Pump and probe type second harmonic generation metrology
Номер патента: US11821911B2
Опубликовано: 21-11-2023
Автор(ы): John CHANGALA, Marc KRYGER, Viktor Koldiaev
Принадлежит: Femtometrics Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-11-2023
Автор(ы): John CHANGALA, Marc KRYGER, Viktor Koldiaev
Принадлежит: Femtometrics Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method and device for measuring semiconductor multilayer structure based on second harmonic
Номер патента: US20240038600A1. Автор: Weiwei Zhao,Chongji Huang,Puxi ZHOU. Владелец: Shanghai Aspiring Semiconductor Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.