Back contact structure and selective contact region buried solar cell comprising the same
Номер патента: EP4099407B1
Опубликовано: 13-03-2024
Автор(ы): Gang Chen, Kaifu QIU, Xinqiang Yang, Yongqian Wang
Принадлежит: Solarlab Aiko Europe Gmbh
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 13-03-2024
Автор(ы): Gang Chen, Kaifu QIU, Xinqiang Yang, Yongqian Wang
Принадлежит: Solarlab Aiko Europe Gmbh
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Solar cell and method for manufacturing the same
Номер патента: US09825190B2. Автор: Sangwook Park,Seunghwan SHIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-11-21.