TEMPERATURE MONITORING IN A SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING A PN JUNCTION BASED ON SILICON/GERMANIUM MATERIALS
Номер патента: US20120025276A1
Опубликовано: 02-02-2012
Автор(ы): Anthony Mowry, Gert Burbach, Markus Forsberg, Rolf Stephan
Принадлежит: Advanced Micro Devices Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-02-2012
Автор(ы): Anthony Mowry, Gert Burbach, Markus Forsberg, Rolf Stephan
Принадлежит: Advanced Micro Devices Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Temperature monitoring in a semiconductor device by using a pn junction based on silicon/germanium materials
Номер патента: US20120025276A1. Автор: Anthony Mowry,Rolf Stephan,Gert Burbach,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-02-02.