Embedded electronics in metal additive manufacturing builds enabled by low-melting temperature transition zone using material gradients
Номер патента: US11833590B2
Опубликовано: 05-12-2023
Автор(ы): Alexander MADINGER, Diana GIULIETTI
Принадлежит: Hamilton Sundstrand Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-12-2023
Автор(ы): Alexander MADINGER, Diana GIULIETTI
Принадлежит: Hamilton Sundstrand Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Embedded electronics in metal additive manufacturing builds enabled by low-melting temperature transition zone using material gradients
Номер патента: US20210260660A1. Автор: Diana GIULIETTI,Alexander MADINGER. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2021-08-26.