High throughput dram with distributed column access
Номер патента: US20210055867A1
Опубликовано: 25-02-2021
Автор(ы): Yuan He
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 25-02-2021
Автор(ы): Yuan He
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
High-throughput low-latency hybrid memory module
Номер патента: US12079486B2. Автор: Aws Shallal,Stephen HORN,Micheal Miller. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-03.