Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Forming led structures on silicon fins

Номер патента: KR102099193B1
Опубликовано: 09-04-2020
Автор(ы): 로버트 챠우, 마르코 라도사블예비치, 벤자민 추-쿵, 사나즈 가드너, 산삽탁 다스굽타, 한 위 덴
Принадлежит: 인텔 코포레이션
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Forming LED structures on silicon fins

Номер патента: US09847448B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Sanaz Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Micro led structure and micro led panel

Номер патента: US20240213229A1. Автор: Wei Sin Tan,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Micro led structure and micro led panel

Номер патента: WO2024130717A1. Автор: Wei Sin Tan,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

LED Structure

Номер патента: US20140061688A1. Автор: Shouli Steve Hsia,Chih-Kuang Yu,Hung-Yi Kuo,Fu-Chih Yang,Ming-Feng Wu,Hung-Chao Kao,Ken Wen-Chien Fu. Владелец: Chip Star Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

LED Structure

Номер патента: US20140339579A1. Автор: Shouli Steve Hsia,Chih-Kuang Yu,Hung-Yi Kuo,Fu-Chih Yang,Ming-Feng Wu,Hung-Chao Kao,Ken Wen-Chien Fu. Владелец: Chip Star Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Led structure

Номер патента: US20120326198A1. Автор: Shouli Steve Hsia,Chih-Kuang Yu,Hung-Yi Kuo,Fu-Chih Yang,Ming-Feng Wu,Hung-Chao Kao,Ken Wen-Chien Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-12-27.

Micro led structure and micro led panel

Номер патента: WO2024130718A1. Автор: Wei Sin Tan,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

Micro led structure and micro led panel

Номер патента: US20240213292A1. Автор: Wei Sin Tan,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Integration of leds on gallium-nitride with devices on aluminum/gallium nitride, gallium nitride on silicon substrates for led ac

Номер патента: RU2615215C2. Автор: Теодор ЧУНГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-04-04.

Full-color led structure, and full-color led structure unit and method for manufacturing same

Номер патента: US20230378396A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Light emitting diode (led) structures for a microled device, and method for producing an array of led structures

Номер патента: US20230317871A1. Автор: Xiuling Li,Clarence Chan. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-10-05.

LED Structure, LED Device and Method of Manufacturing LED Structure

Номер патента: US20230282685A1. Автор: Weihua Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Wuxi Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Passivated micro led structures suitable for energy efficient displays

Номер патента: US20180175248A1. Автор: KHALED Ahmed. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Led structure and preparing method of led structure

Номер патента: US20230299118A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Micro LED structure and method of manufacturing same

Номер патента: US11335836B2. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Tae Hwan Song. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-17.

Micro-led structures with improved internal quantum efficiency

Номер патента: US20200303586A1. Автор: KHALED Ahmed. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of nitride monocrystal growth on silicon plate, nitride semi-conductor light emitting diode, which is produced with its utilisation, and method of such production

Номер патента: RU2326993C2. Автор: Хее Сеок ПАРК,ев Юрий Васильевич Жил,Юрий Васильевич ЖИЛЯЕВ,Василий Николаевич БЕССОЛОВ. Владелец: Физико-Технический Институт Имени А.Ф.Иоффе Ран. Дата публикации: 2008-06-20.

Micro light emitting diode (led) structure, method for manufacturing the same and display including the same

Номер патента: US20190123235A1. Автор: Yong-Hoon Cho,Youngchul Sim,Kie Young Woo. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-04-25.

Led structures and methods of manufacturing led structure

Номер патента: US20230299231A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Led structures and maufacturing methods thereof, led devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230207609A1. Автор: Liyang Zhang,Zhizhong Guo. Владелец: Enkris Semiconductor Wuxi Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220209056A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208838A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220209058A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208844A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208841A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: EP4268288A1. Автор: Jian Guo,Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Systems and methods for led structures that increase current flow density

Номер патента: AU2021417264A9. Автор: Qiming Li,Anle Fang. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Strong light-emitting diode (led) structure for substrate separation

Номер патента: RU2477906C2. Автор: Цинвэй МО,Арнольд ДАГИО. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-03-20.

Quantum well-based led structure enhanced with sidewall hole injection

Номер патента: AU2021275060C1. Автор: Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Micro-led structures for full color displays and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200135970A1. Автор: KHALED Ahmed,Sansaptak DASGUPTA,Anup Pancholi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination

Номер патента: US09484492B2. Автор: David P. Bour,Arpan Chakraborty,Jean-Jacques P. Drolet,Kelly McGroddy,Daniel Arthur Haeger,James Michael Perkins. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Quantum well-based led structure enhanced with sidewall hole injection

Номер патента: AU2021275060B2. Автор: Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Ultraviolet (uv) light-emitting diode (led) structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230299237A1. Автор: Xiaohui HUANG. Владелец: Zhixin Semiconductor Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods and systems for UV LED structures

Номер патента: US11901484B2. Автор: Zihao Yang,David Masayuki Ishikawa,Mingwei Zhu,Nag Patibandla,Mengnan Zou. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Methods and systems for uv led structures

Номер патента: EP4352796A1. Автор: Zihao Yang,David Masayuki Ishikawa,Mingwei Zhu,Nag Patibandla,Mengnan Zou. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Methods and systems for uv led structures

Номер патента: WO2022260868A1. Автор: Zihao Yang,David Masayuki Ishikawa,Mingwei Zhu,Nag Patibandla,Mengnan Zou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-12-15.

Multi-wavelength led structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230335672A1. Автор: Kai Cheng,Weihua Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Led devices, led structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240014344A1. Автор: Kai Cheng,Weihua Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Group III nitride based LED structures including multiple quantum wells with barrier-well unit interface layers

Номер патента: US12094998B2. Автор: Brian T. Collins,Daniel Carleton Driscoll,Thomas A. Kuhr,Robert David Schmidt. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination

Номер патента: US09865772B2. Автор: David P. Bour,Arpan Chakraborty,Jean-Jacques P. Drolet,Kelly McGroddy,Daniel Arthur Haeger,Dmitry S. Sizov,James Michael Perkins. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination

Номер патента: US09601659B2. Автор: David P. Bour,Arpan Chakraborty,Jean-Jacques P. Drolet,Kelly McGroddy,Daniel Arthur Haeger,Dmitry S. Sizov,James Michael Perkins. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Light emitting device grown on silicon substrate

Номер патента: RU2657335C2. Автор: Раджвиндер СИНГХ,Джон Эдвард ЭПЛЕР. Владелец: Люмиледс Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2018-06-13.

LED Structure and Fabrication Method

Номер патента: US20170141271A1. Автор: Su-Hui Lin,Chen-Ke Hsu,Chia-En Lee,Xinghua LIANG,Hongquan HE,Te-Ling Hsia. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Led structure and gan-based substrate thereof, and method for manufacturing gan-based substrate

Номер патента: US20230335678A1. Автор: Kai Cheng,Weihua Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

LED structure and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2551922A3. Автор: Cheng-Hung Chen,Chia-Hung Hou,Der-Lin Hsia. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2013-11-06.

Monolithic integration of different light emitting structures on a same substrate

Номер патента: WO2020210563A1. Автор: Gang He,Sheila Hurtt. Владелец: Raxium, Inc.. Дата публикации: 2020-10-15.

High-reflectivity and low-defect density LED structure

Номер патента: US8158998B2. Автор: Liang-Jyi Yan,Yea-Chen Lee. Владелец: HIGH POWER OPTO Inc. Дата публикации: 2012-04-17.

Method for fabricating (LED) dice using semiconductor structures on a substrate and laser lift-off to a receiving plate

Номер патента: US11862754B2. Автор: Nobuaki Matsumoto,Shuhei Ueda,Trung Tri Doan,Kazunori Kondo,Toshiyuki Ozai,Kohei Otake,Yoshinori Ogawa,Chen-Fu Chu,David Trung Doan,Taichi Kitagawa,Yi-Feng Shih,Shih-Kai Chan,Keiji OHORI. Владелец: SemiLEDs Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Monolithic integration of different light emitting structures on a same substrate

Номер патента: US20230387348A1. Автор: Gang He,Sheila K. Hurtt. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Method For Fabricating (LED) Dice Using Semiconductor Structures On A Substrate And Laser Lift-Off To A Receiving Plate

Номер патента: US20220271198A1. Автор: Nobuaki Matsumoto,Shuhei Ueda,Trung Tri Doan,Kazunori Kondo,Toshiyuki Ozai,Yoshinori Ogawa,Chen-Fu Chu,David Trung Doan,Taichi Kitagawa,Yi-Feng Shih,Shih-Kai Chan,Keiji OHORI,KOHEl OTAKE. Владелец: SemiLEDs Corp Taiwan. Дата публикации: 2022-08-25.

FORMING LED STRUCTURES ON SILICON FINS

Номер патента: US20160163918A1. Автор: Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak,Gardner Sanaz. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Stress relaxation trenches for gallium nitride microled layers on silicon substrates

Номер патента: US20230369532A1. Автор: Raghav SREENIVASAN,Tyler Sherwood. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Micro led structure and micro led projector

Номер патента: US20240355977A1. Автор: Huiwen Xu,Jian Guo. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Micro led structure

Номер патента: US20220173268A1. Автор: Yi-Chun Shih,Tzu-Yang Lin,Yen-Chun Tseng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-02.

Large area synthesis of cubic phase gallium nitride on silicon

Номер патента: US20230235480A1. Автор: Can Bayram,Muhammad Ali Johar. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-07-27.

Large area synthesis of cubic phase gallium nitride on silicon

Номер патента: US20230238246A1. Автор: Can Bayram,Muhammad Ali Johar. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-07-27.

Production of tear-free planar Group III-N, Group III-V-N and metal-nitrogen component structures on silicon substrates comprises partially structuring the silicon substrate or buffer layer deposited on it by masking and/or etching

Номер патента: DE10056645A1. Автор: Alois Krost,Armin Dadgar. Владелец: Armin Dadgar. Дата публикации: 2001-09-13.

GROWTH OF CUBIC CRYSTALLINE PHASE STRUCTURE ON SILICON SUBSTRATES AND DEVICES COMPRISING THE CUBIC CRYSTALLINE PHASE STRUCTURE

Номер патента: US20200006597A1. Автор: Brueck Steven R.J.,Wetzel Christian,Lee Seung-Chang,Durniak Mark. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

GROWTH OF CUBIC CRYSTALLINE PHASE STRUCTURE ON SILICON SUBSTRATES AND DEVICES COMPRISING THE CUBIC CRYSTALLINE PHASE STRUCTURE

Номер патента: US20170092485A1. Автор: Brueck Steven R.J.,Wetzel Christian,Lee Seung-Chang,Durniak Mark. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

Growth of cubic crystalline phase structure on silicon substrates and devices comprising the cubic crystalline phase structure

Номер патента: US20190103481A1. Автор: Seung-Chang Lee,Steven R.J. Brueck,Christian Wetzel,Mark Durniak. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2019-04-04.

GROWTH OF CUBIC CRYSTALLINE PHASE STRUCTURE ON SILICON SUBSTRATES AND DEVICES COMPRISING THE CUBIC CRYSTALLINE PHASE STRUCTURE

Номер патента: US20210234070A1. Автор: Brueck Steven R.J.,Wetzel Christian,Lee Seung-Chang,Durniak Mark. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

Method for producing planar and crack-free Group III nitride-based light emitting structures on silicon substrate

Номер патента: DE10151092B4. Автор: Dr. Dadgar Armin,Prof.Dr. Krost Alois. Владелец: Azzurro Semiconductors AG. Дата публикации: 2012-10-04.

Single crystal aluminum nitride layers, useful as high frequency SAW filters and buffer layers for electronic and optoelectronics component deposition, are grown on silicon using silicon surface construction and reconstruction steps

Номер патента: DE19827198A1. Автор: Wolfgang Richter,Gela D Kipshidze,Hans P D J H Schenk. Владелец: Wolfgang Richter. Дата публикации: 2000-01-20.

Layer structure production for nitride semiconductor component on silicon surface, involves preparation of substrate having silicon surface on which nitride nucleation layer is deposited with masking layer

Номер патента: DE102006008929A1. Автор: . Владелец: Azzurro Semiconductors AG. Дата публикации: 2007-08-30.

Display pixels made from stacked micro-led structures and photoluminescent materials

Номер патента: US20230290909A1. Автор: Zhiyong Li,Sivapackia Ganapathiappan,Hou T. Ng,Lisong Xu,Mingwei Zhu,Kai Ding,Nag Patibandla. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Display pixels made from stacked micro-led structures and photoluminescent materials

Номер патента: WO2023172679A1. Автор: Zhiyong Li,Sivapackia Ganapathiappan,Hou T. Ng,Lisong Xu,Mingwei Zhu,Kai Ding,Nag Patibandla. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

Single light emitting diode (LED) structure having epitaxial structure separated into light emitting zones

Номер патента: US11728461B2. Автор: Trung Tri Doan,David Trung Doan. Владелец: SemiLEDs Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Single Light Emitting Diode (LED) Structure Having Epitaxial Structure Separated Into Light Emitting Zones

Номер патента: US20210119088A1. Автор: Trung Tri Doan,David Trung Doan. Владелец: SemiLEDs Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Light Emitting Diode (LED) Structure Having Single Epitaxial Structure Separated Into Light Emitting Zones

Номер патента: US20230411565A1. Автор: Trung Tri Doan,David Trung Doan. Владелец: SemiLEDs Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Systems and methods for led structures that increase current flow density

Номер патента: AU2021417264A2. Автор: Qiming Li,Anle Fang. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Systems and methods for led structures that increase current flow density

Номер патента: EP4275232A1. Автор: Qiming Li,Anle Fang. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Micro led structure and micro led projector

Номер патента: WO2023125981A1. Автор: Huiwen Xu,Jian Guo. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2023-07-06.

Nanowire led structure and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2583317A2. Автор: Truls Lowgren. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2013-04-24.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208837A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220209050A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208833A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220209053A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Method for forming LED package

Номер патента: CN104916758A. Автор: 杨文焜. Владелец: JINLONG INTERNATIONAL Corp. Дата публикации: 2015-09-16.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220209052A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structures and photoluminescent materials having uv light filters

Номер патента: US20230335693A1. Автор: Sivapackia Ganapathiappan,Hou T. Ng,Lisong Xu,Kulandaivelu SIVANANDAN,Mingwei Zhu,Nag Patibandla. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Micro-led structures and photoluminescent materials having uv light filters

Номер патента: WO2023205024A1. Автор: Sivapackia Ganapathiappan,Hou T. Ng,Lisong Xu,Kulandaivelu SIVANANDAN,Mingwei Zhu,Nag Patibandla. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-10-26.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208831A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208842A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208830A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208832A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208836A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208843A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208741A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220209046A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208835A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220209051A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220209054A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220209047A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208740A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208840A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Moulded lens forming led-module of integrated circuit scale and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2617880C2. Автор: Серж Йоэль Арманд БИРХЭЙЗЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-04-28.

Enhanced efficiency of LED structure with n-doped quantum barriers

Номер патента: US11870006B2. Автор: Jian Yin,Gholamreza Chaji,Dayan Ban,Ehsanollah Fathi. Владелец: Vuereal Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Photoresist patterning process supporting two-step phosphor deposition to form LED matrix array

Номер патента: CN113490887B. Автор: 清水健太郎,E·多纳,D·B·罗伊特曼,M·R·博默. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2022-12-20.

Micro led structure and micro led panel

Номер патента: US20240213406A1. Автор: Wei Sin Tan,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Micro led structure and micro led panel

Номер патента: WO2024130719A1. Автор: Wei Sin Tan,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

Micro led structure and method of manufacturing same

Номер патента: US20190214537A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Tae Hwan Song. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Micro light-emitting diode (led) structure

Номер патента: WO2024178719A1. Автор: Shuang ZHAO,Yuankun ZHU,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2024-09-06.

Multi-led structures

Номер патента: US20230154966A1. Автор: Ronald S. Cok,Matthew Alexander Meitl. Владелец: X Display Company Technology Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Micro light-emitting diode (led) structure

Номер патента: US20240297205A1. Автор: Shuang ZHAO,Yuankun ZHU,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Micro light-emitting diode (led) structure

Номер патента: WO2024178720A1. Автор: Shuang ZHAO,Yuankun ZHU,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2024-09-06.

Micro light-emitting diode (led) structure

Номер патента: WO2024178718A1. Автор: Shuang ZHAO,Yuankun ZHU,Deshuai LIU. Владелец: 1/1Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2024-09-06.

Micro led structure and method of manufacturing same

Номер патента: US20200335680A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Tae Hwan Song. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Active blue light leakage preventing led structures

Номер патента: US20180337311A1. Автор: Tsung-Hsun Yang,Ching-Cherng Sun. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2018-11-22.

Micro led structure and micro display panel

Номер патента: WO2023142145A1. Автор: Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Company. Дата публикации: 2023-08-03.

LIGHT-RADIATING DEVICE GROWED ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2014142050A. Автор: Раджвиндер СИНГХ,Джон Эдвард ЭПЛЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2016-05-20.

Resonant cavity strained III-V photodetector and LED on silicon substrate

Номер патента: US09991417B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of forming LED semiconductor device having annealed encapsulant layer and annealed luminescence conversion material layer

Номер патента: US7955879B2. Автор: YuSik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-07.

METHOD FOR FORMING GALLIUM NITRIDE TEMPLATE SEMI-POLAR (20-23) ORIENTATION ON SILICON SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMPTING DEVICE, MANUFACTURING USING THE METHOD

Номер патента: RU2013137514A. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-20.

Micro led structure and full color micro led panel

Номер патента: US20240213293A1. Автор: Wei Sin Tan,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Micro led structure and full color micro led panel

Номер патента: WO2024130720A1. Автор: Wei Sin Tan,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

Micro led structure and full color micro led panel

Номер патента: WO2024130720A9. Автор: Wei Sin Tan,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2024-07-25.

Double-shot injection molding formed led lead frame structure

Номер патента: US20150129295A1. Автор: Yu-Jen Lin,Ting-Hsi LI. Владелец: I Chiun Precision Ind Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Micro led structure and micro led projector

Номер патента: WO2023123491A1. Автор: Huiwen Xu,Jian Guo. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Company. Дата публикации: 2023-07-06.

Single-chip surface mounted led structure and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20080220547A1. Автор: Tsung-Wen Chan,Chin-Hsiang Ku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Micro led structure and micro led panel

Номер патента: WO2024197711A1. Автор: Qunchao XU,WeiSin Tan. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2024-10-03.

Micro light-emitting diode (led) structure

Номер патента: US20240297158A1. Автор: Shuang ZHAO,Yuankun ZHU,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Micro light-emitting diode (led) structure

Номер патента: US20240297287A1. Автор: Shuang ZHAO,Yuankun ZHU,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Micro LED structure and display device

Номер патента: US11894495B2. Автор: Kai-Hung Cheng,Fu-Han HO. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Micro led structure and display device

Номер патента: US20240128412A1. Автор: Kai-Hung Cheng,Fu-Han HO. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

AC LED Structure

Номер патента: US20110121329A1. Автор: Ming-Hung Chen,Shih-Yi Wen,Jing-Yi Chen. Владелец: Helio Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2011-05-26.

Silicon germanium and silicon fins on oxide from bulk wafer

Номер патента: US09418900B1. Автор: Hong He,Nicolas Loubet,Junli Wang,James Kuss. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-08-16.

Silicon germanium and silicon fins on oxide from bulk wafer

Номер патента: US20180315668A1. Автор: Hong He,Nicolas Loubet,Junli Wang,James Kuss. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-01.

Silicon germanium and silicon fins on oxide from bulk wafer

Номер патента: US20170018465A1. Автор: Hong He,Nicolas Loubet,Junli Wang,James Kuss. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-19.

Blue light leakage-suppressing led structure

Номер патента: US20160308096A1. Автор: Tsung-Hsun Yang,Ching-Cherng Sun,Yu-Yu Chang,Te-Yuan Chung,Shang-Fu YANG. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-10-20.

Finfet structures having silicon germanium and silicon fins

Номер патента: US20150206744A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-23.

Integration of III-V compound materials on silicon

Номер патента: US10217632B2. Автор: SANGHOON Lee,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-26.

Integration of III-V compound materials on silicon

Номер патента: US09406566B1. Автор: SANGHOON Lee,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Gallium nitride-on-silicon devices

Номер патента: US20240145587A1. Автор: Jun-De JIN,Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Gallium nitride-on-silicon devices

Номер патента: US11888055B2. Автор: Jun-De JIN,Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Gallium nitride-on-silicon devices

Номер патента: US20210305419A1. Автор: Jun-De JIN,Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Quantum-Confined Stark Effect Electro-Optic Modulator In Perovskite Quantum Wells Integrated On Silicon

Номер патента: US20230132224A1. Автор: Alexander A. Demkov,Agham POSADAS,John Elliott Ortmann, JR.. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2023-04-27.

Quantum-confined stark effect electro-optic modulator in perovskite quantum wells integrated on silicon

Номер патента: WO2021178959A1. Автор: Alexander A. Demkov,Agham POSADAS,John Elliott ORTMANN. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2021-09-10.

Forming iii-v device structures on (111) planes of silicon fins

Номер патента: EP3050110A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Robert Chau,Sanaz Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-03.

Forming III-V device structures on (111) planes of silicon fins

Номер патента: US09847432B2. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Robert Chau,Sanaz Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Strain compensated REO buffer for III-N on silicon

Номер патента: US09443939B2. Автор: Andrew Clark,Rytis Dargis,Michael Lebby,Radek Roucka,Erdem Arkun. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for producing substrate based on silicon carbide and silicon carbide substrate

Номер патента: RU2756815C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2021-10-05.

Method for growing group-III nitride semiconductor heterostructure on silicon substrate

Номер патента: US20050106849A1. Автор: Shangir Gwo. Владелец: Shangir Gwo. Дата публикации: 2005-05-19.

Strain compensated reo buffer for iii-n on silicon

Номер патента: US20160133708A1. Автор: Andrew Clark,Rytis Dargis,Michael Lebby,Radek Roucka,Erdem Arkun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-12.

Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide

Номер патента: WO2018165598A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-09-13.

Structure and method for compressively strained silicon germanium fins for pFET devices and tensily strained silicon fins for nFET devices

Номер патента: US09997540B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Structure and method for compressively strained silicon germanium fins for pFET devices and tensily strained silicon fins for nFET devices

Номер патента: US09548386B1. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

High-resistance resistor based on silicon carbide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230317770A1. Автор: Kun Hu,Yuan Tian,Guohui Li,Bingshe Xu,Yanxia CUI,Yuying XI. Владелец: Institute Of New Materials And Chemical Engineering Zhejiang University Shanxi. Дата публикации: 2023-10-05.

Dislocation-free InSb quantum well structure on Si using novel buffer architecture

Номер патента: US7573059B2. Автор: Mohamad A. Shaheen,Peter G. Tolchinsky,Mantu K. Hudait,Loren A. Chow,Dmitri Loubychev,Joel M. Fastenau,Amy W. K. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-11.

HgZnTe DETECTOR ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: US20240170600A1. Автор: Jeffrey M. Peterson. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-05-23.

Light emitting diode on silicon substrate

Номер патента: RU2755933C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Ирина Павловна Смирнова,Александр Сергеевич Гращенко,Лев Константинович Марков,Андрей Евгеньевич Николаев,Алексей Сергеевич Павлюченко,Генадий Викторович Святец,Андрей Федорович Цацульников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2021-09-23.

Formation of pure silicon oxide interfacial layer on silicon-germanium channel field effect transistor device

Номер патента: US10008386B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Nitsinitride and oxidized nitsinitride dielectrics on silicon

Номер патента: CA1252372A. Автор: Joseph P. Ellul,Sing P. Tay. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1989-04-11.

Structure for III-V devices on silicon

Номер патента: US09373502B2. Автор: Errol Antonio C. Sanchez,Xinyu Bao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

LED structure with quasi-continuous spectrum and method of illumination

Номер патента: US09750105B2. Автор: Juha Rantala. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-29.

Direct mombe and movpe growth of ii-vi materials on silicon

Номер патента: CA2128590C. Автор: John E. Jensen,Jennifer J. Zinck,Damodaran Rajavel. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1998-08-25.

FABRICATION AND PROCESSING OF GRAPHENE ELECTRONIC DEVICES ON SILICON WITH A SiO2 PASSIVATION LAYER

Номер патента: WO2023183987A1. Автор: Mohammad Choucair,Alexander James PORKOVICH. Владелец: Archer Materials Limited. Дата публикации: 2023-10-05.

Led structure with a dynamic spectrum and a method

Номер патента: US20180092182A1. Автор: Juha Rantala. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-29.

Active blue light leakage preventing led structures

Номер патента: US20170263799A1. Автор: Tsung-Hsun Yang,Ching-Cherng Sun. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2017-09-14.

LED structure with a dynamic spectrum and a method

Номер патента: US09681515B2. Автор: Juha Rantala. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-13.

Iii-v semiconductor growth initiation on silicon

Номер патента: CA1332141C. Автор: Jack P. Salerno,Jhang Woo Lee,Richard E. Mccullough. Владелец: Kopin Corp. Дата публикации: 1994-09-27.

Methods for forming self-aligned contacts using spin-on silicon carbide

Номер патента: WO2022177828A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Non-destructive bond line thickness measurement of thermal interface material on silicon packages

Номер патента: US20210123729A1. Автор: Yu Luo,Hongqing Zhang,David J. Lewison,Jay A. Bunt,Joyce Molinelli Acocella. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Methods for Forming Self-Aligned Contacts Using Spin-on Silicon Carbide

Номер патента: US20220262679A1. Автор: Lior HULI,Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Blue light leakage-suppressing LED structure

Номер патента: US9793452B2. Автор: Tsung-Hsun Yang,Ching-Cherng Sun,Yu-Yu Chang,Te-Yuan Chung,Shang-Fu YANG. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2017-10-17.

Led structures for reduced non-radiative sidewall recombination

Номер патента: EP3417490A1. Автор: David P. Bour,Arpan Chakraborty,Jean-Jacques P. Drolet,Kelly McGroddy,Daniel Arthur Haeger,Dmitry S. Sizov,James Michael Perkins. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-12-26.

Carrier substrate for semiconductor structures suitable for a transfer by transfer print and manufacturing of the semiconductor structures on the carrier substrate

Номер патента: US20240371669A1. Автор: Ralf Lerner. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

LED structure applied to backlight source

Номер патента: US09484505B2. Автор: Ru-Shi Liu,Chih-Chao Chang,Chun-Che Lin,Hung-Li Yeh,Po-Hsiang Chung. Владелец: Unity Opto Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Trench structure on SiC substrate and method for fabricating thereof

Номер патента: US09899222B2. Автор: Ming-Jinn Tsai,Kuan-Wei Chu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-02-20.

LED Structure with a Dynamic Spectrum and a Method

Номер патента: US20190037662A1. Автор: Juha Rantala. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-01-31.

Mixed light led structure

Номер патента: US20140203312A1. Автор: Ching-Huei Wu. Владелец: Unity Opto Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Method of forming structures on a semiconductor substrate

Номер патента: EP1275138A1. Автор: John George Maltabes,Alain Bernard Charles. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-15.

Method of forming structures on a semiconductor substrate

Номер патента: WO2001078122A1. Автор: John George Maltabes,Alain Bernard Charles. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2001-10-18.

Blocking Structures on Isolation Structures

Номер патента: US20190244807A1. Автор: Tzy-Kuang LEE,Yu-Hsuan Yang,Wen Han Hung,Chia Ying Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Method and apparatus for forming a patterned structure on a substrate

Номер патента: US20230227965A1. Автор: Yonggyu Han,David Kurt De Roest,Shaoren Deng,Marko Tuominen,Vincent Vandalon,Anirudhan Chandrasekaran. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-07-20.

Fabricating a silicon carbide and nitride structures on a carrier substrate

Номер патента: AU2021201807A1. Автор: Daniel Yap,Edward H. CHEN,Samuel J. Whiteley,Danny M. Kim,Thaddeus D. Ladd. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-12-02.

Methods for forming porous insulator structures on semiconductor devices

Номер патента: US7285502B2. Автор: Tongbi Jiang,Warren M. Farnworth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-23.

Method to form a fin structure on deep trenches for a semiconductor device

Номер патента: US20230317771A1. Автор: Huang Liu,Liang Li,Chunhui Low. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method to form a fin structure on deep trenches for a semiconductor device

Номер патента: US12125873B2. Автор: Huang Liu,Liang Li,Chunhui Low. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Photodetector circuit comprising a compound semiconductor device on silicon

Номер патента: US11881498B2. Автор: Jonathan KLAMKIN. Владелец: Aeluma Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Photodetector circuit comprising a compound semiconductor device on silicon

Номер патента: US20240162270A1. Автор: Jonathan KLAMKIN. Владелец: Aeluma Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures

Номер патента: US5629531A. Автор: John W. Palmour. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1997-05-13.

Method of obtaining high quality silicon dioxide passivation on silicon carbide and resulting passivated structures

Номер патента: US5776837A. Автор: John W. Palmour. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1998-07-07.

Method and system for forming LED light emitters

Номер патента: US09816691B2. Автор: Xiantao Yan. Владелец: Ledengin Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING LED LIGHT EMITTERS

Номер патента: US20130228804A1. Автор: Yan Xiantao. Владелец: LedEngin, Inc.. Дата публикации: 2013-09-05.

Method and system for forming LED light emitters

Номер патента: US9041024B2. Автор: Xiantao Yan. Владелец: Ledengin Inc. Дата публикации: 2015-05-26.

Nonvolatile memory transistor having poly-silicon fin, stacked nonvolatile memory device having the transistor, method of fabricating the transistor, and method of fabricating the device

Номер патента: US7842994B2. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Young-soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-30.

Semiconductor devices including a dummy gate structure on a fin

Номер патента: US09947672B2. Автор: Bo-Un Yoon,Yong-Ho Jeon,Sang-Jine Park,Do-hyoung Kim,Kwang-Yong Yang,Kyoung-hwan Yeo,Kee-Sang KWON,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor devices including a dummy gate structure on a fin

Номер патента: US09548309B2. Автор: Bo-Un Yoon,Yong-Ho Jeon,Sang-Jine Park,Do-hyoung Kim,Kwang-Yong Yang,Kyoung-hwan Yeo,Kee-Sang KWON,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on PMOS region

Номер патента: US11171091B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-11-09.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on pmos region

Номер патента: US20210125927A1. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US11843044B2. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Bipolar transistor and gate structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US20240088272A1. Автор: Vibhor Jain,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Efuse inside and gate structure on triple-well region

Номер патента: US11848324B2. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Ephrem G. Gebreselasie,Steven M. Shank,Alain F. Loiseau,Michel J. Abou-Khalil,Ahmed Y. Ginawi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

FinFET structures having silicon germanium and silicon fins with suppressed dopant diffusion

Номер патента: US09837415B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for producing thin membranes of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer membranes obtained by molecular layer precipitation

Номер патента: RU2749573C1. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-06-15.

Method for producing thin films of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer films obtained by molecular layer deposition

Номер патента: RU2749573C9. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-08-17.

Aqueous polishing composition and method for chemical-mechanical polishing of substrates, containing film based on silicon oxide dielectric and based on polycrystalline silicon

Номер патента: RU2588620C2. Автор: Шиам Сундар ВЕНКАТАРАМАН,Исон Юй-Шен СУ,Аренд Йоукэ КИНГМА,Бастиан Мартен НОЛЛЕР. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2016-07-10.

Devices and methods related to radio-frequency filters on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US20240154639A1. Автор: James Phillip Young. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Technique for threshold control over edges of devices on silicon-on-sapphire

Номер патента: US4070211A. Автор: Eliyahou Harari. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1978-01-24.

Methods related to radio-frequency filters on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US11817895B2. Автор: James Phillip Young. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for Fabricating Bump Structures on Chips with Panel Type Process

Номер патента: US20190067242A1. Автор: Shih-Ping Hsu,Che-Wei Hsu,Tung-Yao Kuo. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for obtaining a nanomodified structure on the surface of silicon

Номер патента: RU2649223C1. Автор: Сергей Иванович Хилов,Александр Ильич Худыш,Виктор Николаевич Щелушкин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Солэкс-С". Дата публикации: 2018-03-30.

Method for manufacturing structures on substrates using wet deposition

Номер патента: RU2760864C1. Автор: Штефан РУКМИХ,Карстен НОЙМАНН. Владелец: Плэстик Лоджик Хк Лимитед. Дата публикации: 2021-12-01.

Conductor structure on a dielectric material, and method for producing such a conductor structure

Номер патента: WO2001022786A1. Автор: Leif Bergstedt. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Дата публикации: 2001-03-29.

Graphene and Nanotube/Nanowire Transistor with a Self-Aligned Gate Structure on Transparent Substrates and Method of Making Same

Номер патента: US20140312298A1. Автор: Zihong Liu,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Graphene and Nanotube/Nanowire Transistor with a Self-Aligned Gate Structure on Transparent Substrates and Method of Making Same

Номер патента: US20140042393A1. Автор: Zihong Liu,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Planarization of a patterned structure on a substrate using an ion implantation-assisted wet chemical etch

Номер патента: US5958797A. Автор: Jae-Woo Roh. Владелец: Daewoo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-28.

Systems and methods for forming structures on a surface

Номер патента: US20230359118A1. Автор: Sotrios LYRINTZIS,Keane Michael LEVY. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for manufacturing assembly structure by using frame structure on substrate

Номер патента: US11848280B2. Автор: Wen Hung HUANG,Yu-Ju LIAO. Владелец: Advanced Semlconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for generating a structure on a substrate

Номер патента: US7262118B2. Автор: Christian Herzum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-08-28.

Method for manufacturing solar cells having nano-micro composite structure on silicon substrate and solar cells manufactured thereby

Номер патента: US09972732B2. Автор: Ho Sung Kim,Jong Hwan Lee,Chae Hwan Jeong,Chang Heon Kim. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for manufacturing solar cells having nano-micro composite structure on silicon substrate and solar cells manufactured thereby

Номер патента: US09530914B2. Автор: Ho Sung Kim,Jong Hwan Lee,Chae Hwan Jeong,Chang Heon Kim. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of unit level liquid crystal display device assembly process for liquid crystal on silicon

Номер патента: US09829748B2. Автор: Chun Chiu Daniel Wong,Hiap Liew Ong. Владелец: Syndiant Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for placing nano-diamonds with nv-centers on silicon nitride

Номер патента: RU2761426C2. Автор: Вадим Владиславович Воробьев,Владимир Владимирович Сошенко,Степан Викторович Большедворский,Алексей Владимирович Акимов,Вадим Викторович Ковалюк,Григорий Наумович Гольцман,Павел Павлович Ан,Евгения Витальевна Зубкова,Анна Валерьевна Елманова,Илья Александрович Елманов,София Андреевна Комракова,Джавид Намик оглы Джавадзаде. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский педагогический государственный университет. Дата публикации: 2021-12-08.

Germanium-On-Silicon Avalanche Photodetector In Silicon Photonics Platform, Method Of Making The Same

Номер патента: US20220406955A1. Автор: Yu Li,Masaki Kato. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Silica-on-silicon-based hybrid integrated optoelectronic chip and manufacturing method therefor

Номер патента: US20150355424A1. Автор: Liang Zhou,Xiaoge Cao,Xianghong Yu. Владелец: Wuhan Telecommunication Devices Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Silica-on-silicon-based hybrid integrated optoelectronic chip and manufacturing method therefor

Номер патента: US09482831B2. Автор: Liang Zhou,Xiaoge Cao,Xianghong Yu. Владелец: Wuhan Telecommunication Devices Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Silicon nitride hard mask for epitaxial germanium on silicon

Номер патента: US11830961B2. Автор: Edward J. Preisler,Difeng Zhu. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Iii-n fet on silicon using field suppressing reo

Номер патента: US20130062609A1. Автор: David Williams,Rytis Dargis,Michael Lebby,Robin Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Ionizing radiation sensor based on silicon of crucible-free melting zone of p-type conductivity

Номер патента: RU2634324C1. Автор: Владимир Александрович Елин,Михаил Моисеевич Меркин. Владелец: Публичное акционерное общество "Интерсофт Евразия", ПАО "Интерсофт Евразия". Дата публикации: 2017-10-25.

Germanium-on-silicon avalanche photodetector in silicon photonics platform, method of making the same

Номер патента: US20220069153A1. Автор: Yu Li,Masaki Kato. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for on-silicon integration of a component iii-v and on-silicon integrated component iii-v

Номер патента: US20230145652A1. Автор: David BITAULD,Delphine Neel. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2023-05-11.

Hybrid thermal management for liquid crystal on silicon head-up displays

Номер патента: US11835811B1. Автор: Thomas A. Seder,Taeyoung Han,Kuo-Huey CHEN,Bahram Khalighi,Shailendra Kaushik,Chih-Hung Yen. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

Wafer-level liquid-crystal-on-silicon projection assembly, systems and methods

Номер патента: US09851575B2. Автор: Chun-Sheng Fan. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

High-speed germanium on silicon avalanche photodiode

Номер патента: US09478689B2. Автор: Wang Chen,Su Li,Dong Pan,Pengfei Cai,Mengyuan Huang,Liangbo Wang,Ching-yin Hong. Владелец: SiFotonics Technologies Co Ltd Cayman Islands. Дата публикации: 2016-10-25.

Monolithic iii-v-on-silicon opto-electronic phase modulator with a ridge waveguide

Номер патента: US20220011641A1. Автор: Bernardette Kunert,Joris Van Campenhout,Younghyun Kim,Maria Ioanna Pantouvaki,Didit Yudistira. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-01-13.

Contact grid of heterotransitional photoelectric converter based on silicon and method of its manufacture

Номер патента: RU2624990C1. Автор: Алексей Валерьевич Кукин,Геннадий Анатольевич Иванов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Хевел", ООО "Хевел". Дата публикации: 2017-07-11.

Process for fabricating an optoelectronic device comprising a germanium-on-silicon photodiode optically coupled to an integrated waveguide

Номер патента: US20240069282A1. Автор: Bertrand Szelag. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-02-29.

Pad-array structure on substrate for mounting IC chip on substrate, and optical module having said pad-array structure

Номер патента: US09775245B2. Автор: Kenichiro Yashiki,Takeshi Akagawa. Владелец: PHOTONICS ELECTRONICS TECHNOLOGY RESEARCH ASSOCIATION. Дата публикации: 2017-09-26.

Structure on chip package to substantially match stiffness of chip

Номер патента: US20090045501A1. Автор: Michael A. Gaynes,David L. Questad,Jamil A. Wakil. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-02-19.

Method for examining structures on a wafer

Номер патента: US20020090747A1. Автор: Frank Richter,Guenter Gerstmeier,Valentin Rosskopf. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Methods of compensating for an alignment error during fabrication of structures on semiconductor substrates

Номер патента: US20070120220A1. Автор: Dong-Chun Lee,Jung-Taek Lim,Sung-Hong Park,Young-Jee Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-31.

Method for measuring positions of structures on a substrate and computer program product for determining positions of structures on a substrate

Номер патента: WO2019126079A1. Автор: Frank Laske,Oliver Ache. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for measuring positions of structures on a substrate and computer program product for determining positions of structures on a substrate

Номер патента: US20190186893A1. Автор: Frank Laske,Oliver Ache. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Method to fabricate collimator structures on a direct conversion semiconductor x-ray detector

Номер патента: US20150270413A1. Автор: Daniel Gagnon,Xiaolan Wang,Yuexing Zhang. Владелец: Toshiba Medical Systems Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

System and method for test structure on a wafer

Номер патента: US09472476B2. Автор: Waisum Wong,Chin Chang Liao,Wang Jian Ping. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for forming a conductor path structure on an electrode surface of an electronic component

Номер патента: US09755178B2. Автор: Stefan Dechand,Silke Scharner. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2017-09-05.

Gate-all-around integrated circuit structures having strained source or drain structures on gate dielectric layer

Номер патента: EP3930004A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ryan KEECH,Koustav Ganguly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-29.

Methods of optimizing clamping of a semiconductor element against a support structure on a wire bonding machine, and related methods

Номер патента: US11935864B2. Автор: Wei Qin,HUI XU,JeongHo Yang,Ziauddin Ahmad. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor package structure on a PCB and semiconductor module including the same

Номер патента: US11848255B2. Автор: SunWon Kang,Youngjoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Joint structure, joint module and method of assembling joint structure on object

Номер патента: US20220128073A1. Автор: Ting-Jui Wang. Владелец: Fivetech Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

DOUBLE-SHOT INJECTION MOLDING FORMED LED LEAD FRAME STRUCTURE

Номер патента: US20150129295A1. Автор: LIN YU-JEN,LI Ting-Hsi. Владелец: I-CHIUN PRECISION INDUSTRY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-05-14.

Micro light-emitting diode (led) structure

Номер патента: WO2024178721A1. Автор: Shuang ZHAO,Yuankun ZHU,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2024-09-06.

Micro light-emitting diode (led) structure

Номер патента: US20240297278A1. Автор: Shuang ZHAO,Yuankun ZHU,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Epitaxial silicon germanium fin formation using sacrificial silicon fin templates

Номер патента: US09911601B2. Автор: Hong He,Chih-Chao Yang,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Epitaxial silicon germanium fin formation using sacrificial silicon fin templates

Номер патента: US09484201B2. Автор: Hong He,Chih-Chao Yang,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Production of silicon-on-insulator substrate for high frequency devices involves forming surface-oxidized monocrystalline silicon layer on monocrystalline silicon-germanium layer formed on silicon monocrystal silicon assembly layer

Номер патента: FR2796757A1. Автор: Junji Nakanishi,Satoshi Yamakawa,Nobuyoshi Hattori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-01-26.

EPITAXIAL SILICON GERMANIUM FIN FORMATION USING SACRIFICIAL SILICON FIN TEMPLATES

Номер патента: US20160247677A1. Автор: Yang Chih-Chao,Wang Junli,He Hong,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

Method of depositing charge trapping polycrystalline silicon films on silicon substrates with controllable film stress

Номер патента: EP3266038A1. Автор: Gang Wang,Igor Peidous,Jeffrey Louis LIBBERT,Shawn G. Thomas. Владелец: SunEdison Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-10.

METHOD OF DEPOSITING CHARGE TRAPPING POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS ON SILICON SUBSTRATES WITH CONTROLLABLE FILM STRESS

Номер патента: US20190096745A1. Автор: Wang Gang,Libbert Jeffrey L.,PEIDOUS IGOR,Thomas Shawn George. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

METHOD OF DEPOSITING CHARGE TRAPPING POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS ON SILICON SUBSTRATES WITH CONTROLLABLE FILM STRESS

Номер патента: US20200126848A1. Автор: Wang Gang,Libbert Jeffrey L.,PEIDOUS IGOR,Thomas Shawn George. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

METHOD OF DEPOSITING CHARGE TRAPPING POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS ON SILICON SUBSTRATES WITH CONTROLLABLE FILM STRESS

Номер патента: US20180233400A1. Автор: Wang Gang,Libbert Jeffrey L.,PEIDOUS IGOR,Thomas Shawn George. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

Method of growing polycrystalline silicon film for charge trapping on silicon substrate capable of controlling film stress

Номер патента: JP6517360B2. Автор: ワン・ガン,イゴール・ペイドウス,ジェフリー・ルイス・リバート,ショーン・ジー・トーマス. Владелец: SunEdison Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-05-22.

SILICON GERMANIUM AND SILICON FINS ON OXIDE FROM BULK WAFER

Номер патента: US20180315668A1. Автор: Wang Junli,Loubet Nicolas,He Hong,Kuss James. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING LED LIGHT EMITTERS

Номер патента: US20160341402A1. Автор: Yan Xiantao. Владелец: LedEngin, Inc.. Дата публикации: 2016-11-24.

Method for selectively increasing silicon fin area for vertical field effect transistors

Номер патента: US20200066762A1. Автор: KANG Ill Seo,Joon Goo Hong,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Method for selectively increasing silicon fin area for vertical field effect transistors

Номер патента: US20190148410A1. Автор: KANG Ill Seo,Joon Goo Hong,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Method for selectively increasing silicon fin area for vertical field effect transistors

Номер патента: US10644031B2. Автор: KANG Ill Seo,Joon Goo Hong,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-05.

FinFET semiconductor device with germanium diffusion over silicon fins

Номер патента: US09530776B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

FinFET Semiconductor Device with Germanium Diffusion Over Silicon Fins

Номер патента: US20170104067A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

FinFET Semiconductor Device with Germanium Diffusion Over Silicon Fins

Номер патента: US20200035789A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Hetero integration of semiconductor materials on silicon

Номер патента: EP1525614A1. Автор: Suresh Venkatesan,Papa D. Maniar. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-04-27.

Parasitic capacitance reduction in gan-on-silicon devices

Номер патента: WO2019236702A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2019-12-12.

Dual-material mandrel for epitaxial crystal growth on silicon

Номер патента: US09754969B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Dual-material mandrel for epitaxial crystal growth on silicon

Номер патента: US20170025500A1. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

FinFET Semiconductor Device with Germanium Diffusion Over Silicon Fins

Номер патента: US20200035789A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,WU Cheng-Hsien,KO Chih-Hsin,Lee Yi-Jing. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

Finfet structures having silicon germanium and silicon fins

Номер патента: US20140339643A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-20.

Method to fabricate adjacent silicon fins of differing heights

Номер патента: US20090057846A1. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Been-Yih Jin. Владелец: Doyle Brian S. Дата публикации: 2009-03-05.

Hetero-integration of semiconductor materials on silicon

Номер патента: TW200409304A. Автор: Suresh Venkatesan,Papu D Maniar. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-06-01.

FinFET CMOS with silicon fin N-channel FET and silicon germanium fin P-channel FET

Номер патента: US09947663B2. Автор: Theodorus E Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

FinFET CMOS WITH SILICON FIN N-CHANNEL FET AND SILICON GERMANIUM FIN P-CHANNEL FET

Номер патента: US20180076202A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

High quality gan high-voltage hfets on silicon

Номер патента: US20130146863A1. Автор: Jamal Ramdani,Linlin Liu,John P. EDWARDS. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Buffer layers for device isolation of devices grown on silicon

Номер патента: US20090218596A1. Автор: Mohamad A. Shaheen,Peter G. Tolchinsky,Mantu K. Hudait,Loren A. Chow,Dmitri Loubychev,Joel M. Fastenau,Amy W. K. Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device by selectively removing silicon from silicon carbide substrate to form protective carbon layer on silicon carbide substrate for activating dopants

Номер патента: US09659773B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Growing a III-V layer on silicon using aligned nano-scale patterns

Номер патента: US09601328B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Isolated Germanium nanowire on Silicon fin

Номер патента: US7851790B2. Автор: Ravi Pillarisetty,Robert Chau,Willy Rachmady,Been-Yih Jin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-12-14.

External stontium tianate on silicon

Номер патента: US20210028009A1. Автор: Yong Liang. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Fabrication method of nitride forming on silicon substrate

Номер патента: US20130217212A1. Автор: Chih-Yen Chen,Chih-Chung Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2013-08-22.

Fabrication method of nitride forming on silicon substrate

Номер патента: US9281184B2. Автор: Chih-Yen Chen,Chih-Chung Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-03-08.

Epitaxial strontium titanate on silicon

Номер патента: US20230197443A1. Автор: Yong Liang. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Growing compressively strained silicon directly on silicon at low temperatures

Номер патента: US20120205784A1. Автор: Alexander Reznicek,Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Epitaxial Growth of III-V Compound Semiconductors on Silicon Surfaces

Номер патента: US20110304021A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Methods for depositing iii-v compositions on silicon

Номер патента: US20210020437A1. Автор: Emily Lowell Warren,Jeramy David Zimmerman,Theresa Emily SAENZ. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Reducing electrical activity of defects in silicon carbide grown on silicon

Номер патента: WO2023111540A1. Автор: Martin LAMB. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Trimming silicon fin width through oxidation and etch

Номер патента: US09412603B2. Автор: Ying Zhang,Hua Chung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

High-quality gan high-voltage hfets on silicon

Номер патента: US20150364552A1. Автор: Jamal Ramdani,Linlin Liu,John P. EDWARDS. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2015-12-17.

Wafer pretreatment to decrease rate of silicon dioxide deposition on silicon nitride compared to silicon substrate

Номер патента: TW519692B. Автор: Manuel Anselmo Hernandez,Scott Brandd Herner. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-02-01.

Transistor having germanium channel on silicon nanowire and fabrication method thereof

Номер патента: US09935189B2. Автор: Seongjae Cho,Mina Yun. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2018-04-03.

MOCVD growth of highly mismatched III-V CMOS channel materials on silicon substrates

Номер патента: US09530888B2. Автор: David K. Carlson,Zhiyuan Ye,Errol Antonio C. Sanchez,Xinyu Bao,Keun-Yong BAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Masking technique for depositing gallium arsenide on silicon

Номер патента: US5256594A. Автор: Thomas George,Masayoshi Umeno,Shinji Nozaki,Albert T. Wu,Sandra S. Lee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1993-10-26.

High-quality GaN high-voltage HFETs on silicon

Номер патента: US09437688B2. Автор: Jamal Ramdani,Linlin Liu,John P. EDWARDS. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for fabricating ultra-thin graphite film on silicon carbide substrate

Номер патента: US20200203162A1. Автор: jun-bin Huang,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu,Cheng-Jung Ko,Chia-Hung Tai. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for transferring patterns on silicone ladder type resin and etching solution used in such method

Номер патента: CA2010030A1. Автор: Hiroshi Adachi,Osamu Hayashi,Etsushi Adachi,Yoshiko Aiba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-08-23.

Active electronic devices based on gallium nitride and its alloys grown on silicon substrates with buffer layers of SiCAIN

Номер патента: US20040129200A1. Автор: John Kouvetakis,Ignatius Tsong,John Tolle,Radek Roucka. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2004-07-08.

Growing a III-V Layer on Silicon using Aligned Nano-Scale Patterns

Номер патента: US20170194141A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Buffer layer on silicon carbide substrate, and method for forming buffer layer

Номер патента: US20230118623A1. Автор: Xiang Li,Xuanjie Liu,Zhiping Xie,Maojie CONG,Zhiguo KAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for transferring patterns on silicone ladder type resin and etching solution used in such method

Номер патента: CA2010030C. Автор: Hiroshi Adachi,Osamu Hayashi,Etsushi Adachi,Yoshiko Aiba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

Method for producing ceramic passivation layers on silicon for solar cell manufacture

Номер патента: US8482106B2. Автор: Hartmut Wiezer,Klaus Rode. Владелец: AZ Electronic Materials Luxembourg SARL. Дата публикации: 2013-07-09.

Fabrication of through-silicon vias on silicon wafers

Номер патента: TW201250882A. Автор: Li-Qun Xia,Mehul Naik,Bok Hoen Kim,Thomas Nowak,Ran Ding,Nagarajan Rajagopalan,Shamik PATEL,Ji-Ae Park,Ryan Yamase,Jim Baldino,Sesh Ramaswami. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-12-16.

Use of oxalyl chloride to form chloride-doped silicon dioxide films on silicon substrates

Номер патента: SG42804A1. Автор: Herman J Boeglin,Michael J Mcgeary. Владелец: Olin Corp. Дата публикации: 1997-10-17.

Laser structure on silicon using aspect ratio trapping growth

Номер патента: US09401583B1. Автор: Ning Li,Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

FinFET CMOS WITH SILICON FIN N-CHANNEL FET AND SILICON GERMANIUM FIN P-CHANNEL FET

Номер патента: US20180076200A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

STRUCTURE AND METHOD FOR COMPRESSIVELY STRAINED SILICON GERMANIUM FINS FOR pFET DEVICES AND TENSILY STRAINED SILICON FINS FOR nFET DEVICES

Номер патента: US20170125447A1. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

SELECTIVE GROWTH OF SILICON OXIDE OR SILICON NITRIDE ON SILICON SURFACES IN THE PRESENCE OF SILICON OXIDE

Номер патента: US20180261448A1. Автор: Hausmann Dennis M.,Smith David Charles. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

Utilization of miscut substrates to improve relaxed graded silicon-germanium and germanium layers on silicon

Номер патента: US6039803A. Автор: Eugene A. Fitzgerald,Srikanth B. Samavedam. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2000-03-21.

Advanced technique to improve the bonding arrangement on silicon surfaces to promote uniform nitridation

Номер патента: US5445999A. Автор: Randhir P. S. Thakur,Viju K. Mathews. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-08-29.

III-V fin generation by lateral growth on silicon sidewall

Номер патента: US10068994B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Method for improving the interface characteristics of CaF2 on silicon

Номер патента: US5229333A. Автор: Bruce E. Gnade,Chih-Chen Cho,Tae S. Kim,Hung-Yu Liu,Yasushiro Nishioka. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-07-20.

Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide

Номер патента: KR102491771B1. Автор: 데이비드 찰스 스미스,데니스 엠. 하우스만. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-01-25.

FinFET CMOS WITH SILICON FIN N-CHANNEL FET AND SILICON GERMANIUM FIN P-CHANNEL FET

Номер патента: US20180076200A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Rough buffer layer for group III-V devices on silicon

Номер патента: US11862720B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Selective Deposition On Silicon Containing Surfaces

Номер патента: US20200066539A1. Автор: Ronald Martin Pearlstein. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Selective deposition on silicon containing surfaces

Номер патента: EP3844799A1. Автор: Ronald Martin Pearlstein. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-07-07.

Method for forming fully relaxed silicon germanium on silicon

Номер патента: US20120299155A1. Автор: Jinping Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2012-11-29.

Rough buffer layer for group iii-v devices on silicon

Номер патента: US20240088285A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Component e.g. silicon on insulator component, fabrication method for e.g. high speed processor fabrication, involves pulverizing single-crystal silicon target on silicon wafer to create oxide layer on wafer for forming insulating layer

Номер патента: FR2894715A1. Автор: Pierre Tauzinat,Michel Ancilotti. Владелец: XBYBUS SOC PAR ACTIONS SIMPLIF. Дата публикации: 2007-06-15.

Insulator based on silicon dioxide and an organic polymer

Номер патента: GB2326168A. Автор: Kazuhiko Endo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-12-16.

Capacitor, methods of forming capacitors, methods for forming silicon nitride layers on silicon-comprising substrates, and methods of densifying silicon nitride layers

Номер патента: US6323138B1. Автор: Trung Tri Doan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-27.

Wafer pretreatment to decrease the deposition rate of silicon dioxide on silicon nitride in comparison to its deposition rate on a silicon substrate

Номер патента: EP1178528B1. Автор: Scott Brad Herner,Manuel Anselmo Hernandez. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-01-11.

Metamorphic Growth Of III-V Semiconductor On Silicon Substrate By MOCVD for High Speed III-V Transistors

Номер патента: US20140209979A1. Автор: Kei May Lau,Chak Wah TANG. Владелец: Nano and Advanced Materials Institute Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Ge QUANTUM DOTS FOR DISLOCATION ENGINEERING OF III-N ON SILICON

Номер патента: US20130069039A1. Автор: Andrew Clark,Erdem Arkun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-21.

Laser Assisted SiC Growth On Silicon

Номер патента: US20180226247A1. Автор: Tim Hogan,Amanpreet Kaur,Premjeet Chahal. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2018-08-09.

GROWTH OF CUBIC CRYSTALLINE PHASE STRUCTURE ON SILICON SUBSTRATES AND DEVICES COMPRISING THE CUBIC CRYSTALLINE PHASE STRUCTURE

Номер патента: US20170194476A1. Автор: Brueck Steven R.J.,Wetzel Christian,Lee Seung-Chang,Durniak Mark. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

GAN BASED HEMT DEVICE RELAXED BUFFER STRUCTURE ON SILICON

Номер патента: US20200194577A1. Автор: Murthy Anand,Badmaev Alexander,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak,FISCHER Paul,Charue-Bakker Sandrine,GLASS Glenn,BEUMER Michael S.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Method of forming lattice-matched structure on silicon and structure formed thereby

Номер патента: US6852575B2. Автор: Vijay Narayanan,Supratik Guha,Lars-Ake Ragnarsson,Nestor Alexander Bojarczuk, Jr.,Douglas Andrew Buchanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-02-08.

Method of forming lattice-matched structure on silicon and structure formed thereby

Номер патента: US20050095815A1. Автор: Vijay Narayanan,Supratik Guha,Lars-Ake Ragnarsson,Nestor Bojarczuk,Douglas Buchanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Optical alignment methods for forming LEDs having a rough surface

Номер патента: US20110129948A1. Автор: Andrew M. Hawryluk,Khiem Nguyen,Robert L. Hsieh,Warren W. Flack. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

White-light-emitting LED structures

Номер патента: US12057541B2. Автор: Ronald S. Cok,Matthew Alexander Meitl. Владелец: X Display Company Technology Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

White-light-emitting LED structures

Номер патента: US12100792B2. Автор: Ronald S. Cok,Matthew Alexander Meitl. Владелец: X Display Company Technology Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

FORMATION OF PURE SILICON OXIDE INTERFACIAL LAYER ON SILICON-GERMANIUM CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20200020539A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

PRE-TREATMENT APPROACH TO IMPROVE CONTINUITY OF ULTRA-THIN AMORPHOUS SILICON FILM ON SILICON OXIDE

Номер патента: US20190027362A1. Автор: Yang Yi,JANAKIRAMAN Karthik,Mallick Abhijit Basu,CHEN Yihong,Cheng Rui. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

FORMATION OF PURE SILICON OXIDE INTERFACIAL LAYER ON SILICON-GERMANIUM CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20180076040A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

SELECTIVE DEPOSITION OF SILICON NITRIDE ON SILICON OXIDE USING CATALYTIC CONTROL

Номер патента: US20190148128A1. Автор: Hausmann Dennis M.,Smith David Charles. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

FORMATION OF PURE SILICON OXIDE INTERFACIAL LAYER ON SILICON-GERMANIUM CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20180233369A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

Formation of pure silicon oxide interfacial layer on silicon-germanium channel field effect transistor device

Номер патента: US20180233370A1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

SELECTIVE DEPOSITION OF SILICON NITRIDE ON SILICON OXIDE USING CATALYTIC CONTROL

Номер патента: US20180261447A1. Автор: Hausmann Dennis M.,Smith David Charles. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

FORMATION OF PURE SILICON OXIDE INTERFACIAL LAYER ON SILICON-GERMANIUM CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20190371611A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Application of aluminium based alloy on silicon - without diffusing the aluminium into the silicon

Номер патента: FR2253274A1. Автор: . Владелец: Radiotechnique Compelec RTC SA. Дата публикации: 1975-06-27.

Method for producing microelectronic device, involves forming and oxidizing silicon-germanium based semi-conductor layer on silicon based semi-conductor zones with different thicknesses resting on substrate

Номер патента: FR2908924A1. Автор: Yves Morand,Jean Francois Damlencourt,Laurent Chevalier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-05-23.

Process for the controlled growth of single-crystal films of silicon carbide polytypes on silicon carbide wafers

Номер патента: AU2250392A. Автор: J. Anthony Powell,David J Larkin. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 1993-01-12.

Pretreatment Techniques for Improving Continuity of Ultrathin Amorphous Silicon Films on Silicon Oxide

Номер патента: JP7242631B2. Автор: ルイ チェン，,アブヒジット バス マリック，,イーホン チェン，,イー ヤン，,カーティック ジャナキラマン，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-03-20.

Silicon photonics co-integrated with quantum dot lasers on silicon

Номер патента: US10734785B2. Автор: Vipulkumar Patel,Dominic F. Siriani,Sean P. Anderson. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-04.

Suspension used in the production of a semiconductor for printed circuit boards contains a silicon dioxide layer arranged on silicon particles

Номер патента: DE102006024490A1. Автор: Torsten Scherer,Gabi Dr. Schierning,Ralf Dr. Theissmann,Roland Dr. Schmechel. Владелец: Forschungszentrum Karlsruhe GmbH. Дата публикации: 2007-11-29.

Thermal oxidation method utilizing atomic oxygen to reduce dangling bonds in silicon dioxide grown on silicon

Номер патента: US6509283B1. Автор: Michael E. Thomas. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-01-21.

Pre-treatment approach to improve continuity of ultra-thin amorphous silicon film on silicon oxide

Номер патента: WO2019022826A1. Автор: Yi Yang,Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Rui CHENG,Karthik Janakiraman. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-01-31.

Method of forming compound semiconductor together with thermosoftening insulator on silicon (Si) wafer, and silicon wafer

Номер патента: JP4975513B2. Автор: テン スー シェン,ジャン リー チョン,リー ティンカイ. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-07-11.

The method and silicon wafer of cvd nitride aluminium film on silicon substrate

Номер патента: CN110534403A. Автор: 李丽,王军,孙颖,张鹤南,王桐,董博宇,郭冰亮,马怀超,武学伟,徐宝岗,刘绍辉. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-03.

Selective deposition of silicon nitride on silicon oxide using catalytic control

Номер патента: KR102491414B1. Автор: 데이비드 찰스 스미스,데니스 엠. 하우스만. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-01-20.

Nanowire channel formed on silicon substrate using sacrificial sub-fin layer, method of forming nanowire channel on silicon substrate using sacrificial sub-fin layer, and system for computing

Номер патента: TWI688041B. Автор: 吉伯特 狄威,馬修 梅茲,威利 瑞奇曼第,塔何 甘尼,馬可 拉多撒福傑維克,傑克 卡瓦萊羅斯,錢德拉 莫哈帕拉,安拿 莫希,薩納斯 珈納,葛蘭 葛雷斯. Владелец: 美商英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2020-03-11.

Process for the controlled growth of single-crystal films of silicon carbide polytypes on silicon carbide wafers

Номер патента: WO1992022922A3. Автор: David J Larkin,J Anthony Powell. Владелец: Univ Case Western Reserve. Дата публикации: 1993-02-18.

Compound semiconductor-on-silicon wafer with a silicon nanowire buffer layer

Номер патента: US7723729B2. Автор: Tingkai Li,Sheng Teng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2010-05-25.

Method for manufacturing cone-shaped light trapping structure with adjustable density on silicon surface and prepared black silicon

Номер патента: CN110783417B. Автор: 徐丽华,褚卫国,闫兰琴,陈佩佩. Владелец: National Center for Nanosccience and Technology China. Дата публикации: 2021-06-29.

Method to improve adhesion of photoresist on silicon substrate for extreme ultraviolet and electron beam lithography

Номер патента: US20200090936A1. Автор: Dario L. Goldfarb,Martin Glodde. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Method to improve adhesion of photoresist on silicon substrate for extreme ultraviolet and electron beam lithography

Номер патента: US20180337048A1. Автор: Dario L. Goldfarb,Martin Glodde. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Silicon-On-Oxide-On-Silicon

Номер патента: US20220130866A1. Автор: Alexander A. Demkov,Agham POSADAS,J. Elliott Ortmann. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for increasing current density and degradation resistance of auto-emission codes on silicon plates

Номер патента: RU2654522C1. Автор: Сергей Петрович Тимошенков,Сергей Николаевич Орлов,Геннадий Яковлевич Красников,Валерий Петрович Тимошенков,Равиль Кяшшафович Яфаров,Евгений Сергеевич Горнев,Андрей Равильевич Яфаров. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" (АО "НИИМЭ"). Дата публикации: 2018-05-21.

TRIMMING SILICON FIN WIDTH THROUGH OXIDATION AND ETCH

Номер патента: US20150140787A1. Автор: ZHANG YING,Chung Hua. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Group iii semiconductor epitaxy formed on silicon via single crystal ren and reo buffer layers

Номер патента: EP3443582A1. Автор: Andrew Clark,Rytis Dargis,Michael Lebby,Rodney Pelzel. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2019-02-20.

Hafnium nitride buffer layers for growth of gan on silicon

Номер патента: AU2003299500A8. Автор: Eicke R Weber,Robert D Armitage. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2004-06-07.

Laser on silicon made with 2d material gain medium

Номер патента: US20170338621A1. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Jinghui Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Hybrid III-V on silicon laser device with transverse mode filter

Номер патента: US09941664B1. Автор: Folkert Horst,Herwig Hahn,Marc Seifried. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods, compositions and devices for performing ionization desorption on silicon derivatives

Номер патента: WO2005001423A3. Автор: Bruce Compton,Gary Siuzdak,Zhouxin Shen,Eden Go,Edouard S P Bouvier. Владелец: Edouard S P Bouvier. Дата публикации: 2007-08-16.

Photonic circuit with hybrid III-V on silicon active section with inverted silicon taper

Номер патента: US11670912B2. Автор: Antonin GALLET,Théo Verolet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-06.

Photonic circuit with hybrid iii-v on silicon active section with inverted silicon taper

Номер патента: US20210083456A1. Автор: Antonin GALLET,Théo Verolet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-03-18.

Redispersible particles based on silicon particles and polymers

Номер патента: US20200006752A1. Автор: Dominik Jantke,Rebecca Bernhard. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2020-01-02.

Active material of negative electrode based on silicone alloy for electric device

Номер патента: RU2508579C2. Автор: Такаси МИЯМОТО,Манабу ВАТАНАБЕ,Осаму ТАНАКА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-02-27.

Method of forming regular array of microscopic structures on a substrate

Номер патента: US20020181304A1. Автор: François Bardou,James Snowdon,Marcus Batzill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Lockout for Pendant Control or Other Terminally-Positioned Structure on a Cord

Номер патента: US20200218306A1. Автор: Andrew N. Enger,Ryan J. MALONEY. Владелец: Brady Worldwide Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Lockout for pendant control or other terminally-positioned structure on a cord

Номер патента: US11086352B2. Автор: Andrew N. Enger,Ryan J. MALONEY. Владелец: Brady Worldwide Inc. Дата публикации: 2021-08-10.

Lockout for pendant control or other terminally-positioned structure on a cord

Номер патента: EP3680926A1. Автор: Andrew N. Enger,Ryan J. MALONEY. Владелец: Brady Worldwide Inc. Дата публикации: 2020-07-15.

Emitter with deep structuring on front and rear surfaces

Номер патента: US09824843B2. Автор: Christian Riedl. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2017-11-21.

Process and apparatus for forming magnetic structures on a substrate

Номер патента: US09478333B2. Автор: Robert Davidson Binns,Christopher Robin Binns. Владелец: NANO RESOURCES Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Rare earth magnet precursor or rare earth magnet molded body having roughened structure on surface and method for manufacturing same

Номер патента: US11810713B2. Автор: Kiyoshi Shimizu,Masahiko Itakura,Norihisa Wada,Takayuki Uno. Владелец: Daicel Miraizu Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Rare earth magnet precursor or rare earth magnet molding having roughened structure on surface and method for manufacturing same

Номер патента: EP3905284A1. Автор: Kiyoshi Shimizu,Masahiko Itakura,Norihisa Wada,Takayuki Uno. Владелец: Daicel Miraizu Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Switch structure on sidewall of circuit board for electronic device and manufacturing methods of the circuit board

Номер патента: US20120228100A1. Автор: Chih-Feng Yeh,Wen-Nan Hsia,Cheng-Ju Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-13.

Method of mounting connection element structure on target

Номер патента: US20240131634A1. Автор: Ting-Jui Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-25.

Device and method for patterning structures on a substrate

Номер патента: EP1682445A1. Автор: Walter Riess,Siegfried F. Karg,Reto Schlittler,Heike E. Riel,Roland W. Germann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-07-26.

Device and method for patterning structures on a substrate

Номер патента: US20090258166A1. Автор: Siegfried F. Karg,Walter Heinrich Riess,Roland Germann,Reto Schlittler,Heike E. Riel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-10-15.

Device and method for patterning structures on a substrate

Номер патента: US8053037B2. Автор: Siegfried F. Karg,Walter Heinrich Riess,Roland Germann,Reto Schlittler,Heike E. Riel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Silicon-controlled rectifier structures on silicon-on insulator with shallow trench isolation

Номер патента: US6987303B2. Автор: Ta Lee Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-01-17.

FinFET device on silicon-on-insulator and method of forming the same

Номер патента: US09793174B1. Автор: Yu-Ren Wang,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin,Shu-Ming Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Temperature monitoring in a semiconductor device by using a pn junction based on silicon/germanium materials

Номер патента: US20120025276A1. Автор: Anthony Mowry,Rolf Stephan,Gert Burbach,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Forming silicon dioxide on silicon carbide

Номер патента: WO2013140122A1. Автор: Peter Ward. Владелец: Anvil Semiconductors Limited. Дата публикации: 2013-09-26.

Monolithic visible-infrared focal plane array on silicon

Номер патента: US09917122B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Robert L. Wisnieff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Monolithic visible-infrared focal plane array on silicon

Номер патента: US09911784B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Robert L. Wisnieff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Monolithic visible-infrared focal plane array on silicon

Номер патента: US09685481B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Robert L. Wisnieff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Forming a Metal Contact Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device with Metal Contact Structure

Номер патента: US20180174840A1. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Visible to longwave infrared photodetector on silicon

Номер патента: US20240347561A1. Автор: Clifford King,Baohua Li,Shui-Qing Fisher Yu. Владелец: University of Arkansas System. Дата публикации: 2024-10-17.

Photodetector on silicon-on-insulator

Номер патента: US20150249179A1. Автор: Bruno Rauber. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2015-09-03.

Method and device with durable contact on silicon carbide

Номер патента: EP1743373A2. Автор: Richard L. Woodin,William F. Seng. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-01-17.

Method and device with durable contact on silicon carbide

Номер патента: EP1743373A4. Автор: Richard L Woodin,William F Seng. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-03-25.

Method and device with durable contact on silicon carbide

Номер патента: US20080227275A1. Автор: Richard L. Woodin,William F. Seng,Carl Anthony Witt. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Photodetector on silicon-on-insulator

Номер патента: US09997550B2. Автор: Bruno Rauber. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-06-12.

Image sensor with through silicon fin transfer gate

Номер патента: US20220059599A1. Автор: Gang Chen,Qin Wang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Forming a metal contact layer on silicon carbide and semiconductor device with metal contact structure

Номер патента: US10256097B2. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-09.

Growth of delta-doped layers on silicon CCD/S for enhanced ultraviolet response

Номер патента: US5376810A. Автор: Michael E. Hoenk,Paula J. Grunthaner,Frank J. Grunthaner,Robert W. Terhune,Michael H. Hecht. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 1994-12-27.

METHOD FOR FORMING LED FLICKERING REDUCTION (LFR) FILM FOR HDR IMAGE SENSOR AND IMAGE SENSOR HAVING SAME

Номер патента: US20220182563A1. Автор: MUN Seong Yeol. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

Methods, materials and structures for noble metal electrode contacts on silicon

Номер патента: KR19980087541A. Автор: 알프레드 그릴,데이비드 에드워드 코텍키,캐더린 린 센거. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 1998-12-05.

Amorphous silicon rectifying contact on silicon and method for making same

Номер патента: GB2266807B. Автор: Kalyankumar Das,Vasudev Cenkatesan,Dale G Thompson. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 1996-03-13.

IMAGE SENSOR WITH THROUGH SILICON FIN TRANSFER GATE

Номер патента: US20220059600A1. Автор: Chen Gang,Wang Qin. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device structure with metal ring on silicon-on-insulator (SOI) substrate

Номер патента: US09799557B2. Автор: Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

High performance active and passive structures based on silicon material bonded to silicon carbide

Номер патента: US8080826B1. Автор: Joseph H. Johnson,Pablo D'Anna. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-12-20.

High performance active and passive structures based on silicon material grown epitaxially or bonded to silicon carbide substrate

Номер патента: WO2003069681A1. Автор: Pablo E. D'Anna,Joseph H. Johnson. Владелец: Sirenza Microdevices, Inc.. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on PMOS region

Номер патента: US11756888B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on PMOS region

Номер патента: US12057401B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on pmos region

Номер патента: US20240363539A1. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Embedded memory in interconnect stack on silicon die

Номер патента: TW201614734A. Автор: Patrick Morrow,Donald W Nelson,M Clair Webb,Ki-Min Jun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-04-16.

Method of doping silicon with phosphorus and growing oxide on silicon in the presence of steam

Номер патента: EP1281196A1. Автор: James E. Rapp,Russell B. Rogenski. Владелец: Techneglas LLC. Дата публикации: 2003-02-05.

Method of doping silicon with phosphorus and growing oxide on silicon in the presence of steam

Номер патента: WO2001073828A1. Автор: James E. Rapp,Russell B. Rogenski. Владелец: Techneglas, Inc.. Дата публикации: 2001-10-04.

Light engine based on silicon photonics tsv interposer

Номер патента: US20230299008A1. Автор: LIANG Ding,Radhakrishnan L. Nagarajan. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Light engine based on silicon photonics TSV interposer

Номер патента: US12057403B2. Автор: LIANG Ding,Radhakrishnan L. Nagarajan. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods of etching silicon-containing films on silicon substrates

Номер патента: US20110028000A1. Автор: Dmitry Poplavskyy,Elena Rogojina,Eric Rosenfeld. Владелец: INNOVALIGHT INC. Дата публикации: 2011-02-03.

Method and Structure of Forming Silicide and Diffusion Barrier Layer With Direct Deposited Film on Silicon

Номер патента: US20110309508A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,John M. Cotte,Cyril Cabral, Jr.,Christian Lavoie,Zhu Liu,Laura L. Kosbar,Xiaoyan Shao,Kathryn C. Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for depositing a silicon oxide layer of same thickness on silicon and on silicon-germanium

Номер патента: US8603887B2. Автор: Yves Campidelli,Didier Dutartre,Nicolas Breil,Olivier Gourhant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-10.

Fabrication of sub-micron silicide structures on silicon using resistless electron beam lithography

Номер патента: CA2197400C. Автор: Dominique Drouin,Jacques Beauvais,Eric Lavallee. Владелец: Quantiscript Inc. Дата публикации: 2004-08-24.

Single molecule array on silicon substrate for quantum computer

Номер патента: EP1315667A1. Автор: Michelle Yvonne Simmons,Andrew Steven Dzurak,Robert Graham Clark,Jeremy Lloyd O'brien,Steven Richard Schofield. Владелец: Unisearch Ltd. Дата публикации: 2003-06-04.

Method of doping silicon with phosphorus and growing oxide on silicon in the presence of steam

Номер патента: AU2001249349A1. Автор: James E. Rapp,Russell B. Rogenski. Владелец: Techneglas LLC. Дата публикации: 2001-10-08.

Method of doping silicon with phosphorus and growing oxide on silicon in the presence of steam

Номер патента: EP1281196A4. Автор: James E Rapp,Russell B Rogenski. Владелец: Techneglas LLC. Дата публикации: 2008-12-31.

FinFET CMOS WITH SILICON FIN N-CHANNEL FET AND SILICON GERMANIUM FIN P-CHANNEL FET

Номер патента: US20180076202A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

Silicon-germanium fins and silicon fins on a bulk substrate

Номер патента: US20140252413A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Kangguo Cheng,Myung-Hee Na,Ramachandra Divakaruni,Huiling Shang,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

FinFET CMOS WITH SILICON FIN N-CHANNEL FET AND SILICON GERMANIUM FIN P-CHANNEL FET

Номер патента: US20180197860A1. Автор: Cheng Kangguo,Wang Junli,Standaert Theodorus E,Basker Veeraraghavan S. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

Devices and methods related to radio-frequency filters on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: GB2588357A. Автор: Phillip Young James. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-04-21.

Method for depositing silicon oxide layer on silicon substrate utilized to form gate of e.g. N-channel metal-oxide-semiconductor transistor, involves forming silicon layer over silicon-germanium to deposit oxide layer on substrate

Номер патента: FR2978602A1. Автор: Yves Campidelli,Didier Dutartre,Nicolas Breil,Olivier Gourhant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-01.

Semiconductor device with treated interfacial layer on silicon germanium

Номер патента: US20230282753A1. Автор: Zi-Wei FANG,Chih-Yu Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods for characterizing defects on silicon surfaces, etching composition for silicon surfaces and process of treating silicon surfaces with the etching composition

Номер патента: EP1918985B1. Автор: Alexandra Abbadie. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2010-05-26.

Methods for characterizing defects on silicon surfaces, etching composition for silicon surfaces and process of treating silicon surfaces with the etching composition

Номер патента: TW200819519A. Автор: Alexandra Abbadie,Bernd Kolbesen,Jochen Maehliss. Владелец: Soitec Silicon On Insulator. Дата публикации: 2008-05-01.

Method for manufacturing semiconductor device with low electric resistance silicide layer on silicon surface

Номер патента: US5665646A. Автор: Tomohisa Kitano. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-09-09.

Hybrid integration of group iii-v semiconductor devices on silicon

Номер патента: EP2795675A1. Автор: John Heck,Avi Feshali,Hanan Bar,Ran FELDESH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-10-29.

Treatment on silicon oxynitride

Номер патента: US20010001707A1. Автор: Horng-Bor Lu,I. Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-24.

METHOD FOR PREPARING AN N+PP+ OR P+NN+ STRUCTURE ON SILICON WAFERS

Номер патента: US20130112260A1. Автор: Pellegrin Yvon,LE QUANG Nam,Bazer-Bachi Barbara,Lemiti Mustapha. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-09.

Patterned Graphene Structures on Silicon Carbide

Номер патента: US20140061912A1. Автор: De Heer Walt A.. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

Material feeding frame structure on silicon wafer battery small-chip stringer

Номер патента: CN110634784A. Автор: 刘继波,罗永胜. Владелец: Taizhou Crystal Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Method of selective growth of carbon nano-structures on silicon substrates

Номер патента: US20040142560A1. Автор: Hui-Lin Chang,Cheng-Tzu Kuo,Chao-Hsun Lin,Chih-Ming Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Material feeding frame structure on silicon wafer battery small-chip stringer

Номер патента: CN110634784B. Автор: 刘继波,罗永胜. Владелец: Taizhou Crystal Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2022-02-15.

Heater chips with silicon die bonded on silicon substrate, including offset wire bonding

Номер патента: US20130250004A1. Автор: Frank Anderson,Carl Sullivan,II Burton Joyner,Timothy Strunk. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

QUANTUM DOT LASERS INTEGRATED ON SILICON SUBMOUNT WITH MECHANICAL FEATURES AND THROUGH-SILICON VIAS

Номер патента: US20190273364A1. Автор: Patel Vipulkumar,Anderson Sean P.,SIRIANI Dominic F.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

NEW PROCESS FOR THE MECHANICAL AND CHEMICAL POLISHING OF LAYERS OF INSULATING MATERIALS BASED ON SILICON OR SILICON DERIVATIVES

Номер патента: FR2754937A1. Автор: Eric Jacquinot,Maurice Rivoire. Владелец: Francaise Hoechst Ste. Дата публикации: 1998-04-24.

New process for chemical mechanical polishing of isolating layers based on silicon or silicon containing materials

Номер патента: EP0838845A1. Автор: Eric Jacquinot,Maurice Rivoire. Владелец: Clariant Chimie SA. Дата публикации: 1998-04-29.

Chemical mechanical polishing process for layers of isolating materials based on silicon derivatives or silicon

Номер патента: US6043159A. Автор: Eric Jacquinot,Maurice Rivoire. Владелец: Clariant Chimie SA. Дата публикации: 2000-03-28.

Strained silicon-on-silicon by wafer bonding and layer transfer

Номер патента: WO2006007396A1. Автор: Eugene A. Fitzgerald,David M. Isaacson. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2006-01-19.

Selective gas etching of silicon nitride on silicon - uses plasma produced by HF glow discharge in mixt. of perfluoro-propane and oxygen

Номер патента: DE2614977A1. Автор: Klaus Paschke,Peter Rahden. Владелец: Deutsche ITT Industries GmbH. Дата публикации: 1977-10-27.

Silicon dioxide-on-silicon film and method for production thereof

Номер патента: RU2660622C1. Автор: Борис Борисович Логинов. Владелец: Акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон". Дата публикации: 2018-07-06.

Heater chips with silicon die bonded on silicon substrate, including offset wire bonding

Номер патента: US8459779B2. Автор: Frank Anderson,Carl Sullivan,II Burton Joyner,Timothy Strunk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-11.

Method for forming ohmic contact on silicon-silicon interface in semiconductor device

Номер патента: KR100336042B1. Автор: 변광선,이상은,정성희. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-08.

PROCESS FOR FORMING POLYCRYSTALLINE SILICON LAYERS LOCATED ON SILICON-COATED SILICA REGIONS AND APPLICATION TO THE MANUFACTURE OF AN AUTOALIGNAL NON-PLANAR MOS TRANSISTOR

Номер патента: FR2466101A1. Автор: Eugene Tonnel. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1981-03-27.

Reduction of threshold voltage variation in transistors comprises forming layer of silicon-containing semiconductor alloy on silicon-containing crystalline semiconductor regions, and forming two gate electrode structures

Номер патента: DE102008064796B3. Автор: Andreas Ott,Stephan Kronholz. Владелец: AMD Fab 36 LLC and Co KG. Дата публикации: 2013-11-28.

Process for forming silver films on silicon

Номер патента: WO2012064373A2. Автор: Brian Murphy,Brent A. Buchine,Jeff Miller,Marcie Black,Faris Modawar,Mike Jura. Владелец: BANDGAP ENGINEERING INC.. Дата публикации: 2012-05-18.

METHOD FOR THE SELECTIVE DEPOSITION OF A REFRACTORY METAL SILICIDE ON SILICON AND METALLIC SILICON WAFER BY THIS PROCESS

Номер патента: FR2742924B1. Автор: Jorge Luis Regolini,Daniel Bensahel. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-03-20.

Liquid crystal on silicon panel, and preparation method thereof

Номер патента: US11940698B2. Автор: Yeuk-Keung Fung,Kuo-Lung Huang. Владелец: Advanced Silicon Display Optoelectronics Corp Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

N type metal oxide semiconductor transistor structure having compression strain silicon-germanium channel formed on silicon (110) substrate

Номер патента: TW200735344A. Автор: Chun-Yen Chang,Chao-Hsin Chien,Tsung-Hsi Yang,Guang-Li Luo. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2007-09-16.

Process for forming silver films on silicon

Номер патента: WO2012064373A3. Автор: Brian Murphy,Brent A. Buchine,Jeff Miller,Marcie Black,Faris Modawar,Mike Jura. Владелец: BANDGAP ENGINEERING INC.. Дата публикации: 2012-11-22.

Subtractive Metal Structuring on Surface of Semiconductor Package

Номер патента: US20240312956A1. Автор: Chee Hong Lee,Swee Kah Lee,Pei Luan Pok,Soon Lock Goh,Chee Chiew Chong,Samsun Paing. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for europium disilicide epitaxial film growing on silicon

Номер патента: RU2615099C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Аверьянов,Вячеслав Григорьевич Сторчак. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2017-04-03.

Silicon fin for finfet and method for fabricating the same

Номер патента: KR100496891B1. Автор: 최시영,손용훈,정인수,이병찬,이덕형,김택중. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-06-23.

Method for forming microelectrode-pair arrays on silicon substrate surface with hydrophobic silicon pillars

Номер патента: US20140120271A1. Автор: Lei Jiang,Jie Ma,Bin Su,Yanlin Song,Shutao Wang. Владелец: Institute of Chemistry CAS. Дата публикации: 2014-05-01.

LED (Light-Emitting Diode) module capable of directly forming LED support on wire circuit board, and manufacturing method of LED module

Номер патента: CN102767707A. Автор: 王定锋,徐文红. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-07.

Light emitting diode (LED) module capable of forming LED support through direct injection-molding on circuit board

Номер патента: CN202884529U. Автор: 王定锋,徐文红. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-17.

Method for constructing heat resistant electrode structures on silicon substrates

Номер патента: WO1999010108A1. Автор: Leonard Boyer. Владелец: Radiant Technologies, Inc.. Дата публикации: 1999-03-04.

Photoelectric converter based on semiconductor compounds a2b4c5 2 formed on silicon substrate

Номер патента: RU2624831C2. Автор: Дмитрий Александрович Кудряшов,Жорес Иванович Алферов,Александр Сергеевич Гудовских,Иван Сергеевич Мухин,Алексей Михайлович Можаров,Алексей Дмитриевич Большаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки "Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук". Дата публикации: 2017-07-07.

Thin film capacitors on silicon germanium substrate and process for making the same

Номер патента: WO2001009930A2. Автор: Koji Arita,Carlos A. Paz de Araujo,Larry D. McMillan,Masamichi Azuma. Владелец: SYMETRIX CORPORATION. Дата публикации: 2001-02-08.

Integrally-formed LED (light-emitting diode) light carrier bundle

Номер патента: CN202733594U. Автор: 李炳权. Владелец: Huizhou Light Engine Ltd. Дата публикации: 2013-02-13.

Light-induced aluminum plating on silicon for solar cell metallization

Номер патента: US20240240346A1. Автор: MENG Tao,Laidong Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

Nitride UV light sensors on silicon substrates

Номер патента: US09780239B2. Автор: Wladyslaw Walukiewicz,Robert Forcier. Владелец: ROSESTREET LABS LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Process for forming graphene layers on silicon carbide

Номер патента: US09771665B2. Автор: Francesca Iacopi,Mohsin Ahmed,Benjamin Vaughan CUNNING. Владелец: Griffith University. Дата публикации: 2017-09-26.

Laser using locally strained germanium on silicon for opto-electronic applications

Номер патента: US09653639B2. Автор: Birendra Dutt. Владелец: APIC Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Epitaxial buffer layers for group III-N transistors on silicon substrates

Номер патента: US09583574B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Monolithic iii-v nanolaser on silicon with blanket growth

Номер патента: US20170012405A1. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Method for forming identification marks on silicon carbide single crystal substrate, and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20130157009A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of forming functional coatings on silicon substrates

Номер патента: WO2014044922A2. Автор: Ari Kärkkäinen,Paul Williams,Milja Hannu-Kuure,Jarkko Leivo,Henna Jarvitalo,Jianhui Wang,Amir Hadzic. Владелец: OPTITUNE Oy. Дата публикации: 2014-03-27.

Electronic-photonic integrated circuit based on silicon photonics technology

Номер патента: US20220091332A1. Автор: Heuk Park,Jyung Chan Lee,Joon Ki Lee,Sanghwa YOO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-03-24.

Thin film capacitors on silicon germanium substrate and process for making the same

Номер патента: WO2001009930A3. Автор: Koji Arita,Masamichi Azuma,Larry D Mcmillan,De Araujo Carlos A Paz. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Germanium-on-silicon avalanche photodetector in silicon photonics platform

Номер патента: EP3971996B1. Автор: Yu Li,Masaki Kato. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11557333B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20210335414A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20240029785A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11776619B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US11056179B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Structure and method for forming integral nitride light sensors on silicon substrates

Номер патента: US20140264358A1. Автор: Robert Forcier. Владелец: ROSESTREET LABS LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Integration of inductors on silicon-based solar cells

Номер патента: NL2030089B1. Автор: Manganiello Patrizio,ISABELLA Olindo,Auke Van Nijen David. Владелец: Univ Delft Tech. Дата публикации: 2023-06-26.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US12087352B2. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Liquid crystal display and infrared image sensor on silicon

Номер патента: US09749562B2. Автор: YIN Qian,Takayuki Goto,Chen-Wei Lu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

FORMING III-V DEVICE STRUCTURES ON (111) PLANES OF SILICON FINS

Номер патента: US20160204276A1. Автор: Then Han Wui,Chau Robert,Chu-Kung Benjamin,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,Gardner Sanaz. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

EPITAXIAL SILICON GERMANIUM FIN FORMATION USING SACRIFICIAL SILICON FIN TEMPLATES

Номер патента: US20160247883A1. Автор: Yang Chih-Chao,Wang Junli,He Hong,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

Process for forming graphene layers on silicon carbide

Номер патента: WO2015035465A1. Автор: Francesca Iacopi,Mohsin Ahmed,Benjamin Vaughan CUNNING. Владелец: Griffith University. Дата публикации: 2015-03-19.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: EP2901471A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: WO2014051779A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

Epitaxial buffer layers for group iii-n transistors on silicon substrates

Номер патента: US20170141219A1. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

III-V semiconductor interface with graded GeSn on silicon

Номер патента: US8889978B2. Автор: Scott Semans,Michael Lebby,Radek Roucka. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

III-V SEMICONDUCTOR INTERFACE WITH GRADED GeSn ON SILICON

Номер патента: US20140076390A1. Автор: Scott Semans,Michael Lebby,Radek Roucka. Владелец: Radek Roucka. Дата публикации: 2014-03-20.

Light-induced aluminum plating on silicon for solar cell metallization

Номер патента: US11932960B2. Автор: MENG Tao,Laidong Wang. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2024-03-19.

A kind of thin film silicon crystalline silicon laminate solar photovoltaic cell based on silicon nanowires

Номер патента: CN106784114A. Автор: 朱红英,王珺,郭群超,丁云飞,朱晨烜. Владелец: Shanghai Dianji University. Дата публикации: 2017-05-31.

A capacitorless dram device on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: WO1995015562A1. Автор: Chenming Hu,Hsing-Jen C. Wann. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 1995-06-08.

METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELLS HAVING NANO-MICRO COMPOSITE STRUCTURE ON SILICON SUBSTRATE AND SOLAR CELLS MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20170084765A1. Автор: LEE Jong Hwan,Kim Ho Sung,Jeong Chae Hwan,KIM Chang Heon. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELLS HAVING NANO-MICRO COMPOSITE STRUCTURE ON SILICON SUBSTRATE AND SOLAR CELLS MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20150270425A1. Автор: LEE Jong Hwan,Kim Ho Sung,Jeong Chae Hwan,KIM Chang Heon. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Method for manufacturing solar cells having nano-micro composite structure on silicon substrate and solar cells manufactured thereby

Номер патента: CN104756260A. Автор: 金昊星,李锺焕,郑彩焕,金昶宪. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2015-07-01.

Etchant composition, method for forming LED wiring, array substrate, and method for manufacturing array substrate

Номер патента: CN103824808A. Автор: 金镇成,李恩远,李石. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-28.

N-polar plane high-frequency gan rectifier epitaxial structure on silicon substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2019119589A1. Автор: 李国强,李媛,王文樑,李筱婵. Владелец: 华南理工大学. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for preparing an n+pp+ or p+nn+ structure on silicon wafers

Номер патента: CN102971867A. Автор: 芭芭拉·巴泽-巴奇,穆斯塔法·莱米帝,南·里邝,伊冯·佩尔格兰. Владелец: SYNERGIES POUR EQUIPEMENTS MICRO-ELECTRONIQUE COMMUNICATION OPTIQUE SA. Дата публикации: 2013-03-13.

Method for forming LED packaging substrate

Номер патента: CN100449799C. Автор: 陈泽澎,谢政璋,邓绍猷. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2009-01-07.

PROCESS FOR PREPARING AN N + PP + TYPE OR P + NN + TYPE STRUCTURE ON SILICON PLATES

Номер патента: FR2959351B1. Автор: Quang Nam Le,Yvon Pellegrin,Mustapha Lemiti,Barbara Bazer-Bachi. Владелец: SYNERGIES POUR EQUIPEMENTS MICRO ELECTRONIQUE COMMUNICATION OPTIQUE SA. Дата публикации: 2013-11-08.

GERMANIUM-ON-SILICON AVALANCHE PHOTODETECTOR IN SILICON PHOTONICS PLATFORM, METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20220069153A1. Автор: Li Yu,Kato Masaki. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

SILICON NITRIDE HARD MASK FOR EPITAXIAL GERMANIUM ON SILICON

Номер патента: US20200075792A1. Автор: Zhu Difeng,Preisler Edward J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

METHOD FOR FORMING IDENTIFICATION MARKS ON SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20140205803A1. Автор: Kondo Sadahiko. Владелец: HITACHI METALS, LTD.. Дата публикации: 2014-07-24.

Composition of Slurry improving Surface Quality on Silicon Wafer And Polishing Silicon Wafer using thereof

Номер патента: KR100662546B1. Автор: 노현수,이인경,이태영,박태원,이진호,김영우,최문로,김종섭. Владелец: 엠이엠씨코리아 주식회사. Дата публикации: 2006-12-28.

Germanium-On-Silicon Avalanche Photodetector In Silicon Photonics Platform, Method Of Making The Same

Номер патента: US20220406955A1. Автор: Li Yu,Kato Masaki. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-22.

Heat transfer module for ultra high density and silicon on silicon packaging applications

Номер патента: EP0471552B1. Автор: Burhan Ozmat. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-07-02.

Heat transfer module for ultra high density and silicon applications on silicon packages

Номер патента: DE69126686D1. Автор: Burhan Ozmat. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-08-07.

C-axis perovskite thin films grown on silicon dioxide

Номер патента: CA2151063C. Автор: Ramamoorthy Ramesh. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1999-03-16.

Formation of thin-film resistors on silicon substrates

Номер патента: USH546H. Автор: George L. Schnable,Chung P. Wu. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1988-11-01.

Semiconductor component with metallized sidewalls on silicon wafer power components has a metal edging surrounding the components on an underside and on partially covered metal sidewalls and deep troughs etched on silicon wafers.

Номер патента: DE19951945A1. Автор: Markus Thoben,Wolfgang Staiger. Владелец: DaimlerChrysler AG. Дата публикации: 2001-05-03.

Silicon layer on silicon-rich aluminum layer

Номер патента: EP3525244A1. Автор: Pierre Bellanger,Abdelilah Slaoui,Alexander Ulyashin. Владелец: Sintef AS. Дата публикации: 2019-08-14.

Method for growing diamond on silicon substrate and method for selectively growing diamond on silicon substrate

Номер патента: WO2023157599A1. Автор: 達夫 阿部,克佳 鈴木,佑宜 田中,剛 大槻,寿樹 松原,健汰 鈴木,温 鈴木,稜 多賀. Владелец: 信越半導体株式会社. Дата публикации: 2023-08-24.

Low leakage current germanium-on-silicon photo-devices

Номер патента: US11894480B2. Автор: Eran Katzir,Avraham Bakal,Uriel Levy,Omer KAPACH,Vincent IMMER. Владелец: Trieye Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Liquid crystal on silicon panel, and preparation method thereof

Номер патента: US11953794B2. Автор: Rong Hsu,Kuo-Lung Huang. Владелец: Advanced Silicon Display Optoelectronics Corp Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Liquid crystal display and infrared image sensor on silicon

Номер патента: US20170142360A1. Автор: YIN Qian,Takayuki Goto,Chen-Wei Lu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Junction field effect transistor on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US20220140116A1. Автор: Zachary Ka Fai Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Die division method and inspection apparatus for avoiding defects locations on silicon carbide wafers

Номер патента: US20220199470A1. Автор: Min Park,Jongho YOON. Владелец: Etamax Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Techniques to couple high bandwidth memory device on silicon substrate and package substrate

Номер патента: US20200143870A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis,Chong J. ZHAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Junction field effect transistor on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: WO2022094366A1. Автор: Zachary Ka Fai Lee. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-05.

Junction field effect transistor on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: EP4238138A1. Автор: Zachary Ka Fai Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Active antenna device based on silicon ring field effect transistor array

Номер патента: US11784249B2. Автор: Kyung Rok Kim,Min Woo RYU,E San Jang,Sang Hyo AHN. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Active antenna device based on silicon ring field effect transistor array

Номер патента: US20220271160A1. Автор: Kyung Rok Kim,Min Woo RYU,E San Jang,Sang Hyo AHN. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Structure and method for forming integral nitride light sensors on silicon substrates

Номер патента: US20150102450A1. Автор: Robert Forcier. Владелец: ROSESTREET LABS LLC. Дата публикации: 2015-04-16.

Strained silicon fin structure

Номер патента: US7115945B2. Автор: Sheng Teng Hsu,Jer-shen Maa,Douglas J. Tweet,Jong-Jan Lee. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2006-10-03.

METHOD FOR PLACING NANODIAMONDS WITH NV CENTERS ON SILICON NITRIDE

Номер патента: RU2019144433A. Автор: Вадим Владиславович Воробьев,Владимир Владимирович Сошенко,Степан Викторович Большедворский,Алексей Владимирович Акимов,Вадим Викторович Ковалюк,Григорий Наумович Гольцман,Павел Павлович Ан,Евгения Витальевна Зубкова,Анна Валерьевна Елманова,Илья Александрович Елманов,София Андреевна Комракова,Джавид Намик оглы Джавадзаде. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский педагогический государственный университет. Дата публикации: 2021-06-29.

Long wavelength VCSEL and integrated VCSEL systems on silicon substrates

Номер патента: US11769989B2. Автор: Elad Mentovich,Vladimir Iakovlev,Yuri Berk,Isabelle Cestier. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Template-based epitaxial growth of lattice mismatched materials on silicon

Номер патента: US20190033524A1. Автор: Harry E. Ruda,Igor SAVELYEV,Marina BLUMIN,Christina F. SOUZA. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Protective coatings on silicon anodes for effective management in high volume cell plant

Номер патента: US20240113303A1. Автор: Xingcheng Xiao,Wai Ping Gloria Tam. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Iii-v laser platforms on silicon with through silicon vias by wafer scale bonding

Номер патента: US20210359490A1. Автор: Dominic F. Siriani,Vipulkumar K. Patel,Jock T. Bovington. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Iii-v photonic crystal microlaser bonded on silicon-on-insulator

Номер патента: US20150222092A1. Автор: Axel Scherer,Seheon KIM,William DOS SANTOS FEGADOLLI. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2015-08-06.

III-V laser platforms on silicon with through silicon vias by wafer scale bonding

Номер патента: US11728616B2. Автор: Dominic F. Siriani,Vipulkumar K. Patel,Jock T. Bovington. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Iii-v laser platforms on silicon with through silicon vias by wafer scale bonding

Номер патента: US20200212649A1. Автор: Dominic F. Siriani,Vipulkumar K. Patel,Jock T. Bovington. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Laser device integrated with semiconductor optical amplifier on silicon substrate

Номер патента: US09960567B2. Автор: Taek Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of Growing Titanium Nitride on Silicon Substrate Free from Silicon Nitride Interface by Using a Titanium Seed Layer

Номер патента: US20210135330A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: EP4018489A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: WO2021089706A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A Mueed. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2021-05-14.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: AU2020378613B2. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A. Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

An optical interconnect module with polymer waveguide on silicon substrate

Номер патента: WO2018213038A1. Автор: Abraham JOU,Paul Mao-Jen WU. Владелец: Adolite Inc.. Дата публикации: 2018-11-22.

Methods for controlling formation of multilayer carbon coatings on silicon-containing electroactive materials for lithium-ion batteries

Номер патента: US11843110B2. Автор: Wei Li,Lei Wang,Xingcheng Xiao,Mark W. Verbrugge,Michael P. Balogh. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-12-12.

Distributed feedback (dfb) laser on silicon and integrated device comprising a dfb laser on silicon

Номер патента: US20210273409A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Distributed feedback (dfb) laser on silicon and integrated device comprising a dfb laser on silicon

Номер патента: EP4111556A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

Ultra-high q micro-resonator on silicon substrate and method of fabrication thereof

Номер патента: EP1554618A2. Автор: Sean M. Spillane,Kerry J. Vahala,Deniz K. Armani,Tobias J. Kippenberg. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2005-07-20.

Coupling element for high frequency strip conductor structure is finger coupling structure in form of thin film structure on silicon bearer contacted by strip conducting tracks by metalization

Номер патента: DE10134685A1. Автор: Thomas Walter,Markus Ulm,Dirk Steinbuch,Mathias Reimann,Stefan Keith. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2003-02-06.

Photonic circuit with hybrid iii-v on silicon active section with inverted silicon taper

Номер патента: US20210083456A1. Автор: Antonin GALLET,Théo Verolet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-03-18.

ORDERED NANO-POROUS CARBON COATING ON SILICON OR SILICON/GRAPHENE COMPOSITES AS LITHIUM ION BATTERY ANODE MATERIALS

Номер патента: US20170222219A1. Автор: SUN DONG. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

III-V LASER PLATFORMS ON SILICON WITH THROUGH SILICON VIAS BY WAFER SCALE BONDING

Номер патента: US20200212649A1. Автор: Bovington Jock T.,PATEL Vipulkumar K.,SIRIANI Dominic F.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

III-V LASER PLATFORMS ON SILICON WITH THROUGH SILICON VIAS BY WAFER SCALE BONDING

Номер патента: US20210359490A1. Автор: Bovington Jock T.,PATEL Vipulkumar K.,SIRIANI Dominic F.. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

SILICON PHOTONICS CO-INTEGRATED WITH QUANTUM DOT LASERS ON SILICON

Номер патента: US20190273356A1. Автор: Patel Vipulkumar,Anderson Sean P.,SIRIANI Dominic F.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

Silicon nanowire chip and mass spectrum detection method based on silicon nanowire chip

Номер патента: CN110203876B. Автор: 陈晓明,邬建敏. Владелец: Hangzhou Well Healthcare Technologies Co ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Preparation method of silicon-carbon composite material based on silicon-based molecular sieve structure and lithium battery

Номер патента: CN108258227B. Автор: 刘丰,陈海鹏,刘金强,刘贵龙,刘献明,毋乃腾,袁巍巍,赵运霞. Владелец: Luoyang Normal University. Дата публикации: 2021-01-22.

Silicon nanowire chip manufacturing method and mass spectrum detection method based on silicon nanowire chip

Номер патента: JP7300017B2. Автор: 建敏 ▲ウー▼,暁明 陳. Владелец: HANGZHOU WELL-HEALTHCARE TECHNOLOGIES CO., LTD.. Дата публикации: 2023-06-28.

A kind of silicon nanowires chip and the Mass Spectrometry detection method based on silicon nanowires chip

Номер патента: CN110203876A. Автор: 陈晓明,邬建敏. Владелец: Hangzhou Jian Jian Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-06.

Laser chip for flip-chip bonding on silicon photonics chips

Номер патента: US11888286B2. Автор: Radhakrishnan L. Nagarajan,Xiaoguang He. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of growing titanium nitride on silicon substrate free from silicon nitride interface by using a titanium seed layer

Номер патента: AU2020378613A1. Автор: Aakash Pushp,Benjamin Madon,M A. Mueed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Process for producing a conductive sintered body based on silicon carbide

Номер патента: MY113141A. Автор: SCHMIDT Helmut,Aslan Mesut,Nab Rudiger. Владелец: Institut Fur Neue Mat Gemeinnutzige Gmbh. Дата публикации: 2001-11-30.

Local buffers in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: EP2949127A1. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Nicholas F. Jungels,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2015-12-02.

Local buffers in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: WO2014117024A1. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Nicholas F. Jungels,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-31.

Pixel test in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: EP2948939A1. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2015-12-02.

Pixel test in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: WO2014117026A1. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-31.

Local buffers in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: US09681207B2. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Nicholas F. Jungels,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Panel carrier for a liquid crystal on silicon panel and method for electrically interconnecting same

Номер патента: US09568789B2. Автор: Chun-Sheng Fan,Wei-Feng Lin. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Preparation of superconducting oxide films on silicon and silicon dioxide substrates

Номер патента: CA1332326C. Автор: Richard E. Soltis,Mohammad Aslam,Eleftherios M. Logothetis. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1994-10-11.

Projection device and method with liquid crystal on silicon panel

Номер патента: EP4145823A1. Автор: Chi-Wen Lin,Biing-Seng Wu,Kuan-Hsu Fan Chiang. Владелец: Himax Display Inc. Дата публикации: 2023-03-08.

Method and system for applying a patterned structure on a surface

Номер патента: EP3504064A1. Автор: Gari Arutinov. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-07-03.

Method and system for applying a patterned structure on a surface

Номер патента: US20190193444A1. Автор: Gari Arutinov. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for forming a 3d pattern structure on a 3d substrate and device having color resists pattern

Номер патента: US20170192356A1. Автор: Ming-An Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-06.

Printing a duplex microwave interactive susceptor structure on cellulose-based substrates for sustainable microwave packaging

Номер патента: WO2016019461A1. Автор: Tingjie LI,Joseph Stephen ASPLER,Lyne M. CORMIER. Владелец: FPINNOVATIONS. Дата публикации: 2016-02-11.

Printing a duplex microwave interactive susceptor structure on cellulose-based substrates for sustainable microwave packaging

Номер патента: EP3177549A1. Автор: Tingjie LI,Joseph Stephen ASPLER,Lyne M. CORMIER. Владелец: FPINNOVATIONS. Дата публикации: 2017-06-14.

FEMTOSECOND LASER BASED METHOD FOR FABRICATION OF MICRO- AND NANO-CONSTRICTION TYPE STRUCTURES ON A YBA2-CU3O7-xSUPERCONDUCTING THIN FILM

Номер патента: EP3485507A1. Автор: Vijaya Srinivasu VALLABHAPURAPU,Patrice UMENNE. Владелец: Unisa. Дата публикации: 2019-05-22.

Light emitting device having convex-and-concave structure on substrate

Номер патента: US5936347A. Автор: Kazunori Ueno,Kazuo Isaka,Akihiro Mouri,Masao Ueki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Method, controller, and computer-readable medium for replacement of a cancelled repeating transfer data structure on a distributed transfer network

Номер патента: WO2023201360A3. Автор: Marc Meyer,Tomasz CZERNUSZENKO,Kevin Hopkins. Владелец: Agora Intelligence, Inc.. Дата публикации: 2023-11-16.

Method, controller, and computer-readable medium for replacement of a cancelled repeating transfer data structure on a distributed transfer network

Номер патента: WO2023201360A2. Автор: Marc Meyer,Tomasz CZERNUSZENKO,Kevin Hopkins. Владелец: Agora Intelligence, Inc.. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of assembling fastener structure on plate body

Номер патента: US20210148390A1. Автор: Ting-Jui Wang. Владелец: Fivetech Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of assembling fastener structure on plate body

Номер патента: US20210025438A1. Автор: Ting-Jui Wang. Владелец: Fivetech Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Production of metallic structures on inorganic non-conductors

Номер патента: CA1290720C. Автор: Christian Oehr,Harald Suhr,Ernst Feurer. Владелец: Schering AG. Дата публикации: 1991-10-15.

Method of producing metallic structures on inorganic non-conductors

Номер патента: US4980197A. Автор: Christian Oehr,Harald Suhr,Ernst Feurer. Владелец: Schering AG. Дата публикации: 1990-12-25.

Terahertz modulator based on silicon micro-nano structure and its preparation method

Номер патента: LU500934B1. Автор: Jingbo Liu,Dongxiong LING,Qinnan Zhang. Владелец: Univ Dongguan Technology. Дата публикации: 2022-06-01.

Glues based on silicon-acryl hybrid polymer

Номер патента: RU2544702C2. Автор: Чарльз У. ПОЛ,Юксиа ЛИУ,Джиангбо ОУЯНГ,Пол ФОРМАН,Лаксмиша М. СРИДХАР,Смита ШАХ. Владелец: Хенкель Корпорейшн. Дата публикации: 2015-03-20.

Method for producing ceramic composite material based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibers

Номер патента: RU2744543C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-03-11.

Composition for bonding ceramic composite materials based on silicon carbide

Номер патента: RU2604530C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Олег Юрьевич Сорокин,Денис Вячеславович Гращенков,Сергей Станиславович Солнцев,Мария Леонидовна Ваганова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2016-12-10.

Method of making ceramics based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibres

Номер патента: RU2718682C2. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Сергей Николаевич Перевислов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2020-04-13.

Ceramic nanostructured material based on silicon nitride and method of its production

Номер патента: RU2653182C2. Автор: Михаил Юрьевич Попов,Иван Павлович Иллич-Свитыч,Николай Владимирович Хохлов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2018-05-07.

Method for obtaining a wear-resistant composite material based on silicon carbide

Номер патента: RU2759858C1. Автор: Петр Александрович Витязь,Александр Федорович Ильющенко,Лариса Николаевна Дьячкова,Владимир Анатольевич Осипов. Владелец: ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ ПОРОШКОВОЙ МЕТАЛЛУРГИИ ИМЕНИ АКАДЕМИКА О.В. РОМАНА. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for selectively depositing a polycrystalline diamond coating on silicon bases

Номер патента: RU2656627C1. Автор: Степан Андреевич Линник,Виталий Владимирович Охотников,Александр Валерьевич Гайдайчук. Владелец: Александр Валерьевич Гайдайчук. Дата публикации: 2018-06-06.

Method of depositing aluminium oxide coating on silicon carbide-coated substrate

Номер патента: RU2468361C2. Автор: Фредерик ЛЕМАН,Софи КОСТИЛЬ,Кристиан КОДДЕ,Пьер БЕРТРАН,Себастьен ЛЮКА. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2012-11-27.

Antimicrobial compositions for oral cavity based on silicon dioxide

Номер патента: RU2727205C2. Автор: Терри НАССИВЕРА,Карл ГАЛЛИС,Эрик ЛИНДКВИСТ,Линда МАУЛЛЕР. Владелец: Эвоник Оперейшнс Гмбх. Дата публикации: 2020-07-21.

Method of producing sensitive elements based on silicon-carbon composites and making gas sensors based thereon

Номер патента: RU2732802C1. Автор: Наталья Васильевна Меньшутина,Мария Геннадьевна Гордиенко,Ирина Сергеевна Бриллиантова,Дмитрий Давидович Белоус,Павел Юрьевич Циганков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2020-09-22.

MATERIAL FOR CONVERSION OF VACUUM ULTRAVIOLET RADIATION INTO VISIBLE RANGE RADIATION IN FORM OF AMORPHOUS FILM OF SILICON OXIDE SiO2Sx ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2584205C2. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов,Владимир Алексеевич Пустоваров,Фиттинг Ганс-Йохим. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2016-05-20.

Care and/or makeup composition comprising a silicone elastomer containing carboxylic acid functions and a copolymer based on silicone resin and on silicone of dimethiconol type

Номер патента: EP4401704A1. Автор: Guillaume Kergosien,Kévin DU. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-07-24.

Care and/or makeup composition comprising a silicone elastomer containing carboxylic acid functions and a copolymer based on silicone resin and on silicone of dimethiconol type

Номер патента: US20240358622A1. Автор: Guillaume Kergosien,Kévin DU. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-10-31.

Sintered refractory block based on silicon carbide with silicon nitride binder

Номер патента: RU2395477C9. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье Маргюэн. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2010-10-10.

Composition based on zirconium oxide, titanium oxide or mixed zirconium and titanium oxide, deposited on silicon oxide support, methods of producing said composition and use thereof as catalyst

Номер патента: RU2448908C1. Автор: Симон ИФРА,Стефан ВЕРДЬЕ,Гийом КРИНЬЕР,КОЭЛЬО МАРКЕШ Руй ЖОРЖЕ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2012-04-27.

Method of producing porous material based on silicon nitride

Номер патента: RU2736195C1. Автор: Владимир Николаевич Манжай,Мария Сергеевна Фуфаева,Константин Александрович Болгару. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Томский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (ТНЦ СО РАН). Дата публикации: 2020-11-12.

Method of making ceramics based on silicon nitride - titanium nitride composite

Номер патента: RU2697987C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Светлана Николаевна Ивичева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2019-08-21.

Composition, based on zirconium oxide, titanium oxide or mixed zirconium and titanium oxide, applied on silicon oxide carrier, methods of obtaining thereof, applying thereof and applying thereof as catalyst

Номер патента: RU2531306C2. Автор: Симон ИФРА,Стефан ВЕРДЬЕ,Гийом КРИНЬЕР,КОЭЛЬО МАРКЕШ Руй ЖОРЖЕ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2014-10-20.

Process for the production of mouldings from materials based on silicon nitride

Номер патента: WO1982004245A1. Автор: Robert Pompe. Владелец: Robert Pompe. Дата публикации: 1982-12-09.

Method for Obtaining Bimodal Mesoporous Materials Based on Silicon Oxides Using Microwave Radiation

Номер патента: US20230294997A1. Автор: Pedro Amoros Del Toro,Ruth DE LOS REYES CÁNOVAS,Ana María COSTERO NIETO,Jose Vicente Ros Lis,Jamal EL HASKOURI BENNAGI,Borja DÍAZ DE GREÑU PUERTAS,Sara MUÑOZ PINA. Владелец: UNIVERSITAT DE VALENCIA. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for obtaining bimodal mesoporous materials based on silicon oxides using microwave radiation

Номер патента: EP4253320A1. Автор: Pedro Amoros Del Toro,Ruth DE LOS REYES CÁNOVAS,Ana María COSTERO NIETO,Jose Vicente Ros Lis,Jamal EL HASKOURI BENNAGI,Borja DÍAZ DE GREÑU PUERTAS,Sara MUÑOZ PINA. Владелец: UNIVERSITAT DE VALENCIA. Дата публикации: 2023-10-04.

Catalyst based on tantalum deposited on silicon oxide for converting ethanol to butadiene

Номер патента: RU2726116C2. Автор: Александра ШОМОННО,Николя КАДРАН. Владелец: Ифп Энержи Нувелль. Дата публикации: 2020-07-09.

Cvd reactor for synthesis of heteroepitaxial silicon carbide films on silicon substrates

Номер патента: RU2767098C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Открытый код". Дата публикации: 2022-03-16.

Method of producing structural ceramic material based on silicon carbide for articles of complex geometry

Номер патента: RU2739774C1. Автор: Алексей Владимирович Красиков,Михаил Александрович Марков,Павел Алексеевич Кузнецов,Евгений Александрович Самоделкин,Алина Дмитриевна Быкова,Михаил Валерьевич Хроменков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей" имени И.В. Горынина Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт"-ЦНИИ КМ "Прометей"). Дата публикации: 2020-12-28.

High-temperature antioxidant coating for ceramic composite materials based on silicon carbide

Номер патента: RU2601676C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Олег Юрьевич Сорокин,Денис Вячеславович Гращенков,Сергей Станиславович Солнцев,Мария Леонидовна Ваганова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2016-11-10.

A silicon mesa structure integrated in a glass-on-silicon waveguide, and a method of manufacturing it

Номер патента: EP1230717A1. Автор: Kent Erik Mattsson. Владелец: NKT Research Center AS. Дата публикации: 2002-08-14.

Method of fabricating mirrors for liquid crystal on silicon display device

Номер патента: US20080135515A1. Автор: Yiqun Chen,Xianyong Pu,Jing Fu,Jianhong Mao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Method of producing high temperature powder composite material based on silicon carbides and titanium

Номер патента: RU2638866C1. Автор: Максим Николаевич Каченюк,Олег Васильевич Сомов,Светлана Аркадьевна Оглезнева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2017-12-18.

Abrasion resistant articles based on silicon nitride

Номер патента: CA1155874A. Автор: Sergej-Tomislav Buljan,Vinod K. Sarin. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1983-10-25.

Wavelength selective switch, alignment direction acquisition method, liquid crystal on silicon, and manufacturing method

Номер патента: EP3677959A1. Автор: Mi Wang,Han Zhao,Lei Mao,Liangjia ZONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-08.

Backlight LED Structure, Backlight and Display Device

Номер патента: US20140146565A1. Автор: You Li,Xiuyun Chen. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Liquid crystal on silicon panel with electrically-conductive adhesive

Номер патента: US20230296941A1. Автор: Edward Wang,Wenlin Jin,Chi-li-ma Harnold. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Preparation of nanometric arrays of biomolecules on oligo- or poly(ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: WO2005112565A2. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2005-12-01.

Liquid-crystal-on-silicon display with photolithographic alignment posts and optical interference layers

Номер патента: US20020047967A1. Автор: SU Jie,HAN Gang,Ravi Yalamanchi. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Preparation of Nanometric Arrays of Biomolecules on Oligo-or Poly(Ethylene Glycol) Films on Silicon Surfaces

Номер патента: US20070212555A1. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Yam. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2007-09-13.

Preparation of nanometric arrays of biomolecules on oligo- or poly(ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: WO2005112565A3. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: Chin Ming Yam. Дата публикации: 2006-09-14.

Highly-reflective liquid crystal on silicon panel comprising a continuous reflective coating covering pixel electrodes and an inter-pixel coating

Номер патента: US09958726B2. Автор: Chun-Sheng Fan. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Liquid crystal on silicon panels and associated methods

Номер патента: US09459500B2. Автор: Chun-Sheng Fan,Wei-Feng Lin. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Composition for pigment dying based on specific acrylic polymer and on silicone copolymer and dying method

Номер патента: RU2643298C2. Автор: Карен ТЕБУЛЬ. Владелец: Л'Ореаль. Дата публикации: 2018-01-31.

Silicon oxide based support, heteropolyacid catalyst based on said support and synthesis of esters in presence of heteropolyacid catalyst deposited on silicon oxide

Номер патента: RU2395487C2. Автор: Крейг БЕЙЛИ,Бенджамин Патрик ГРЕЙСИ. Владелец: Бп Кемикэлз Лимитед. Дата публикации: 2010-07-27.

Process for preparing moldings based on silicon oxycarbide

Номер патента: US4833220A. Автор: Bernd Pachaly,Volker Frey,Norbert Zeller. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 1989-05-23.

Devices with monochromatic liquid crystal on silicon displays

Номер патента: EP4220279A1. Автор: Jacques Gollier. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-02.

Carbon nano tube technology in liquid crystal on silicon micro-display

Номер патента: US20060072063A1. Автор: Gihong Kim,Charles Koo. Владелец: NANO ACQUISITION CORP. Дата публикации: 2006-04-06.

Wavelength selective switch, alignment direction obtaining method, and liquid crystal on silicon and method for manufacturing same

Номер патента: US20200225418A1. Автор: Mi Wang,Han Zhao,Lei Mao,Liangjia ZONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Liquid crystal on silicon micro-display using carbon nanotube

Номер патента: US7728947B1. Автор: Gihong Kim,Charles Chul-Whei Koo. Владелец: Sysview Tech Inc. Дата публикации: 2010-06-01.

Carbon nanotube technology in liquid crystal on silicon micro-display

Номер патента: WO2006041914A1. Автор: Gihong Kim,Charles Chul-Whei Koo. Владелец: Charles Chul-Whei Koo. Дата публикации: 2006-04-20.

Uvc-integrated led structure adapted to air sterilization-and-disinfection grilles

Номер патента: US20230233718A1. Автор: Zhihong Zheng,Junhuang Zhuang. Владелец: Shenzhen Yitoa Intelligent Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Uvc-integrated led structure adapted to air sterilization-and-disinfection grilles

Номер патента: AU2022202478A1. Автор: Zhihong Zheng,Junhuang Zhuang. Владелец: Shenzhen Yitoa Intelligent Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Uvc-integrated led structure adapted to air sterilization-and-disinfection grilles

Номер патента: AU2022202478B2. Автор: Zhihong Zheng,Junhuang Zhuang. Владелец: Shenzhen Yitoa Intelligent Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for elimination or furnace roll pickup marks on silicon containing sheet steel

Номер патента: CA1049904A. Автор: Arthur R. Henricks. Владелец: USS Engineers and Consultants Inc. Дата публикации: 1979-03-06.

Device for stabilizing the position of the structure on a subsidence base

Номер патента: RU2707822C1. Автор: Давид Михайлович Белый. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-11-29.

Ground structure on weak base

Номер патента: RU2706152C1. Автор: Светлана Мирзахановна Жданова,Аркадий Рудольфович Едигарян. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный государственный университет путей сообщения" (ДВГУПС). Дата публикации: 2019-11-14.

Machine for winding fibrous structure on impregnating mandrel and use of said machine for making gas turbine casing from composite material

Номер патента: RU2593630C2. Автор: Антуан ФЕЛИППО,Ришар МАТОН,Миках ГАММЕЛЬ,Жан-Франсуа ДЮРАН. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2016-08-10.

Kochetov floor structure on vibration cushioning base

Номер патента: RU2626843C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2017-08-02.

Backpack with electronic LED structure

Номер патента: US20200100581A1. Автор: Sergii Iezdin,Ivan Kaunov,Marharyta Rimek. Владелец: Pix Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of producing thin-film materials based on silicon, phosphorus, calcium and magnesium oxides

Номер патента: RU2719580C1. Автор: Людмила Павловна Борило,Екатерина Сергеевна Лютова,Лариса Николаевна Спивакова,Елена Анатольевна Изосимова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2020-04-21.

Device, system and method for construction of stationary structures on working surface

Номер патента: RU2737444C2. Автор: Роберт БРАМБЕРГЕР. Владелец: Либхерр-Верк Биберах Гмбх. Дата публикации: 2020-11-30.

Pendulum ruling machine for production of dashed structures on non-flat working surfaces

Номер патента: RU2687516C1. Автор: Анатолий Васильевич Лукин,Андрей Николаевич Мельников. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики" (АО "НПО ГИПО"). Дата публикации: 2019-05-14.

Method of providing operational reliability of structures on expansive soil foundation

Номер патента: RU2637536C1. Автор: Раис Шакирович Абжалимов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-исследовательская, проектно-строительная фирма "АБИК" (ООО НИПСФ "АБИК"). Дата публикации: 2017-12-05.

Device for leveling the position of the structure on a subsidence base

Номер патента: RU2704173C1. Автор: Давид Михайлович Белый. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-10-24.

Method of fixing support bases of offshore structures on pile field and pipe composite steel pile

Номер патента: RU2739595C1. Автор: Александр Леонидович Соболев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БалтСпецПроект" (ООО "БалтСпецПроект"). Дата публикации: 2020-12-28.

Method of producing arrays of regular submicron metal structures on optically transparent substrates

Номер патента: RU2706265C1. Автор: Илья Анатольевич Родионов,Елена Владимировна Рыжова,Анастасия Александровна Пищимова,Николай Александрович Орликовский. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-11-15.

Liquid crystal on silicon (LCOS) display device having a uniform cell gap

Номер патента: EP1550900A1. Автор: Jin-woo Cho,Su-Ho Shin,Su-gun Kim,Seong-woon 119-403 Ssangyong Apt. Booh,Jong-min 303-502 Hanra Apartment Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-06.

Liquid crystal on silicon panel with electrically-conductive adhesive

Номер патента: US11906852B2. Автор: Edward Wang,Wenlin Jin,Chi-li-ma Harnold. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-02-20.

Highly-Reflective Liquid Crystal On Silicon Panel

Номер патента: US20160246115A1. Автор: Chun-Sheng Fan. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Driving and encoding of a digitial liquid crystal on silicon (lcos) display

Номер патента: EP4338149A1. Автор: Guang Yang,Denise LEE,Tengjie SUI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Method for controlling voltages of liquid crystal on silicon two-dimensional array and related device

Номер патента: US11953803B2. Автор: TONG Li,HONG Yang,Lei Mao,Liangjia ZONG,Zeshan CHANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Systems And Methods For Integrating A-Axis Oriented Barium Titanate Thin Films On Silicon (001) Via Strain Control

Номер патента: US20200409190A1. Автор: Marc Reynaud,Alexander A. Demkov,Agham POSADAS. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2020-12-31.

Polarization Control Device Based on Silicon Waveguide and Phase Change Material

Номер патента: US20230418090A1. Автор: Yan Li,Zhaohui Li,Ying Yu,Yuhang WEI,Siqing Zeng. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2023-12-28.

Retardation compensator for a liquid crystal-on-silicon imager

Номер патента: US7327423B2. Автор: Achintya K. Bhowmik. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-02-05.

Liquid crystal on silicon imager

Номер патента: US20110025957A1. Автор: Herb He Huang. Владелец: Jiangsu Lexvu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

Method for construction of dome structure on the moon

Номер патента: RU2718548C1. Автор: Валерий Иванович Трофимов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный технический университет" (ТвГТУ). Дата публикации: 2020-04-08.

METHOD FOR FORMING A LAYER OF A SINGLE-PHASE OXIDE (Fe,Cr)2O3 WITH A RHOMBOHEDRAL STRUCTURE ON A SUBSTRATE MADE OF STEEL OR A HEAT-RESISTANT ALLOY

Номер патента: RU2769915C1. Автор: Оливье РАККЮР,Жан-Мари ГЕНТЗБИТТЕЛЬ,Оливье СИКАРДИ,Франсис БУРГИНЬОН,Пьер-Жан МАРШЕ. Владелец: Маннесманн Пресизьон Тюб Франс. Дата публикации: 2022-04-08.

Rib structure on cylinder block

Номер патента: US20240247619A1. Автор: YUAN Luo,Xiling ZHOU. Владелец: Cummins Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Outdoor advertisement structure on bus roof

Номер патента: US09852669B2. Автор: Jae-Man Jo. Владелец: Jg Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacture of surface structure on press tool by depositing metal layers

Номер патента: RU2659953C2. Автор: Вольфганг ШТОФФЕЛЬ,Мартин МАРКСЕН. Владелец: Хуек Райнише Гмбх. Дата публикации: 2018-07-04.

Method for preparation of base of structure on weak grounds

Номер патента: RU2731234C1. Автор: Юрий Германович Хабаров,Александр Леонидович Невзоров,Алексей Анатольевич Коршунов,Алексей Михайлович Ширанов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Северный (Арктический) федеральный университет имени М. В. Ломоносова». Дата публикации: 2020-08-31.

Dome structure on moon

Номер патента: RU2717858C1. Автор: Валерий Иванович Трофимов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный технический университет" (ТвГТУ). Дата публикации: 2020-03-26.

Method of and scanning probe microscopy system for measuring a topography of a side wall of a structure on a surface of a substrate

Номер патента: WO2024005635A1. Автор: Jakob van de Laar,Hamed Sadeghian Marnani,Arseniy KALININ,Niranjan SAIKUMAR. Владелец: Nearfield Instruments B.V.. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of and scanning probe microscopy system for measuring a topography of a side wall of a structure on a surface of a substrate

Номер патента: NL2032315B1. Автор: Sadeghian Marnani Hamed,Van De Laar Jakob,Kalinin Arseniy,Saikumar Niranjan. Владелец: Nearfield Instr B V. Дата публикации: 2024-01-16.

Fast installation structure on faucet table

Номер патента: US09932726B2. Автор: Jian-Yi Song,Jun-sheng WANG. Владелец: Xiamen Runner Industrial Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method and apparatus for recognizing directional structures on a window pane of a vehicle

Номер патента: US09616851B2. Автор: Werner Uhler,Annette Frederiksen,Stephan Simon,Roland Schmid,Michael Huelsen,Jad Halimeh. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for measuring positions of structures on a mask and thereby determining mask manufacturing errors

Номер патента: US09424636B2. Автор: Mark Wagner,Slawomir Czerkas,Frank Laske,Mohammad M. DANESHPANAH. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

UVC-integrated LED structure adapted to air sterilization-and-disinfection grilles

Номер патента: US11779668B2. Автор: Zhihong Zheng,Junhuang Zhuang. Владелец: Shenzhen Yitoa Intelligent Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for forming three-dimensional anchoring structures on a surface

Номер патента: US20150064407A1. Автор: Gerald J. Bruck,Ahmed Kamel. Владелец: Siemens Energy Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

A method for forming three-dimensional anchoring structures on a surface

Номер патента: WO2015034645A1. Автор: Gerald J. Bruck,Ahmed Kamel. Владелец: SIEMENS ENERGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-12.

Method and apparatus for replicating light shaping surface structures on a rigid substrate

Номер патента: EP1123208A1. Автор: Gajendra D. Savant,Abbas Hosseini,Kang S. Lee. Владелец: Physical Optics Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Method and apparatus for replicating light shaping surface structures on a rigid substrate

Номер патента: WO2000010806A1. Автор: Gajendra D. Savant,Abbas Hosseini,Kang S. Lee. Владелец: Physical Optics Corporation. Дата публикации: 2000-03-02.

Method for producing a structure on a substrate

Номер патента: AU4896599A. Автор: Gunther Seidl. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-11-29.

Nanosecond laser ablation and chemical thermal decomposition combined method for preparing super-hydrophobic micro-nano structure on stainless steel surfaces

Номер патента: US12103109B2. Автор: Bing Wang,Yiping TANG,Yukui CAI,Zhanqiang LIU,Xichun LUO,Yi Wan,Qinghua SONG. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2024-10-01.

Electrolyte for preparing porous coating with hierarchical structure on surface of titanium alloy by means of micro-arc oxidation

Номер патента: US20210156046A1. Автор: Min QI,Weiqiang Wang,Yada LI,Shiwei GUAN. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2021-05-27.

Method for forming three-dimensional anchoring structures on a surface

Номер патента: US09808885B2. Автор: Gerald J. Bruck,Ahmed Kamel. Владелец: Siemens Energy Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of manufacturing a coated structure on a substrate

Номер патента: US09758858B2. Автор: Dominique Freckmann,Helge Schmidt,Soenke Sachs,Eva Henschel,Michael Leidner,Marjorie Myers. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method and apparatus for forming a structure on a substrate

Номер патента: US09649729B2. Автор: Stefan Nettesheim,Dariusz Korzec. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen GmbH. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for forming three-dimensional anchoring structures on a surface by propagating energy through a multi-core fiber

Номер патента: US09458728B2. Автор: Gerald J. Bruck,Ahmed Kamel. Владелец: Siemens Energy Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method and system for manufacturing nanoporous structures on a substrate

Номер патента: US12036607B2. Автор: Navin Sakthivel,Alexander John CRUZ. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Discharger structure on earloop face masks

Номер патента: US20170291045A1. Автор: Jen-Wei Lin. Владелец: Mtj Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Method for additively manufacturing a tip structure on a pre-existing part

Номер патента: US20210146444A1. Автор: Ole Geisen,Yaroslav Lebed. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2021-05-20.

System for forming structure on print medium

Номер патента: US20180354274A1. Автор: Junichi Ono,Satoshi Kurosawa,Youichi Ushigome. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Method for producing an electronic structure on a glass pane and glass sheet having at least one glass pane of this type

Номер патента: US12065374B2. Автор: THOMAS Rainer,Heinrich Ostendarp,Bernhard Hötger. Владелец: Hegla Boraident GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for aligning or assembling nano-structure on solid surface

Номер патента: EP1809569A1. Автор: Min-Baek Lee,Seung-Hun 6-205 Asia Seonsuchon Apt. HONG,Ji-Woon 101-202 Hyundai Apt. IM. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2007-07-25.

Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate

Номер патента: US12112260B2. Автор: Patrick Warnaar,Patricius Aloysius Jacobus Tinnemans,Scott Anderson Middlebrooks,Frank Staals,Grzegorz GRZELA,Lorenzo Tripodi,Mohammadreza HAJIAHMADI,Farzad FARHADZADEH,Adrianus Cornelis Matheus Koopman,Brennan Peterson,Anton Bernhard Van Oosten. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods and apparatus for positioning a structure on a polymer layer

Номер патента: US09782942B2. Автор: Daniel Patrick Barrows,Jeffrey George Linhardt. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Support structures on roofs

Номер патента: US09441377B2. Автор: Timothy Pendley,Michael J. Mclain. Владелец: T and M Inventions LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

METHOD FOR SYNTHESIS OF A RADIOPAQUE SURFACE Ti-Ta-Ni ALLOY WITH AN AMORPHOUS OR AMORPHOUS-NANOCRYSTALLINE STRUCTURE ON TiNi ALLOY SUBSTRATE

Номер патента: RU2666950C1. Автор: Людмила Леонидовна Мейснер,Алексей Борисович Марков,Григорий Евгеньевич Озур,Владимир Петрович Ротштейн,Станислав Николаевич Мейснер,Евгений Витальевич Яковлев,Екатерина Юрьевна Гудимова,Виктор Олегович Семин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук (ИФПМ СО РАН). Дата публикации: 2018-09-13.

Earth structure on permafrost with a transversal slope of the terrain

Номер патента: RU2769793C1. Автор: Вадим Васильевич Пассек,Алексей Викторович Селезнев,Сергей Сергеевич Воробьев,Виталий Степанович Андреев,Вячеслав Вадимович Пассек. Владелец: Вячеслав Вадимович Пассек. Дата публикации: 2022-04-06.

Method for erecting a mooring structure on a rock base and an element of a mooring structure on a rock base obtained by this method

Номер патента: RU2760287C1. Автор: Алексей Леонидович Калинин,Анна Васильевна Калинина,Леонид Александрович Шурухин. Владелец: Леонид Александрович Шурухин. Дата публикации: 2021-11-23.

Cooling structure for earth structures on permanently frozen soils and erection method thereof

Номер патента: RU2583107C1. Автор: Алексей Анатольевич Пиотрович,Ольга Игоревна Пакушева,Александр Боксикович Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный государственный университет путей сообщения" (ДВГУПС). Дата публикации: 2016-05-10.

Pendulum-type ruling machine for forming line structures on convex cylindrical surfaces

Номер патента: RU2687514C1. Автор: Анатолий Васильевич Лукин,Андрей Николаевич Мельников. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики" (АО "НПО ГИПО"). Дата публикации: 2019-05-14.

Pendulum-type dividing machine for making dashed structures on non-planar working surfaces

Номер патента: RU2691821C1. Автор: Анатолий Васильевич Лукин,Андрей Николаевич Мельников. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики" (АО "НПО ГИПО"). Дата публикации: 2019-06-18.

Method of testing a construction structure on pliable supports with a spacing at excessive impact action

Номер патента: RU2698517C1. Автор: Георгий Иванович Однокопылов,Олег Григорьевич Кумпяк,Заур Рашидович Галяутдинов,Дауд Рашидович Галяутдинов,Дмитрий Юрьевич Саркисов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный архитектурно-строительный университет" (ТГАСУ). Дата публикации: 2019-08-28.

Method and apparatus for mapping at least part of a structure on an image of at least part of a body of a subject

Номер патента: RU2741572C2. Автор: Рафаэль ВИМКЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2021-01-27.

Pendulum-type ruling machine for forming line structures on convex cylindrical surfaces

Номер патента: RU2687515C1. Автор: Анатолий Васильевич Лукин,Андрей Николаевич Мельников. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики" (АО "НПО ГИПО"). Дата публикации: 2019-05-14.

Pendulum-type dividing machine for forming dashed structures on concave surfaces

Номер патента: RU2725321C1. Автор: Андрей Николаевич Мельников. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики" (АО "НПО ГИПО"). Дата публикации: 2020-07-02.

Rib structure on cylinder block

Номер патента: GB2621078A. Автор: Luo Yuan,Zhou Xiling. Владелец: Cummins Inc. Дата публикации: 2024-01-31.

Method of and system for detecting structures on or below the surface of a sample using a probe including a cantilever and a probe tip

Номер патента: US20190369140A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-12-05.

A method for determining a vertical position of a structure on a substrate and associated apparatuses

Номер патента: EP4246231A1. Автор: Arie Jeffrey Den Boef,Christos MESSINIS,Johannes Fitzgerald De Boer,Theodorus Thomas Marinus VAN SCHAIJK,Robin Daniel BUIJS. Владелец: Stichting Nederlandse Wetenschappelijk Onderzoek Instituten. Дата публикации: 2023-09-20.

Method of fastening a flexible sheet-like structure on a winding shaft, and roller blind

Номер патента: US7909083B2. Автор: Marina Ehrenberger,Dieter Debert. Владелец: BOS GmbH and Co KG. Дата публикации: 2011-03-22.

Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate

Номер патента: US12066764B2. Автор: Patrick Warnaar,Maurits van der Schaar,Patricius Aloysius Jacobus Tinnemans,Vasco Tomas TENNER. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-08-20.

Joint structure, joint module and method of assembling joint structure on object

Номер патента: US12098737B2. Автор: Ting-Jui Wang. Владелец: Fivetech Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of reducing the dimension of an imprint structure on a substrate

Номер патента: US09904165B2. Автор: Hong Yee Low,Hazrat Hussain,Suhui Lim,Wei Wei Loh,M. S. M. Saifullah. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for producing a three-dimensional structure on a surface of a flat substrate, resulting substrate, and device for producing the substrate according to the method

Номер патента: EP4159471A1. Автор: Jesus Francisco Barberan Latorre. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-05.

Microparticle having needle-like structures on surface and method for production thereof

Номер патента: US20090155591A1. Автор: Ren-Hua Jin,Pei-Xin Zhu. Владелец: Kawamura Institute of Chemical Research. Дата публикации: 2009-06-18.

Prober for testing devices in a repeat structure on a substrate

Номер патента: US9983232B2. Автор: Frank-Michael Werner,Sebastian Giessmann,Matthias Zieger. Владелец: CASCADE MICROTECH INC. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of aligning structures on opposite sides of a wafer

Номер патента: EP1285879A3. Автор: Luc Ouellet. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-09.

Prober for testing devices in a repeat structure on a substrate

Номер патента: US20110316574A1. Автор: Frank-Michael Werner,Sebastian Giessmann,Matthias Zieger. Владелец: CASCADE MICROTECH INC. Дата публикации: 2011-12-29.

Prober for testing devices in a repeat structure on a substrate

Номер патента: US20090179658A1. Автор: Frank-Michael Werner,Sebastian Giessmann,Matthias Zieger. Владелец: SUSS MicroTec Test Systems GmbH. Дата публикации: 2009-07-16.

Prober for testing devices in a repeat structure on a substrate

Номер патента: US8841932B2. Автор: Frank-Michael Werner,Sebastian Giessmann,Matthias Zieger. Владелец: CASCADE MICROTECH INC. Дата публикации: 2014-09-23.

Metrology system and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate

Номер патента: US12007700B2. Автор: Arie Jeffrey Den Boef,Patrick Warnaar,Armand Eugene Albert Koolen,Willem Marie Julia Marcel Coene,Patricius Aloysius Jacobus Tinnemans,Nitesh PANDEY,Vasco Tomas TENNER. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of accelerated non-destructive measurement of a layered structure on a massive substrate and a device for the implementation of the method

Номер патента: WO2023072322A3. Автор: Tomáš Fíla,Daniel Vavřík,Vaclav Rada,Petr Zlámal. Владелец: Ústav teoretické a aplikované mechaniky AV CR, v.v.i.. Дата публикации: 2023-07-27.

An insert member, a locking arrangement comprising such insert member, and a framework structure on a load bearing structure of a building

Номер патента: WO2023180072A1. Автор: Magnus Gunnarsson,Per Karlsson,Ulf Johansson,Erik Wärme. Владелец: Balco Group Ab. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for recycling a disk having a layered structure on a glass substrate

Номер патента: US20020084247A1. Автор: Johannes Windeln,Dirk Hammel,Theo Schmitz,Holger Roehl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Metrology system and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate

Номер патента: US20240319620A1. Автор: Arie Jeffrey Den Boef,Patrick Warnaar,Armand Eugene Albert Koolen,Willem Marie Julia Marcel Coene,Patricius Aloysius Jacobus Tinnemans,Nitesh PANDEY,Vasco Tomas TENNER. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-09-26.

Support for supporting a structure on a surface

Номер патента: US09909709B2. Автор: Duncan B. Gilmore,Antony Lawrence Pike,Raymond L. Hope. Владелец: Flat Pty Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Frame seal structure on substrate, substrate, and liquid crystal display device

Номер патента: US09563081B2. Автор: Wei Guo,Zhao Kang,Ping Hu,Zhongyuan Sun,Xiangjun TIAN,Biao TIAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of fabricating electrode structures on substrate

Номер патента: US8470150B2. Автор: Kun-Mu Lee,Sz-Ping Fu,Wei-Hao Chiu,Chuan-Ya Hung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-06-25.

Measurement technique for determining the width of a structure on a mask

Номер патента: US6646260B2. Автор: Thomas Schätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-11.

Nanosecond laser ablation and chemical thermal decomposition combined method for preparing super-hydrophobic micro-nano structure on stainless steel surfaces

Номер патента: US20210370443A1. Автор: Bing Wang,Yiping TANG,Yukui CAI,Zhanqiang LIU,Xichun LUO,Yi Wan,Qinghua SONG. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2021-12-02.

Device for Determining the Position of at Least One Structure on an Object, Use of an Illumination Apparatus with the Device and Use of Protective Gas with the Device

Номер патента: US20080192264A1. Автор: Michael Heiden. Владелец: VISTEC SEMICONDUCTOR SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2008-08-14.

Sawing tool with several diamond saw blades for creating a surface structure on a road surface

Номер патента: CA2982937C. Автор: Alexander REDICH. Владелец: CEDIMA DIAMANTWERKZEUG- und MASCHINENBAUGESELLSCHAFT MBH. Дата публикации: 2023-08-22.

Holding hole structure on ship side

Номер патента: US20200079474A1. Автор: Ting-Wei Chang. Владелец: Mlrb Sdn Bhd. Дата публикации: 2020-03-12.

Holding hole structure on ship side

Номер патента: US10689068B2. Автор: Ting-Wei Chang. Владелец: Mlrb Sdn Bhd. Дата публикации: 2020-06-23.

High refractive index sol-gel composition and method of making photo-patterned structures on a substrate

Номер патента: WO2009120410A3. Автор: Michiharu YAMAMOTO,Weiping Lin,Shuangxi Wang,Joshua Tillema,Mohanalingam Kathaperumal. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2010-01-07.

Producing light-exposed structures on a workpiece

Номер патента: US20200233313A1. Автор: Thomas Rühl,Oliver Humbach. Владелец: temicon GmbH. Дата публикации: 2020-07-23.

Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate

Номер патента: EP3579052A1. Автор: Patricius Aloysius Jacobus Tinnemans,Scott Anderson Middlebrooks,Frank Staals,Lorenzo Tripodi,Mohammadreza HAJIAHMADI,Farzad FARHADZADEH,Adrianus Cornelis Matheus Koopman,Brennan Peterson,Anton Bernhard Van Oosten. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2019-12-11.

Metal holder for disposing a guide structure on a concrete foundation

Номер патента: US3939617A. Автор: Jacob Albertus Eisses. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-02-24.

Mounting arrangement of partially tightened clamp structure on hose-like member

Номер патента: CA2240926C. Автор: Hans Oetiker. Владелец: HANS OETIKER AG MASCHINEN - und APPARATEFABRIK. Дата публикации: 2007-09-25.

Shaping tool with a structured surface for producing structures on glass, and the application thereof for structuring channel plates

Номер патента: CA2336697A1. Автор: Rudolf Singer,Christiane Baum,Joachim Disam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-04-20.

Hub for positioning annular structure on a surgical device

Номер патента: AU2007200842B2. Автор: Michael J. Bettuchi. Владелец: TYCO HEALTHCARE GROUP LP. Дата публикации: 2012-09-06.

Device, a system and a method for building stationary structures on a working surface

Номер патента: AU2017246442B2. Автор: Robert Bramberger. Владелец: Liebherr Werk Biberach GmbH. Дата публикации: 2022-06-30.

Filter cartridge having a filter within a filter, and an endplate sealing structure on an outer filter element

Номер патента: WO2010062592A3. Автор: Ismail C. Bagci,Wassem Abdalla,Barry M. Verdegan,Zemin Jiang,Melvin Douglas Mccormick,Terry W. Shults,Michael J. Connor,Peter K Herman,David P. Genter,Kevin C. South,Hendrik N. Amirkhanian,Aaron M. Wells,Jeffrey A. Husband,Norman C. Blizard,Dean Olson,Jeffrey B. Sharp,Donna Butler,Chad T. Brummitt. Владелец: CUMMINS FILTRATION IP INC.. Дата публикации: 2010-08-05.

Super water-repellent mask having nano patterned structure on its surface

Номер патента: US20220346471A1. Автор: Sang-jin Park,Myoung-Woon Moon,Young A Lee,Hyseung Cho,Cho-hee Lee,Sunmi Yoon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-11-03.

Methods, systems, and apparatus for inkjet printing self-assembled monoloayer (sam) structures on substrates

Номер патента: US20230356540A1. Автор: Erica Chen,Yingdong Luo,Ludovic Godet,Kang LUO,Rami HOURANI,Xiaopei Deng. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Methods for forming microscale and/or nanoscale structures on surfaces and devices including biomedical devices having surfaces with such structures

Номер патента: US20240043984A9. Автор: Kenneth Henry Sandhage,Ben M. DEGLEE. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-02-08.

Method and system for manufacturing nanoporous structures on a substrate

Номер патента: WO2023183197A1. Автор: Navin Sakthivel,Alexander John CRUZ. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2023-09-28.

Phase structure on volume Bragg grating-based waveguide display

Номер патента: US11885967B2. Автор: Yang Yang,Wanli Chi,Wai Sze Tiffany Lam,Dominic Meiser. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Method and system for manufacturing nanoporous structures on a substrate

Номер патента: US20230311213A1. Автор: Navin Sakthivel,Alexander John CRUZ. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Phase shift photomask and method for improving printability of a structure on a wafer

Номер патента: WO2005050310A3. Автор: Kent Nakagawa. Владелец: Kent Nakagawa. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for producing an electronic structure on a glass pane and glass sheet having at least one glass pane of this type

Номер патента: US20210363053A1. Автор: THOMAS Rainer,Heinrich Ostendarp,Bernhard Hötger. Владелец: Hegla Boraident GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-11-25.

Methods, systems, and apparatus for inkjet printing self- assembled monoloayer (sam) structures on substrates

Номер патента: WO2023215299A1. Автор: Erica Chen,Yingdong Luo,Ludovic Godet,Kang LUO,Rami HOURANI,Xiaopei Deng. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-09.

Methods for forming microscale and/or nanoscale structures on surfaces and devices including biomedical devices having surfaces with such structures

Номер патента: US20230212730A1. Автор: Kenneth Henry Sandhage,Ben M. DEGLEE. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of additively manufacturing a structure on a pre-existing component out of the powder bed

Номер патента: EP3648915A1. Автор: Olov Andersson,Jonas Eriksson. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-05-13.

Metrology system and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate

Номер патента: WO2019068459A1. Автор: Arie Jeffrey Den Boef,Patrick Warnaar,Armand Eugene Albert Koolen,Willem Marie Julia Marcel Coene,Patricius Aloysius Jacobus Tinnemans,Nitesh PANDEY,Vasco Tomas TENNER. Владелец: Stichting Nederlandse Wetenschappelijk Onderzoek Instituten. Дата публикации: 2019-04-11.

A method and an apparatus for fabricating a surface structure, particularly a holographic surface structure, on a substrate

Номер патента: CA2244324A1. Автор: Rudi De Jongh,Bernhard Podratzki. Владелец: HSM Holographic Systems Muenchen GmbH. Дата публикации: 1999-02-04.

A support for supporting a structure on a surface

Номер патента: CA2577193C. Автор: Duncan B. Gilmore,Antony Lawrence Pike,Raymond L. Hope. Владелец: Flat Pty Ltd. Дата публикации: 2013-04-02.

A support for supporting a structure on a surface

Номер патента: EP1778946A1. Автор: Antony Lawrence Pike,Duncan B. Technology and Conference Ctr. GILMORE,Raymond L. Technology and Conference Ctr. HOPE. Владелец: Flat Pty Ltd. Дата публикации: 2007-05-02.

Apparatus for reading an optically readable information structure on a record carrier

Номер патента: CA1188800A. Автор: Willem G. Opheij. Владелец: Willem G. Opheij. Дата публикации: 1985-06-11.

Semisynthetic paper structure on a urea basis

Номер патента: CA1101157A. Автор: Olof Sunden,Birgitta Sunden. Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-05-19.

Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate

Номер патента: US20230273255A1. Автор: Patrick Warnaar,Maurits van der Schaar,Patricius Aloysius Jacobus Tinnemans,Vasco Tomas TENNER. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-08-31.

An insert member, a locking arrangement comprising such insert member, and a construction element forming part of a framework structure on a load bearing structure of a building

Номер патента: SE2250373A1. Автор: Magnus Gunnarsson,Per Karlsson,Ulf Johansson,Erik Wärme. Владелец: Balco Group Ab. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for producing damper structures on a micromechanical wafer

Номер патента: US11873216B2. Автор: Michael Stumber. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-01-16.

Method of additively manufacturing a structure on a pre-existing component out of the powder bed

Номер патента: US20200164436A1. Автор: Olov Andersson,Jonas Eriksson. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-05-28.

Method for registering structures on microlithographic masks, computer program product and microlithographic method

Номер патента: US20230393488A1. Автор: Dirk Seidel,Alexander Freytag,Jonas Umlauft. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for forming a layer of single-phase oxide (Fe, Cr)2O3 with a rhombohedral structure on a steel or super alloy substrate

Номер патента: US11965253B2. Автор: Olivier Raccurt,Olivier Sicardy,Francis Bourguignon,Jean-Marie Gentzbittel,Pierre-Jean Marchais. Владелец: Mannesmann Precision Tubes France SAS. Дата публикации: 2024-04-23.

Device for measuring the position of at least one structure on a substrate

Номер патента: US20090128828A1. Автор: Tillmann Ehrenberg,Katrin Pietsch,Klaus-Dieter Adam. Владелец: VISTEC SEMICONDUCTOR SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2009-05-21.

A method for determining a vertical position of a structure on a substrate and associated apparatuses

Номер патента: WO2023174650A1. Автор: Arie Jeffrey Den Boef,Christos MESSINIS,Johannes Fitzgerald De Boer,Theodorus Thomas Marinus VAN SCHAIJK,Robin Daniel BUIJS. Владелец: Stichting Nederlandse Wetenschappelijk Onderzoek Instituten. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for creating a menu structure on a measuring transducer of process automation technology

Номер патента: US20240053995A1. Автор: Stefan Robl,Stefan Kempf. Владелец: Endress and Hauser Conducta GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-02-15.

Device for transporting structures on water

Номер патента: WO2006080850A1. Автор: Trond LANDBØ,Tor Ole Olsen,Arnstein Godejord,Kolbjörn HÖYLAND,Ronald Seim. Владелец: Mpu Enterprise As. Дата публикации: 2006-08-03.

Method and structures for use in mounting a super structure on a foundation pile

Номер патента: NL2031453B1. Автор: Désiré Lammers Martinus. Владелец: Sif Holding N V. Дата публикации: 2023-10-24.

Methods and systems of obtaining patterned structures on surfaces

Номер патента: WO2021087172A1. Автор: Jason Hayes Nadler,Katherine E. COPENHAVER. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2021-05-06.

Device for transporting structures on water

Номер патента: EP1846286A1. Автор: Trond LANDBØ,Tor Ole Olsen,Arnstein Godejord,Kolbjörn HÖYLAND,Ronald Seim. Владелец: Mpu Enterprise As. Дата публикации: 2007-10-24.

Device for measuring the position of at least one structure on a substrate

Номер патента: US7872763B2. Автор: Tillmann Ehrenberg,Katrin Pietsch,Klaus-Dieter Adam. Владелец: VISTEC SEMICONDUCTOR SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2011-01-18.

Method of accelerated non-destructive measurement of a layered structure on a massive substrate and a device for the implementation of the method

Номер патента: WO2023072322A2. Автор: Tomáš Fíla,Daniel Vavřík,Vaclav Rada,Petr Zlámal. Владелец: Ústav teoretické a aplikované mechaniky AV CR, v.v.i.. Дата публикации: 2023-05-04.

LED light source mechanism, telephone set, and method for forming LED light source

Номер патента: AU2020203677A1. Автор: Kyota Kubo. Владелец: NEC Platforms Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Led light source mechanism, telephone set, and method for forming led light source

Номер патента: EP3745692A1. Автор: Kyota Kubo. Владелец: NEC Platforms Ltd. Дата публикации: 2020-12-02.

Led light source mechanism, telephone set, and method for forming led light source

Номер патента: US20220003363A1. Автор: Kyota Kubo. Владелец: NEC Platforms Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

LED support for forming LED circuit of display and/or lighting device, has discontinuous strip with ends respectively connected to input and output strips that are respectively extended on both sides of row of LEDs and over length of row

Номер патента: FR2934916A1. Автор: Antoine Laurain. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-12.

Led light source mechanism, telephone set, and method for forming led light source

Номер патента: US20220003363A1. Автор: Kyota Kubo. Владелец: NEC Platforms Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Led light source mechanism, telephone set, and method for forming led light source

Номер патента: EP3745692A4. Автор: Kyota Kubo. Владелец: NEC Platforms Ltd. Дата публикации: 2021-03-24.

Optical architecture with hybrid on-silicon III-V modulator

Номер патента: US12078909B2. Автор: Jin Hong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Optical architecture with hybrid on-silicon iii-v modulator

Номер патента: US20240369898A1. Автор: Jin Hong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Zinc oxide on silicon device for parallel in, serial out, discrete fourier transform

Номер патента: US4194171A. Автор: Edward C. Jelks. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1980-03-18.

Thin-film litao3 saw resonator on silicon substrate with reduced spurious modes

Номер патента: WO2021008847A1. Автор: Matthias Knapp,Gholamreza Dadgar Javid,Manuel Sabbagh. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2021-01-21.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING LED LIGHT EMITTERS

Номер патента: US20150070872A1. Автор: Yan Xiantao. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING LED LIGHT EMITTERS

Номер патента: US20160069520A1. Автор: Yan Xiantao. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

lighting device irradiating the light on the road surface linked turn signal lamp of a vehicle for forming LED reflections in specific notifying area

Номер патента: KR200481741Y1. Автор: 강진범. Владелец: 강진범. Дата публикации: 2016-11-04.

Photon RF frequency doubling chip based on silicon-based micro-ring modulator and control method thereof

Номер патента: CN115037379A. Автор: 张强,余辉. Владелец: Zhejiang Lab. Дата публикации: 2022-09-09.

Local buffers in a liquid crystal on silicon chip

Номер патента: EP2949127B1. Автор: Jonathan B. ASHBROOK,Nicholas F. Jungels,Brian R. Carey,Lionel LI. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2018-10-24.

Method for forming LED bulb with high interchangeability and universality and integrated LED bulb and lamp

Номер патента: US09625111B2. Автор: Jiqiang Zhang,Zheyuan Zhang. Владелец: Guizhou Gzgps Co ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

A kind of simple and fast alternate form LED panel lamp and its implementation

Номер патента: CN108799955A. Автор: 徐国栋,任凯,胡太荣,甘禹. Владелец: Hengdian Group Tospo Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-13.

Nano-liquid crystal on silicon (lcos) chip having reduced noise

Номер патента: WO2007024924A3. Автор: Gihong Kim,Tae Soo Chun. Владелец: Sysview Technology Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Liquid crystal on silicon display

Номер патента: US20060012734A1. Автор: Chia-Te Lin,Ta-Shuang Kuan,Chia-Tsung Chan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-01-19.

Area selective deposition of metal film on silicon containing surfaces utilizing halides

Номер патента: WO2024215931A1. Автор: Chang-Won Lee,Po-Chun Liu,Tingmin Wang,Lanxia CHENG. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Modular stable form LED support

Номер патента: CN111706803A. Автор: 李庭庭. Владелец: 李庭庭. Дата публикации: 2020-09-25.

Photoresist patterning on silicon nitride

Номер патента: GB2579525A. Автор: Guo Jing,Liu Chi-chun,Meli Thompson Luciana,CHI Cheng,Seshadri Indira,Anuja De Silva Ekmini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-24.

Wire Grid Polarizer with Silicon Dioxide Side Ribs on Silicon Wire

Номер патента: US20230021232A1. Автор: Daniel Bacon-Brown,Matthew C. George,R. Stewart Nielson,Shaun Patrick Ogden. Владелец: Moxtek Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for Forming LED Bulb with High Interchangeability and Universality and Integrated LED Bulb and Lamp

Номер патента: US20150247612A1. Автор: Zhang Jiqiang,Zhang Zheyuan. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-03.

LED Lighting Assembly and Method of Forming LED Lighting Assemblies for Retrofit into Flourescent Housing Fixtures

Номер патента: US20140355272A1. Автор: Der Jeou CHOU. Владелец: Enertron Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Method of forming LED-based light and resulting LED-based light

Номер патента: US7976196B2. Автор: John Ivey,David L Simon. Владелец: Altair Engineering Inc. Дата публикации: 2011-07-12.

Isolated form LED explosion-proof lamp

Номер патента: CN113483290A. Автор: 王艳平,金源,程小庆,金盛立. Владелец: Shenyang North Explosion Proof Co ltd. Дата публикации: 2021-10-08.

Method for forming led bulb with high interchangeability and universality and integrated led bulb and lamp

Номер патента: EP2886933A1. Автор: Jiqiang Zhang,Zheyuan Zhang. Владелец: Guizhou Gzgps Co ltd. Дата публикации: 2015-06-24.

Preparation of porous, pure silicon dioxide and of chromium-oxide-on-silicon dioxide catalysts

Номер патента: CA1172619A. Автор: Abraham Van Montfoort,Lambertus J.M.A. Van De Leemput,Godefridus A.H. Nooijen,Joseph J.F. Scholten. Владелец: Stamicarbon BV. Дата публикации: 1984-08-14.

Nano-liquid crystal on silicon (lcos) chip having reduced noise

Номер патента: WO2007024924A2. Автор: Gihong Kim,Tae Soo Chun. Владелец: Sysview Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-03-01.

A silicon mesa structure integrated in a glass-on-silicon waveguide, and a method of manufacturing it

Номер патента: AU1131701A. Автор: Kent Erik Mattsson. Владелец: NKT Research Center AS. Дата публикации: 2001-05-14.

Silicon-on-silicon differential input sensors

Номер патента: AU2044892A. Автор: Peter V. Loeppert,Warren S. Graber. Владелец: Monolithic Sensors Inc. Дата публикации: 1993-01-28.

Asymmetric waveguide configuration on silicon nitride basis

Номер патента: WO2015143962A1. Автор: Tom Collins,Joost Brouckaert. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-10-01.

Plasma sprayed mullite coatings on silicon based ceramic materials

Номер патента: EP1047653B1. Автор: Stephen Chin,Daniel R. Godin,George E. Foster,Philip H. McCluskey,Harry E. Eaton, Jr.,Charles A. Ellis,Glenn A. Cotnoir,H. David Harter. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2002-03-13.

Plasma sprayed mullite coatings on silicon based ceramic materials

Номер патента: EP1047653A2. Автор: Stephen Chin,Daniel R. Godin,George E. Foster,Philip H. McCluskey,Harry E. Eaton, Jr.,Charles A. Ellis,Glenn A. Cotnoir,H. David Harter. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2000-11-02.

Plasma sprayed mullite coatings on silicon based ceramic materials and a method of making the same

Номер патента: WO1999024379A2. Автор: Stephen Chin,Daniel R. Godin,George E. Foster,Philip H. McCluskey,Harry E. Eaton, Jr.,Charles A. Ellis,Glenn A. Cotnoir,H. David Harter. Владелец: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 1999-05-20.

Dye composition based on copolymers derived from the polymerization of at least one crotonic acid monomer or crotonic acid derivative and on silicone

Номер патента: US12138339B2. Автор: Sophie Bodelin,David Seneca,Delphine Charrier,Melissa Lassale. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2024-11-12.

Micro-mechanics component e.g. pressure sensor, has membrane with silicon dioxide layer provided on silicon substrate, and piezoelectric or piezo-resistive conducting strips integrated between silicon dioxide and silicon nitride layers

Номер патента: FR2867178A1. Автор: Frank Fischer,Arnim Hoechst. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2005-09-09.

Alkaline-earth metal silicides on silicon

Номер патента: US6022410A. Автор: Jun Wang,Jonathan K. Abrokwah,Ravindranath Droopad,Daniel S. Marshall,Zhiyi Yu,Jerald A. Hallmark. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Preparation of sensors on oligo- or poly (ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: US20130296574A1. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: Chin Ming Yam. Дата публикации: 2013-11-07.

Preparation of sensors on oligo- or poly (ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: US20090082222A1. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2009-03-26.

Preparation of sensors on oligo-or poly (ethylene glycol) films on silicon surfaces

Номер патента: WO2009131891A1. Автор: Jianhua Gu,Chengzhi Cai,Chin Ming Yam. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2009-10-29.

Micro needles production method, involves providing micro needles with height on silicon substrate with silicon oxide coating, where varnish layer is arranged on silicon substrate

Номер патента: DE102006028914A1. Автор: Christian Maeurer,Ralf Reichenbach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2007-12-27.

HOMOGENEOUS OIL COMPOSITION BASED ON SILICONE GUM

Номер патента: FR2760357A1. Автор: Isabelle Bara. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 1998-09-11.

Composition, useful to treat keratin fibers, preferably human hair, comprises one or more copolymers based on silicone resin and silicone fluid, volatile solvents, and aminated silicones comprising one or more intrachain amine function

Номер патента: FR2958543A1. Автор: Gaëlle Brun,Arnaud Bonnamy. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2011-10-14.

NON-PNEUMATIC ELASTIC WHEEL INCORPORATING LAMINATE BASED ON SILICONE RUBBER AND FIBER-RESIN COMPOSITE

Номер патента: FR3056444A1. Автор: Antonio Delfino,Philippe Berguerand,Francois Pozo,Pascal Schroeter. Владелец: Michelin Recherche et Technique SA Switzerland. Дата публикации: 2018-03-30.

Care and/or makeup composition comprising a silicone elastomer containing carboxylic acid functions and a copolymer based on silicone resin and silicone of the dimethiconol type.

Номер патента: FR3126877A1. Автор: Guillaume Kergosien,Kévin DU. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2023-03-17.

Biochip based on silicon base produced in photolithography and etching technology useful in biological and medical analysis, comprises several individual recesses deposited in top e.g. silicon- or metal oxide layer of silicon based chips

Номер патента: DE102011104143A1. Автор: Auf Nichtnennung Antrag. Владелец: Borros Arneth. Дата публикации: 2012-12-20.

Polycrystalline sintered articles based on silicon nitride and sintering additives

Номер патента: US4814301A. Автор: Alfred Lipp,Detlef Steinmann. Владелец: Elektroschmelzwerk Kempten GmbH. Дата публикации: 1989-03-21.

Method for improving base coating formation on silicon steel by controlling winding tension

Номер патента: CA1270729A. Автор: Michael A. Fedoris. Владелец: Allegheny Ludlum Corp. Дата публикации: 1990-06-26.

Compositions based on silicone resin, methods of obtaining same and applications thereof

Номер патента: WO2009138618A3. Автор: Philippe Perret,Loic Adamczak,Pierrick Pavallier,Frederic Bouchaud. Владелец: VALEO MATERIAUX DE FRICTION. Дата публикации: 2010-02-18.

Care and/or makeup composition comprising a silicone elastomer containing carboxylic acid functions and a copolymer based on silicone resin and silicone of the dimethiconol type.

Номер патента: FR3126877B1. Автор: Guillaume Kergosien,Kévin DU. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2023-08-11.

Electro-optical modulators and applications based on silicon processing compatible nonlinear optical materials

Номер патента: US20230168561A1. Автор: Rajat Sharma,Alex Friedman,Yeshaiahu Fainman,Andrew Ingram,Andrew GRIECO,Alexei Smolyaninov,Dhaifallah Almutairi,Naif Alshamrani,Hani NEJADRIAHI,Dmitrii Belogolovskii. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-06-01.

Photoresist patterning on silicon nitride

Номер патента: WO2019064172A1. Автор: CHENG Chi,Jing Guo,Ekmini Anuja De Silva,Chi-chun Liu,Indira Seshadri,Luciana Meli Thompson. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2019-04-04.

Micro-size optical switch on silicon-on-insulator platform

Номер патента: US20110142394A1. Автор: Trevor Hall,DeGui Sun. Владелец: UNIVERSITY OF OTTAWA. Дата публикации: 2011-06-16.

Stretch formed LED lamp holder

Номер патента: CN102506397B. Автор: 黄崇贤. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-23.

METHOD FOR FORMING IDENTIFICATION MARKS ON SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20130157009A1. Автор: Kondo Sadahiko. Владелец: HITACHI METALS ,LTD.. Дата публикации: 2013-06-20.

METHOD FOR FORMING MICROELECTRODE-PAIR ARRAYS ON SILICON SUBSTRATE SURFACE WITH HYDROPHOBIC SILICON PILLARS

Номер патента: US20140120271A1. Автор: JIANG Lei,Su Bin,MA Jie,Wang Shutao,Song Yanlin. Владелец: Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences. Дата публикации: 2014-05-01.

BONDING OF HETEROGENEOUS MATERIAL GROWN ON SILICON TO A SILICON PHOTONIC CIRCUIT

Номер патента: US20150177458A1. Автор: Bowers John E.,Bovington Jock. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

METHOD FOR PREPARING BACTERICIDAL FILM HAVING SILICON NITRIDE BINDING LAYER ON SILICONE

Номер патента: US20210198782A1. Автор: Mak Fook Chi. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

BONDING OF A HETEROGENEOUS MATERIAL GROWN ON SILICON TO A SILICON PHOTONIC CIRCUIT

Номер патента: US20170227708A1. Автор: Bowers John E.,Bovington Jock. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2017-08-10.

The preparation of porous, pure silicon dioxide and of chromium-oxide-on-silicon dioxide catalysts

Номер патента: EP0050902A1. Автор: Godefridus Arnoldus Henricus Nooijen,Joseph Johannes Franciscus Scholten,Abraham Van Montfoort,Lambertus Johannes Maria Van De Leemput. Владелец: Stamicarbon BV. Дата публикации: 1982-05-05.

A sintered refractory material based on silicon carbide with a silicon nitride binder

Номер патента: KR101561989B1. Автор: 에릭 조지,올리비에르 시띠,올리비에르 마르갱,리오넬 모이트리에르. Владелец: 생-고뱅 생트레 드 레체르체 에 데투드 유로삐엔. Дата публикации: 2015-10-20.

Particulate silicone-modified acrylic rubber, particulate graft copolymer based on silicone-modified acrylic rubber, and thermoplastic resin composition

Номер патента: EP0791617A4. Автор: Nobuo Miyatake,Hiroki Yoshino,Hideki Hosoi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 1998-04-08.

Bonding of heterogeneous material grown on silicon to a silicon photonic circuit

Номер патента: US9360623B2. Автор: John E. Bowers,Jock BOVINGTON. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-06-07.

AQUEOUS SILICON DISPERSION BASED ON SILICONATE CROSSLINKING TO AN ELASTOMER BY REMOVAL OF WATER

Номер патента: FR2637605B1. Автор: Jean-Marc Frances,Michel Feder. Владелец: Rhone Poulenc Chimie SA. Дата публикации: 1990-12-14.

Solution for producing nano porous silicon film on silicon slice surface and method for producing same

Номер патента: CN102610699B. Автор: 杨可,蒋永锋,包晔峰. Владелец: CHANGZHOU CAMPUS OF HOHAI UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-02-26.

FRICTION REFRACTOR BLOCK BASED ON SILICON CARBIDE WITH SILICON NITRIDE BOND

Номер патента: FR2878520B1. Автор: Eric Jorge,Olivier Marguin. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2015-09-18.

FRICTION REFRACTOR BLOCK BASED ON SILICON CARBIDE WITH SILICON NITRIDE BOND

Номер патента: FR2878520A1. Автор: Eric Jorge,Olivier Marguin. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2006-06-02.

ANTI-TRANSFERING AND / OR DEODORANT SOLID COMPOSITION IN THE FORM OF WATER-IN-OIL EMULSION BASED ON SILICONE EMULSIFIER AND WAXES; METHOD OF TREATING BODY ODORS

Номер патента: FR2924937B1. Автор: Xavier Jalenques. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2013-05-17.

METHOD FOR MANUFACTURING A CERAMIC COMPOSITE MATERIAL REINFORCED WITH CARBON-BASED FIBERS CONTAINING SILICON CARBIDE, OR BASED ON SILICON CARBIDE.

Номер патента: FR3057863B1. Автор: Dietmar Koch,Bernd Mainzer,Bernhard Heidenreich. Владелец: Deutsches Zentrum fuer Luft und Raumfahrt eV. Дата публикации: 2022-02-18.

Sintered refractory block based on silicon carbide with a silicon nitride bond

Номер патента: CA2586783C. Автор: Eric Jorge,Olivier Marguin. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2012-05-22.

PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF A CARBON-BASED CERAMIC COMPOSITE MATERIAL FIBER CONTAINING SILICON CARBIDE, OR BASED ON SILICON CARBIDE.

Номер патента: FR3057863A1. Автор: Dietmar Koch,Bernd Mainzer,Bernhard Heidenreich. Владелец: Deutsches Zentrum fuer Luft und Raumfahrt eV. Дата публикации: 2018-04-27.

Sintered refractory block based on silicon carbide with a silicon nitride bond

Номер патента: EP1828077A2. Автор: Eric Jorge,Olivier Marguin. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2007-09-05.

CHARACTERIZATION OF SILICON-GERMANIUM ZONES ON SILICON

Номер патента: FR2798195B1. Автор: Didier Dutartre,Jean Claude Oberlin. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-11-16.

Sintered refractory block based on silicon carbide with a silicon nitride bond

Номер патента: CA2586783A1. Автор: Eric Jorge,Olivier Marguin. Владелец: Olivier Marguin. Дата публикации: 2006-06-01.

The dissimilar materials being grown on silicon is bonded with silicon photonic circuit

Номер патента: CN104882368B. Автор: 约翰·E·鲍威尔斯,乔克·波维顿. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-04-24.

Process for the preparation of polyurethane solutions based on silicon-polycarbonate diols

Номер патента: EP3302589A1. Автор: Francis P. MAGUIRE,Sriram Venkataramani. Владелец: Aortech Europe Ltd. Дата публикации: 2018-04-11.

A method of manufacturing a ceramic based on silicon carbide reinforced with silicon carbide fibers

Номер патента: RU2018132426A. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Сергей Николаевич Перевислов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2020-03-12.

Process for the preparation of polyurethane solutions based on silicon-polycarbonate diols

Номер патента: AU2016274604B2. Автор: Francis P. MAGUIRE,Sriram Venkataramani. Владелец: Aortech Europe Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Sintered refractory block based on silicon carbide with a silicon nitride bond

Номер патента: AU2005308712B2. Автор: Eric Jorge,Olivier Marguin. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2010-07-15.

Aqueous dispersions based on silicones and organic (co)polymeric latex for obtaining a silicone elastomer of selectable light transmittance

Номер патента: PL330598A1. Автор: Mathieu Joanicot,Roland Reeb,Michel Feder,Alain Morin,Allest Jean-Francois D. Владелец: Rhodia Chimie Sa. Дата публикации: 1999-05-24.

GRANULES BASED ON SILICON CARBIDE POWDER AND SILICON CARBIDE CERAMICS

Номер патента: DE4127354A1. Автор: Hans MEYER,Christoph Nover,Wolfgang Habel,Gutierez Antonio Migue Hurtado,Hans Rolf Dose,Zeynel Alkan. Владелец: Solvay Deutschland GmbH. Дата публикации: 1993-02-25.

Liquid crystal on silicon incorporating integrated spacers and silicon light valves and method for fabrication

Номер патента: US20030076461A1. Автор: Yong-Nien Rao,Hong-Da Liu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2003-04-24.

Dental composition based on silicone crosslinkable by cationic process

Номер патента: CA2345363C. Автор: Jean-Marc Frances. Владелец: Rhodia Chimie SAS. Дата публикации: 2006-11-28.

Sintered Refractory Block Based on Silicon Carbide with a Silicon Nitride Bond

Номер патента: US20070264576A1. Автор: Eric Jorge,Olivier Marguin. Владелец: Saint Gobain Centre de Recherche et dEtudes Europeen SAS. Дата публикации: 2007-11-15.

SILICON BASED ON SILICON DIOXIDE

Номер патента: RU2011105143A. Автор: Марек ТОКАРЗ,Ханс-Оке БАЛТСЕН,Марек ТОКАРЗ (SE),Ханс-Оке БАЛТСЕН (SE). Владелец: Акцо Нобель Н.В. (NL). Дата публикации: 2012-08-20.

The preparation of porous, pure silicon dioxide and of chromium-oxide-on-silicon dioxide catalysts

Номер патента: EP0050902B1. Автор: Godefridus Arnoldus Henricus Nooijen,Joseph Johannes Franciscus Scholten,Abraham Van Montfoort,Lambertus Johannes Maria Van De Leemput. Владелец: Stamicarbon BV. Дата публикации: 1984-05-23.

A kind of pixel array, silicon substrate and liquid crystal on silicon (LCOS) display device

Номер патента: CN108873439A. Автор: 郭建利. Владелец: Beijing Mirage Optoelectronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-23.

Single-crystal-silicon flexible ribbon for micro-mirror and MEMS assembly on silicon-on-insulator (SOI) material

Номер патента: EP1211726B1. Автор: Decai Sun,Michael A. Rosa. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2003-11-05.

Sintered refractory block based on silicon carbide with silicon nitride binder

Номер патента: RU2395477C2. Автор: Эрик ЖОРЖ,Оливье Маргюэн. Владелец: Сен-Гобен Сантр Де Решерш Э Д'Этюд Эропен. Дата публикации: 2010-07-27.

Sintered material based on silicon@ and silicon carbide

Номер патента: DE19708249A1. Автор: Shigeru Hanzawa. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1997-09-04.

Silicon epitaxial deposition, on silicon substrates in a radiant heated barrel CVD reactor, comprises substrate heating to the maximum temperature without intermediate dwell periods

Номер патента: DE19914502A1. Автор: . Владелец: BACHMEIER ALFRED GEORG. Дата публикации: 2000-10-05.

AQUEOUS SILICONE DISPERSION BASED ON SILICONATE CROSSLINKING TO AN ELASTOMER BY WATER REMOVAL

Номер патента: FR2637605A1. Автор: Jean-Marc Frances,Michel Feder. Владелец: Rhone Poulenc Chimie SA. Дата публикации: 1990-04-13.

SILICON OXIDE-BASED MEDIA, HETEROPOLIC ACID CATALYST ON THE BASIS AND SYNTHESIS OF COMPOUND ETHERS IN THE PRESENCE OF A HETEROPOLIC ACID CATALYST APPLIED ON SILICON OXIDE

Номер патента: RU2007115155A. Автор: Крейг БЕЙЛИ,Бенджамин Патрик ГРЕЙСИ,Крейг БЕЙЛИ (GB),Бенджамин Патрик ГРЕЙСИ (GB). Владелец: БП Кемикэлз Лимитед (GB). Дата публикации: 2008-11-10.

CVD-REACTOR FOR SYNTHESIS OF HETEROEPITAXIAL SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON SUBSTRATES

Номер патента: RU2021122786A. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Открытый код". Дата публикации: 2021-10-11.

Wafer scale fabrication of liquid crystal on silicon light modulation devices

Номер патента: WO2006020086A1. Автор: John Magana. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-02-23.

Gallium-oxide-on-silicon (gaoxs)

Номер патента: WO2023200688A3. Автор: Alexander A. Demkov,Tobias HADAMEK,Agham POSADAS. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2023-11-23.

Removing colorization on silicon carbide ceramic matrix composites

Номер патента: US11760695B2. Автор: Weiming Lu,Jun NABLE. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Reducing the bias on silicon light modulators

Номер патента: WO2002089107A1. Автор: Samson Huang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2002-11-07.

Reducing the bias on silicon light modulators

Номер патента: EP1384226A1. Автор: Samson Huang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-01-28.

Lubricant grease composition based on silicone base stock

Номер патента: WO2020018286A1. Автор: Detlev HESSE. Владелец: Dow Silicones Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Lubricant based on silicone oils or silicone greases

Номер патента: AU7289796A. Автор: Heinrich Smuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-05-07.

Quantum computer architecture based on silicon donor qubits coupled by photons

Номер патента: US20230042201A1. Автор: Jeffrey Young,Robert Raussendorf,Jingda WU,Xiruo YAN,Warit ASAVANANT. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2023-02-09.

Gallium-oxide-on-silicon (gaoxs)

Номер патента: WO2023200688A2. Автор: Alexander A. Demkov,Tobias HADAMEK,Agham POSADAS. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2023-10-19.

Dye composition based on copolymers derived from the polymerization of at least one crotonic acid monomer or crotonic acid derivative and on silicone

Номер патента: US20200170919A1. Автор: Sophie Bodelin,David Seneca,Delphine Charrier,Melissa Lassale. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2020-06-04.

Micro-textured cutter based on silicon brass structure and processing method and application thereof

Номер патента: AU2018437433A1. Автор: Liang Liang,Chao Yang,Yanfei Ding,Yuchuan YANG. Владелец: Guangdong Huayi Plumbing Fittings Industry Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Highly active catalyst for the polymerization of olefins with a boron-containing substrate based on silicon oxide and its manufacture

Номер патента: RU2014113382A. Автор: Сутхирават САМИНГПРАЙ,Онтеера ЙЕНДЖИТРАТТАНАВАЛИ,Чая ЧАНДАВАСУ. Владелец: ПТТ ГЛОБАЛ КЕМИКАЛ ПАБЛИК КОМПАНИ ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2015-10-20.

COMPOSITION OF A TOOTH FOR CLEANING THE TEETH NOT CONTAINING ALKYL SULPHATE AND ORTHOPHOSPHATE, CONTAINING A SOURCE OF FLUORIDE AND ABRASIVE FOR TEETH BASED ON SILICON DIOXIDE

Номер патента: RU2007135125A. Автор: Крейг Синклэр НЬЮБИ,Марк Эндрю НИСБЕТ,Кэтрин Сара ПРАЙС,Крейг Синклэр НЬЮБИ (GB),Марк Эндрю НИСБЕТ (GB),Кэтрин Сара ПРАЙС (GB). Владелец: Глаксо Груп Лимитед (GB). Дата публикации: 2009-04-27.

METHOD FOR PRODUCING HIGH-TEMPERATURE POWDER COMPOSITION MATERIAL BASED ON SILICON AND TITANIUM CARBIDES

Номер патента: RU2016123591A. Автор: Максим Николаевич Каченюк,Олег Васильевич Сомов,Светлана Аркадьевна Оглезнева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2017-12-20.

METHOD FOR PRODUCING NON-ADHESIVE COATING BASED ON SILICON CARBIDE

Номер патента: RU2011107880A. Автор: Жан-Поль ГАРАНДЕ,Беатрис ДРЕВЕ,Николя ЭСТАТОПУЛО,Эммануэль ФЛАОТ,Тома ПЬЕТРИ,Жан-Поль ГАРАНДЕ (FR),Беатрис ДРЕВЕ (FR),Николя ЭСТАТОПУЛО (FR),Эммануэль ФЛАОТ (FR),Тома ПЬЕТРИ (FR). Владелец: Комиссарья А Л'Энержи Атомик Э Оз Энержи Альтернатив (Fr). Дата публикации: 2012-10-10.

CERAMIC NANOSTRUCTURED MATERIAL BASED ON SILICON NITRIDE AND METHOD FOR PRODUCING IT

Номер патента: RU2016142907A. Автор: Михаил Юрьевич Попов,Иван Павлович Иллич-Свитыч,Николай Владимирович Хохлов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2018-05-03.

METHOD FOR PRODUCING AN ALKALI METAL CATALYZER SUPPLIED ON SILICON DIOXIDE

Номер патента: RU2015116885A. Автор: Иан Эндрю ЙОРК,Тревор Хью МОРРИС. Владелец: ЛУСАЙТ ИНТЕРНЭШНЛ ЮКей ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2016-11-27.

Quantum computer architecture based on silicon donor qubits coupled by photons

Номер патента: EP4088231A4. Автор: Jeffrey Young,Robert Raussendorf,Jingda WU,Xiruo YAN,Warit ASAVANANT. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2024-01-17.

Reducing the bias on silicon light modulators

Номер патента: TWI276024B. Автор: Samson X Huang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-03-11.

Conductive sheet with conduction layer formed on silicon-contained layer

Номер патента: TW200414233A. Автор: Shigeki Miura. Владелец: Fcm Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-01.

Conductive sheet with conduction layer formed on silicon-contained layer

Номер патента: TWI240932B. Автор: Shigeki Miura. Владелец: Fcm Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-01.

System and method for suspending a framework structure on a load bearing structure of a building and use of such suspension system

Номер патента: EP4330478A1. Автор: Magnus Gunnarsson,Erik Wärme. Владелец: Balco Group Ab. Дата публикации: 2024-03-06.

Method to form aligned interface coating on silicon carbide fibers

Номер патента: EP4276085A1. Автор: Asa Frye,Daniel L. BECERRA,Cristal CHAN. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2023-11-15.

Transistor with metal-oxide-semiconductor structure on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: RU2477904C1. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков,Андрей Александрович Глушко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН). Дата публикации: 2013-03-20.

Method of producing refractory material based on silicon carbide and silicon

Номер патента: RU2439032C1. Автор: Сергей Викторович Дигонский,Виталий Вячеславович Тен. Владелец: Виталий Вячеславович Тен. Дата публикации: 2012-01-10.

Protection of angles of 3d micromechanical structures on silicon plate at deep anisotropic etching

Номер патента: RU2568977C1. Автор: Александр Викторович Ушков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА"). Дата публикации: 2015-11-20.

METHOD OF OBTAINING FIRE-PROOF MATERIAL BASED ON SILICON BETA-NITRIDE β-Si3N4

Номер патента: RU2490232C1. Автор: Игорь Михайлович Шатохин,Мансур Хузиахметович Зиатдинов. Владелец: Мансур Хузиахметович Зиатдинов. Дата публикации: 2013-08-20.

METHOD OF OBTAINING CONVERTER OF VACUUM ULTRAVIOLET RADIATION INTO VISIBLE RANGE RADIATION IN FORM OF AMORPHOUS SILICON OXIDE SiOX FILM ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2534173C2. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-11-27.

METHOD FOR MICROWAVE PLASMA FORMATION OF CUBIC SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON (3C-SiC)

Номер патента: RU2538358C1. Автор: Петр Павлович Мальцев,Юрий Владимирович Федоров,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2015-01-10.

Method of making silicon carbide films on silicon substrate

Номер патента: RU2341847C1. Автор: Елена Николаевна Федорова,Валентин Михайлович Иевлев,Сергей Владимирович Канныкин,Сергей Борисович Кущев,Сергей Анатольевич Солдатенко,Николай Владимирович Черников. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-12-20.

Method of outer corner over-etching compensation in figures etched on silicon plates with surface orientation (100)

Номер патента: RU2331137C1. Автор: Вадим Николаевич Лапенко,Сергей Петрович Тимошенков,Валерий Федорович Шилов,Юрий Александрович Чаплыгин,Владимир Николаевич Максимов,Елена Сергеевна Морозова,Вадим Григорьевич Рубчиц,Вячеслав Евгеньевич Плеханов,Виктор Владимирович Калугин,Степан Александрович Анчутин,В чеслав Евгеньевич Плеханов,Сергей Александрович Зотов,Олег Михайлович Бритков,Владимир Николаевич Балычев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет). Дата публикации: 2008-08-10.

Design of sensitive element of pressure converter based on silicon-on-insulator structure

Номер патента: RU2474007C1. Автор: Игорь Валерьевич Годовицын. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение "Научно-Производственный Комплекс "Технологический Центр" Миэт". Дата публикации: 2013-01-27.

Formation technique of ultrahard alloyed carbonic coating on silicon in vacuum

Номер патента: RU2342468C1. Автор: Марина Евгеньевна Галкина,Александр Яковлевич Колпаков,Ольга Вениаминовна Сафронова,Ирина Васильевна Суджанска,Ирина Васильевна Суджанская. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный университет". Дата публикации: 2008-12-27.

Method for presorting of cmos chips made on silicon-on-insulator structures, by resistance to radiation effect

Номер патента: RU2364880C1. Автор: Александр Юрьевич Никифоров,Виталий Арсеньевич Телец,Игорь Борисович Яшанин,Георгий Георгиевич Давыдов,Андрей Юлиевич Седаков,Армен Вагоевич Согоян,Алексей Владимирович Скобелев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2009-08-20.

Tin ion-implanted silicon oxide film on silicon substrate

Номер патента: RU2535244C1. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-12-10.

Dopand material based on silicon nitride and method of its production

Номер патента: RU2218440C2. Автор: М.Х. Зиатдинов. Владелец: Зиатдинов Мансур Хузиахметович. Дата публикации: 2003-12-10.

Method for manufacturing self-aligning planar two-gate mos transistor on silicon-0n-insulator substrate

Номер патента: RU2312422C2. Автор: Евгений Васильевич Кузнецов,Александр Николаевич Сауров,Елена Николаевна Рыбачек. Владелец: Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники". Дата публикации: 2007-12-10.

Method of growing epitaxial europium monoxide films on silicon

Номер патента: RU2557394C1. Автор: Петр Евгеньевич Тетерин,Дмитрий Валерьевич Аверьянов,Вячеслав Григорьевич Сторчак,Юрий Григорьевич Садофьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2015-07-20.

Process of production of alloying material based on silicon nitride

Номер патента: RU2210615C1. Автор: В.А. Чернов,И.М. Шатохин,А.Д. Носов,М.Х. Зиатдинов. Владелец: Чернов Валерий Александрович. Дата публикации: 2003-08-20.

Manufacturing method of items from ceramic material by hot pressing based on silicon nitride

Номер патента: RU2443659C1. Автор: Георгий Юрьевич Сморчков,Анатолий Иванович Рачковский,Игорь Евгеньевич Вичканский,Валентина Павловна Белова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" - Госкорпорация "Росатом". Дата публикации: 2012-02-27.

Method of preparing thin-film metal structure of tungsten on silicon

Номер патента: RU2375785C1. Автор: Геннадий Михайлович Михайлов,Светлана Всеволодовна Плющева,Сергей Юрьевич Шаповал,Александра Викторовна Андреева,Геннадий Михайлович Михайлов (RU),Светлана Всеволодовна Плющева (RU),Сергей Юрьевич Шаповал (RU),Александра Викторовна Андреева (RU). Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов. Дата публикации: 2009-12-10.

Method to reject cmos microchips manufactured on silicon-on-insulator structures, by resistance to radiation exposure

Номер патента: RU2411527C1. Автор: Александр Юрьевич Никифоров,Виталий Арсеньевич Телец,Игорь Борисович Яшанин,Николай Николаевич Киселев,Георгий Георгиевич Давыдов,Вячеслав Викторович Маслов,Армен Вагоевич Согоян,Лев Анатольевич Синегубко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2011-02-10.

Ceramic material based on silicon carbide and nitride and method of manufacturing products from it

Номер патента: RU2511415C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Вадим Александрович Некрасов,Дмитрий Сергеевич Оболенский,Андрей Николаевич Фалькович. Владелец: Максим Вячеславович Бушуев. Дата публикации: 2014-04-10.

Method to sort cmos microcircuit chips manufactured on silicon-on-insulator structures by radiation resistance

Номер патента: RU2444742C1. Автор: Игорь Борисович Яшанин,Алексей Владимирович Скобелев,Максим Николаевич Зубарев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2012-03-10.

Cvd-reactor and method of synthesis of hetero-epitaxial films of silicon carbide on silicon

Номер патента: RU2394117C2. Автор: Борис Михайлович Синельников,Виталий Алексеевич Тарала,Иван Сергеевич Митченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-производственная фирма "Эпикрист". Дата публикации: 2010-07-10.

Method of forming microstructured and heavily doped layer on silicon surface

Номер патента: RU2550868C2. Автор: Сергей Иванович Кудряшов,Андрей Алексеевич Ионин,Леонид Владимирович Селезнев,Сергей Владимирович Макаров,Павел Николаевич Салтуганов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН). Дата публикации: 2015-05-20.

Method of inspecting quality of led structure

Номер патента: RU2521119C1. Автор: Александр Николаевич Пихтин,Сергей Анатольевич Тарасов,Екатерина Андреевна Менькович,Иван Анатольевич Ламкин,Александр Васильевич Соломонов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)". Дата публикации: 2014-06-27.

Method of producing ceramic armour material based on silicon carbide and boron carbide and ceramic armour material based on silicon carbide and boron carbide

Номер патента: RU2440956C1. Автор: Владимир Валерьевич Ленский,Евгений Федорович Харченко,Владимир Александрович Анискович,Илья Сергеевич Гавриков,Валерий Анатольевич Быков,Евгений Федорович Харченко (RU),Владимир Александрович Анискович (RU),Владимир Валерьевич Ленский (RU),Илья Сергеевич Гавриков (RU),Валерий Анатольевич Быков (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "АРМОКОМ-ЦЕНТР". Дата публикации: 2012-01-27.

Method of obtaining gas-liquid-solid-phase microchromatographic columns on silicon plates and device for thereof realisation

Номер патента: RU2540067C1. Автор: Владимир Сергеевич Павельев,Юрий Иванович Арутюнов,Игорь Артемьевич Платонов,Владимир Игоревич Платонов,Лариса Викторовна Павлова,Екатерина Анатольевна Новикова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмическкий университет имени академика С.П. Королева" (национальный исследовательский университет)" (СГАУ). Дата публикации: 2015-01-27.

Method of producing heteroepitaxial silicon carbide films on silicon substrate

Номер патента: RU2521142C2. Автор: Шихгасан Муфтялиевич Рамазанов,Гусейн Муфтялиевич Рамазанов,Газимагомед Убайдулаевич Газимагомедов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СИКЛАБ". Дата публикации: 2014-06-27.

Method of production of composite materials based on silicon dioxide

Номер патента: RU2528667C2. Автор: Абдулгалим Будаевич Исаев,Зазав Мустафаевич Алиев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВРСИТЕТ". Дата публикации: 2014-09-20.

Device for protection against static electricity discharges of power leads of complementary mos (metal-oxide-semiconductor) integrated circuits on silicon wafers with n-type conductivity

Номер патента: RU2585882C2. Автор: Сергей Николаевич Абрамов,Владимир Николаевич Гуминов. Владелец: Открытое акционерное общество "АНГСТРЕМ". Дата публикации: 2016-06-10.

Method for flaw inspection of silicon dioxide films on silicon substrates

Номер патента: RU2127927C1. Автор: В.Д. Скупов,В.К. Смолин,В.В. Лашманов. Владелец: Научно-исследовательский институт измерительных систем. Дата публикации: 1999-03-20.

Clarifying thin-film coating based on silicon(iv) and bismuth(iii) oxide compounds

Номер патента: RU2542997C1. Автор: Людмила Павловна Борило,Александра Геннадьевна Мальчик,Светлана Анатольевна Кузнецова,Владимир Васильевич Козик. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2015-02-27.

Solder for tinning aluminium film on silicon

Номер патента: RU2477206C1. Автор: Виктор Адыгеевич Созаев,Мурат Хажисмелович Понежев,Аслан Зарифович Кашежев,Артур Рубенович Манукянц,Андрей Дмитриевич Прохоренко,Кристина Муратовна Елекоева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет) (СКГМИ (ГТУ). Дата публикации: 2013-03-10.

Apparatus for laying bundled cable having fixed part of structure on movable part

Номер патента: RU2489783C1. Автор: Георгий Андреевич Терен,Эдуард Александрович Дубовский. Владелец: Закрытое акционерное общество "Гражданские самолеты Сухого". Дата публикации: 2013-08-10.

Method of monitoring displacements of earth's surface and deformation of structures on territory of mineral deposits

Номер патента: RU2446411C2. Автор: Роман Олегович Самсонов,Наиль Анатольевич Гафаров,Игорь Александрович Зинченко,Юрий Борисович Баранов,Дмитрий Николаевич Севастьянов,Владимир Васильевич Билянский,Валерий Иванович Маринин,Петр Владимирович Корвяков,Юрий Игоревич Кантемиров,Евгений Валентинович Киселевский,Сергей Павлович Вергелес,Сергей Эдуардович Никифоров,Дмитрий Сергеевич Сергеев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский институт природных газов и газовых технологий - Газпром ВНИИГАЗ" (ООО "Газпром ВНИИГАЗ"). Дата публикации: 2012-03-27.

Method to construct buildings, structures on unevenly compressible soils

Номер патента: RU2494194C2. Автор: Владимир Вениаминович Лушников,Юрий Рувимович Оржеховский,Виталий Иванович Соломин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Экспертно-консультационная фирма "ГеоСтройЭксперт". Дата публикации: 2013-09-27.

Method for production of quantum size structures on basis of amorphous silicon nano-clusters, built into dielectric matrix

Номер патента: RU2292606C2. Автор: Аркадий Евгеньевич Бердников,Александр Афанасьевич Попов,Владимир Дмитриевич Черномордик. Владелец: Институт микроэлектроники и информатики РАН. Дата публикации: 2007-01-27.

Method of manufacturing of thick-film structure on basis of high-temperature superconductor

Номер патента: RU2352025C1. Автор: Юрий Евгеньевич Григорашвили,Нина Николаевна Волик. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет). Дата публикации: 2009-04-10.

Method of forming ordered structures on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2593633C1. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2016-08-10.

Method for correction of vertical position of buildings and structures on panel-wall foundation

Номер патента: RU2352723C1. Автор: Леонид Викторович Нуждин,Матвей Леонидович Нуждин. Владелец: Матвей Леонидович Нуждин. Дата публикации: 2009-04-20.

Method to manufacture building material and method to erect motor road beds and surface structures on its basis

Номер патента: RU2455414C1. Автор: Всеволод Анатольевич Мымрин. Владелец: Всеволод Анатольевич Мымрин. Дата публикации: 2012-07-10.

Production of surface layer plastic structure on gun breech frame front ledge

Номер патента: RU2524268C1. Автор: Виктор Никонорович Семенов,Алексей Михайлович Сорокин,Дмитрий Викторович Игнатов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Промтехнология". Дата публикации: 2014-07-27.

A footing support for a structure on a surface

Номер патента: AU2017236050B2. Автор: An Wang. Владелец: Anw Design Pty Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Spillway structure on rock bed

Номер патента: RU2211280C2. Автор: В.П. Ягин,Н.Н. Нейланд,В.И. Брызгалов,А.П. Епифанов. Владелец: Открытое акционерное общество "Саяно-Шушенская ГЭС". Дата публикации: 2003-08-27.

Hydraulic structure on slumping ground

Номер патента: RU2033490C1. Автор: Н.Н. Фролов,Р.Т. Кубенов. Владелец: Московский гидромелиоративный институт. Дата публикации: 1995-04-20.

Method for horizontal draining of waterlogged structures on pile foundations

Номер патента: RU2539447C2. Автор: Юрий Викторович Пономаренко,Алексей Алексеевич Воронин. Владелец: Алексей Алексеевич Воронин. Дата публикации: 2015-01-20.

Method and device for year-round cooling, freezing of ground at foundation base and for heat supply of structure on permafrost ground in cryolytic zone

Номер патента: RU2519012C2. Автор: Дмитрий Семенович Стребков,Станислав Николаевич Трушевский. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской Академии Сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ). Дата публикации: 2014-06-10.

Device of upper track structure on bridges with driving on ballast and method of its erection

Номер патента: RU2636289C1. Автор: Артем Витальевич Письмак,Марина Вадимовна Мельникова,Денис Юрьевич Зыков,Алла Аркадьевна Кучеровская. Владелец: Акционерное общество "Росжелдорпроект" (АО "Росжелдорпроект"). Дата публикации: 2017-11-21.

Earth structure on soft foundation

Номер патента: RU2208091C1. Автор: С.М. Жданова. Владелец: Дальневосточный государственный университет путей сообщения. Дата публикации: 2003-07-10.

Method for setting ceramic metal structures on vital teeth

Номер патента: RU2299703C1. Автор: Александр Сергеевич Бабиков,Алексей Владимирович Федорин,Владислав Иосифович Меерович,Александр Сергеевич Бабиков (RU),Алексей Владимирович Федорин (RU),Владислав Иосифович Меерович (RU). Владелец: ООО "Визави". Дата публикации: 2007-05-27.

Method of reducing fire hazard of wood, materials and structures on its basis with coating materials

Номер патента: RU2602611C2. Автор: Андрей Борисович Сивенков,Миржан Маратович Альменбаев. Владелец: Миржан Маратович Альменбаев. Дата публикации: 2016-11-20.

Method of making structures on basis of semiconductor monocrystals and organic molecules

Номер патента: RU2504430C1. Автор: Анвар Саматович Баймуратов,Александр Васильевич Баранов,Михаил Александрович Баранов,Кирилл Вадимович Богданов,Андрей Викторович Вениаминов,Галина Николаевна Виноградова,Юлия Александровна Громова,Марина Сергеевна Губанова,Виктор Валерьевич Захаров,Михаил Юрьевич Леонов,Александр Петрович Литвин,Владимир Григорьевич Маслов,Мария Викторовна Мухина,Анна Олеговна Орлова,Пётр Сергеевич Парфёнов,Владимир Анатольевич Полищук,Елена Владимировна Ушакова,Анатолий Валентинович Фёдоров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики". Дата публикации: 2014-01-20.

Ground structure on weak base

Номер патента: RU2490395C1. Автор: Алексей Анатольевич Пиотрович,Светлана Мирзахановна Жданова,Юрий Викторович Акимов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный государственный университет путей сообщения" (ДВГУПС). Дата публикации: 2013-08-20.

Road structure on loose ground

Номер патента: RU2107767C1. Автор: Виктор Дмитриевич Прохоренков,Алексей Викторович Прохоренков. Владелец: Алексей Викторович Прохоренков. Дата публикации: 1998-03-27.

Ground structure on permafrost foundation

Номер патента: RU2029813C1. Автор: В.А. Дербас,С.М. Жданова. Владелец: Хабаровский институт инженеров железнодорожного транспорта. Дата публикации: 1995-02-27.

Photolithographic interference method of creating nanosized two-dimensional periodic structures on light-sensitive sample of arbitrary area

Номер патента: RU2548943C1. Автор: Юрий Константинович Веревкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт прикладной физики РАН. Дата публикации: 2015-04-20.

Mooring structure on weak ground and method for erecting the same

Номер патента: RU2070249C1. Автор: В.Д. Костюков,П.А. Щепетинов,И.Н. Ярошенко. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Ассоциация "МОЛ ИНК". Дата публикации: 1996-12-10.

Metrology method and device for measuring a periodic structure on a substrate

Номер патента: NL2025072A. Автор: WARNAAR Patrick,Aloysius Jacobus Tinnemans Patricius. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2020-05-06.

Led light source mechanism, telephone set, and method for forming led light source

Номер патента: CA3084202A1. Автор: Kyota Kubo. Владелец: NEC Platforms Ltd. Дата публикации: 2020-09-26.

Far and near fiber lamp utensil of waterproof type integrated form LED car

Номер патента: CN205424736U. Автор: 陈飞,章进鹏. Владелец: Suzhou Wenyang Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-03.

Bowl dish form LED lamp

Номер патента: CN205619023U. Автор: 陈晖�,方虎,曹茂军. Владелец: Ningbo Yamao Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-05.

Plastic piece injection-mold die of positioning lens or forming lens with formed LED integrated structure

Номер патента: CN201741711U. Автор: 杨东佐. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-09.

TIR TRANSISTOR ON SILICON STRUCTURE ON SAPPHIRE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2004117756A. Автор: Алексей Сергеевич Адонин,Алексей Сергеевич Адонин (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образовани Московский государственный институт электроники и математики (Технический Университет) (RU). Дата публикации: 2005-11-20.

Construction is with stable form LED lighting apparatus of convenient angle regulation

Номер патента: CN212719319U. Автор: 曹荣叶,张丽顺. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-16.

Alternate form LED lamp

Номер патента: CN206222026U. Автор: 曾小云,邓金生,唐石林. Владелец: Dongguan Pan American Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Pin cutting device for forming LED (light emitting diode) chip module

Номер патента: CN211376612U. Автор: 蔡素菊. Владелец: Shenzhen Jinghuatai Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-08-28.

A kind of isolated form LED drive circuit based on transformer

Номер патента: CN204291498U. Автор: 杨成撑. Владелец: SHANGHAI AS PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-22.

A kind of floodlight forming LED average illumination

Номер патента: CN204062569U. Автор: 方迪勇. Владелец: CHANGSHA XINYUAN ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-31.

Integrated form LED garden lamp

Номер патента: CN211853832U. Автор: 谭佳,周晨晨,王宜居,王艺诺,裴存宇. Владелец: SHANDONG MENGQI ELECTRIC Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Fabrication of nanoboulders on silicon surfaces

Номер патента: NZ523921A. Автор: Andreas Markwitz. Владелец: Inst Of Geol & Nuclear Science. Дата публикации: 2005-08-26.

Method of test for defects of silicon dioxide films on silicon backings

Номер патента: RU2033660C1. Автор: В.Д. Скупов,А.С. Виноградов,Б.В. Гуденко,С.А. Орловская. Владелец: Научно-исследовательский институт измерительных систем. Дата публикации: 1995-04-20.

Method of manufacturing products from material based on silicon binding substances

Номер патента: RU2121918C1. Автор: В.В. Карпов,А.И. Батулов,В.П. Птичников,П.Л. Гусика,Б.П. Милиневский,Ю.С. Шафран. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью "ЭКОЮРУС-ППТМ". Дата публикации: 1998-11-20.

Process of manufacture of contacts of integrated circuits based on silicon

Номер патента: RU2034364C1. Автор: В.А. Хрусталев,А.И. Мочалов,Д.Г. Громов,В.П. Пугачевич,А.А. Азаров. Владелец: Московский институт электронной техники. Дата публикации: 1995-04-30.

METHOD OF MICROWAVE PLASMA FORMATION OF CUBIC SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON (3С-SiC)

Номер патента: RU2013127679A. Автор: Петр Павлович Мальцев,Юрий Владимирович Федоров,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2014-12-27.

Forming silicon dioxide on silicon carbide

Номер патента: GB201204826D0. Автор: . Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2012-05-02.

Processes for forming an insulating coating on silicon, and to coated silicon

Номер патента: CA847830A. Автор: Partridge Graham,W. Mcmillan Peter,R. Ward Frank. Владелец: English Electric Co Ltd. Дата публикации: 1970-07-28.

Method of operation of the process of epitaxy of silicon from gaseous phase,especially on silicon substrate gazy,osobenno na kremnievojj podlozhke

Номер патента: PL120490B3. Автор: Jacek Korec,Jerzy Borkowicz,Elzbieta Nossarzewskaorlowska. Владелец: Osrodek Naukowo Prod Materialo. Дата публикации: 1982-03-31.

LOW SERIES RESISTANCE TRANSISTOR STRUCTURE ON SILICON ON INSULATOR LAYER

Номер патента: US20130175625A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Mehta Sanjay,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,Majumdar Amlan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

Process of production of magnetic fluid on silicon-organic base

Номер патента: RU2023318C1. Автор: В.А. Силаев,Е.Н. Бойкова. Владелец: Редкинский опытный завод. Дата публикации: 1994-11-15.

METHOD FOR DEPOSITING A SILICON OXIDE LAYER OF SAME THICKNESS ON SILICON AND ON SILICON-GERMANIUM

Номер патента: US20130072032A1. Автор: Dutartre Didier,Campidelli Yves,Breil Nicolas,Gourhant Olivier. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

SILICON FOR TINNING A SILICON FILM ON SILICON

Номер патента: RU2011132771A. Автор: Виктор Адыгеевич Созаев,Мурат Хажисмелович Понежев,Аслан Зарифович Кашежев,Артур Рубенович Манукянц,Кристина Муратовна Елекоев,Андрей Дмитриевич Прохоренко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет)(СККМИ(ГТУ). Дата публикации: 2013-02-10.

Group iii nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlayer structure

Номер патента: CA2493503C. Автор: John Adam Edmond,Hua-Shuang Kong,Kathleen Marie Doverspike,Michelle Turner Leonard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-11-29.

Method for deposition of high purity silicon on silicon particles from silicon source gases in fluidized bed reactor

Номер патента: KR960014593B1. Автор: 김희영,권대혁,전종열,박동순,이강모,송영목,이재송. Владелец: 재단법인 한국화학연구소. Дата публикации: 1996-10-16.

Optical alignment systems for forming LEDs having a rough surface

Номер патента: US20120062726A1. Автор: Hsieh Robert L.,Nguyen Khiem,Flack Warren W.,Hawryluk Andrew M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

Nano width resonance structure on silicon sheet of SOI and preparation process thereof

Номер патента: CN100526208C. Автор: 李铁,杨恒,焦继伟,王跃林,李昕欣,许科峰. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2009-08-12.

Method for protecting corners of three-dimensional micromechanical structures on silicon wafers during deep anisotropic etching

Номер патента: RU2220475C1. Автор: В.М. Школьников,Л.В. Соколов. Владелец: Научно-исследовательский институт авиационного оборудования. Дата публикации: 2003-12-27.

Method for forming LED element

Номер патента: CN101465319B. Автор: 李明顺,邱舒伟. Владелец: ZHOULEI YAOFU TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-03.

Heater Chips with Silicon Die Bonded on Silicon Substrate, Including Offset Wire Bonding

Номер патента: US20120133710A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

FABRICATION OF THROUGH-SILICON VIAS ON SILICON WAFERS

Номер патента: US20120164827A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-06-28.

FABRICATION OF THROUGH-SILICON VIAS ON SILICON WAFERS

Номер патента: US20120164829A1. Автор: Rajagopalan Nagarajan,Park Ji Ae,Yamase Ryan,Patel Shamik,Nowak Thomas,Xia Li-Qun,Kim Bok Hoen,Ding Ran,Baldino Jim,Naik Mehul,Ramaswami Sesh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-06-28.

GROWING COMPRESSIVELY STRAINED SILICON DIRECTLY ON SILICON AT LOW TEMPERATURES

Номер патента: US20120205784A1. Автор: Bedell Stephen W.,Sadana Devendra K.,Reznicek Alexander,Shahidi Ghavam G.,Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-16.

METHOD FOR FORMING FULLY RELAXED SILICON GERMANIUM ON SILICON

Номер патента: US20120299155A1. Автор: Liu Jinping. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2012-11-29.

SINTERED REFRACTORY MATERIAL BASED ON SILICON CARBIDE WITH A SILICON NITRIDE BINDER

Номер патента: US20130056915A9. Автор: Jorge Eric,Citti Olivier,Moitrier Lionel,Marguin Olivier. Владелец: SAINT-GOBAIN CENTRE DE RECHERCHES ET D'ETUDES EUROPEEN. Дата публикации: 2013-03-07.

METHOD FOR PRODUCING HETEROEPITAXIAL SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON SUBSTRATE

Номер патента: RU2012140590A. Автор: Шихгасан Муфтялиевич Рамазанов,Гусейн Муфтялиевич Рамазанов,Газимагомед Убайдулаевич Газимагомедов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СИКЛАБ". Дата публикации: 2014-03-27.

Preparation method of composite structure material based on silicon-based porous silicon/tungsten oxide nanowires

Номер патента: CN103526157A. Автор: 曾鹏,胡明,李明达,武雅乔,马双云,崔珍珍. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-01-22.

CVD EDITOR (OPTIONS) AND METHOD FOR SYNTHESIS OF HETEROEPITAXIAL SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON

Номер патента: RU2008110877A. Автор: Борис Михайлович Синельников,Виталий Алексеевич Тарала,Иван Сергеевич Митченко,Борис Михайлович Синельников (RU),Виталий Алексеевич Тарала (RU),Иван Сергеевич Митченко (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-Производственная Фирма "ЭПИКРИСТ" (RU). Дата публикации: 2009-09-27.

Low voltage silicon controlled rectifier (SCR) for electrostatic discharge (ESD) protection on silicon-on-insulator technologies

Номер патента: CN100423256C. Автор: 柯尼里·克里斯汀·鲁斯,菲利普·裘思维克,马克斯·莫俊斯,约翰·亚莫,康-颂·特里恩,罗素·莫恩,柯恩·法海吉. Владелец: Sanorff European Corp. Дата публикации: 2008-10-01.

Method for producing high strength silicon nitride products based on silicon carbide

Номер патента: CN1131134A. Автор: 薛天瑞. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-09-18.

Micro-mechanical acceleration transducer with directly linked silicon wafers based on silicon through-hole technique

Номер патента: CN102435772A. Автор: 郭述文. Владелец: SUZHOU WENZHIXIN MICROSYSTEM TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2012-05-02.

SALVATOR СНзСН, \ КОз5СН2СН (р.) С (о) о (СН2) з-31-0- [81-о] -81 - ((:: Н5,) ЗО (о) СНС (к) СН2бОММ \ <т \ sn , W, CH3, where R = H, CH3; M = Na, K, NH4; m = 4, 8, 12, 16, having surface-active properties. Salts of bis- (• y-sulfopropionate propyl-n sulfonic isobutyratepropyl) - nolydimenylsiloxane decree Formulas with increased surface activity can be used as effective surface-active substances (surfactants). P1 are known surfactants based on silicon organosulfur sulfoesters [1], sulfates [2] or sulfonates [3], reducing surface tension of water up to 20-30 dyn / cm. The closest to the described compounds to the technical essence are Na, K or NH4 salts of 1,3-bis- (sulfopropionalkyl or sulfoisobutyrate alkyl-1,1,3, 3-tetra-20 methyldisiloxane [4]. However, these compounds have insufficient activity at the boundaries phases: water - air (reduce surface tension from 72.5 to 25-30 dyn / cm) and water - silicon - organic liquid (reduce interfacial tension from 47 to 6-14 dyn / cm). The purpose of the invention is to synthesize compounds with high efficiency as a PAV. For this, the salts of bis- (i'-sulfopropionate or sulfoisobutnylpropyl) - iolididimethylsiloxane are used as surfactants contain an extended siloxane day. The salts of this formula are present in concentrations 1-10 ~ h - 5-10 ~ 2 mol / l leads to a sharp decrease in the surface natn

Номер патента: SU548609A1. Автор: Николай Семенович Федотов,Григорий Саннович Гольдин,Киролина Ошеровна Авербах,Татьяна Афанасьевна Музыченко. Владелец: Предприятие П/Я Г-4236. Дата публикации: 1977-02-28.

Method for preparing ferromagnetic manganese silicon film on silicon substrate by magnetic control sputtering

Номер патента: CN1885493A. Автор: 尹志岗,陈诺夫,杨霏,刘力锋,柴春林. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2006-12-27.

Suspension guided-wave optical device based on silicon substrate nitride and method for producing suspension guided-wave optical device based on silicon substrate nitride

Номер патента: CN102778724A. Автор: 朱洪波,王永进,胡芳仁,于庆龙. Владелец: Nanjing Post and Telecommunication University. Дата публикации: 2012-11-14.

Method of producing phosphor in form of amorphous film of silicon dioxide with selenium ions on silicon substrate

Номер патента: RU2504600C1. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина&#34;. Дата публикации: 2014-01-20.

Method of silicon nitride precipitation on silicon substrate

Номер патента: RU2518283C1. Автор: Андрей Александрович Жуков,Алексей Евгеньевич Ануров,Владимир Миронович Долгополов. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных системы&#34; (ОАО &#34;Российские космические системы&#34;). Дата публикации: 2014-06-10.

TECHNOLOGICAL LINE FOR THE PRODUCTION OF WALL CERAMIC PRODUCTS OF SEMI-DRY PRESSING BASED ON SILICON OPAL-CRYSTOBALITE ROCKS

Номер патента: RU2013139804A. Автор: Владимир Дмитриевич Котляр,Александр Владимирович Козлов,Антон Владимирович Котляр,Юлия Викторовна Терёхина,Андрей Викторович Устинов,Анастасия Сергеевна Новикова. Владелец: Андрей Викторович Устинов. Дата публикации: 2015-03-10.

METHOD FOR PRODUCING PRODUCTS FROM COMPOSITE MATERIAL BASED ON SILICON NITRIDE

Номер патента: RU2010124344A. Автор: Георгий Юрьевич Сморчков,Анатолий Иванович Рачковский,Игорь Евгеньевич Вичканский,Валентина Павловна Белова,Анатолий Иванович Рачковский (RU),Игорь Евгеньевич Вичканский (RU),Георгий Юрьевич Сморчков (RU),Валентина Павловна Белова (RU). Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии &#34;Росатом&#34; - Госкорпорация &#34;Росатом&#34; (RU). Дата публикации: 2011-12-20.

METHOD OF SOLDING CRYSTALS BASED ON SILICON CARBIDE

Номер патента: RU2009149796A. Автор: Владимир Иванович Бойко,Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,Александр Валерьевич Кочергин,Андрей Владимирович Строгонов,Борис Анатольевич Спиридонов (RU),Виктор Васильевич Зенин (RU),Владимир Иванович Бойко (RU),Александр Валерьевич Кочергин (RU),Андрей Владимирович Строгонов (RU). Владелец: ОАО &#34;Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка&#34; (RU). Дата публикации: 2011-07-10.

COMPOSITE MATERIAL BASED ON SILICON DIOXIDE

Номер патента: RU2006113902A. Автор: Михаил Юрьевич Русин,Тамара Алексеевна Пашутина,Василий Васильевич Василенко,Любовь Павловна Мужанова,Александр Иванович Триполитов,Михаил Юрьевич Русин (RU),Тамара Алексеевна Пашутина (RU),Любовь Павловна Мужанова (RU),Василий Васильевич Василенко (RU),Александр Иванович Триполитов (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предпри тие&#34;Обнинское научно-производственное предпри тие &#34;Технологи &#34; (RU). Дата публикации: 2007-11-10.

METHOD FOR FORMING A SUPER-SOLID DOPED CARBON COATING ON SILICON IN VACUUM

Номер патента: RU2007112606A. Автор: Марина Евгеньевна Галкина,Александр Яковлевич Колпаков,Ольга Вениаминовна Сафронова,Ирина Васильевна Суджанская,Александр Яковлевич Колпаков (RU),Марина Евгеньевна Галкина (RU),Ольга Вениаминовна Сафронова (RU),Ирина Васильевна Суджанска (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образовани &#34;Белгородский государственный университет&#34; (RU). Дата публикации: 2008-10-10.

COMPOSITE MATERIAL BASED ON SILICON DIOXIDE AND METHOD FOR PRODUCING IT

Номер патента: RU2004109984A. Автор: Михаил Юрьевич Русин,Виктор Федорович Соколов,Тамара Алексеевна Пашутина,Любовь Павловна Мужанова,Александр Иванович Триполитов,Михаил Юрьевич Русин (RU),Тамара Алексеевна Пашутина (RU),Любовь Павловна Мужанова (RU),Александр Иванович Триполитов (RU),Виктор Федорович Соколов (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предпри тие &#34;Обнинское научно-производственное предпри тие &#34;Технологи &#34; (RU). Дата публикации: 2005-10-10.

WAY OF SEALING OLED ON SILICON SUBSTRATE USING GLASS PASTE

Номер патента: RU2013136736A. Автор: Владимир Игоревич Иванов,Николай Николаевич Усов,Александр Вадимович Нуриев,Борис Афанасьевич Кондрацкий,Олег Алексеевич Грачев,Людмила Александровна Костышина,Мария Владимировна Маркелова,Анатолий Анатольевич Морозов. Владелец: Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт &#34;ЦИКЛОН&#34;. Дата публикации: 2015-02-20.

METHOD FOR PRODUCING COMPOSITE MATERIALS BASED ON SILICON DIOXIDE

Номер патента: RU2012155364A. Автор: Абдулгалим Будаевич Исаев,Зазав Мустафаевич Алиев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВРСИТЕТ&#34;. Дата публикации: 2014-06-27.

Method of manufacturing cavity body with vibrating membrane on silicon wafer

Номер патента: TW201110223A. Автор: xue-zhuan Liao,Xi-Zhe Huang. Владелец: Phoenix Silicon Int Corp. Дата публикации: 2011-03-16.

Aligning method of liquid crystal on silicon (LCOS) display panel

Номер патента: TW200611044A. Автор: Meng-Hsun Hsieh. Владелец: Himax Tech Inc. Дата публикации: 2006-04-01.

Reflective liquid crystal on silicon panel and projection display apparatus using the same

Номер патента: TW200708800A. Автор: Whitehead Tony,Da-Shuang Kuan,Chi-Tai Meng. Владелец: United Microdisplay Optronics Corp. Дата публикации: 2007-03-01.

Improvements in or relating to methods of providing a contact on silicon

Номер патента: AU1890256A. Автор: Marius Nijland Louis. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1956-12-13.

Edge-on-silicon carbide light-emitting diodes

Номер патента: CA907214A. Автор: Addamiano Arrigo,M. Hertz Lester. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1972-08-08.

Power MOSFET on silicon-on-insulator and method thereof

Номер патента: TW554466B. Автор: Keh-Yuh Yu. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2003-09-21.

Method of producing an electrode on silicon

Номер патента: CA641008A. Автор: M. Nijland Louis. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1962-05-08.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.