxia CHENG. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods for using resonant acoustic energy to detect or effect structures

Номер патента: CA2343361A1. Автор: Albert E. Abel,Juliana H. J. Brooks. Владелец: Berkshire Laboratories, Inc.. Дата публикации: 2000-03-23.

Photonic device using resonator differencing technique

Номер патента: EP4162244A1. Автор: Mohammad Amin Tadayon,Kevin R. Williamson. Владелец: Fluke Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Tapered waveguide and silicon-based chip

Номер патента: EP3287821B1. Автор: Fei Zhao,Ming Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Novel biosensor using living cells on silicon-based microarrays

Номер патента: US20050095630A1. Автор: James Castracane,Xiaojun Feng,Ben Szaro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-05.

Non-invasive thickness measurement using resonant frequency shift

Номер патента: US09797703B2. Автор: Martin Anthony Brooke,Aaron D. Franklin,Joseph Batton Andrews. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2017-10-24.

SILICON BASED ON SILICON DIOXIDE

Номер патента: RU2011105143A. Автор: Марек ТОКАРЗ,Ханс-Оке БАЛТСЕН,Марек ТОКАРЗ (SE),Ханс-Оке БАЛТСЕН (SE). Владелец: Акцо Нобель Н.В. (NL). Дата публикации: 2012-08-20.

Methods and apparatus for ultra-sensitive temperature detection using resonant devices

Номер патента: WO2011156037A4. Автор: Srinivas A. Tadigadapa,Marcelo B. Pisani. Владелец: THE PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-04-19.

Line-based chip card tamper detection

Номер патента: US20200202357A1. Автор: Yue Yang,Malcolm Smith,Afshin Rezayee,Jeremy Wade,Max Guise,Kamran Sharifi. Владелец: Square Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Line-based chip card tamper detection

Номер патента: US20210334807A1. Автор: Yue Yang,Malcolm Smith,Afshin Rezayee,Jeremy Wade,Max Guise,Kamran Sharifi. Владелец: Square Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Line-based chip card tamper detection

Номер патента: US20230267472A1. Автор: Yue Yang,Malcolm Smith,Afshin Rezayee,Jeremy Wade,Max Guise,Kamran Sharifi. Владелец: Block Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Photoresist patterning on silicon nitride

Номер патента: GB2579525A. Автор: Guo Jing,Liu Chi-chun,Meli Thompson Luciana,CHI Cheng,Seshadri Indira,Anuja De Silva Ekmini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-24.

Circuits and methods of TAF-DPS based chip level global clock signal distribution

Номер патента: US09582028B1. Автор: Liming Xiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-28.

Method and apparatus for detecting ice formation on a surface using resonant sensors

Номер патента: CA3087746C. Автор: Kevin GOLOVIN,Mohammad Zarifi,Benjamin Wiltshire,Kiana Mirshahidi,Ryan Kozak. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2022-02-15.

Wire Grid Polarizer with Silicon Dioxide Side Ribs on Silicon Wire

Номер патента: US20230021232A1. Автор: Daniel Bacon-Brown,Matthew C. George,R. Stewart Nielson,Shaun Patrick Ogden. Владелец: Moxtek Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method and apparatus for detecting ice formation on a surface using resonant sensors

Номер патента: CA3087746A1. Автор: Kevin GOLOVIN,Mohammad Zarifi,Benjamin Wiltshire,Kiana Mirshahidi,Ryan Kozak. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2020-10-01.

A method and apparatus for downhole detection of co2 and h2s using resonators coated with co2 and h2s sorbents

Номер патента: WO2006020799A2. Автор: Rocco DiFoggio. Владелец: BAKER HUGHES INCORPORATED. Дата публикации: 2006-02-23.

A method and apparatus for downhole detection of co2 and h2s using resonators coated with co2 and h2s sorbents

Номер патента: MY141714A. Автор: Rocco DiFoggio. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2010-06-15.

Method for anionic polymerization of acrylic and methacrylic acid derivatives and acrylonitrile methacrylonitrile using resonance stabilized anions

Номер патента: US5494983A. Автор: Manfred T. Reetz,Thomas Knauf. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-02-27.

State identification of electrically conductive oblong tensioning elements using resonance frequencies and a computer program

Номер патента: US20040073408A1. Автор: Guido Schneider,Arne Jacob,Bert Jannsen,Hans-Joachim Wichmann,Harald Budelmann,Karim Hariri. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAT BRAUNSCHWEIG CAROLO-WHILHEMINA. Дата публикации: 2004-04-15.

Deactivator using resonant recharge

Номер патента: US20050275507A1. Автор: Douglas Drew,Stewart Hall. Владелец: Sensormatic Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Scanning microscopy using resonant quantum tunneling

Номер патента: US20080179516A1. Автор: Curt A. Flory. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2008-07-31.

Deactivator using resonant recharge

Номер патента: CA2567031A1. Автор: Stewart E. Hall,Douglas A. Drew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-29.

Deactivator using resonant recharge

Номер патента: EP1766593A2. Автор: Stewart E. Hall,Douglas A. Drew. Владелец: Sensormatic Electronics Corp. Дата публикации: 2007-03-28.

Deactivator using resonant recharge

Номер патента: WO2005124715A2. Автор: Stewart E. Hall,Douglas A. Drew. Владелец: SENSORMATIC ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2005-12-29.

Systems and methods for casing detection using resonant structures

Номер патента: US09938821B2. Автор: Paul F. Rodney. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Apparatus and method for oil-based mud formation imaging using resonators

Номер патента: US09581719B2. Автор: Tao Huang,Zhong Wang,Yue Liu,Ce Liu,Qihui Zhao,Yuzhou Lu,Qingjie Bai,Suming Wu. Владелец: Bitswave Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Multi-Spectral THz Micro-Doppler Radar Based on Silicon-Based Picosecond Pulse Radiators

Номер патента: US20210018610A1. Автор: Babakhani Aydin,Razavian Seyedmohammadreza,Assefzadeh Mahdi,Hosseini Mostafa. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2021-01-21.

LIDAR SYSTEM BASED ON SILICON-BASED INTEGRATED MAGNETO-OPTICAL CIRCULATOR

Номер патента: US20210349191A1. Автор: Zhang Yan,Qin Jun,LIU Shuyuan,Yan Wei,Bi Lei,DENG Longjiang. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

Optical filtering device based on silicon-based double-Sagnac-loop-mirror loop structure

Номер патента: CN105572806A. Автор: 苏翼凯,姜新红. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2016-05-11.

Preparation of porous, pure silicon dioxide and of chromium-oxide-on-silicon dioxide catalysts

Номер патента: CA1172619A. Автор: Abraham Van Montfoort,Lambertus J.M.A. Van De Leemput,Godefridus A.H. Nooijen,Joseph J.F. Scholten. Владелец: Stamicarbon BV. Дата публикации: 1984-08-14.

Multi-spectral THz micro-doppler radar based on silicon-based picosecond pulse radiators

Номер патента: US11442159B2. Автор: Aydin Babakhani,Seyedmohammadreza Razavian,Mahdi Assefzadeh,Mostafa Hosseini. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-09-13.

Vernier effect optical fiber interference sensor demodulation device and method based on silicon-based micro-ring

Номер патента: CN113029218B. Автор: 王若晖,乔学光,李敏轩. Владелец: NORTHWEST UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-01.

Coarse Wave Division Multiplexer based on silicon-based nano beam loop structure

Номер патента: CN106932862B. Автор: 苏翼凯,张永,张红霞,姜新红,邱辞源. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2019-05-28.

Non-invasive thickness measurement using resonant frequency shift

Номер патента: WO2017155559A1. Автор: Martin Anthony Brooke,Joseph Batton Andrews,Aaron FRANKLIN. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2017-09-14.

Non-invasive thickness measurement using resonant frequency shift

Номер патента: EP3400450A1. Автор: Martin Anthony Brooke,Joseph Batton Andrews,Aaron FRANKLIN. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2018-11-14.

Nano-liquid crystal on silicon (lcos) chip having reduced noise

Номер патента: WO2007024924A2. Автор: Gihong Kim,Tae Soo Chun. Владелец: Sysview Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-03-01.

A silicon mesa structure integrated in a glass-on-silicon waveguide, and a method of manufacturing it

Номер патента: AU1131701A. Автор: Kent Erik Mattsson. Владелец: NKT Research Center AS. Дата публикации: 2001-05-14.

Silicon-on-silicon differential input sensors

Номер патента: AU2044892A. Автор: Peter V. Loeppert,Warren S. Graber. Владелец: Monolithic Sensors Inc. Дата публикации: 1993-01-28.

Asymmetric waveguide configuration on silicon nitride basis

Номер патента: WO2015143962A1. Автор: Tom Collins,Joost Brouckaert. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-10-01.

Dye composition based on copolymers derived from the polymerization of at least one crotonic acid monomer or crotonic acid derivative and on silicone

Номер патента: US12138339B2. Автор: Sophie Bodelin,David Seneca,Delphine Charrier,Melissa Lassale. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-11-12.

Micro-mechanics component e.g. pressure sensor, has membrane with silicon dioxide layer provided on silicon substrate, and piezoelectric or piezo-resistive conducting strips integrated between silicon dioxide and silicon nitride layers

Номер патента: FR2867178A1. Автор: Frank Fischer,Arnim Hoechst. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2005-09-09.

Alkaline-earth metal silicides on silicon

Номер патента: US6022410A. Автор: Jun Wang,Jonathan K. Abrokwah,Ravindranath Droopad,Daniel S. Marshall,Zhiyi Yu,Jerald A. Hallmark. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Preparation of sensors on oligo- or poly (ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: US20130296574A1. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: Chin Ming Yam. Дата публикации: 2013-11-07.

Preparation of sensors on oligo- or poly (ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: US20090082222A1. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2009-03-26.

Preparation of sensors on oligo-or poly (ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: WO2009131891A1. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2009-10-29.

Method of Integrating All Active and Passive Optical Devices on Silicon-based Integrated Circuit

Номер патента: US20150331187A1. Автор: LEE MING-CHANG,Tseng Chih-Kuo. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

SILICA-ON-SILICON-BASED HYBRID INTEGRATED OPTOELECTRONIC CHIP AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20150355424A1. Автор: ZHOU Liang,Yu Xianghong,CAO Xiaoge. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Micro needles production method, involves providing micro needles with height on silicon substrate with silicon oxide coating, where varnish layer is arranged on silicon substrate

Номер патента: DE102006028914A1. Автор: Christian Maeurer,Ralf Reichenbach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2007-12-27.

HOMOGENEOUS OIL COMPOSITION BASED ON SILICONE GUM

Номер патента: FR2760357A1. Автор: Isabelle Bara. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 1998-09-11.

Composition, useful to treat keratin fibers, preferably human hair, comprises one or more copolymers based on silicone resin and silicone fluid, volatile solvents, and aminated silicones comprising one or more intrachain amine function

Номер патента: FR2958543A1. Автор: Gaëlle Brun,Arnaud Bonnamy. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2011-10-14.

NON-PNEUMATIC ELASTIC WHEEL INCORPORATING LAMINATE BASED ON SILICONE RUBBER AND FIBER-RESIN COMPOSITE

Номер патента: FR3056444A1. Автор: Antonio Delfino,Philippe Berguerand,Francois Pozo,Pascal Schroeter. Владелец: Michelin Recherche et Technique SA Switzerland. Дата публикации: 2018-03-30.

FOAM REGULATOR COMPOSITIONS ON SILICONE BASE

Номер патента: DE60305710T2. Автор: Serge Creutz,Alain Hilberer,George Sawiki. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2007-01-11.

Manufacturing method of metal grating on silicon-based heterojunction cell

Номер патента: CN104701410A. Автор: 王树林,宋广华,林朝晖,尤宇文. Владелец: Quanzhou City Botai Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-10.

Care and/or makeup composition comprising a silicone elastomer containing carboxylic acid functions and a copolymer based on silicone resin and silicone of the dimethiconol type.

Номер патента: FR3126877A1. Автор: Guillaume Kergosien,Kévin DU. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2023-03-17.

SEALANT ON SILICONE BASE.

Номер патента: NO893998D0. Автор: Loren Dale Lower,Hsien-Kun Chu,Russell Peter Kamis. Владелец: Dow Corning. Дата публикации: 1989-10-06.

Transponder i.e. radio frequency identification transponder, for labeling laundry item, has covering foils covered with adhesive and temperature-resistant bonding emulsion on silicone base, where external shape of foils is round

Номер патента: DE102007022865A1. Автор: Dietmar Nagel,Sascha Dipl.-Ing. Endrulat (FH). Владелец: THERMO TEX NAGEL GmbH. Дата публикации: 2008-11-20.

Polycrystalline sintered articles based on silicon nitride and sintering additives

Номер патента: US4814301A. Автор: Alfred Lipp,Detlef Steinmann. Владелец: Elektroschmelzwerk Kempten GmbH. Дата публикации: 1989-03-21.

Silicon-based chip adjusting device, coupling device and coupling method

Номер патента: CN112505852A. Автор: 严杰,傅焰峰. Владелец: Wuhan Optical Valley Information Optoelectronic Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-16.

Preparation of a coating on a substrate, e.g. metal oxides on silicon-based substrates, involves chemical atomic layer deposition using a deuterated reactant

Номер патента: FR2810791A1. Автор: Francois Martin,Pierre Mur,Thierry Baron. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2001-12-28.

Method for improving base coating formation on silicon steel by controlling winding tension

Номер патента: CA1270729A. Автор: Michael A. Fedoris. Владелец: Allegheny Ludlum Corp. Дата публикации: 1990-06-26.

Waveguide structure and silicon-based chip

Номер патента: WO2016169054A1. Автор: 魏玉明. Владелец: 华为技术有限公司. Дата публикации: 2016-10-27.

Compositions based on silicone resin, methods of obtaining same and applications thereof

Номер патента: WO2009138618A3. Автор: Philippe Perret,Loic Adamczak,Pierrick Pavallier,Frederic Bouchaud. Владелец: VALEO MATERIAUX DE FRICTION. Дата публикации: 2010-02-18.

Care and/or makeup composition comprising a silicone elastomer containing carboxylic acid functions and a copolymer based on silicone resin and silicone of the dimethiconol type.

Номер патента: FR3126877B1. Автор: Guillaume Kergosien,Kévin DU. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2023-08-11.

Process for producing layers of high stability on silicon-based vehicle

Номер патента: HUT47509A. Автор: Siegfried Schiller,Bernd Hoffmann,Heinz Schicht,Manfred Krueger,Hans-Joachim Becker,Wilfried Kaiser,Guenter Beister,Armin Meisel,Joachim Finster. Владелец: Flachglaskombinat Veb. Дата публикации: 1989-03-28.

Photoresist patterning on silicon nitride

Номер патента: WO2019064172A1. Автор: CHENG Chi,Jing Guo,Ekmini Anuja De Silva,Chi-chun Liu,Indira Seshadri,Luciana Meli Thompson. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2019-04-04.

Micro-size optical switch on silicon-on-insulator platform

Номер патента: US20110142394A1. Автор: Trevor Hall,DeGui Sun. Владелец: UNIVERSITY OF OTTAWA. Дата публикации: 2011-06-16.

Systems and methods for casing detection using resonant structures

Номер патента: CA2919496A1. Автор: Paul F. Rodney. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Systems and methods for casing detection using resonant structures

Номер патента: CA2919496C. Автор: Paul F. Rodney. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2019-08-13.

Methods for using resonant acoustic and/or resonant acousto-EM energy to detect and/or effect structures

Номер патента: US7165451B1. Автор: Albert E. Abel,Juliana H. J. Brooks. Владелец: GR Intellectual Reserve LLC. Дата публикации: 2007-01-23.

Detection of explosives and other materials using resonance fluorescence, resonance absorption, and other electromagnetic processes with bremsstrahlung radiation

Номер патента: WO1992003722A1. Автор: William Bertozzi. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1992-03-05.

Crack detection using resonant ultrasound spectroscopy

Номер патента: US5351543A. Автор: Albert Migliori,Thomas M. Bell,George W. Rhodes. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1994-10-04.

Methods for Using Resonant Acoustic and/or Resonant Acousto-EM Energy to Detect and/or Effect Structures

Номер патента: US20090216161A1. Автор: Albert E. Abel,Juliana H.J. Brooks. Владелец: GR Intellectual Reserve LLC. Дата публикации: 2009-08-27.

Electronic organ with improved ambience - uses resonators formed by loudspeaker assigned to tuned resonant pipes at controlled temp.

Номер патента: DE2924473A1. Автор: Ewald Kienle. Владелец: Ewald Kienle. Дата публикации: 1981-01-15.

Methods for using resonant acoustic and/or resonant acousto-em energy to detect and/or affect structures

Номер патента: IL141797A. Автор: . Владелец: Berkshire Lab Inc. Дата публикации: 2010-05-31.

Method of using resonance atomic scattering of radiation to measure gaseous species

Номер патента: US4032786A. Автор: Robert A. Young. Владелец: Xonics Inc. Дата публикации: 1977-06-28.

Methods for using resonant acoustic and/or resonant acousto-EM energy to detect and/or effect structures

Номер патента: US20070039389A1. Автор: Juliana Brooks,Albert Abel. Владелец: GR Intellectual Reserve LLC. Дата публикации: 2007-02-22.

Methods for analysis of fluids using resonant sensors

Номер патента: EP2939185A1. Автор: Radislav A. Potyrailo,Victoria Eugenia Cotero,Jon Albert DIERINGER,Yongjae Lee. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-11-04.

Methods for analysis of fluids using resonant sensors

Номер патента: WO2014104965A1. Автор: Radislav A. Potyrailo,Victoria Eugenia Cotero,Jon Albert DIERINGER,Yongjae Lee. Владелец: GE HEALTHCARE BIO-SCIENCES AB. Дата публикации: 2014-07-03.

Feedback-enhanced self-Injection locking of lasers to optical resonators

Номер патента: US20120039346A1. Автор: . Владелец: OEwaves, Inc.. Дата публикации: 2012-02-16.

Frequency modulation(PFM) single frequency optical fiber laser based on self-injection locking

Номер патента: CN105071207B. Автор: 李�灿,杨中民,徐善辉,冯洲明. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-09-14.

Method of producing refractory material based on silicon carbide and silicon

Номер патента: RU2439032C1. Автор: Сергей Викторович Дигонский,Виталий Вячеславович Тен. Владелец: Виталий Вячеславович Тен. Дата публикации: 2012-01-10.

METHOD OF OBTAINING FIRE-PROOF MATERIAL BASED ON SILICON BETA-NITRIDE β-Si3N4

Номер патента: RU2490232C1. Автор: Игорь Михайлович Шатохин,Мансур Хузиахметович Зиатдинов. Владелец: Мансур Хузиахметович Зиатдинов. Дата публикации: 2013-08-20.

METHOD FOR MICROWAVE PLASMA FORMATION OF CUBIC SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON (3C-SiC)

Номер патента: RU2538358C1. Автор: Петр Павлович Мальцев,Юрий Владимирович Федоров,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2015-01-10.

Method of making silicon carbide films on silicon substrate

Номер патента: RU2341847C1. Автор: Елена Николаевна Федорова,Валентин Михайлович Иевлев,Сергей Владимирович Канныкин,Сергей Борисович Кущев,Сергей Анатольевич Солдатенко,Николай Владимирович Черников. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-12-20.

Method of soldering silicon carbide-based chips

Номер патента: RU2460168C2. Автор: Владимир Иванович Бойко,Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,Александр Валерьевич Кочергин,Андрей Владимирович Строгонов. Владелец: ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка". Дата публикации: 2012-08-27.

Method of outer corner over-etching compensation in figures etched on silicon plates with surface orientation (100)

Номер патента: RU2331137C1. Автор: Вадим Николаевич Лапенко,Сергей Петрович Тимошенков,Валерий Федорович Шилов,Юрий Александрович Чаплыгин,Владимир Николаевич Максимов,Елена Сергеевна Морозова,Вадим Григорьевич Рубчиц,Вячеслав Евгеньевич Плеханов,Виктор Владимирович Калугин,Степан Александрович Анчутин,В чеслав Евгеньевич Плеханов,Сергей Александрович Зотов,Олег Михайлович Бритков,Владимир Николаевич Балычев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет). Дата публикации: 2008-08-10.

METHOD OF OBTAINING CONVERTER OF VACUUM ULTRAVIOLET RADIATION INTO VISIBLE RANGE RADIATION IN FORM OF AMORPHOUS SILICON OXIDE SiOX FILM ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2534173C2. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-11-27.

Formation technique of ultrahard alloyed carbonic coating on silicon in vacuum

Номер патента: RU2342468C1. Автор: Марина Евгеньевна Галкина,Александр Яковлевич Колпаков,Ольга Вениаминовна Сафронова,Ирина Васильевна Суджанска,Ирина Васильевна Суджанская. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный университет". Дата публикации: 2008-12-27.

Tin ion-implanted silicon oxide film on silicon substrate

Номер патента: RU2535244C1. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-12-10.

Design of sensitive element of pressure converter based on silicon-on-insulator structure

Номер патента: RU2474007C1. Автор: Игорь Валерьевич Годовицын. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение "Научно-Производственный Комплекс "Технологический Центр" Миэт". Дата публикации: 2013-01-27.

Method for manufacturing self-aligning planar two-gate mos transistor on silicon-0n-insulator substrate

Номер патента: RU2312422C2. Автор: Евгений Васильевич Кузнецов,Александр Николаевич Сауров,Елена Николаевна Рыбачек. Владелец: Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники". Дата публикации: 2007-12-10.

Method of growing epitaxial europium monoxide films on silicon

Номер патента: RU2557394C1. Автор: Петр Евгеньевич Тетерин,Дмитрий Валерьевич Аверьянов,Вячеслав Григорьевич Сторчак,Юрий Григорьевич Садофьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2015-07-20.

Method for presorting of cmos chips made on silicon-on-insulator structures, by resistance to radiation effect

Номер патента: RU2364880C1. Автор: Александр Юрьевич Никифоров,Виталий Арсеньевич Телец,Игорь Борисович Яшанин,Георгий Георгиевич Давыдов,Андрей Юлиевич Седаков,Армен Вагоевич Согоян,Алексей Владимирович Скобелев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2009-08-20.

Process of production of alloying material based on silicon nitride

Номер патента: RU2210615C1. Автор: В.А. Чернов,И.М. Шатохин,А.Д. Носов,М.Х. Зиатдинов. Владелец: Чернов Валерий Александрович. Дата публикации: 2003-08-20.

Manufacturing method of items from ceramic material by hot pressing based on silicon nitride

Номер патента: RU2443659C1. Автор: Георгий Юрьевич Сморчков,Анатолий Иванович Рачковский,Игорь Евгеньевич Вичканский,Валентина Павловна Белова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" - Госкорпорация "Росатом". Дата публикации: 2012-02-27.

Method of preparing thin-film metal structure of tungsten on silicon

Номер патента: RU2375785C1. Автор: Геннадий Михайлович Михайлов,Светлана Всеволодовна Плющева,Сергей Юрьевич Шаповал,Александра Викторовна Андреева,Геннадий Михайлович Михайлов (RU),Светлана Всеволодовна Плющева (RU),Сергей Юрьевич Шаповал (RU),Александра Викторовна Андреева (RU). Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов. Дата публикации: 2009-12-10.

Dopand material based on silicon nitride and method of its production

Номер патента: RU2218440C2. Автор: М.Х. Зиатдинов. Владелец: Зиатдинов Мансур Хузиахметович. Дата публикации: 2003-12-10.

Method to reject cmos microchips manufactured on silicon-on-insulator structures, by resistance to radiation exposure

Номер патента: RU2411527C1. Автор: Александр Юрьевич Никифоров,Виталий Арсеньевич Телец,Игорь Борисович Яшанин,Николай Николаевич Киселев,Георгий Георгиевич Давыдов,Вячеслав Викторович Маслов,Армен Вагоевич Согоян,Лев Анатольевич Синегубко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2011-02-10.

Ceramic material based on silicon carbide and nitride and method of manufacturing products from it

Номер патента: RU2511415C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Вадим Александрович Некрасов,Дмитрий Сергеевич Оболенский,Андрей Николаевич Фалькович. Владелец: Максим Вячеславович Бушуев. Дата публикации: 2014-04-10.

Method to sort cmos microcircuit chips manufactured on silicon-on-insulator structures by radiation resistance

Номер патента: RU2444742C1. Автор: Игорь Борисович Яшанин,Алексей Владимирович Скобелев,Максим Николаевич Зубарев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2012-03-10.

Cvd-reactor and method of synthesis of hetero-epitaxial films of silicon carbide on silicon

Номер патента: RU2394117C2. Автор: Борис Михайлович Синельников,Виталий Алексеевич Тарала,Иван Сергеевич Митченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-производственная фирма "Эпикрист". Дата публикации: 2010-07-10.

Method of forming microstructured and heavily doped layer on silicon surface

Номер патента: RU2550868C2. Автор: Сергей Иванович Кудряшов,Андрей Алексеевич Ионин,Леонид Владимирович Селезнев,Сергей Владимирович Макаров,Павел Николаевич Салтуганов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН). Дата публикации: 2015-05-20.

Method of producing ceramic armour material based on silicon carbide and boron carbide and ceramic armour material based on silicon carbide and boron carbide

Номер патента: RU2440956C1. Автор: Владимир Валерьевич Ленский,Евгений Федорович Харченко,Владимир Александрович Анискович,Илья Сергеевич Гавриков,Валерий Анатольевич Быков,Евгений Федорович Харченко (RU),Владимир Александрович Анискович (RU),Владимир Валерьевич Ленский (RU),Илья Сергеевич Гавриков (RU),Валерий Анатольевич Быков (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "АРМОКОМ-ЦЕНТР". Дата публикации: 2012-01-27.

Transistor with metal-oxide-semiconductor structure on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: RU2477904C1. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков,Андрей Александрович Глушко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН). Дата публикации: 2013-03-20.

Method of obtaining gas-liquid-solid-phase microchromatographic columns on silicon plates and device for thereof realisation

Номер патента: RU2540067C1. Автор: Владимир Сергеевич Павельев,Юрий Иванович Арутюнов,Игорь Артемьевич Платонов,Владимир Игоревич Платонов,Лариса Викторовна Павлова,Екатерина Анатольевна Новикова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмическкий университет имени академика С.П. Королева" (национальный исследовательский университет)" (СГАУ). Дата публикации: 2015-01-27.

Method of producing heteroepitaxial silicon carbide films on silicon substrate

Номер патента: RU2521142C2. Автор: Шихгасан Муфтялиевич Рамазанов,Гусейн Муфтялиевич Рамазанов,Газимагомед Убайдулаевич Газимагомедов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СИКЛАБ". Дата публикации: 2014-06-27.

Method of production of composite materials based on silicon dioxide

Номер патента: RU2528667C2. Автор: Абдулгалим Будаевич Исаев,Зазав Мустафаевич Алиев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВРСИТЕТ". Дата публикации: 2014-09-20.

Device for protection against static electricity discharges of power leads of complementary mos (metal-oxide-semiconductor) integrated circuits on silicon wafers with n-type conductivity

Номер патента: RU2585882C2. Автор: Сергей Николаевич Абрамов,Владимир Николаевич Гуминов. Владелец: Открытое акционерное общество "АНГСТРЕМ". Дата публикации: 2016-06-10.

Method for flaw inspection of silicon dioxide films on silicon substrates

Номер патента: RU2127927C1. Автор: В.Д. Скупов,В.К. Смолин,В.В. Лашманов. Владелец: Научно-исследовательский институт измерительных систем. Дата публикации: 1999-03-20.

Clarifying thin-film coating based on silicon(iv) and bismuth(iii) oxide compounds

Номер патента: RU2542997C1. Автор: Людмила Павловна Борило,Александра Геннадьевна Мальчик,Светлана Анатольевна Кузнецова,Владимир Васильевич Козик. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2015-02-27.

Protection of angles of 3d micromechanical structures on silicon plate at deep anisotropic etching

Номер патента: RU2568977C1. Автор: Александр Викторович Ушков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА"). Дата публикации: 2015-11-20.

Solder for tinning aluminium film on silicon

Номер патента: RU2477206C1. Автор: Виктор Адыгеевич Созаев,Мурат Хажисмелович Понежев,Аслан Зарифович Кашежев,Артур Рубенович Манукянц,Андрей Дмитриевич Прохоренко,Кристина Муратовна Елекоева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет) (СКГМИ (ГТУ). Дата публикации: 2013-03-10.

High-temperature resistant silicon-based aerogel paint and preparation method thereof

Номер патента: NL1043461A. Автор: Li Wanjing,Wang Meilan,Zhao Tiangui. Владелец: Jiangsu Miraful Nano Mat Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for forming support resonance on ultra-thin transitions of main state of alkali metal atom

Номер патента: RU2312457C1. Автор: Сергей Александрович Зибров,Владимир Леонидович Величанский,Валерий Иванович Юдин,Алексей Владимирович Тайченачев. Владелец: Физический институт имени П.Н. Лебедева РАН. Дата публикации: 2007-12-10.

Multifrequency resonator on volume acoustic waves

Номер патента: RU2541927C2. Автор: Владимир Давыдович Бланк,Сергей Александрович Терентьев,Александр Павлович Волков,Борис Павлович Сорокин,Геннадий Михайлович Квашнин,Виталий Сергеевич Бормашов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2015-02-20.

Silicon-based heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2024216360A1. Автор: HONGWEI Li,Zibo MENG,Cong GUO,Yongheng WANG,Guangtao YANG. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of tuning resonator on surface acoustic waves

Номер патента: RU2452079C1. Автор: Геннадий Николаевич Галанов,Сергей Суренович Нерсесов,Александр Алексеевич Голубский,Анатолий Аркадьевич Трусов,Александр Алексеевич Голубский (RU),Анатолий Аркадьевич Трусов (RU),Геннадий Николаевич Галанов (RU),Сергей Суренович Нерсесов (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Элпа" с опытным производством" (ОАО "НИИ "Элпа"). Дата публикации: 2012-05-27.

Resonator on modes of whispering gallery with vertical radiation output

Номер патента: RU2423764C1. Автор: Николай Николаевич Михайлов,Юрий Павлович Яковлев,Елена Александровна Гребенщикова,Василий Семенович Варавин,Георгий Юрьевич Сидоров,Виктор Вениаминович Шерстнев,Андрей Маркович Монахов,Алексей Николаевич Баранов,Сергей Алексеевич Дворецкий,Александр Александрович Андронов,Юрий Николаевич Ноздрин,Александр Владимирович Окомельков,Анастасия Павловна Астахова. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики микроструктур РАН. Дата публикации: 2011-07-10.

Silicone-based pressure sensitive adhesive layer-forming composition and use thereof

Номер патента: WO2024130670A1. Автор: Qing Cao,Chao Zhou,Zhihua Liu,Chengrong ZHU,Maki Itoh,Jingui Jiang,Guodong SHEN,Jiayin Zhu. Владелец: Dow Silicones Corporation. Дата публикации: 2024-06-27.

Coated silicon-based ceramic composites and method for making same

Номер патента: CA1100366A. Автор: Charles R. Morelock,Richard L. Mehan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1981-05-05.

Method for producing blanks of parts of lock used at drilling wells

Номер патента: RU2299104C1. Автор: Борис Алексеевич Романцев,Александр Васильевич Гончарук,Евгений Андрианович Маренков,Людмила Абдрашитовна Заграй,Екатерина Викторовна Даева,н Анна Акоповна Хзардж,Анна Акоповна Хзарджян,Ал Петровна Чистова,Аля Петровна Чистова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт стали и сплавов" (технологический университет). Дата публикации: 2007-05-20.

Method of inhibiting deposition of silicon-based inorganic deposits during in-situ hydrocarbon production

Номер патента: CA3063448C. Автор: Lazar Velev,Zied Ouled Ameur. Владелец: Cenovus Energy Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Flue gas desulfurization adsorption device based on silicon-based mesoporous material and method of using same

Номер патента: ZA202110837B. Автор: Gang Li,Xiaoyan Wu. Владелец: Huawei National Engineering Res Center For Efficient Recycling Of Metal Mineral Resources Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-30.

Preparation method of composite structure material based on silicon-based porous silicon/tungsten oxide nanowires

Номер патента: CN103526157A. Автор: 曾鹏,胡明,李明达,武雅乔,马双云,崔珍珍. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-01-22.

Structured light illumination microscopic imaging system based on silicon-based liquid crystal chip

Номер патента: CN103605202A. Автор: 李辉,朱剑锋,熊大曦,杨西斌. Владелец: Suzhou Institute of Biomedical Engineering and Technology of CAS. Дата публикации: 2014-02-26.

Method of test for defects of silicon dioxide films on silicon backings

Номер патента: RU2033660C1. Автор: В.Д. Скупов,А.С. Виноградов,Б.В. Гуденко,С.А. Орловская. Владелец: Научно-исследовательский институт измерительных систем. Дата публикации: 1995-04-20.

Method of manufacturing products from material based on silicon binding substances

Номер патента: RU2121918C1. Автор: В.В. Карпов,А.И. Батулов,В.П. Птичников,П.Л. Гусика,Б.П. Милиневский,Ю.С. Шафран. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью "ЭКОЮРУС-ППТМ". Дата публикации: 1998-11-20.

Process of manufacture of contacts of integrated circuits based on silicon

Номер патента: RU2034364C1. Автор: В.А. Хрусталев,А.И. Мочалов,Д.Г. Громов,В.П. Пугачевич,А.А. Азаров. Владелец: Московский институт электронной техники. Дата публикации: 1995-04-30.

Frequency shift keying (FSK) optical modulation signal generator based on silicon-based micro ring resonator

Номер патента: CN101834669B. Автор: 张亮,苏翼凯,曹攀,叶通,吴艳志. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2012-09-05.

METHOD OF MICROWAVE PLASMA FORMATION OF CUBIC SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON (3С-SiC)

Номер патента: RU2013127679A. Автор: Петр Павлович Мальцев,Юрий Владимирович Федоров,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2014-12-27.

Terahertz wave adjustable narrow band filter based on silicon-based photonic crystal structure

Номер патента: CN102324907B. Автор: 刘平安,何金龙,何雅兰,洪治. Владелец: China Jiliang University. Дата публикации: 2014-04-16.

Electric-control broadband photon radio-frequency phase shifter based on silicon-based micro-ring resonant cavity

Номер патента: CN101799608A. Автор: 张亮,苏翼凯,叶通,吴艳志. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2010-08-11.

Frequency detector based on silicon-based low-leakage-current double-clamped beam movable gate

Номер патента: CN105004919A. Автор: 廖小平,严嘉彬. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-10-28.

Preparation method of 850nm laser based on silicon base pseudo gallium arsenide substrate

Номер патента: CN102570305A. Автор: 潘教青,于红艳,王圩,周旭亮,赵玲娟. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2012-07-11.

Ultra wide band photo-parametric amplifier based on silicone based surface plasma wave guide

Номер патента: CN101957534B. Автор: 王涛,张亮,苏翼凯,胡小锋,周淦. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2012-05-23.

Adjustable high-frequency impulse light source based on silicon-based micro-ring resonant cavity carrier chromatic dispersion effect

Номер патента: CN103941516B. Автор: 张利斌,陈少武. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2017-01-18.

Adjustable all-optical oscillator based on silicon-based micro-ring resonant cavity thermo-optically tuning mechanism

Номер патента: CN103941518A. Автор: 张利斌,陈少武. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2014-07-23.

Fabrication of nanoboulders on silicon surfaces

Номер патента: NZ523921A. Автор: Andreas Markwitz. Владелец: Inst Of Geol & Nuclear Science. Дата публикации: 2005-08-26.

Forming silicon dioxide on silicon carbide

Номер патента: GB201204826D0. Автор: . Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2012-05-02.

Processes for forming an insulating coating on silicon, and to coated silicon

Номер патента: CA847830A. Автор: Partridge Graham,W. Mcmillan Peter,R. Ward Frank. Владелец: English Electric Co Ltd. Дата публикации: 1970-07-28.

Method of operation of the process of epitaxy of silicon from gaseous phase,especially on silicon substrate gazy,osobenno na kremnievojj podlozhke

Номер патента: PL120490B3. Автор: Jacek Korec,Jerzy Borkowicz,Elzbieta Nossarzewskaorlowska. Владелец: Osrodek Naukowo Prod Materialo. Дата публикации: 1982-03-31.

Process of production of magnetic fluid on silicon-organic base

Номер патента: RU2023318C1. Автор: В.А. Силаев,Е.Н. Бойкова. Владелец: Редкинский опытный завод. Дата публикации: 1994-11-15.

SILICONE BASED LUBRICANT COMPOSITIONS

Номер патента: US20120004151A1. Автор: AGUILAR GASTON A.,CHENG FRANCIS S.,TEPPER RONALD J.. Владелец: R.T. VANDERBILT COMPANY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DEPOSITING A SILICON OXIDE LAYER OF SAME THICKNESS ON SILICON AND ON SILICON-GERMANIUM

Номер патента: US20130072032A1. Автор: Dutartre Didier,Campidelli Yves,Breil Nicolas,Gourhant Olivier. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

SILICON FOR TINNING A SILICON FILM ON SILICON

Номер патента: RU2011132771A. Автор: Виктор Адыгеевич Созаев,Мурат Хажисмелович Понежев,Аслан Зарифович Кашежев,Артур Рубенович Манукянц,Кристина Муратовна Елекоев,Андрей Дмитриевич Прохоренко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет)(СККМИ(ГТУ). Дата публикации: 2013-02-10.

Growth method for epitaxial layer on silicon-based graphical substrate

Номер патента: CN101378017B. Автор: 王建峰,朱建军,徐科. Владелец: SUZHOU NANOWIN SCIENCE AND TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-01.

Method for in situ assembly of highly dispersible nano silver particle on silicon base material

Номер патента: CN1698954A. Автор: 张贺,包信和,孙军明. Владелец: Dalian Institute of Chemical Physics of CAS. Дата публикации: 2005-11-23.

Method for preparing non-polar zinc oxide thin film on silicon-based substrate

Номер патента: CN103643212A. Автор: 王大伟,何广平,苏德志,袁俊杰,李中翔,赵全亮,狄杰建. Владелец: NORTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-03-19.

Group iii nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlayer structure

Номер патента: CA2493503C. Автор: John Adam Edmond,Hua-Shuang Kong,Kathleen Marie Doverspike,Michelle Turner Leonard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-11-29.

Method for deposition of high purity silicon on silicon particles from silicon source gases in fluidized bed reactor

Номер патента: KR960014593B1. Автор: 김희영,권대혁,전종열,박동순,이강모,송영목,이재송. Владелец: 재단법인 한국화학연구소. Дата публикации: 1996-10-16.

Interference type silicon base chip optical gyroscope

Номер патента: CN1648604A. Автор: 刘成,白剑,徐建锋,吴兴坤,杨国光,侯西云,梁宜勇. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2005-08-03.

Binary blazed grating coupler and application thereof on silicon-based mixed integration photodetector

Номер патента: CN104090333A. Автор: 刘宇,崔贝贝,李鸿强,周文骞. Владелец: TIANJIN POLYTECHNIC UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-08.

Method for recording and reproduction of information in a structure with ferrielectric films on silicon base

Номер патента: RU2315368C1. Автор: Константин Юрьевич Фроленков,Лариса Юрьевна Фроленкова,Виктория Юрьевна Преснецова,Николай Витальевич Преснецов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный технический университет" (ОрелГТУ). Дата публикации: 2008-01-20.

Heater Chips with Silicon Die Bonded on Silicon Substrate, Including Offset Wire Bonding

Номер патента: US20120133710A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

FABRICATION OF THROUGH-SILICON VIAS ON SILICON WAFERS

Номер патента: US20120164827A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-06-28.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.