Method For Forming Gate-All-Around Nanowire Device
Номер патента: US20200335596A1
Опубликовано: 22-10-2020
Автор(ы): YAO Jiaxin, Ye Tianchun, Yin Huaxiang, ZHANG Qingzhu, ZHANG Zhaohao
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-10-2020
Автор(ы): YAO Jiaxin, Ye Tianchun, Yin Huaxiang, ZHANG Qingzhu, ZHANG Zhaohao
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for forming gate-all-around nanowire device
Номер патента: US11594608B2. Автор: Huaxiang Yin,Tianchun Ye,Qingzhu ZHANG,Jiaxin YAO,Zhaohao ZHANG. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-02-28.