Röntgenstrahlenanalysegerät und -verfahren
Номер патента: DE112012004733T5
Опубликовано: 11-09-2014
Автор(ы): c/o Osaka Branch RIGAKU CORP. Fukuda Tomoyuki, c/o Osaka Branch RIGAKU CORP. Ikeshita Akihiro, c/o Osaka Branch RIGAKU CORP. Shimizu Kosuke
Принадлежит: Rigaku Corp, Rigaku Denki Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 11-09-2014
Автор(ы): c/o Osaka Branch RIGAKU CORP. Fukuda Tomoyuki, c/o Osaka Branch RIGAKU CORP. Ikeshita Akihiro, c/o Osaka Branch RIGAKU CORP. Shimizu Kosuke
Принадлежит: Rigaku Corp, Rigaku Denki Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Verfahren zur Evaluierung eines Silicium-Einkristallblocks, Verfahren zur Evaluierung eines Silicium-Einkristallwafers, Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristall-wafers und Verfahren zur Evaluierung eines spiegelpolierten Siliciumwafers
Номер патента: DE112022002711T5. Автор: Jun Furukawa,Kazuya Suzuki,Keiichiro Mori,Takahiro Nagasawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-03-14.