Schottky barrier diode and method of manufacturing the same
Номер патента: US20150187962A1
Опубликовано: 02-07-2015
Автор(ы): Dae Hwan Chun, Jong Seok Lee, Junghee Park, Kyoung-Kook Hong, Youngkyun Jung
Принадлежит: Hyundai Motor Co
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-07-2015
Автор(ы): Dae Hwan Chun, Jong Seok Lee, Junghee Park, Kyoung-Kook Hong, Youngkyun Jung
Принадлежит: Hyundai Motor Co
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
SILICON CARBIDE TRENCH SCHOTTKY BARRIER DIODE USING POLYSILICON AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
Номер патента: US20200098936A1. Автор: KANG In Ho,KIM Sang Cheol,Kim Hyoung Woo,Seok O Gyun,Na Moon Kyong,Moon Jeong Hyun,Bang Wook. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.