Gate-All-Around Nanowire MOSFET and Method of Formation
Номер патента: US20150295037A1
Опубликовано: 15-10-2015
Автор(ы): Alexander Reznicek, Ali Khakifirooz, Bruce B. Doris, Kangguo Cheng, Pouya Hashemi
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-10-2015
Автор(ы): Alexander Reznicek, Ali Khakifirooz, Bruce B. Doris, Kangguo Cheng, Pouya Hashemi
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Gate-all-around nanowire MOSFET and method of formation
Номер патента: US09443948B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.