Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20090200563A1
Опубликовано: 13-08-2009
Автор(ы): Koichi Goshonoo, Miki Moriyama
Принадлежит: Toyoda Gosei Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200144450A1. Автор: Satoru Tanaka,Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu,Yasumasa Suzaki,Akifumi NAWATA. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP3648181A1. Автор: Satoru Tanaka,Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu,Yasumasa Suzaki,Akifumi NAWATA. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-06.

Method of fabricating semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200169058A1. Автор: Hitoshi Sato,Kazuya Yamada,Hiroki Nagai. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384374A1. Автор: Ju Eun Kim,Youn Joon Sung,Dong Woo Kim,Geun Young Yeom,Ye Eun Kim,Doo San KIM,Yun Jong JANG,You Jung GILL. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-12-09.

Display device using semiconductor light-emitting elements, and method for manufacturing same

Номер патента: US12062734B2. Автор: Kyungho Lee,Hooyoung SONG,Yangwoo Byun. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-13.

Nitride semiconductor light-emitting element, method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element, and nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200021083A1. Автор: Hideo Kitagawa,Osamu Tomita,Masayuki Ono,Daisuke Ikeda,Gen Shimizu,Toru Takayama,Satoko Kawasaki,Katsuya Samonji. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Sapphire substrate and method for manufacturing the same and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20150115307A1. Автор: Yoshiki Inoue,Takashi Ohara,Naoya Sako,Yasunori Nagahama,Yuki Shibutani,Yoshihito Kawauchi,Kazuyuki Takeichi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Sapphire substrate and method for manufacturing the same and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140061661A1. Автор: Yoshiki Inoue,Takashi Ohara,Naoya Sako,Yasunori Nagahama,Yuki Shibutani,Yoshihito Kawauchi,Kazuyuki Takeichi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

III nitride epitaxial substrate and deep ultraviolet light emitting device using the same

Номер патента: US8742396B2. Автор: Yoshikazu Ooshika. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-03.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240162385A1. Автор: Tomoya Yamada. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Group III-V type nitride compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US5917196A. Автор: Nobuaki Teraguchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-06-29.

Iii-nitride compound semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2007037654A1. Автор: Tae-Kyung Yoo,Eun-Hyun Park. Владелец: Epivalley Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-04-05.

Light emitting device and method for producing the same

Номер патента: US09917236B2. Автор: Hiroto Tamaki,Takuya Nakabayashi,Suguru Beppu,Yoichi Bando. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Manufacturing method of semiconductor light emitting device

Номер патента: US20210013369A1. Автор: Sungjoon Kim,Inho Kim,Kiwon Park,Jaeyoon Kim,Daeyeop Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Group iii nitride semiconductor light-emitting element and wafer including such element configuration

Номер патента: US20190198714A1. Автор: Tomoaki Sato. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20190131503A1. Автор: Kosuke Yahata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR THE FABRICATION THEREOF

Номер патента: EP1984955A1. Автор: Hiroshi c/o Showa Denko K.K. OSAWA,Takashi c/o Showa Denko K.K. HODOTA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-10-29.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240234629A1. Автор: Junhee Choi,Younghwan Park,Dongchul Shin,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20150137173A1. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09911902B2. Автор: Shigetoshi Ito,Makoto Sawamura,Shuhichiroh YAMAMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230378393A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20200357953A1. Автор: Akira Hirano,Yosuke Nagasawa. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20210384378A1. Автор: Kenji Ikeda. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230238475A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot,Miho MATSUZAKI. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Gallium nitride-based compound semiconductor light emitting device

Номер патента: US8188495B2. Автор: Noritaka Muraki,Munetaka Watanabe. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-05-29.

Method of growing group III-V compound semiconductor, and method of manufacturing light-emitting device and electronic device

Номер патента: EP2086003A3. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Toshio Ueda,Eiryo Takasuka,Yasuhiko Senda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-05-26.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160247962A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Group iii nitride light-emitting device, group iii nitride epitaxial wafer, and method for producing group iii nitride light-emitting device

Номер патента: EP4401158A1. Автор: Takao Nakamura,Hideto Miyake,Kenjiro Uesugi. Владелец: Mie University NUC. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for improving internal quantum efficiency of Group-III nitride-based light emitting device

Номер патента: US20110089398A1. Автор: Chang-Chi Pan,Ching-Hwa Chang Jean,Jang-Ho Chen. Владелец: WALSIN LIHWA CORP. Дата публикации: 2011-04-21.

Boron-containing iii-nitride light-emitting device

Номер патента: RU2523747C2. Автор: Мелвин Б. МАКЛОРИН. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-07-20.

III-nitride semiconductor light-emitting device comprising barrier layers and well layers and method of producing the same

Номер патента: US11984535B2. Автор: Yasuhiro Watanabe. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190305520A1. Автор: Kohei Miyoshi,Koichi Naniwae. Владелец: Ushio Opto Semiconductors Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Apparatus and method for manufacturing a light-emitting device using a neutral particle beam

Номер патента: US20140017827A1. Автор: Suk Jae Yoo,Seong Bong Kim. Владелец: Korea Basic Science Institute KBSI. Дата публикации: 2014-01-16.

N-type ohmic electrode for n-type group III nitride semiconductor, semiconductor light-emitting device with the electrode, and method for forming n-type ohmic electrode

Номер патента: US20070108453A1. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2007-05-17.

Semiconductor light emitting device, wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor crystal layer

Номер патента: US20150102381A1. Автор: Hung Hung,Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Naoharu Sugiyama,Satoshi MITSUGI,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150043604A1. Автор: Takeshi Yokoyama,Isao Kidoguchi,Tomoya Satoh,Shouichi Takasuka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Iii-nitride light-emitting devices, grown on structure for reducing deformation

Номер патента: RU2466479C2. Автор: Натан Ф. ГАРДНЕР,Линда Т. РОМАНО,Патрик Н. ГРИЙО,Вернер К. ГЕТЦ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-11-10.

Epitaxial wafer for ultraviolet light emitting device, method for producing metal bonded substrate for ultraviolet light emitting device, method for producing ultraviolet light emitting device, and method for producing ultraviolet light emitting device array

Номер патента: US20230343890A1. Автор: Masato Yamada,Yoshihiro Kubota,Junya Ishizaki,Minoru Kawahara,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Nitride semiconductor light emitting element having light emitting layer including INxGa1-xN well layer and LED system

Номер патента: US9318659B2. Автор: Akira Inoue,Shunji Yoshida,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20220149242A1. Автор: Yohei Ito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200119230A1. Автор: Yohei Ito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof, and manufacturing method of nitride-based semiconductor crystal

Номер патента: US12119618B2. Автор: Shinji Yoshida,Isao Kidoguchi,Shuichi Nakazawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of manufacturing semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting element, electronic device, and machine device

Номер патента: US20130168691A1. Автор: Hiromitsu Sakai. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Method for manufacturing semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting element, lamp, electronic device and mechanical apparatus

Номер патента: US20120326169A1. Автор: Hiromitsu Sakai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-12-27.

Lighting emitting device with aligned-bonding and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20140048836A1. Автор: Yi-Ming Chen,Chia-Liang Hsu,Hsin-Chih CHIU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Reflective electrode and compound semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: EP1646093A2. Автор: Mi-Yang Kim,Joon-seop 860 Banwol-ri Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-12.

Reflective positive electrode and gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device using the same

Номер патента: EP1761960A1. Автор: Koji c/o SHOWA DENKO K.K. KAMEI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2007-03-14.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20160260868A1. Автор: Yoshiki Saito,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Light emitting device

Номер патента: MY125261A. Автор: MORITA Daisuke,YAMADA Motokazu. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2006-07-31.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09972745B2. Автор: Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150041758A1. Автор: Yoshiki Saito,Yohei Samura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110042711A1. Автор: Yu-Hang Choi,Chae-Seok Lim,Keuk Kim,Chi-Kwon Park. Владелец: WOOREE LST Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150083993A1. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Group III nitride compound semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100244042A1. Автор: Yoshiki Saito,Yasuhisa Ushida. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Group iii nitride nanorod light emitting device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20130252363A1. Автор: Jung Ja YANG,Han Kyu Seong,Cheol Soo Sone,Hun Jae CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-26.

Method for manufacturing a semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20090090923A1. Автор: Masahiro Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160056329A1. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200235265A1. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor light emitting device including zinc oxide-based transparent conductive thin film, and fabrication method thereof

Номер патента: US20130099255A1. Автор: Jung Hyun Lee,Jong Hyun Lee,Young Sun Kim,Ki Sung Kim,Suk Ho Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor light-emitting apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US20100117114A1. Автор: Ryo Suzuki,Tadao Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Light-emitting device of elements of iii-v groups that includes light-emitting structure

Номер патента: RU2559305C2. Автор: Мелвин Б. МАКЛОРИН,Майкл Р. КРЕЙМС,Орельен Дж.Ф. ДЭВИД. Владелец: ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2015-08-10.

Manufacturing method of nitride semiconductor light emitting elements

Номер патента: US20120214266A1. Автор: Mamoru Miyachi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130056789A1. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-07.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: CA2578443C. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240234628A1. Автор: Junhee Choi,Younghwan Park,Dongchul Shin,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130134385A1. Автор: Kyohei Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09911899B2. Автор: Hiroshi Katsuno,Masakazu Sawano,Kazuyuki Miyabe. Владелец: Alpad Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120146086A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Yusuke Yokobayashi,Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US20120298952A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: EP2528115A3. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-31.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US20160035938A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US20140295602A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Maki Sugai,Toshiki Hikosawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Surface treatment of a semiconductor light emitting device

Номер патента: US20170012170A1. Автор: Yiwen RONG,James Gordon Neff,Tak Seng Thang. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-01-12.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9391238B2. Автор: Tae-hun Kim,Seung-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09997668B2. Автор: Joong Kon Son,Kyung Wook HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09991420B2. Автор: Masakazu Sugiyama,Takako Fujiwara. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110278538A1. Автор: Yu Seung Kim,Jung Ja YANG,Youn Joon Sung,Hyung Duk KO,Soo Jin Jung,Dae Cheon KIM,Byung Kwun LEE. Владелец: Lee Byung Kwun. Дата публикации: 2011-11-17.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230387351A1. Автор: Kazufumi Takao,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor light emitting device and a display device

Номер патента: US20240213426A1. Автор: Sunghyun Hwang,Kiseong Jeon,Minwoo Lee,Mihee Heo,Byungjun Kang,Junho Sung,Hyungjo PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor light emitting element and method of manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140209921A1. Автор: Hisao Sato,Katsuki Kusunoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor light emitting device substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US20070290188A1. Автор: Chih-Ming Lai,Chang-Cheng Chuo. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120104449A1. Автор: Young Chul Shin,Yung Ho Ryu,Hae Yeon Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor light emitting element, manufacturing method therefor, and compound semiconductor light emitting diode

Номер патента: US20070290216A1. Автор: Nobuyuki Watanabe. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor light-emitting element and display device comprising same

Номер патента: US20230335674A1. Автор: Junghoon Kim,Wonjae Chang,Chilkeun Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US9306119B2. Автор: Takayoshi Yamane. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Light emitting device and production method thereof

Номер патента: US12119426B2. Автор: Xiaoqiang Zeng,Jianfeng YANG,Shaohua Huang,Canyuan Zhang. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor light-emitting apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US20140097462A1. Автор: Ryo Suzuki,Tadao Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Light emitting device and light emitting device package

Номер патента: US9991430B2. Автор: Yasuo Nakanishi,Nobuaki Matsui,Takao Fujimori,Hirotaka Obuchi,Kazuaki Tsutsumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Light emitting device and light emitting device package

Номер патента: US9281444B2. Автор: Yasuo Nakanishi,Nobuaki Matsui,Takao Fujimori,Hirotaka Obuchi,Kazuaki Tsutsumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-03-08.

Light emitting device and light emitting device package

Номер патента: US20130056748A1. Автор: Yasuo Nakanishi,Nobuaki Matsui,Takao Fujimori,Hirotaka Obuchi,Kazuaki Tsutsumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-03-07.

Light emitting device and light emitting device package

Номер патента: US20180083172A1. Автор: Yasuo Nakanishi,Nobuaki Matsui,Takao Fujimori,Hirotaka Obuchi,Kazuaki Tsutsumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-22.

Light emitting device and light emitting device package

Номер патента: US09991430B2. Автор: Yasuo Nakanishi,Nobuaki Matsui,Takao Fujimori,Hirotaka Obuchi,Kazuaki Tsutsumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Interconnects for semiconductor light emitting devices

Номер патента: US20070057271A1. Автор: Paul Martin,Daniel Steigerwald,Decai Sun,Stefano Schiaffino,Ashim Haque. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US9472739B2. Автор: Hyung Jo Park. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Ordered interface texturing for a light emitting device

Номер патента: US5779924A. Автор: Michael R. Krames,Fred A. Kish, Jr.. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1998-07-14.

Semiconductor light-emitting device, method for forming recesses of the same, and light source apparatus using the same

Номер патента: US9196794B2. Автор: Akira Inoue,Toshiyuki Fujita,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180040768A1. Автор: Sung Jun Park,Chi-Yoon Lee,Young sub Shin,Shiyoung LEE,Sun Hyun OH,Kyoyoung AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120132943A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Semiconductor light-emitting element, vehicle lamp, and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4369426A1. Автор: Akihiro Nomura,Hiroaki KANAOKA. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Nitride semiconductor light-emitting diode

Номер патента: US20150357522A1. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device and Method for Producing the Same

Номер патента: US20140264415A1. Автор: Koji Okuno,Yohei Samura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Light emitting device and method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US09893238B2. Автор: Takeshi Kususe,Takayuki SOGO,Takanobu SOGAI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Boron phosphide-based semiconductor light-emitting device and production method thereof

Номер патента: US20080157079A1. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-07-03.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12074267B2. Автор: Hooyoung SONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-27.

Apparatus and method for self-assembling semiconductor light-emitting device

Номер патента: US11869871B2. Автор: Hyunwoo Cho,Kiseong Jeon,Jideok Kim,Bongchu Shim,Juchan CHOI,Seulbitna LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for manufacturing display device using semiconductor light-emitting elements and display device

Номер патента: US12107205B2. Автор: Kyoungtae WI,Sunghyun Moon,Jina JEON. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120138985A1. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshiki Hikosaka,Tomoko MORIOKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8461611B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshiki Hikosaka,Tomoko MORIOKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Semiconductor light-emitting element and method of producing the same

Номер патента: US12125702B2. Автор: Osamu Tanaka,Yoshitaka Kadowaki. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Light emitting device and method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US9559006B2. Автор: Takeshi Kususe,Takayuki SOGO,Takanobu SOGAI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Display device using semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230078258A1. Автор: Wonyong LEE,Jeomoh KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-03-16.

Method of making semiconductor light- emitting device

Номер патента: US20110076788A1. Автор: Masaki Ueno,Masahiro Adachi,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Shinji Tokuyama,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20150083997A1. Автор: Naoki Nakajo,Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Method of manufacturing iii-nitride semiconductor light emitting structure

Номер патента: US20240250213A1. Автор: Sung Min Hwang,Doo Soo Kim,In Seong Cho,Hyung Kyu Choi,Sung Woon HEO,Sung Ju MUN,Won Taeg Lim. Владелец: SOFT-EPI Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Group III Nitride Semiconductor Light Emitting Element And Wafer Containing Element Structure

Номер патента: US20180040770A1. Автор: Toshiyuki Obata,Tomoaki Satou. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20190081212A1. Автор: Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Iii-nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2007049946A1. Автор: Tae-Kyung Yoo,Eun-Hyun Park. Владелец: Epivalley Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-05-03.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and epitaxial wafer

Номер патента: EP2144306A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-01-13.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US10475952B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20180182914A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US9214788B2. Автор: Masao Kawaguchi,Hideki Kasugai,Shinichiro Nozaki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-15.

Iii-nitride light-emitting device having light-emitting area with double heterostructure

Номер патента: RU2412505C2. Автор: Майкл Р. КРЕЙМС,Сатоси ВАТАНАБЕ,Натан Ф. ГАРДНЕР,Герд О. МЮЛЛЕР,Юй-Чэнь ШЭНЬ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2011-02-20.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130087805A1. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Method of manufacturing n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device, and n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9716209B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Motoaki Iwaya,Yuka Kuwano. Владелец: Melio University. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing light emitting device with a pair of ridge protection electrodes

Номер патента: US8198639B2. Автор: Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-06-12.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140284611A1. Автор: Kazuhiro Akiyama,Shuji Itonaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Group III nitride compound semiconductor light emitting element

Номер патента: US20030151357A1. Автор: Toshiya Uemura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Nitride semiconductor light emitting device including buffer layer and method of forming the same

Номер патента: US20180337307A1. Автор: Sun Woon Kim,Jong Sun Maeng,Jung Taek Han,Jeen Seok CHO,Yong Hee JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor light-emitting device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190035845A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Group iii-nitride light emitting devices including a polarization junction

Номер патента: US20220077349A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Group III nitride-based compound semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US9064996B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-23.

Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: EP2259341A2. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Group iii nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: CA2567739C. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-09-16.

III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9882088B2. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device and iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20170338378A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Long-wavelength semiconductor light emitting device and its manufacturing method

Номер патента: US20050040408A1. Автор: Hironobu Narui,Tomonori Hino,Jugo Mitomo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140042388A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20060273332A1. Автор: Dong Jeon,Pil Kang,Tae Jang,Bong Yi. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140070227A1. Автор: Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of making same

Номер патента: RU2586452C2. Автор: Акинори ЁНЭДА,Хирофуми КАВАГУТИ,Коитирох ДЭГУТИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2016-06-10.

Iii-nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2005122292A1. Автор: Eun Hyun Park,Tae Kyung Yoo. Владелец: Epivalley Co., Ltd.. Дата публикации: 2005-12-22.

Semiconductor light-emitting device and method of producing a semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240250503A1. Автор: Rintaro Koda,Kentaro Hayashi,Eiji Nakayama,Tatsushi Hamaguchi,Hidekazu Kawanishi,Shoetsu NAGANE. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: US20230335696A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20210359163A1. Автор: Shinji Yoshida,Kunimasa Takahashi,Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120187446A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140077250A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9202986B2. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-01.

Nanorod light-emitting device, method of manufacturing the nanorod light-emitting device, and display apparatus including the nanorod lightemitting device

Номер патента: US20240266468A1. Автор: Junhee Choi,Kiho Kong,Hyochul KIM,Joohun HAN,Joosung KIM,Eunsung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US09935245B2. Автор: Hwan Hee Jeong,Sang Youl Lee,June O Song,Kwang Ki CHOI,Tchang Hun OH,Hee Seok Choi. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor light-emitting device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20120025250A1. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chien-Yuan Wang,Wei-Yu Chen,Chiu-Lin Yao,Li-Ming Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20170117441A1. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-04-27.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US9842967B2. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-12-12.

Red-light-emitting semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240274751A1. Автор: Dongwook Kim,DongHun Kang,Sukkoo JUNG,Daesung KANG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-15.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US20150270433A1. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2015-09-24.

Light-emitting device with converted wavelength

Номер патента: RU2596179C2. Автор: Олег Борисович ЩЕКИН,Майкл Дэвид КАМРАС,ГРАНЕЛЬ Рафаэль Игнасио АЛЬДАС,Патрик Нолан ГРИЙО,Франк Майкл СТЕРАНКА. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2016-08-27.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting package

Номер патента: US11735694B2. Автор: Sungjoon Kim,Sanghyun Kim,Jae-Yoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and electrode for the same

Номер патента: US20070040183A1. Автор: Mineo Okuyama,Hideki Tomozawa,Noritaka Muraki,Soichiro Masuyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

Semiconductor light emitting device and wafer

Номер патента: US20120001151A1. Автор: Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11799051B2. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120032213A1. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Taisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8395263B2. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Taisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2418698A3. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Taisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-01.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240250209A1. Автор: Shinji Yoshida,Shigeo Hayashi,Masayuki Hata,Shuichi Nakazawa,Yasutoshi Kawaguchi,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-25.

Reflecting contact for semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2535636C2. Автор: Джон И. ЭПЛЕР. Владелец: ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-12-20.

Group III-nitride light emitting devices including a polarization junction

Номер патента: US11799057B2. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Group iii-nitride light emitting devices including a polarization junction

Номер патента: US20200411722A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: US20110215340A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Yoshiaki Hasegawa,Akihiko Ishibashi,Gaku Sugahara,Naomi Anzue. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Group iii nitride-based compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: CN101339969A. Автор: 长谷川哲也,一杉太郎,守山实希,五所野尾浩一. Владелец: Kanagawa Academy of Science and Technology. Дата публикации: 2009-01-07.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12057525B2. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2494498C2. Автор: Юрий Георгиевич Шретер,Юрий Тоомасович Ребане,Алексей Владимирович Миронов. Владелец: Алексей Владимирович Миронов. Дата публикации: 2013-09-27.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US9112110B2. Автор: Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-18.

Group iii-v nitride-based light emitting devices having multilayered p-type contacts

Номер патента: US20180277715A1. Автор: Dong Liu,Zhenqiang Ma. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-09-27.

Epitaxial structure of semiconductor light-emitting element, semiconductor light-emitting element, and light-emitting device

Номер патента: US20240145627A1. Автор: Chung-Ying Chang,Meng-hsin YEH,Bing-Yang Chen,Zhousheng JIANG,Dongpo CHEN. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: EP3780302A1. Автор: Shinji Yoshida,Kunimasa Takahashi,Toru Takayama. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-17.

N-side electrode, nitride semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20110042681A1. Автор: Keishi Kohno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240332450A1. Автор: Yoshitaka KAWATA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8698123B2. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Group III nitride-based compound semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: TWI284994B. Автор: Tetsuya Taki,Koji Okuno,Masato Aoki,Mitsuhisa Narukawa,Yusuke Toyoda. Владелец: Toyoda Gosei Kk. Дата публикации: 2007-08-01.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20190221716A1. Автор: Hideki Asano. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20200381580A1. Автор: Hiroki Kondo. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230105525A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers

Номер патента: EP1589592A3. Автор: Yu-Chen c/o Lumileds Lighting U.S. LLC Shen,James C. c/o Lumileds Lighting U.S. LLC Kim. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2011-03-09.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240322076A1. Автор: Yusuke Matsukura,Kazufumi Takao,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, positive electrode for the device, light-emitting diode and lamp using the device

Номер патента: WO2005036657A1. Автор: Munetaka Watanabe. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor light emitting device package

Номер патента: US12125954B2. Автор: Sun Kim,Junghun Lee,Seolyoung Choi,KyoungJun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Group III nitride-based compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20100163894A1. Автор: Toshiya Uemura,Naoki Arazoe. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Nitride semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US8816321B2. Автор: Kazuya Araki,Yoshihiko Tani,Tadashi Takeoka,Yoshihiro Ueta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11843080B2. Автор: Naoki Shibata,Tadaaki Maeda,Shuichiro Yamamoto. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Nitride semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor

Номер патента: US20130214288A1. Автор: Akira Inoue,Toshiya Yokogawa,Junko Iwanaga. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130292644A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140110667A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-24.

Semiconductor light emitting device with light transmittable electrode and method for manufacturing same

Номер патента: US8623676B2. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-07.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP4398318A1. Автор: Junhee Choi,Younghwan Park,Dongchul Shin,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20090130790A1. Автор: Shinji Abe,Hitoshi Sakuma,Kyozo Kanamoto,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Light emitting device using micrometer-sized semiconductor light emitting diode, and method for manufacturing same

Номер патента: US20220310879A1. Автор: Eunah Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor light emitting device with light extraction structures

Номер патента: US09935242B2. Автор: Jonathan J. Wierer,Aurelien Jean Francois David,Henry Kwong-Hin Choy. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Nitride semiconductor light-emitting element, illuminating device, liquid crystal display device, method for producing nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing illuminating device

Номер патента: US8791473B2. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue,Tadashi Yano,Toshiya Yokogawa,Masaki Fujikane,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-29.

Semiconductor light-emitting device with near-field multi-layer reflector

Номер патента: EP4385074A1. Автор: Jaime GÓMEZ RIVAS,Toni LOPÉZ,Aleksandr VASKIN,Mohamed S. ABDELKHALIK,Debapriya PAL,Albert Femius Koenderink,Aimi Abass. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9741896B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor light emitting device having a p-type semiconductor layer with a p-type impurity

Номер патента: US9093609B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-28.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09786817B2. Автор: Young Ho Ryu,Sung Joon Kim,Min Wook CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: US8969849B2. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: EP2306529A2. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-06.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US9735314B2. Автор: Shinji Yoshida,Kazuhiko Yamanaka,Katsuya Samonji,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8895956B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

Semiconductor light emitting device having a p-type semiconductor layer with a p-type impurity

Номер патента: US20140153602A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Iii-nitride compound semiconductor light emitting device

Номер патента: EP1721342A1. Автор: Eun Hyun Park,Tae Kyung 115-603 Samsung Raemian Apt. YOO. Владелец: Epivalley Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-15.

Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030047741A1. Автор: Toshio Hata,Mayuko Fudeta,Daigaku Kimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09912123B2. Автор: Seiichi Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09887334B1. Автор: Sang Seok Lee,Joon Woo Jeon,Hyun Kwon HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20210210654A1. Автор: Chi-Ming Tsai,Chia-Hung CHANG,Yung-ling LAN,Chan-Chan LING. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Reflective contact for a semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2009122371A1. Автор: Henry Kwong-Hin Choy,Daniel A. Stiegerwald. Владелец: PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC. Дата публикации: 2009-10-08.

Reflective contact for a semiconductor light emitting device

Номер патента: EP2263267A1. Автор: Henry Kwong-Hin Choy,Daniel A. Stiegerwald. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2010-12-22.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US8093606B2. Автор: Norikazu Ito,Masayuki Sonobe,Mitsuhiko Sakai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-01-10.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US9006709B2. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2775537A3. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-05.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140252311A1. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20150084069A1. Автор: Shinji Yamada,Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20220376142A1. Автор: Joon Hee Lee,Ju Yong Park,Kyu Ho Lee,Seong Kyu Jang. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200227595A1. Автор: Joon Hee Lee,Ju Yong Park,Kyu Ho Lee,Seong Kyu Jang. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Deep ultraviolet light emitting devices and methods of fabricating deep ultraviolet light emitting devices

Номер патента: US20080142783A1. Автор: Amber Abare,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kevin Haberern. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-06-19.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP2955763A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2015-12-16.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240038932A1. Автор: Toshihiko Fukamachi. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-02-01.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220384681A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1829118A1. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-05.

Light-emitting device and display apparatus including the same

Номер патента: EP4398320A1. Автор: Il-Soo Kim,Hyowon KWON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130146917A1. Автор: Takako Chinone. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Light-emitting device and display apparatus including the same

Номер патента: GB2627571A. Автор: Choi Jung-Hun,Han Myungsoo,KWON Hyowon,KIM II-Soo,Yang Dongwon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor light-emitting instrument and method for its manufacturing

Номер патента: RU2436195C1. Автор: Ёхеи ВАКАИ,Хироаки МАЦУМУРА,Кендзи ОКА. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2011-12-10.

Semiconductor light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070145382A1. Автор: Suk Youn Hong,Pun Jae Choi,Sang Yeob Song. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US12009637B2. Автор: Yuusuke Nakayama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20210399162A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230420600A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Light emitting device and production method thereof

Номер патента: US20190189851A1. Автор: Yu-Chieh Huang,Anhe HE,Kang-Wei Peng,Su-Hui Lin,Ling-yuan HONG,Zhanggen Xia. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US5777350A. Автор: Shuji Nakamura,Shinichi Nagahama,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1998-07-07.

Semiconductor light emitting device and light emitting device package including the same

Номер патента: US20220190201A1. Автор: Youngwoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220131043A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20120138984A1. Автор: Masashi Deguchi,Masao Kamiya. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030062531A1. Автор: Nobuhiro Suzuki,Chisato Furukawa,Hidato Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Display device comprising semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4451335A1. Автор: JongWon Lee,Sunho Kim,Gisang Hong,Youngwook LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US6576933B2. Автор: Hirohisa Abe,Kuniaki Konno,Koichi Nitta,Hideto Sugawara,Yasuo Idei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-10.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US11824140B2. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus

Номер патента: US20070145385A1. Автор: Hitoshi Sugiyama,Yasuharu Sugawara,Kenichi Ohashi,Yasuhiko Akaike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-06-28.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20170229609A1. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Nitride semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US20140097456A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120119240A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220131042A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20200411723A1. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20220181523A1. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240021756A1. Автор: Donggun Lee,Youngjin Choi,Punjae CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor light-emitting device including buffer structure

Номер патента: US20230030530A1. Автор: Namsung KIM,Jaiwon Jean,Daemyung Chun,Joongseo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20180019380A1. Автор: Ju Hyun Kim,Sang Seok Lee,Gi Bum Kim,Ha Yeong Son,Jae Ryung YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Method of fabricating semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160099378A1. Автор: Sang Jun Lee,Seung Hyun Kim,Sang Heon Han,Dong Yul Lee,Suk Ho Yoon,Jang Mi KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-07.

Nitride-based semiconductor light emitting device

Номер патента: US20110057219A1. Автор: Chih-Chen Lai. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US09991418B2. Автор: Yukie Nishikawa,Hironori Yamasaki,Katsuyoshi Furuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor light-emitting device with light output structures

Номер патента: RU2491682C2. Автор: Орельен Дж. Ф. ДЭВИД,Хенри Квонг-Хин ЧОЙ,Джонатан Дж. ВЬЕРЕР. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-08-27.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20090026440A1. Автор: Takashi Kyono,Katsushi Akita,Hideki Hirayama. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2009-01-29.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220123174A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130087806A1. Автор: Shinya Nunoue,Hiroshi Katsuno,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12009457B2. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20170092828A1. Автор: Hideki TSUJIAI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09972749B2. Автор: Takako Fujiwara. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Compound Semiconductor Light Emitting Device and Method of Preparing the Same

Номер патента: CA2170922A1. Автор: Hideki Matsubara,Akinori Koukitu,Yoshiki Miura,Hisashi Seki,Masato Matsushima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-09-28.

Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US7989820B2. Автор: Sang Youl Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-02.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for producing same

Номер патента: US9331245B2. Автор: Eiji Yamada,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100649496B1. Автор: 이재훈,오정탁,박진섭. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2006-11-24.

Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: EP2816614A1. Автор: Sang Youl Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-24.

Compound semiconductor light emitting device and method of preparing the same

Номер патента: US5756374A. Автор: Hideki Matsubara,Akinori Koukitu,Yoshiki Miura,Hisashi Seki,Masato Matsushima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-05-26.

Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: WO2009002040A3. Автор: Sang Youl Lee. Владелец: Sang Youl Lee. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20090039370A1. Автор: Kyung Jun Kim,Sang Hoon Han. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US11876148B2. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210193865A1. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor light emitting device and light emitting device package having the same

Номер патента: US11984536B2. Автор: Yongmin Kim,Taehun Kim,Jinhwan Kim,Bokyoung Kim,Sungwon KO,Wongoo Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20190305187A1. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230105852A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: US20190206954A1. Автор: Younghak Chang,Sukkoo JUNG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150280061A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075795A1. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor light-emitting device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US9099612B2. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chien-Yuan Wang,Wei-Yu Chen,Chiu-Lin Yao,Li-Ming Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US9112111B2. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Yoshiyuki Harada,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-18.

Ultraviolet semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230420613A1. Автор: Akio Ogawa,Hiroyuki Kano,Toru Kinoshita. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230114703A1. Автор: Tetsuya Ikuta,Jumpei Yamamoto. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Gallium nitride compound-based semiconductor light emitting device and process for producing gallium nitride compound-based semiconductor thin film

Номер патента: MY114592A. Автор: Takeishi Hidemi,Kamei Hidenori,Oku Yasunari,Shinagawa Shuuichi. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-30.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US8895419B2. Автор: Toshiya Yokogawa,Naomi Anzue. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting package

Номер патента: US20210143300A1. Автор: Sungjoon Kim,Sanghyun Kim,Jae-Yoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor light emitting device and manufacturing method

Номер патента: US20190189832A1. Автор: Do Yeol Ahn,Seung Hyun Yang. Владелец: Petalux Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Light-emitting device

Номер патента: US20190148591A1. Автор: Kuo-Feng Huang,Cheng-Hsing Chiang,Jih-Ming TU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US20150021653A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160181488A1. Автор: Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060166392A1. Автор: Masayoshi Takemi,Nobuyuki Tomita,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US9287378B2. Автор: Toshiya Yokogawa,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor light emitting device package

Номер патента: US20230011141A1. Автор: Sun Kim,Junghun Lee,Seolyoung Choi,KyoungJun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8729578B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8525195B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-03.

Wavelength converted light emitting device including a semiconductor wavelength converting material and a ceramic phosphor

Номер патента: US10490708B2. Автор: Oleg Borisovich Shchekin,Michael David Camras,Patrick Nolan Grillot,Rafael Ignacio Aldaz Granell,Frank Michael Steranka. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2019-11-26.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20110220911A1. Автор: Shinji Yamada,Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Semiconductor light emitting device and display apparatus

Номер патента: US20200403119A1. Автор: Tan Sakong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor light-emitting device and optical-semiconductor-mounting substrate

Номер патента: US20170207376A1. Автор: Toshiyuki Sakai,Katsuya Sakayori,Satoru Kanke,Kei Amagai,Aki Kimura,Toshimasa TAKARABE,Makoto MIZOSHIRI. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150076448A1. Автор: Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150236197A1. Автор: Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9059375B2. Автор: Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120211724A1. Автор: Hidehiko Yabuhara,Takuo Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-23.

Semiconductor light-emitting device and display device using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230327062A1. Автор: Chunghyun Lim,Myoungsoo Kim,Jungsub KIM,Taein KWON. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor light-emitting device and optical-semiconductor-mounting substrate

Номер патента: US10411174B2. Автор: Toshiyuki Sakai,Katsuya Sakayori,Satoru Kanke,Kei Amagai,Aki Kimura,Toshimasa TAKARABE,Makoto MIZOSHIRI. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device

Номер патента: US20110156065A1. Автор: Yoshiki Inoue,Katsuyoshi Kadan. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230387352A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor light emitting device and method for forming phosphor layer

Номер патента: US20160233389A1. Автор: Yukihiro Nomura,Mitsuyoshi Endo,Hideto Furuyama,Shuji Itonaga,Miyuki Shimojuku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200144449A1. Автор: Satoru Tanaka,Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu,Yasumasa Suzaki,Akifumi NAWATA. Владелец: Scivax Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: EP4354225A1. Автор: Rintaro Koda,Kentaro Hayashi,Eiji Nakayama,Tatsushi Hamaguchi,Hidekazu Kawanishi,Shoetsu NAGANE. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US10910521B2. Автор: Hideki Asano. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: EP4369538A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor light-emitting device, semiconductor light-emitting device connecting structure, and method of producing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240030386A1. Автор: Takashi Momose. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

LED Epitaxial Structure and Manufacturing Method Therefor, Light Emitting Device and Display Panel

Номер патента: US20230163235A1. Автор: Kuo-Tung Huang. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Light emitting device and production method and use thereof

Номер патента: US20240290908A1. Автор: Chao Liu,Xiaofeng Liu,Liming Shu,Chun-Yi Wu,Chaoyu Wu,Duxiang Wang,Weihuan Li,Chingyuan Tsai,Fulong Li,Wenhao GAO. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US10008648B2. Автор: Soo Kun Jeon,Kyoung Min Kim,Eun Hyun Park,Dong So JUNG,Kyeong Jea WOO. Владелец: Semicon Light Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-26.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US8053756B2. Автор: Norikazu Ito,Ken Nakahara,Kazuaki Tsutsumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor light emitting, light concentrating device

Номер патента: US5038354A. Автор: Tetsuya Yagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-08-06.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230352643A1. Автор: Junghoon Kim,Chilkeun Park,Byoungkwon Cho,Byungjun Kang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-11-02.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4366099A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-05-08.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020045286A1. Автор: Yoshiyuki Takahira,Norikatsu Koide. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240128406A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor light emitting device package

Номер патента: US20230133634A1. Автор: Sun Kim,Junghun Lee,Seolyoung Choi,KyoungJun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Light emitting device with reflective electrode

Номер патента: US20160197241A1. Автор: Tsun-Kai Ko,Chien-Kai Chung,De-Shan Kuo,Chun-Teng Ko. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20020053681A1. Автор: Koichi Nitta,Hideto Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11777060B2. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11769860B2. Автор: Noritaka Niwa,Tetsuhiko Inazu. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Nitride-based semiconductor light emitting device

Номер патента: US20110012126A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-01-20.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110186812A1. Автор: Tae Yun Kim,Hyo Kun Son. Владелец: Hyo Kun Son. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160211412A1. Автор: Chih-Chiang Lu,Shih-I Chen,Hsin-Chih CHIU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor light emitting device having a p-type semiconductor layer with a p-type impurity

Номер патента: US8698192B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Nitride-based semiconductor light emitting device

Номер патента: EP2276079A3. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-06.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20180287014A1. Автор: Koji Asada,Tokutaro Okabe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120138889A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20190371968A1. Автор: Koji Asada,Tokutaro Okabe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20210043802A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20200388725A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Light emitting device grown on silicon substrate

Номер патента: RU2657335C2. Автор: Раджвиндер СИНГХ,Джон Эдвард ЭПЛЕР. Владелец: Люмиледс Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2018-06-13.

Vehicular headlamp and semiconductor light emitting element

Номер патента: US7168837B2. Автор: Hiroyuki Ishida,Masashi Tatsukawa,Kiyoshi Sazuka. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-30.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20020190263A1. Автор: Kunio Takeuchi,Tsutomu Yamaguchi,Takashi Kano,Masayuki Hata,Yasuhiko Nomura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US6060730A. Автор: Tsuyoshi Tsutsui. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-05-09.

Method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20230106910A1. Автор: Tan Sakong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160211419A1. Автор: Hiroshi Katsuno,Koji Kaga,Go Oike,Masakazu Sawano,Kazuyuki Miyabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20100230706A1. Автор: Su-Hui Lin,Tzong Liang Tsai,Wei-Kai Wang,Yi-Cun Lu. Владелец: Huga Optotech Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor light emitting element chip integrated device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230352634A1. Автор: Motonobu Takeya. Владелец: Uldtec Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US7868342B2. Автор: Hideto Furuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-11.

Semiconductor light-emitting element and light-emitting device

Номер патента: US10418525B2. Автор: Shuichiro Yamamoto. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-17.

Light Emitting Device with Reflective Electrode

Номер патента: US20180069155A1. Автор: Tsun-Kai Ko,Chien-Kai Chung,De-Shan Kuo,Chun-Teng Ko. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20080303046A1. Автор: Hideto Furuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20100171141A1. Автор: Hideto Furuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor light-emitting element and light-emitting device

Номер патента: US20190103519A1. Автор: Shuichiro Yamamoto. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor light-emitting device and a method for manufacturing the same

Номер патента: US7803645B2. Автор: Michio Murata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-09-28.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP1592075A2. Автор: Koji c/o Itami Works of Sumitomo Uematsu,Masaki c/o Itami Works of Sumitomo Ueno,Ryu c/o Itami Works of Sumitomo Hirota,Hideaki c/o Itami Works of Sumitomo Nakahata,Manabu c/o Itami Works of Sumitomo Okui. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-11-02.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: EP2822034A3. Автор: Shinya Nunoue,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-22.

Group III-V compound semiconductor and light-emitting device

Номер патента: US6023077A. Автор: Yoshinobu Ono,Yasushi Iyechika,Tomoyuki Takada,Katsumi Inui. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-08.

Method for manufacturing group iii nitride compound semiconductor light-emitting device, group iii nitride compound semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20100051980A1. Автор: Kenzo Hanawa,Hisayuki Miki,Yasumasa Sasaki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2010-03-04.

Group-iii nitride compound semiconductor light-emitting device, method of manufacturing group-iii nitride compound semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20120086027A1. Автор: Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-04-12.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190067512A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8367445B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-05.

Group III nitride-based compound semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20090309126A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-17.

III-nitride semiconductor light-emitting device and method of producing the same

Номер патента: US11804567B2. Автор: Yasuhiro Watanabe. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Pixel-type semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12046627B2. Автор: Jong-Hyun Lee,Yong-Min Kwon,Geun-woo KO,Jung-Wook Lee,Pun-Jae Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Self-assembly apparatus and method for semiconductor light emitting device

Номер патента: US12057519B2. Автор: Hyunwoo Cho,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-06.

Supporting substrate for manufacturing vertically-structured semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device using the supporting substrate

Номер патента: US20110114984A1. Автор: Tae Yeon Seong. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2011-05-19.

Supporting substrate for manufacturing vertically-structured semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device using the supporting substrate

Номер патента: EP2333845A2. Автор: Tae Yeon Seong. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2011-06-15.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2009017338A2. Автор: Ho Sang Yoon,Sang Kyun SHIM. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020005521A1. Автор: Masayuki Sonobe,Tetsuhiro Tanabe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Method and apparatus for depositing phosphor on semiconductor-light emitting device

Номер патента: US09892981B2. Автор: Seong-Jae Hong,Cheol-jun Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Fabricating method of a semiconductor light emitting device

Номер патента: US20170294421A1. Автор: Tao-Chih Chang,Chih-Ming Shen,Yu-Wei HUANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor layer, process for forming the same, and semiconductor light emitting device

Номер патента: US20070228408A1. Автор: Hideki Asano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor layer, process for forming the same, and semiconductor light emitting device

Номер патента: US7635872B2. Автор: Hideki Asano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-12-22.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: US20220199859A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: US20240339567A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Pixel-type semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190326349A1. Автор: Jong-Hyun Lee,Yong-Min Kwon,Geun-woo KO,Jung-Wook Lee,Pun-Jae Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190067514A1. Автор: Ming-Sen Hsu,Hsin Liang Yeh. Владелец: EPILEDS TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Display device using semiconductor light-emitting devices, and method for manufacturing same

Номер патента: US20240038930A1. Автор: Jisoo KO,Jungsub KIM,Gunho Kim,Yoonchul KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-01.

Module for removing mis-assembled semiconductor light-emitting element and method for removing mis-assembled semiconductor light-emitting element by using same

Номер патента: US12046484B2. Автор: Juchan CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2174358A2. Автор: Ho Sang Yoon,Sang Kyun SHIM. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-14.

Method and apparatus for depositing phosphor on semiconductor-light emitting device

Номер патента: EP2469616A3. Автор: Seong-Jae Hong,Cheol-jun Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-30.

Light emitting device and method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US20160043290A1. Автор: Takeshi Kususe,Takayuki SOGO,Takanobu SOGAI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor light-emitting element, light-emitting module, and method for manufacturing light-emitting module

Номер патента: US20240282901A1. Автор: Masanori Hiroki,Shigeo Hayashi,Shuichi Nakazawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-08-22.

Intelligent integrated assembly and transfer apparatus for semiconductor light emitting device

Номер патента: US11996393B2. Автор: Hyunwoo Cho,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-05-28.

Methods of forming product wafers having semiconductor light-emitting devices to improve emission wavelength uniformity

Номер патента: SG10201800590YA. Автор: M Hawryluk Andrew. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus and display element

Номер патента: US8692285B2. Автор: Hideo Nagai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-04-08.

Compound semiconductor light emitting device

Номер патента: CA1313247C. Автор: Kiyoshi Ichimura,Hideo Kawanishi,Akihito Tsushi. Владелец: Mitsubishi Rayon Co Ltd. Дата публикации: 1993-01-26.

Method for fabrication of semiconductor light-emitting device and the device fabricated by the method

Номер патента: WO2006019180A1. Автор: Koji Yakushiji. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2006-02-23.

Electrode structure of roller unit for transferring semiconductor light-emitting element and intelligent integrated assembling and transferring device comprising same

Номер патента: US20240120218A1. Автор: Bongchu Shim,Jinhyung JUN,Kitae AN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-04-11.

Textured semiconductor light-emitting devices

Номер патента: US20100117070A1. Автор: Gianni Taraschi,Bunmi T. Adekore,George B. Kenney,Jonathan Pierce. Владелец: LUMENZ LLC. Дата публикации: 2010-05-13.

Methods of Forming Product Wafers Having Semiconductor Light-Emitting Devices To Improve Emission Wavelength Uniformity

Номер патента: US20180226535A1. Автор: Andrew M. Hawryluk. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2156478A1. Автор: Hyo Kun Son. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-24.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: US20210351321A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: WO2021229356A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: EP4150680A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: US20220271197A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2008143460A1. Автор: Hyo Kun Son. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD. Дата публикации: 2008-11-27.

Lighting emitting device with aligned-bonding having alignment patterns

Номер патента: US9269859B2. Автор: Yi-Ming Chen,Chia-Liang Hsu,Hsin-Chih CHIU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-02-23.

Lighting emitting device with aligned-bonding and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20160197230A1. Автор: Yi-Ming Chen,Chia-Liang Hsu,Hsin-Chih CHIU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240266472A1. Автор: Jeonghyo Kwon,Junoh SHIN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor light emitting device growing active layer on textured surface

Номер патента: US09911896B2. Автор: Michael R. Krames,Nathan F. Gardner,Sungsoo Yi,Linda T. Romano. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-03-06.

Light emitting device package

Номер патента: US20220359803A1. Автор: Sangbok Yun,Yeonjun Sung,Hyongsik Won,Joonwoo Jeon,Soonwon Jeong,Hanna Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-10.

Display device using semiconductor light-emitting element, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240266329A1. Автор: Wonseok Choi,Jeonghyo Kwon,Byoungkwon Cho,Junoh SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-08.

Light emitting device package

Номер патента: US12119437B2. Автор: Sangbok Yun,Jongho Lim,Yeonjun Sung,Hyongsik Won,Joonwoo Jeon,Soonwon Jeong,Hanna Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

A semiconductor light emitting device and a display device

Номер патента: EP4401135A1. Автор: Sunghyun Hwang,Kiseong Jeon,Minwoo Lee,Mihee Heo,Byungjun Kang,Junho Sung,Hyungjo PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-17.

Display device using semiconductor light emitting elements, and method for manufacturing same

Номер патента: EP4068371A1. Автор: Junghoon Kim,Byungjun Kang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-10-05.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: EP4203082A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107201B2. Автор: Seung Ho Baek,Soo Kun Jeon,Won Jae Choi,Yeon Ho Jeong,Geun Mo JIN,Geon Il HONG. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor light-emitting device with high light-extraction efficiency and method for fabricating the same

Номер патента: US20090045419A1. Автор: Tzong-Liang Tsai. Владелец: Huga Optotech Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Semiconductor light-emitting device and photocoupler

Номер патента: US20230238483A1. Автор: Naoki Murakami,Takanobu Kamakura,Hideto Sugawara,Hiroaki Ootsuka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Light emitting device, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20230073726A1. Автор: Masatsugu Ichikawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Display device using semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor

Номер патента: US12074147B2. Автор: Changseo Park,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-27.

Light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150349207A1. Автор: Hisashi Kasai,Takayuki SOGO,Takanobu SOGAI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20120295373A1. Автор: Yasuhiro Miki,Masahiko Onishi,Hirofumi NISHIYAMA,Shusaku BANDO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Light-emitting device based on nitride of group iii element, having low-stress light-emitting layer (versions)

Номер патента: RU2457581C2. Автор: Майкл Р. КРЕЙМС,Орельен Дж. Ф. ДЭВИД,Сунгсоо И,Натан Ф. ГАРДНЕР,Линда Т. РОМАНО. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-07-27.

Light emitting device bonded to a support substrate

Номер патента: RU2604956C2. Автор: Дэниел Александер СТЕЙДЖЕРУОЛД,Джером Чандра БХАТ,Салман АКРАМ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Semiconductor light emitting device and method for producing the same

Номер патента: US20120032225A1. Автор: Yoshiki Inoue,Takahiko Sakamoto,Yasutaka Hamaguchi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160079480A1. Автор: Rei Hashimoto,Satoshi MITSUGI,Kei Kaneko,Chie Hongo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100283070A1. Автор: Dong Ju Lee,Sun Woon Kim,Dong Joon Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-11.

Semiconductor light emitting device and light emitting apparatus

Номер патента: US20140252395A1. Автор: Koichi Tachibana,Kotaro Zaima,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor light emitting device and light emitting apparatus

Номер патента: US8766311B2. Автор: Koichi Tachibana,Kotaro Zaima,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-01.

Semiconductor light emitting device and light emitting apparatus

Номер патента: US20120217524A1. Автор: Koichi Tachibana,Kotaro Zaima,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Light-emitting device

Номер патента: US20220102606A1. Автор: Shinya Kondo,Takeshi Tamura,Atsushi Yamamoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Display device using semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing same

Номер патента: EP4099388A1. Автор: Junghoon Kim,Byungjun Kang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-12-07.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20110062477A1. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09899356B2. Автор: Hideyuki Taguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor light-emitting device and optical coupling device

Номер патента: US20240243222A1. Автор: Akira Tanaka,Masanobu Iwamoto,Katsufumi Kondo,Kenji Isomoto,Hideto Sugawara,Hiroaki Ootsuka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Light-emitting device based on nitride of group iii element with light-emitting layer with reduced voltages

Номер патента: RU2591246C2. Автор: Майкл Р. КРЕЙМС,Орельен Дж. Ф. ДЭВИД,Сунгсоо И,Натан Ф. ГАРДНЕР,Линда Т. РОМАНО. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2016-07-20.

Light-emitting device

Номер патента: US20230017727A1. Автор: Feng Wang,Qing Wang,Yu-Chieh Huang,Anhe HE,Kang-Wei Peng,Su-Hui Lin,Ling-yuan HONG,Xiushan Zhu. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240222550A1. Автор: Jungsung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor light-emitting device with near-field surface-lattice-resonance reflector

Номер патента: EP4385073A1. Автор: Jaime GÓMEZ RIVAS,Toni LOPÉZ,Aleksandr VASKIN,Mohamed S. ABDELKHALIK,Debapriya PAL,Albert Femius Koenderink,Aimi Abass. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor light-emitting device with near-field quasi-guided-mode reflector

Номер патента: EP4385072A1. Автор: Jaime GÓMEZ RIVAS,Toni LOPÉZ,Aleksandr VASKIN,Mohamed S. ABDELKHALIK,Debapriya PAL,Albert Femius Koenderink,Aimi Abass. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: EP4394904A1. Автор: Jungsung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Light-emitting-device package and production method therefor

Номер патента: US09997675B2. Автор: Kyoung Min Kim,Myeong Kook Gong,Tae Kyoung YOO,Yong Wook CHO,Min Pyo KIM,Sung Hwan YOO. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8878213B2. Автор: Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Naoharu Sugiyama,Shigeya Kimura,Tomonari SHIODA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-04.

Semiconductor light emitting device growing active layer on textured surface

Номер патента: US10312404B2. Автор: Michael R. Krames,Nathan F. Gardner,Sungsoo Yi,Linda T. Romano. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2019-06-04.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20060163593A1. Автор: Takanobu Kamakura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US7388231B2. Автор: Takanobu Kamakura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-06-17.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US7432535B2. Автор: Takanobu Kamakura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Semiconductor light emitting devices

Номер патента: US12125942B2. Автор: Yongseok Choi,Donggun Lee,Youngjin Choi,Sungjin Ahn,Joosung KIM,Jeongwook LEE,Jonguk Seo,Youngjo TAK,Jonghoon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Oxide Semiconductor Light Emitting Device

Номер патента: US20100264411A1. Автор: Tetsuo Fujii,Tetsuhiro Tanabe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-10-21.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130126937A1. Автор: Shinya Nunoue,Eiji Muramoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09941443B2. Автор: Han Kyu Seong,Young Jin Choi,Jung Sub Kim,Jin Sub Lee,Jae Hyeok HEO,Sam Mook KANG,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing light emitting device with exposed wire end portions

Номер патента: US09923134B2. Автор: Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor light emitting device, wafer, and method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120273794A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Rei Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US5943355A. Автор: Masao Ikeda,Yumi Sanaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Semiconductor light emitting device including graded region

Номер патента: EP2289117A1. Автор: Rafael I Aldaz,Sateria Salim,Patrick N. Grillot,Eugene I. Chen. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2011-03-02.

Display device using semiconductor light-emitting elements and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4020569A1. Автор: Hyunwoo Cho,Dohee Kim,Bongchu Shim,Gunho Kim,Yongil SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-06-29.

Semiconductor light-emitting element, and display device

Номер патента: US20240322084A1. Автор: Wonjae Chang,Jinsung Kim,Wonseok Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-26.

Display device using semiconductor light-emitting elements and manufacturing method therefor

Номер патента: US12080689B2. Автор: Hyunwoo Cho,Dohee Kim,Bongchu Shim,Gunho Kim,Yongil SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor light-emitting element and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09947833B2. Автор: Mamoru Miyachi,Ryosuke KAWAI. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2012107967A1. Автор: Akihiro Kojima,Yoshiaki Sugizaki,Yosuke Akimoto,Susumu Obata,Akiya Kimura,Miyuki Izuka. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: EP2673813A1. Автор: Akihiro Kojima,Yoshiaki Sugizaki,Yosuke Akimoto,Susumu Obata,Akiya Kimura,Miyuki Izuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120012884A1. Автор: Shinya Nunoue,Eiji Muramoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150221828A1. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor light-emitting element and display device including same

Номер патента: US20230178686A1. Автор: Byungjoon Rhee,Hwanjoon Choi,Kyuhyun Bang,Kyoungtae WI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240250229A1. Автор: Cheng Yu,Lixun Yang,Liqin ZHU,Daquan Lin. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09960320B2. Автор: Akihiro Kojima,Susumu Obata. Владелец: Alpad Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US8735196B2. Автор: Masanobu Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor light-emitting element, semiconductor light-emitting device, method for producing semiconductor light-emitting element, method for producing semiconductor light-emitting device, illumination device using semiconductor light-emitting device, and electronic apparatus

Номер патента: US8629473B2. Автор: Kyousuke Masuya,Takehiko OKABE. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-14.

Semiconductor light-emitting element and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8017954B2. Автор: Takafumi Nakamura,Chisato Furukawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Display device comprising semiconductor light emitting element

Номер патента: US20240347548A1. Автор: Minseok Kim,Sul Lee,Kyuhyun Bang,Hun Jang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor light emitting device and light emitting device package

Номер патента: US11888091B2. Автор: Taehun Kim,Jinhwan Kim,Bokyoung Kim,Sungwon KO,Wongoo Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200168589A1. Автор: Junghoon Kim,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor light emitting device and fabrication method of the semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140332840A1. Автор: Masakazu Takao,Kazuhiko Senda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US20190074415A1. Автор: Tsutomu Okubo. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8729585B2. Автор: Akihiro Fujiwara,Katsuhiko Nishitani,Kimitaka Yoshimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20210336081A1. Автор: Tsung-Hong Lu. Владелец: Kaistar Lighting Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150123159A1. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-05-07.

Method for forming contact layer on semiconductor light emitting device

Номер патента: US4686001A. Автор: Niro Okazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-08-11.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20120228656A1. Автор: Toshiyuki Kondo,Atsushi Suzuki,Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Motoaki Iwaya,Tsukasa Kitano,Fumiharu Teramae. Владелец: EL Seed Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US5103271A. Автор: Yasuo Ohba,Toshihide Izumiya,Ako Hatano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-04-07.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4075525A2. Автор: Mamoru Yuasa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-19.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20220336717A1. Автор: Mamoru Yuasa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4075525A3. Автор: Mamoru Yuasa. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-26.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190326477A1. Автор: Junghoon Kim,Hyunwoo Cho,Changseo Park,Byoungkwon Cho,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-10-24.

Display device using semiconductor light emitting device surrounded by conductive electrode and method for manufacturing the same

Номер патента: US12015106B2. Автор: Junghoon Kim,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: US20230387363A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140361330A1. Автор: Shinya Hakuta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US9099594B2. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device package, semiconductor light-emitting device package manufactured thereby, and display device comprising same

Номер патента: US20230361095A1. Автор: Hooyoung SONG,Joodo Park,Myungshin CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230402490A1. Автор: Tae Hyun Kim,Sung Chan Lee. Владелец: Sl Energy Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor light emitting apparatus

Номер патента: US20160149089A1. Автор: Nao Shirokura,Fujito Yamaguchi. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Light emitting device, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US12002902B2. Автор: Masatsugu Ichikawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US8742394B2. Автор: Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-03.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20130020552A1. Автор: Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor light-emitting device with InGaAlP

Номер патента: US5235194A. Автор: Yasuo Ohba,Toshihide Izumiya,Ako Hatano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20100102355A1. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-29.

Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof, integral type semiconductor light emitting unit and fabrication method thereof, image display unit and fabrication method thereof, and illuminating unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20040129929A1. Автор: Goshi Biwa,Hiroyuki Okuyama,Jun Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-07-08.

Light emitting device, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20200220044A1. Автор: Masatsugu Ichikawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Light-emitting device

Номер патента: US20200312823A1. Автор: Shinya Kondo,Takeshi Tamura,Atsushi Yamamoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor light emitting device for display pixel and display device including the same

Номер патента: US20240030182A1. Автор: Sunghyun Hwang,Wonjae Chang,Minwoo Lee,Chunghyun Lim,Myoungsoo Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230411439A1. Автор: Shunichi Sato,Naochika Horio. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20150270462A1. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-24.

Light-emitting device

Номер патента: US20140225138A1. Автор: Yi-Ming Chen,Chia-Liang Hsu,Tsung-Hsien Yang,Shih-I Chen,Ching-Sheng Chen,Tzu-Chieh Hsu,Yi-Tang Lai,Chih-Wei WEI,Ye-Ming Hsu,Jhih-Jheng YANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor light emitting element, electronic apparatus, and light emitting device

Номер патента: US20120241721A1. Автор: Takehiko OKABE,Takashi Hodota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Zn-base semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060246618A1. Автор: Jun-Ya Ishizaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20140225146A1. Автор: Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8624276B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8981395B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-17.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: EP2765618A3. Автор: Shinya Nunoue,Toshihide Ito,Satoshi MITSUGI,Hiroshi Katuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-04.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20100163893A1. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor light emitting devices

Номер патента: US9431578B2. Автор: Young Chul Shin,Tae Hun Kim,Myong Soo Cho,Young Ho Ryu,Dong Myung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor light emitting devices

Номер патента: US20140209956A1. Автор: Young Chul Shin,Tae Hun Kim,Myong Soo Cho,Young Ho Ryu,Dong Myung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20220020905A1. Автор: Minoru Tanaka. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3871263A1. Автор: Junghoon Kim,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-09-01.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20050093015A1. Автор: Hiroshi Nakatsu,Takahisa Kurahashi,Shouichi Ohyama,Tetsurou Murakami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Display device comprising semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240194844A1. Автор: Jungmin Kim,Jaeyoung Oh,Wonseok Choi,Gisang Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20230187595A1. Автор: Dai Miyazaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor light-emitting element and light-emitting device thereof

Номер патента: US20240222588A1. Автор: Zhiwei Wu,Weiping Xiong,Di Gao,Huanshao KUO,Yuren PENG,Shutian QIU. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor light emitting element, method of manufacturing the same, and vehicle lighting unit utilizing the same

Номер патента: EP2631948A3. Автор: Mamoru Miyachi,Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-22.

Method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US8828751B2. Автор: Sung Tae Kim,Young Sun Kim,Ki Sung Kim,Do Young RHEE,Tan Sakong,Suk Ho Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-09.

Current confinement in semiconductor light emitting devices

Номер патента: CA1173548A. Автор: Richard W. Dixon,Bertram Schwartz,Richard C. Miller,Louis A. Koszi,William B. Joyce. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1984-08-28.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20220165917A1. Автор: Masao Kawaguchi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130075771A1. Автор: Kenji Nakamura,Akira Fujimoto,Ryota Kitagawa,Tsutomu Nakanishi,Takanobu Kamakura,Shinji Nunotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US9136253B2. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Hiroshi Katsuno,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150001572A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Hiroshi Katsuno,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8525210B2. Автор: SATOSHI Tanaka. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-03.

Semiconductor light-emitting device and display apparatus comprising same

Номер патента: US20230395768A1. Автор: Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-12-07.

Display device comprising semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4325569A1. Автор: Jungmin Kim,Jaeyoung Oh,Wonseok Choi,Gisang Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Light-emitting device

Номер патента: US11978839B2. Автор: Chen-Ke Hsu,Junpeng Shi,Weng-Tack WONG,Changchin YU,Zhaowu HUANG. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Display device using semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200365567A1. Автор: Changseo Park,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150340348A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Hiroshi Katsuno,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120205705A1. Автор: SATOSHI Tanaka. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12034100B2. Автор: Masao Kawaguchi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor light emitting apparatus having multiple conductive bonding layer elements and its manufacturing method

Номер патента: US20190363233A1. Автор: Kazuhisa SHINNO. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240274749A1. Автор: Seiji Ishimoto,Daiki Jinno. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US09972657B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshihide Ito,Jumpei Tajima,Kenjiro Uesugi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor light-emitting device with near-field multi-layer reflector

Номер патента: WO2023018592A1. Автор: Jaime GÓMEZ RIVAS,Toni LOPÉZ,Aleksandr VASKIN,Mohamed S. ABDELKHALIK,Debapriya PAL,Albert Femius Koenderink,Aimi Abass. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20170250314A1. Автор: Koichi Goshonoo,Naoki Arazoe,Yuya Ishiguro. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9899572B2. Автор: Koichi Goshonoo,Naoki Arazoe,Yuya Ishiguro. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for producing a high-luminance semiconductor light-emitting device capable of operating at a low voltage

Номер патента: US20020098606A1. Автор: Junichi Nakamura,Hiroshi Nakatsu,Kazuaki Sasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120295378A1. Автор: Katsuhiro Tomoda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor light-emitting device and process for production thereof

Номер патента: US20120187414A1. Автор: Koji Asakawa,Takeyuki Suzuki,Akira Fujimoto,Ryota Kitagawa,Yasuhiko Akaike,Hidefumi Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Light-emitting device with improved flexural resistance and electrical connection between layers, production method therefor, and device using light-emitting device

Номер патента: US09837587B2. Автор: Keiichi MAKI. Владелец: Toshiba Hokuto Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: CA1251549A. Автор: Akira Suzuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-03-21.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US9312439B2. Автор: Han Kyu Seong,Young Jin Choi,Jung Sub Kim,Jin Sub Lee,Jae Hyeok HEO,Sam Mook KANG,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-12.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150108520A1. Автор: Tae Hun Kim,Ki Seok Kim,Chan Mook Lim,Tae Kang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-23.

Display device comprising semiconductor light-emitting diode

Номер патента: EP4318587A1. Автор: Sul Lee,Hun Jang,Hooyoung SONG,DooHyun YOON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Display device comprising semiconductor light emitting element

Номер патента: EP4318583A1. Автор: Moonsun Lee,Wonseok Choi,Hyeseon Eom,DooHyun YOON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US11728458B2. Автор: Hideto Sugawara. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20220231191A1. Автор: Hideto Sugawara. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160079501A1. Автор: Kyohei Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120273793A1. Автор: Yukie Nishikawa,Takashi Kataoka,Hironori Yamasaki,Katsuyoshi Furuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP3951894A1. Автор: Huiwen Li,Dongyan Zhang,Duxiang Wang,Shaohua Huang,Kuanfu PAN. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20220013691A1. Автор: Huiwen Li,Dongyan Zhang,Duxiang Wang,Shaohua Huang,Kuanfu PAN. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US6881982B2. Автор: Goshi Biwa,Hiroyuki Okuyama,Masato Doi,Toyoharu Oohata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110298006A1. Автор: Hiroshi Ohno,Nobuaki Nagao,Takahiro Hamada,Kazuhiko Yamanaka,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor light emitting device and manufacturing method of semiconductor light emitting device

Номер патента: US20210313773A1. Автор: Yuusuke Nakayama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device, group III nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US8669129B2. Автор: Kenzo Hanawa,Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama,Takehiko OKABE. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-11.

Semiconductor light emitting element, group iii nitride semiconductor substrate and method for manufacturing such group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP1981093A1. Автор: Hisashi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. MINEMOTO,Yasuo c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KITAOKA,Yasutoshi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KAWAGUCHI,Yasuhito c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. TAKAHASHI,Yoshiaki c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. HASEGAWA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2008-10-15.

Manufacturing method for compound semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20120315718A1. Автор: Hideaki Ikeda,Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Method For Producing Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150236193A1. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Group-III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US6153894A. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2000-11-28.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140087508A1. Автор: Atsushi Miyazaki,Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor light-emitting devices grown on composite wafers

Номер патента: RU2515205C2. Автор: Мелвин Б. МАКЛОРИН,Майкл Р. КРЕЙМС. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-05-10.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4391063A1. Автор: Jeonghyo Kwon,Junoh SHIN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Light-emitting device, method for designing light-emitting device, method for driving light-emitting device, illumination method, and method for manufacturing light-emitting device

Номер патента: US09997678B2. Автор: Hideyoshi Horie. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09905521B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Kazuyoshi Taniguchi,Mamoru Yuasa,Kaori Tachibana. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device assembly

Номер патента: US8035120B2. Автор: Yasushi Ito,Naoji Nada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Light-emitting device and electronic equipment

Номер патента: EP4386726A1. Автор: Goshi Biwa,Masato Doi,Toshiaki Kanemitsu,Naoki Hirao,Akira Ohmae. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160300978A1. Автор: Byung Kyu Chung,Dong Gun Lee,Soo Jeong Choi,Jung Sub Kim,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-13.

Vehicle lamp using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20210062989A1. Автор: Jinhyoun Joe. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190081203A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230253386A1. Автор: Yonghan Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-08-10.

Nano-structure semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150303350A1. Автор: Han Kyu Seong,Jung-Sub KIM,Young Jin Choi,Jae Hyeok HEO,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun,Denis SANNIKOV. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor light-emitting device package and display device

Номер патента: US20240297284A1. Автор: Sangtae Park,Taehyun Kim,Daewoon HONG,Dahye Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-05.

Light emitting device and the use thereof

Номер патента: US20060131595A1. Автор: Cheng-Chuan Chen. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2006-06-22.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12119333B2. Автор: Yonghan Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-10-15.

Car lamp using semiconductor light emitting device

Номер патента: US20190217768A1. Автор: Shinwoo YOON,Hankyu CHO,Myungwoo Jung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-07-18.

Inspection method for semiconductor light-emitting device and manufacturing method for semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140210995A1. Автор: Masatoshi Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: EP4415064A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Light emitting apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20220102323A1. Автор: Kyungho Lee,Hooyoung SONG,Yangwoo Byun. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150008469A1. Автор: Hisashi Ito,Toshiya Nakayama,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi,Kazuo Shimokawa,Akiya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: EP4415063A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140084316A1. Автор: Shinya Nunoue,Satoshi MITSUGI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: US09837388B2. Автор: Byungjoon Rhee,Yoonho Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20180166604A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Backlight unit using semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12032239B2. Автор: Jinseok Lee,Wootae Kim,Hyunho Lee,Changguk Lee,Moongi JEONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-09.

Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device

Номер патента: US20240079538A1. Автор: Kazuyoshi Sakuragi. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Light-emitting device with wavelength-converting side coating

Номер патента: RU2639565C2. Автор: Кеннет ВАМПОЛА,Хан Хо ЧОЙ. Владелец: Люмиледс Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180240948A1. Автор: Yasuo Nakanishi,Yasunobu Shoji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor light emitting devices and partition wall structure, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12125869B2. Автор: Inho Kim,Sungwook Lee,Jonghyun Lee,Kiwon Park,Byungchul Choi,Geunwoo Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device package using same

Номер патента: US20170025573A1. Автор: Jung Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-26.

Method for producing compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8513118B2. Автор: Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Light-emitting device and image display apparatus

Номер патента: US12068441B2. Автор: Toyoharu Oohata,Takahiro Koyama,Mikio TAKIGUCHI. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of Manufacturing Nitride Semiconductor Light Emitting Element

Номер патента: US20090087934A1. Автор: Katsunori Kontani. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-02.

Encapsulant for light-emitting devices

Номер патента: EP1117134A2. Автор: Kato c/o Toyoda Gosei Co. Ltd Hisaki,Matsumura c/o Toyoda Gosei Co. Ltd Kanae,Mabuchi c/o Toyoda Gosei Co. Ltd Akira,Yoshimura c/o Toyoda Gosei Co. Ltd Naoki,Sakai c/o Toyoda Gosei Co. Ltd Kazuhiro. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-18.

Vehicle lamp using semiconductor light emitting device

Номер патента: US20180331152A1. Автор: Sungwhan LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor light emitting device and supporting substrate for semiconductor light emitting elements

Номер патента: US20240021767A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor light-emitting device and method

Номер патента: US20110198650A1. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chien-Yuan Wang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1746665A3. Автор: Steven D. Lester,Virginia M. Robbins. Владелец: Avago Technologies ECBU IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140091350A1. Автор: Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US8791498B2. Автор: Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-29.

Light emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9728694B2. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Lamp using semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP3904760A1. Автор: Kyungho Lee,Hooyoung SONG,Yangwoo Byun. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-11-03.

Compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20100261301A1. Автор: Katsuki Kusunoki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor light emitting device and supporting substrate for semiconductor light emitting elements

Номер патента: EP4246566A1. Автор: Koji Ichikawa,Naochika Horio,Keima Kono,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor light-emitting device and a method of manufacture thereof

Номер патента: US20050249253A1. Автор: Jonathan Heffernan,Valerie Bousquet,Stewart Hooper,Matthias Kauer,Katherine Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-10.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160355948A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160099381A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit

Номер патента: US20090242906A1. Автор: Kouji TSUKAGOSHI. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor light emitting device and wafer

Номер патента: US20120286284A1. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-15.

Method of fabricating a semiconductor light-emitting device and the semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20010017375A1. Автор: Shoji Hirata,Hironobu Narui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Assembly substrate structure of semiconductor light emitting device display device and display device including the same

Номер патента: US20230299064A1. Автор: Yangwoo Byun,Jaeyong AN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Light emitting device package

Номер патента: US20170338210A1. Автор: Yong Il Kim,Young Jin Choi,Sung Hyun SIM,Wan Tae Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-23.

Light emitting device

Номер патента: EP1982361A1. Автор: Takaharu Hoshina. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-10-22.

Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices

Номер патента: EP1403934A3. Автор: Michael R. Krames,Gerd O. Mueller,Troy A. Trottier,Regina Mueller-Mach. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2005-07-06.

Light emitting device

Номер патента: US8933482B2. Автор: Tadaaki Miyata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-01-13.

Optical cavity including a light emitting device and wavelength converting material

Номер патента: EP2831933A1. Автор: Kenneth VAMPOLA,Han Ho Choi,Mark Melvin Butterworth. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2015-02-04.

Optoelectronic light emitting device and manufacturing method

Номер патента: US12095015B2. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer,Stefan Groetsch,Andreas Dobner. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor light-emitting device, lighting apparatus, and lighting unit for vehicles

Номер патента: US10267469B2. Автор: Mitsunori Harada,Yuji Takehara. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Optical cavity including a light emitting device and wavelength converting material

Номер патента: US09997674B2. Автор: Kenneth VAMPOLA,Han Ho Choi,Mark Melvin Butterworth. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09997663B2. Автор: Pun Jae Choi,Yu Seung Kim,Jin Bock Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Light emitting device package

Номер патента: US09966369B2. Автор: Yong Il Kim,Young Jin Choi,Sung Hyun SIM,Wan Tae Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2473152C1. Автор: Такуя НОИТИ,Юити ОКАДА,Такахито МИКИ. Владелец: Нитиа Корпорейшн. Дата публикации: 2013-01-20.

Contact for semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2491683C2. Автор: Майкл Р. КРЕЙМС,Джон И. ЭПЛЕР,Патрик Н. ГРИЙО,Рафаэл I АЛДАЗ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-08-27.

Nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20070138491A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Light emitting device

Номер патента: US20120032196A1. Автор: Takahiro Sato,Shinya Nunoue. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11777068B2. Автор: Taisuke Okada,Masahiko Kobayakawa,Junichi Itai,Shintaro YASUDA,Kazuhiro Mireba. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Light-emitting device using semiconductor

Номер патента: US20160197247A1. Автор: Eiichi Kanaumi,Jun Kaneno. Владелец: NS Materials Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09953901B2. Автор: Taisuke Okada,Masahiko Kobayakawa,Junichi Itai,Shintaro YASUDA,Kazuhiro Mireba. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semicondcutor light-emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09865777B2. Автор: Tzu-Han Hsu,Tung-Bao Lu. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP1503431A3. Автор: Hiroyuki Fujiwara,Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2007-09-12.

Light-emitting device

Номер патента: EP4415062A1. Автор: Sungwoo Choi,Sanghyun Kim,Jiho YOU,Juwon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Light-emitting device

Номер патента: US20240274757A1. Автор: Sanghyun Kim,Jiho YOU,Juwon JEONG,Sungwoo CHOl. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8946750B2. Автор: Akihiro Kojima,Hideo Shiozawa,Takayoshi Fujii,Toshiyuki Terada,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-03.

Semiconductor light emitting element and display device

Номер патента: US20240332453A1. Автор: Jaehyuk Lee,Chilkeun Park,Sungmin Park,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12087896B2. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140061696A1. Автор: Kazuyoshi Furukawa,Shinji Nunotani,Yasuhiko Akaike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12107194B2. Автор: Sang Jeong An. Владелец: Wavelord Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

High brightness, low-cri semiconductor light emitting devices including narrow-spectrum luminescent materials

Номер патента: US09905735B1. Автор: Brian Thomas Collins,Florin A. TUDORICA. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Nitride semiconductor light emitting chip and light emitting device having the same

Номер патента: WO2016085297A1. Автор: Jung-Sub Song. Владелец: ILJIN LED CO., LTD.. Дата публикации: 2016-06-02.

Display device comprising semiconductor light-emitting elements and method for manufacturing same

Номер патента: EP4398305A1. Автор: Jungmin Kim,Moonsun Lee,Eunhye LEE,Wonseok Choi,Hun Jang,Hyeseon Eom,Gisang Hong,Juhyun Nam. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150023379A1. Автор: Yoshinori Ishiai,Masahiro Murayama,Yuichiro Kikuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20220093829A1. Автор: Sang Jeong An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-24.

Display device comprising semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240258480A1. Автор: Youngdo Kim,Hun Jang,Hyeseon Eom,Juhyun Nam. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Manufacturing method of light emitting device

Номер патента: US9887337B2. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US11764335B2. Автор: Yudai Uratani. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Light-emitting device

Номер патента: US20240266484A1. Автор: Chen-Ke Hsu,Junpeng Shi,Weng-Tack WONG,Changchin YU,Zhaowu HUANG. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Manufacturing method of light emitting device

Номер патента: US20170301844A1. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240290915A1. Автор: Sungwoo Choi,Sanghyun Kim,Jiho YOU,Juwon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Wavelength-converted semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP4425585A1. Автор: Sungwoo Choi,Sanghyun Kim,Jiho YOU,Juwon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor light emitting device and method for producing the same

Номер патента: US09947848B2. Автор: Masahiro Sakamoto,Satoshi SHICHIJO,Kazuhide YANASAKA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140070255A1. Автор: Akira Inoue,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor layer, process for forming the same, and semiconductor light emitting device

Номер патента: US7727791B2. Автор: Hideki Asano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Semiconductor light emitting element chip integrated device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230178531A1. Автор: Motonobu Takeya. Владелец: Uldtec Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Nanorod light emitting device, method of manufacturing the same, and display apparatus including the same

Номер патента: US20220416122A1. Автор: Nakhyun Kim,Junhee Choi,Joohun HAN,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20070120139A1. Автор: Reiji Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20210043818A1. Автор: Masahiko Kobayakawa,Dai Miyazaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Light emitting device array

Номер патента: GB2599065A. Автор: Pinos Andrea,Mezouari Samir. Владелец: Plessey Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2022-03-30.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20110227035A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Light source device, projection display device, and method of cooling semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20200319538A1. Автор: Yusuke Tani. Владелец: NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Light emitting device

Номер патента: US20120104356A1. Автор: HA Jong Bong,Dae Seob Han,Yong Tae Moon. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9837793B1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Light emitting device package

Номер патента: US09911906B2. Автор: Won Jin Kim,Jin Gyeong Park,In Jae Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer growth substrate, and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20140319460A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer growth substrate, and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20150236200A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8320421B2. Автор: Michiru Kamada,Hironobu Narui,Eiji Takase,Nobukata Okano,Makoto Oogane,Sachio Karino,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-11-27.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20100019255A1. Автор: Michiru Kamada,Hironobu Narui,Eiji Takase,Nobukata Okano,Makoto Oogane,Sachio Karino,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20220376154A1. Автор: LI YANG,Yang Li,Chang-Chin Yu,Xinglong LI,Zhaowu HUANG,Chenxi YAN. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor light emitting device package

Номер патента: US09997670B2. Автор: Hyung Kun Kim,Ki Won Park,Dong Kuk Lee,Yong Min KWON,Dae Yeop HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160056331A1. Автор: Byung Kyu Chung,Dong Gun Lee,Soo Jeong Choi,Jung Sub Kim,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-25.

Nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US8093625B2. Автор: Sang Kyun SHIM. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-10.

Semiconductor light emitting device manufacture method

Номер патента: US20110027922A1. Автор: Hiroyuki Kato,Michihiro Sano,Naochika Horio. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor light emitting device manufacture method

Номер патента: US8043879B2. Автор: Hiroyuki Kato,Michihiro Sano,Naochika Horio. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-25.

Reflective type semiconductor light emitting device

Номер патента: US7834371B2. Автор: Hiroyuki Kato,Michihiro Sano,Naochika Horio. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-16.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US11011686B2. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-05-18.

Light-emitting device with nano-structured light extraction layer

Номер патента: US11942587B2. Автор: Toni LOPÉZ,Aimi Abass. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-03-26.

Package for a semiconductor light emitting device

Номер патента: EP1511090A3. Автор: Franklin J. Wall. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2009-12-09.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20210234077A1. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200313050A1. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor for light emitting device

Номер патента: US20110266573A1. Автор: Geun ho Kim,Hee Seok Choi,Sung Kyoon Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-03.

Method for manufacturing display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: US12080825B2. Автор: Junho Sung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-03.

Light-emitting device with configurable spatial distribution of emission intensity

Номер патента: EP4150679A1. Автор: Toni LOPÉZ,Floris Crompvoets. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-03-22.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20110031528A1. Автор: Jugo Mitomo,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140191264A1. Автор: Jung-Sub KIM,Cheol-soo Sone,Kyung-Wook Hwang,Deok-Kyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8680568B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-03-25.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9059387B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8946763B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-02-03.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8912555B2. Автор: Heng Liu,Jinn Kong Sheu,Shih-Feng Shao. Владелец: PHOSTEK Inc. Дата публикации: 2014-12-16.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140054627A1. Автор: Heng Liu,Jinn Kong Sheu,Shih-Feng Shao. Владелец: PHOSTEK Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor light-emitting device including a reflector layer having a multi-layered structure

Номер патента: US20220190207A1. Автор: Junghee KWAK,Jungsung Kim,Seong Seok YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Junctionless semiconductor light emitting devices

Номер патента: US20140291609A1. Автор: Chun Li,Deli Wang,Muchuan Yang. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20090121247A1. Автор: Kouji TSUKAGOSHI. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor light emitting device package including reflective electrode pattern

Номер патента: US20220320370A1. Автор: Seungwan CHAE,Myunggoo CHEONG,Youngkyu Sung,Dooho JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-06.

Nano-structure semiconductor light emitting device

Номер патента: US9257605B2. Автор: Han Kyu Seong,Jung-Sub KIM,Young Jin Choi,Jae Hyeok HEO,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun,Denis SANNIKOV. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-09.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160163928A1. Автор: Kohei Miyoshi,Massashi TSUKIHARA. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2016-06-09.

Light-emitting device, method for designing light-emitting device, method for driving light-emitting device, illumination method, and method for manufacturing light-emitting device

Номер патента: US20170005240A1. Автор: Hideyoshi Horie. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Packaged ultraviolet light-emitting device and production method thereof

Номер патента: US12046704B2. Автор: Chen-Ke Hsu,Chih-Wei Chao,Junpeng Shi,Weng-Tack WONG,Jianbin TU,Yanqiu LIAO. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor light emitting device having an optical plate including a meniscus control structure and method of manufacturing

Номер патента: US8455907B2. Автор: Kosaburo ITO,Takeshi WARAGAWA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-04.

Iii-nitride light-emitting devices, grown on templates to reduce strain

Номер патента: RU2454753C2. Автор: Натан Ф. ГАРДНЕР,Линда Т. РОМАНО,Патрик Н. ГРИЙО,Вернер К. ГЕТЦ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-06-27.

Flip chip type nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US7297988B2. Автор: Bong Il Yi,Kun Yoo Ko,Seung Wan Chae,Suk Kil YOON,Hyun Wook Shim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-20.

Semiconductor light emitting device, and backlight and display device comprising the semiconductor light emitting device

Номер патента: US8541798B2. Автор: Tsutomu Ishii,Hajime Takeuchi,Yasuhiro Shirakawa,Yasumasa Ooya,Ryo Sakai. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-24.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160343927A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Kazuyoshi Taniguchi,Mamoru Yuasa,Kaori Tachibana. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: EP3943575A1. Автор: Kenji Ikeda,Masaki ODAWARA,Kazuhisa SHINNO,Shotaro NISHIKI,Tsuzumi HIGASHIYAMA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Method for producing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09972756B2. Автор: Masayuki Takashima,Gaku YOSHIKAWA. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Light source including a wavelength-converted semiconductor light emitting device and a filter

Номер патента: WO2010023624A1. Автор: Michael R. Krames. Владелец: PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC. Дата публикации: 2010-03-04.

Micro light-emitting device and display

Номер патента: US11804578B2. Автор: Chun-Yi Wu,Chen-Ke Hsu,Chia-En Lee,Shaohua Huang. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Vehicle lamp using semiconductor light emitting device

Номер патента: US20180313514A1. Автор: Sungwhan LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor light-emitting device and light-emitting apparatus including the same

Номер патента: US20230178689A1. Автор: Gong Chen,Qing Wang,Kang-Wei Peng,Su-Hui Lin,Ling-yuan HONG,Dazhong Chen,Quanyang Ma. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20140319571A1. Автор: Shinichiro Sonoda,Shinya Hakuta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Display device comprising semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240304774A1. Автор: Jungmin Kim,Eunhye LEE,Hooyoung SONG,Gisang Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Display device comprising semiconductor light emitting element

Номер патента: EP4443507A1. Автор: Minseok Kim,Youngdo Kim,Hun Jang,Hyeseon Eom,Juhyun Nam. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Display device comprising semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4451334A1. Автор: Eunhye LEE,Sunho Kim,Gisang Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US12132154B2. Автор: Wooseok JANG,Dongmyung Shin,Sunhwan HWANG,DaeSup Kim,Dongkuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor light-emitting apparatus having light reflection adjusting member of gray resin and its manufacturing method

Номер патента: US10825972B2. Автор: Mitsunori Harada,Satoshi Ando,Kaori Tachibana. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Semiconductor light emitting device having a reflective material, wavelength converting layer and optical plate with rough and plane surface regions, and method of manufacturing

Номер патента: US8581287B2. Автор: Kazuhiko Ueno,Toshihiro Seko,Kosaburo ITO,Soji Owada,Takeshi WARAGAYA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-12.

Light-emitting device and method for manufacturing same.

Номер патента: MY149763A. Автор: Tajima,Setsuo Kikuchi. Владелец: Fuji Polymer Ind. Дата публикации: 2013-10-14.

Semiconductor light emitting devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US11824148B2. Автор: Kyoung Min Kim,Jung Woo Han,Bong Hwan KIM. Владелец: Elphoton Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting module

Номер патента: US11916175B2. Автор: Kenji Ikeda,Masaki ODAWARA,Kazuhisa SHINNO,Shotaro NISHIKI,Tsuzumi HIGASHIYAMA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090020773A1. Автор: Kenichi Mori,Yuko Nomura,Isao Amemiya,Isao Takasu,Keiji Sugi,Miho Yoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor light-emitting device and method for forming the same

Номер патента: US20150044794A1. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chia-Fen Tsai. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Transfer device for semiconductor light emitting device and display device of semiconductor light emitting device using same

Номер патента: US20230327047A1. Автор: Sungjin Park,Taesu Oh,Joonkwon Moon,Bongseok Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-10-12.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190325790A1. Автор: Hyunwoo Cho,Changseo Park,Seongmin MOON,Kiseong Jeon,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-10-24.

Method of inspecting semiconductor light-emitting device and method for manufacturing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9546956B2. Автор: Masatoshi Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor light emitting device and light emitting device assembly including the same

Номер патента: US20230253535A1. Автор: Jungwook Lee,Sungwook Lee,Sanghyun Kim,Sumin Hwangbo,YuJung KIM,Minwook Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Light emitting device and vehicle lamp

Номер патента: US9080732B2. Автор: Takahiko Nozaki. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-14.

Method of manufacturing a semiconductor light emitting apparatus

Номер патента: EP1808903A3. Автор: Yuichi c/o Shinko Electric Ind. Co. Ltd. Taguchi,Akinori c/o Shinko Elec. Ind. Co. Ltd. Shiraishi,Kei c/o Shinko Elec. Ind. Co. Ltd. Murayama,Naoyuki c/o Shinko Elec. Ind. Co. Ltd. Koizumi,Masahiro c/o Shinko Elec. Ind. Co. Ltd. Sunohara,Hideaki c/o Shinko Elec. Ind. Co. Ltd. Sakaguchi,Mitsutoshi c/o Shinko Elec Ind. Co. Ltd. Higashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-20.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20100238687A1. Автор: Masaki ODAWARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240213430A1. Автор: Dongwoo Kim,Jiheon OH,Joongil LEE,Kwonjoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240234635A9. Автор: Yu-Ling Lin,Chao-Hsing Chen,Jia-Kuen Wang,Tzu-Yao Tseng,Tsung-Hsun Chiang,Wen-Hung Chuang,Bo-Jiun Hu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of fabricating semiconductor light emitting device

Номер патента: US20170077346A1. Автор: Sang Jun Lee,Seung Hyun Kim,Sang Heon Han,Dong Yul Lee,Suk Ho Yoon,Jang Mi KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: EP4411820A1. Автор: Taehun Kim,Suyeol Lee,Hanul YOO,Dooho JEONG,Gyeongseon PARK,Taesung JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240266474A1. Автор: Taehun Kim,Suyeol Lee,Hanul YOO,Dooho JEONG,Gyeongseon PARK,Taesung JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Light Emitting Device and Preparation Method Therefor, Light Emitting Substrate and Preparation Method Thereof

Номер патента: US20240213422A1. Автор: Jiawei ZHAO,Junjie MA,Yuanhao Sun,Yuanda LU,Shanwei Yang,Zhijun XIONG,Xueqiao LI. Владелец: BOE Jingxin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20120193674A1. Автор: Jong Won Kim,Soo Kun Jeon,Eun Hyun Park,Jun Chun PARK. Владелец: Semicon Light Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device

Номер патента: US5763901A. Автор: Toshiaki Tanaka,Satoshi Komoto,Norio Fujimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US5519720A. Автор: Ryoichi Hirano,Kimio Shigihara,Etsuji Omura,Akira Takemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8916901B2. Автор: Hisashi Ito,Toshiya Nakayama,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi,Kazuo Shimokawa,Akiya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-23.

Lamp using semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11804585B2. Автор: MinGu Kang,Hooyoung SONG,Bongseok Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor light emitting device package for display pixel and display device including the same

Номер патента: EP4322216A1. Автор: Changseo Park,Myoungsoo Kim,Jungsub KIM,Gunho Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-14.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US20190221715A1. Автор: Hideki Asano. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Light-emitting device and lighting apparatus

Номер патента: US20120161194A1. Автор: Makoto Sakai,Keiichi Shimizu,Akiko Takahashi,Kiyoshi Nishimura,Ryotaro Matsuda,Kozo Ogawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US11316073B2. Автор: Hideki Asano. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor light-emitting device and method for producing same

Номер патента: US20190198737A1. Автор: Kenji Ikeda. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor light emitting device package for display pixel and display device including the same

Номер патента: US20240055412A1. Автор: Changseo Park,Myoungsoo Kim,Jungsub KIM,Gunho Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-15.

Inspection method for semiconductor light-emitting device and manufacturing method for semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9395406B2. Автор: Masatoshi Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing same

Номер патента: US20220165927A1. Автор: Kenji Ikeda. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Display device and self-assembly method for semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP3989284A2. Автор: Junghoon Kim,Hyunwoo Cho,Mihee Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-04-27.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12033989B2. Автор: Changseo Park,Kiseong Jeon,Bongchu Shim,Juchan CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-09.

Display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12021071B2. Автор: Yonghan Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor light emitting element and method of manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140110744A1. Автор: Honglin Wang,Eisuke Yokoyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Semiconductor light-emitting element, light-source head, and image forming apparatus

Номер патента: US8963186B2. Автор: Hideki Fukunaga. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-24.

Uv light-emitting device, uv light-emitting device production method and uv light-emitting module production method

Номер патента: US20200274040A1. Автор: Yoshihiko Sakane,Akira Hirano,Ko Aosaki,Yosuke Nagasawa,Masamichi Ippommatsu,Yuki SUEHARA. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor light-emitting element, light-source head, and image forming apparatus

Номер патента: US20140217442A1. Автор: Hideki Fukunaga. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor light emitting element and method for producing the same

Номер патента: US09929311B2. Автор: Mitsunori Kokubo,Hideki Takagi,Hideki Hirayama,Yukio Kashima,Eriko MATSUURA,Takaharu Tashiro,Takafumi Ookawa,Sung Won Youn,Ryuichiro Kamimura,Yamato OSADA,Satoshi Shimatani. Владелец: MARUBUN CORP. Дата публикации: 2018-03-27.

Member for semiconductor light emitting device and method for manufacturing such member, and semiconductor light emitting device using such member

Номер патента: US20090045422A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Yutaka Mori,Masanori Yamazaki,Hanako Kato,Mari Abe,Tsubasa Tomura. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2009-02-19.

Illumination apparatus having a plurality of semiconductor light-emitting devices

Номер патента: US20080055901A1. Автор: Akiko Saito,Masahiro Izumi,Tomohiro Sanpei,Shinji Nogi. Владелец: Toshiba Lighting and Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Display device using semiconductor light emitting devices having different structures

Номер патента: US9711692B2. Автор: Byungjoon Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-07-18.

Light emitting device with reflective sidewall

Номер патента: US20200286940A1. Автор: Dawei Lu,Oleg Shchekin. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2020-09-10.

Light emitting device with reflective sidewall

Номер патента: EP3622563A1. Автор: Dawei Lu,Oleg Shchekin. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2020-03-18.

Light emitting device with reflective sidewall

Номер патента: WO2018208763A1. Автор: Dawei Lu,Oleg Shchekin. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11870021B2. Автор: Tomoichiro Toyama,Ryo KITTAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Light emitting device package

Номер патента: US20180068991A1. Автор: Yong Il Kim,Young Jin Choi,Sung Hyun SIM,Wan Tae Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US9379294B2. Автор: Kenji Ozeki,Tomonori MIYOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US9478527B2. Автор: Kenji Ozeki,Tomonori MIYOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor light-emitting devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11804513B2. Автор: Inho Kim,Juhyun Kim,Jungwook Lee,Sangbum Lee,Yongmin Kwon,Geunwoo Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor light-emitting apparatus

Номер патента: EP2272102A1. Автор: Hideo Nagai,Yasuharu Ueno. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-01-12.

Semiconductor light-emitting apparatus

Номер патента: WO2009119034A4. Автор: Hideo Nagai,Yasuharu Ueno. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2010-01-21.

Light emitting device including supporting body and wavelength conversion layer

Номер патента: US9653659B2. Автор: Hiroto Tamaki,Takeshi Ikegami,Tadao Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Backlight unit using semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220326570A1. Автор: Jinseok Lee,Wootae Kim,Hyunho Lee,Changguk Lee,Moongi JEONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-10-13.

Light emitting device, method for manufacturing light emitting device, light source device, and lamp

Номер патента: EP4297107A1. Автор: Soichi Shibusawa,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Light emitting device, method for manufacturing light emitting device, light source device, and lamp

Номер патента: US20240125443A1. Автор: Soichi Shibusawa,Daizo KAMBARA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200274038A1. Автор: Tomoichiro Toyama,Ryo KITTAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220310889A1. Автор: Tomoichiro Toyama,Ryo KITTAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160254254A1. Автор: Kenji Ozeki,Tomonori MIYOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Light emitting device

Номер патента: US20130146924A1. Автор: Takahiro Sato,Shinya Nunoue,Iwao Mitsuishi,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor light-emiting device and method

Номер патента: US20110101407A1. Автор: Kaori Namioka. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor light-emitting devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210366982A1. Автор: Inho Kim,Juhyun Kim,Jungwook Lee,Sangbum Lee,Yongmin Kwon,Geunwoo Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor light emitting element

Номер патента: US20240204133A1. Автор: Chengjun ZHANG,Jingfeng Bi,Jinjian ZHENG,Weihong Fan,Moran Gao,Jiaming ZENG. Владелец: Xiamen Silan Advanced Compound Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Lamp using semiconductor light-emitting elements

Номер патента: US11114598B2. Автор: Kyungho Lee,Hooyoung SONG,Sungwhan LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-09-07.

Methods of manufacturing semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor

Номер патента: US20080076316A1. Автор: Gerald Negley. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor light emitting device with increased luminous power

Номер патента: US6121637A. Автор: Shinji Isokawa,Hidekazu Toda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-09-19.

Display device using semiconductor light-emitting elements, and method for manufacturing same

Номер патента: US20220246583A1. Автор: Changseo Park,Seongmin MOON,Kiseong Jeon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2768036A3. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-13.

Flip chip type nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: KR20060109559A. Автор: 이봉일,채승완,고건유,심현욱,윤석길. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2006-10-23.

Semiconductor light emitting device with short wavelength light selecting means

Номер патента: US5466950A. Автор: Kazuhiko Itaya,Hideto Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-11-14.

Light emitting device

Номер патента: EP2339656A2. Автор: Nunoue Shinya,Takahiro Sato,Iwao Mitsuishi,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-29.

Vehicle lamp using semiconductor light emitting device

Номер патента: US10914445B2. Автор: MinGu Kang,Sechul PARK,Hooyoung SONG,Sungwhan LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-02-09.

Semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230317877A1. Автор: Liyang Zhang,Zhizhong Guo. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of manufacturing light-emitting device, light-emitting device, and projector

Номер патента: US20150280090A1. Автор: Shuichi Tanaka,Kunihiko Aoyagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20180309020A1. Автор: Hidekazu Kawanishi,Yuuki ISOBE. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor light-emitting device package and display device comprising same

Номер патента: US20240038933A1. Автор: Sungjin Park,Taesu Oh,Joonkwon Moon,Bongseok Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US10263141B2. Автор: Hidekazu Kawanishi,Yuuki ISOBE. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-04-16.

A semiconductor light emitting device package and a display device

Номер патента: EP4312269A1. Автор: Sungjin Park,Myoungsoo Kim,Jungsub KIM,Taesu Oh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-31.

Light emitting device having a light extraction layer

Номер патента: US9478698B2. Автор: Yi-Ming Chen,Chia-Liang Hsu,Tsung-Hsien Yang,Shih-I Chen,Ching-Sheng Chen,Tzu-Chieh Hsu,Yi-Tang Lai,Chih-Wei WEI,Ye-Ming Hsu,Jhih-Jheng YANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20100102349A1. Автор: Yasunori Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-04-29.

Wavelength converted light emitting device with textured substrate

Номер патента: US20180315901A1. Автор: Toni LOPÉZ. Владелец: Lumileds Holding BV. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor light emitting device for a display pixel and a display device including the same

Номер патента: US20240038825A1. Автор: Wonseok Choi,Jeonghyo Kwon,Sungmin Park,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120032214A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Taisuke Sato,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140361324A1. Автор: Kazuhiro Inoue,Yoshiharu Tsuboi,Teruo Takeuchi,Kazuhiro Tamura,Kenji Shimomura,Kazuhisa Iwashita,Toshihiro Kuroki,Toshihiro Komeya,Tetsuro Komatsu,Naoya Ushiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US9337402B2. Автор: Tadaaki Ikeda. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200328331A1. Автор: Hiroyasu Ichinokura,Shuichiro Yamamoto. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220359800A1. Автор: Hiroyasu Ichinokura,Shuichiro Yamamoto. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for forming current diffusion layer in semiconductor light emitting device and method for fabricating semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2012171493A1. Автор: WANG Zhang,Wanshi Chen. Владелец: Shenzhen Byd Auto R&D Company Limited. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: EP2219240A3. Автор: Hwan Hee Jeong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160079485A1. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220246813A1. Автор: Lung-Kuan Lai,Jian-Chin Liang. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: EP3406110A1. Автор: Byungjoon Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-11-28.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240170622A1. Автор: Kazuya Masuyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240213402A1. Автор: Yusuke Matsukura,Kazufumi Takao,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for producing compound semiconductor light-emiting device

Номер патента: US20120080712A1. Автор: Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Nanorod light emitting device, substrate structure including a plurality of nanorod light emitting devices, and method of manufacturing the substrate structure

Номер патента: EP4109567A1. Автор: Nakhyun Kim,Junhee Choi,Kiho Kong,Junghun PARK,Joohun HAN,Joosung KIM,Eunsung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-28.

Semiconductor light emitting element and method for producing semiconductor light emitting element

Номер патента: US20240332339A1. Автор: Akihiro Nomura,Hiroaki KANAOKA. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8735926B2. Автор: Takaaki Sakai,Takeshi WARAGAYA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-27.

Light emitting device with wavelength converting side coat

Номер патента: EP2831932A1. Автор: Kenneth VAMPOLA,Han Ho Choi. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2015-02-04.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US4623907A. Автор: Hiroshi Okuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1986-11-18.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20060243996A1. Автор: Mitsunori Ueda,Naoji Nada,Tetsuyuki Yoshida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-11-02.

Method for manufacturing semiconductor light emitting device

Номер патента: US7371593B2. Автор: Mitsunori Harada. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-13.

Method for manufacturing semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting element and lamp provided with the semiconductor light emitting element

Номер патента: EP2012370A1. Автор: Kenzo c/o SHOWA DENKO K.K. HANAWA,Yasunori c/o SHOWA DENKO K.K. YOKOYAMA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2009-01-07.

Semiconductor light emitting device with fluoropolymer lens

Номер патента: US20030230977A1. Автор: Howard Epstein. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2003-12-18.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130248893A1. Автор: Yoshiaki Sugizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US20170213941A1. Автор: Hiroto Tamaki,Takeshi Ikegami,Tadao Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor light-emitting device having matrix-arranged light-emitting elements

Номер патента: US9599305B2. Автор: Yasuyuki Shibata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140055048A1. Автор: Yuan-Hsiao Chang,Jhih-Sin Hong,Shih Tsun Yang. Владелец: PHOSTEK Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9190586B2. Автор: Yuan-Hsiao Chang,Jhih-Sin Hong,Shih Tsun Yang. Владелец: PHOSTEK Inc. Дата публикации: 2015-11-17.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130256727A1. Автор: Akihiro Kojima,Hideo Shiozawa,Takayoshi Fujii,Toshiyuki Terada,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20220190556A1. Автор: Minoru Murayama,Satohiro Kigoshi,Okimoto KONDO,Yusuke NAKAKOHARA,Gen Muto,Yuki Tanuma,Chikoto IKEDA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor light emitting device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160197229A1. Автор: Jung Hoon Kim,Il Woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Nanorod light emitting device, substrate structure including a plurality of nanorod light emitting devices, and method of manufacturing the substrate structure

Номер патента: US20220406959A1. Автор: Nakhyun Kim,Junhee Choi,Kiho Kong,Junghun PARK,Joohun HAN,Joosung KIM,Eunsung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor light emitting device package and a display device

Номер патента: US20240038823A1. Автор: Sungjin Park,Myoungsoo Kim,Jungsub KIM,Taesu Oh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-02-01.

Assembly substrate structure of a display device including a semiconductor light emitting device and a display device including the same

Номер патента: US20240038824A1. Автор: Younho HEO,Kwangheon KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: EP2642518A3. Автор: Yoshiaki Sugizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-16.

Wavelength converter and semiconductor light emitting device

Номер патента: EP2657999A3. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Hideyuki Tomizawa,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-12.

Light-emitting diode and light-emitting device

Номер патента: US20240014355A1. Автор: Qing Wang,Peng Liu,Minyou He,Zhanggen Xia,Guangyao WU,Chungying Chang,Lingyuan Hong. Владелец: Hubei Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor light emitting element and fabricating method

Номер патента: US20110303894A1. Автор: Kentaro Watanabe,Giichi Marutsuki,Yuya Yamakami. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Package structure of semiconductor light emitting device

Номер патента: US20130270601A1. Автор: Kuan-Chieh Wang,Zong-Han Yu. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Process for preparing a semiconductor light-emitting device for mounting

Номер патента: EP2020039A1. Автор: Decai Sun,Oleg B. Shchekin,Xiaolin Sun. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2009-02-04.

Process for preparing a semiconductor light-emitting device for mounting

Номер патента: WO2007135586A1. Автор: Decai Sun,Oleg B. Shchekin,Xiaolin Sun. Владелец: PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor light emitting element and display device

Номер патента: EP4391093A1. Автор: Jaehyuk Lee,Chilkeun Park,Sungmin Park,Byoungkwon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor light emitting device and light emitting module

Номер патента: EP2742531A1. Автор: Akihiro Kojima,Yoshiaki Sugizaki,Yosuke Akimoto,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi,Hideo Nishiuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-18.

Method for producing a semiconductor light emitting device

Номер патента: CA2100115C. Автор: Takashi Iwasaki,Toshiyuki Nitta. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8294165B2. Автор: Naomi Shida,Shinji Saito,Shinya Nunoue,Masahiro Yamamoto,Yasushi Hattori,Genichi Hatakoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Semiconductor light-emitting device and method of making of the same

Номер патента: CA1065461A. Автор: Morio Inoue,Kunio Itoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1979-10-30.

Display device and method for self-assembling semiconductor light emitting diodes

Номер патента: US11715812B2. Автор: Junghoon Kim,Hyunwoo Cho,Mihee Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US11929591B2. Автор: Takashi Sugiyama,Masahiro Murayama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Vertical cavity-type semiconductor light-emitting device and optical module using vertical cavity -type semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20020038869A1. Автор: Keiji Takaoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Light emitting device module and lighting system including the same

Номер патента: US20120007111A1. Автор: Nam Seok Oh,Gun Kyo Lee,Young Hun Ryu. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor light-emitting device with groove and method of manufacturing the same

Номер патента: US11935910B2. Автор: Donggun Lee,Joosung KIM,Suhyun JO,Jongin YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8872210B2. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-28.

Semiconductor light-emitting device having matrix-arranged light-emitting elements and transparent plates

Номер патента: US9570426B2. Автор: Jiro Higashino. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Display device and method for self-assembling semiconductor light emitting diodes

Номер патента: US20220302342A1. Автор: Junghoon Kim,Hyunwoo Cho,Mihee Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device

Номер патента: US9356424B2. Автор: Yoshinori Ishiai,Masahiro Murayama,Yuichiro Kikuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Fabrication method of semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20030008430A1. Автор: Junichi Nakamura,Kazuaki Sasaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20150206922A1. Автор: Tatsuma Saito,Ryosuke KAWAI. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20230261034A1. Автор: Nicola Bettina Pfeffer,Arjen Gerben Van Der Sijde,Pieter Johannes Quintus Van Voorst Vader. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150008470A1. Автор: Akihiro Kojima,Hideto Furuyama,Yoshiaki Sugizaki,Yosuke Akimoto,Miyoko Shimada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Vehicle lamp using semiconductor light emitting device

Номер патента: US20180315893A1. Автор: Eunah Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-11-01.

Current-injecting/tunneling light-emitting device and method

Номер патента: US7842939B2. Автор: David J. King,Robbie J. Jorgenson. Владелец: Lightwave Photonics Inc. Дата публикации: 2010-11-30.

Current-injecting/tunneling light-emitting device and method

Номер патента: EP2257983A2. Автор: David King,Robbie Jorgenson. Владелец: Lightwave Photonics Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Luminescent ceramic for a light emitting device

Номер патента: US10290775B2. Автор: Hans-Helmut Bechtel,Joerg Meyer,Jan de Graaf,Michael R. Krames,Gerd O. Mueller,Peter J. Schmidt,Regina B. Mueller-Mach,Theo Arnold Kop. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2019-05-14.

Semiconductor light emitting device having conductive substrate

Номер патента: US8232570B2. Автор: Kyung Jun Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-31.

Semiconductor light emitting devices including flexible unitary film on aluminum nitride substrate

Номер патента: US8455909B2. Автор: Gerald H. Negley. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-06-04.

Packaged light emitting devices

Номер патента: US8154043B2. Автор: James Ibbetson,Eric Tarsa,Gerald H. Negley,Michael Leung,Peter Andrews,Thomas G. Coleman. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-04-10.

Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension

Номер патента: US7569407B2. Автор: Gerald H. Negley,Michael Leung. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-08-04.

Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates

Номер патента: US7906793B2. Автор: Gerald H. Negley. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-03-15.

Semiconductor light emitting device with vertical light emission

Номер патента: CA1271550C. Автор: Fumio Inaba,Noriaki Onodera,Hiromasa Ito,Akira Mizuyoshi. Владелец: . Дата публикации: 1990-07-10.

Semiconductor light emitting device with vertical light emission

Номер патента: US4797890A. Автор: Fumio Inaba,Noriaki Onodera,Hiromasa Ito,Akira Mizuyoshi. Владелец: Mitsubishi Cable Industries Ltd. Дата публикации: 1989-01-10.

Methodology of forming optical lens for semiconductor light emitting device

Номер патента: MY152737A. Автор: Koay Huck Khim. Владелец: Silq Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2014-11-28.

Semiconductor light emitting device package

Номер патента: US20100012967A1. Автор: Kwang Cheol LEE,Yong Seok Choi. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor light emitting device with vertical light emission

Номер патента: CA1271550A. Автор: Fumio Inaba,Noriaki Onodera,Hiromasa Ito,Akira Mizuyoshi. Владелец: Mitsubishi Cable Industries Ltd. Дата публикации: 1990-07-10.

Display apparatus comprising light emitting devices coupled to a wiring board with conductive adhesive

Номер патента: US11799063B2. Автор: Hwanjoon Choi,Kyoungtae WI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140042468A1. Автор: Akira Inoue,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230411581A1. Автор: Taisuke Okada,Masahiko Kobayakawa,Junichi Itai,Shintaro YASUDA,Kazuhiro Mireba. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of fabricating light emitting device package

Номер патента: US20190312182A1. Автор: Yong Il Kim,Sung Hyun SIM,Ji Hye YEON,Hye Seok NOH,Wan Tae Lim,Hanul YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230411553A1. Автор: Tomoya Yamashita. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Wavelength converted semiconductor light emitting device

Номер патента: US20190252580A1. Автор: Peter Josef Schmidt,April Schricker,Oleg Borisovich Shchekin,Han Choi. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2019-08-15.

Light Emitting Device

Номер патента: US20150060930A1. Автор: Akihiro Sasaki,Nobuhiko Betsuda,Katsuhisa Matsumoto. Владелец: Toshiba Lighting and Technology Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Light emitting device

Номер патента: US20100155771A1. Автор: Yoshitaka Bando. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Display device comprising semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4376086A1. Автор: Youngdo Kim,Hun Jang,Hyeseon Eom,Juhyun Nam. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Method for manufacturing a semiconductor light emitting device

Номер патента: US6200827B1. Автор: Hiroyuki Ota,Yoshinori Kimura. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 2001-03-13.

Display device using semiconductor light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3837719A1. Автор: Jin Jang,Sunghwan Kim,Jaegwang Um. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2021-06-23.

Semiconductor light emitting device and light emitting module

Номер патента: US20140175471A1. Автор: Akihiro Kojima,Yoshiaki Sugizaki,Yosuke Akimoto,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi,Hideo Nishiuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor light emitting device package

Номер патента: US20220320397A1. Автор: Junghun Lee,Seolyoung Choi,KyoungJun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor light emitting device with light reflective current diffusion layer

Номер патента: US6184544B1. Автор: Shinji Isokawa,Hidekazu Toda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2001-02-06.

Phosphor for phosphor-converted semiconductor light emitting device

Номер патента: EP1589090A2. Автор: Gerd O. Mueller,Regina B. Mueller-Mach. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2005-10-26.

Method and device for fabricating semiconductor light emitting elements

Номер патента: CA2463169C. Автор: Osamu Goto,Kensaku Motoki,Koshi Tamamura,Tsuyoshi Tojo,Tsunenori Asatsuma,Shigetaka Tomiya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

Nitride-based semiconductor light-emitting element, lighting device, liquid crystal display device, and method for producing lighting device

Номер патента: US8729579B2. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue,Tadashi Yano,Toshiya Yokogawa,Masaki Fujikane,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US11929451B2. Автор: Tae Hun Kim,Jae In SIM,JuHeon YOON,Jung Hwan KIL,Hwa Ryong SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US11848315B2. Автор: Okimoto KONDO,Yusuke NAKAKOHARA,Kanako MIMORI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Light-emitting device

Номер патента: US10720557B2. Автор: Guan-Ru He. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Light-emitting device

Номер патента: US20170162768A1. Автор: Guan-Ru He. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor light emitting apparatus and method for producing the same

Номер патента: US20040238829A1. Автор: Kenichi Kurita,Nobumasa Kaneko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Stripe type semiconductor light emitting element having InGan active layer, combined with optical resonator including wavelength selection element

Номер патента: US20030147448A1. Автор: Toshiro Hayakawa. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20090212311A1. Автор: Tzong-Liang Tsai,Su-Hui Lin,Wei-Kai Wang,Yi-Cun Lu. Владелец: Huga Optotech Inc. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US7768027B2. Автор: Tzong-Liang Tsai,Su-Hui Lin,Wei-Kai Wang,Yi-Cun Lu. Владелец: Huga Optotech Inc. Дата публикации: 2010-08-03.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20090212312A1. Автор: Tzong-Liang Tsai,Su-Hui Lin,Wei-Kai Wang,Yi-Cun Lu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor package substrate, semiconductor package and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20210257519A1. Автор: Kazuyoshi Sakuragi,Hiroyasu Ichinokura. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Array of semiconductor light-emitting elements and method of making said element

Номер патента: RU2469435C1. Автор: Кендзи ХИРУМА,Синдзиро ХАРА,Дзунити МОТОХИСА,Такаси ФУКУИ. Владелец: Нэшнл Юниверсити Корпорейшн Хоккайдо Юниверсити. Дата публикации: 2012-12-10.

Method of fabricating semiconductor light emitting devices

Номер патента: US5629232A. Автор: Ching-Long Jiang. Владелец: Whitaker LLC. Дата публикации: 1997-05-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20090053841A1. Автор: Hideo Nagai,Kunihiko Obara,Mineo Tokunaga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-26.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09978726B2. Автор: Byungjoon Rhee,Hwanjoon Choi,Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-05-22.

Light emitting device

Номер патента: US20230193126A1. Автор: Naoto Kijima,Takashi Hase,Masahiko Yoshino,Kentarou Horibe,Naoki Sako,Byungchul Hong,Fumiko Yoyasu. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Display device using semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2617917C1. Автор: Бюнгдзоон РХЕЕ. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2017-04-28.

Group III nitride-based compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: CN101393958B. Автор: 守山实希,五所野尾浩一. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-26.

Group III nitride-based compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20090072267A1. Автор: Koichi Goshonoo,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Iii-nitride compound semiconductor light emitting device

Номер патента: EP1721341A1. Автор: Joongseo 606-103 Samsung Raemian PARK. Владелец: Epivalley Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-15.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190280460A1. Автор: Kazuaki Kaneko,Shigetoshi Ito,Teruyuki Oomatsu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Method for producing semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09954152B2. Автор: Masayuki Takashima,Gaku YOSHIKAWA. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor light emitting device, composite light emitting device with arrangement of semiconductor light emitting devices, and planar light source using composite light emitting device

Номер патента: US8641256B2. Автор: Masanori Hoshino,Takeshi Sano,Kouji TSUKAGOSHI,Kazuyoshi Haga. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-04.

Display device using semiconductor light emitting device

Номер патента: US20150116985A1. Автор: Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the device

Номер патента: US7297984B2. Автор: Toshiaki Tanaka,Satoshi Komoto,Norio Fujimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

Organic light-emitting device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20210305540A1. Автор: Tao Wang,Ping Song,Yuanzheng GUO,Youwei Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Light emitting device

Номер патента: US20240101899A1. Автор: Naoto Kijima,Takashi Hase,Masahiko Yoshino,Kentarou Horibe,Naoki Sako,Byungchul Hong,Fumiko Yoyasu. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Light emitting device

Номер патента: US11873435B2. Автор: Naoto Kijima,Takashi Hase,Masahiko Yoshino,Kentarou Horibe,Naoki Sako,Byungchul Hong,Fumiko Yoyasu. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

White light-emitting glass, glass-covered light-emitting element, and light-emitting device

Номер патента: US20130241399A1. Автор: Takumi Fujiwara,Syuji Matsumoto,Toshinobu Yoko,Hirokazu Masai. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

White light-emitting glass, glass-covered light-emitting element, and light-emitting device

Номер патента: US8926865B2. Автор: Takumi Fujiwara,Syuji Matsumoto,Toshinobu Yoko,Hirokazu Masai. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Wavelength converted semiconductor light emitting device

Номер патента: EP1566848A3. Автор: Gerd O. Mueller,Regina B. Mueller-Mach. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2010-04-07.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: CA1234421A. Автор: Hiroshi Okuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1988-03-22.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US11799266B2. Автор: Yuki Tanuma. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240106196A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Lamp using semiconductor light-emitting devices

Номер патента: US20210026056A1. Автор: Jeongin Cheon,Seokhoon KANG,Kisuk Woo,Kwanwoo PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor light-emitting device, and water disinfection device

Номер патента: US20230223736A1. Автор: Takayoshi Yamane,Chizu Saito,Shogo KIRAI. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

A semiconductor light emitting device

Номер патента: GB2135116A. Автор: Sun Wei John Shi. Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1984-08-22.

Semiconductor light emitting device and head mount display device

Номер патента: EP2506319A2. Автор: Takahito Suzuki,Shinya Jumonji. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2012-10-03.

Reflective optical elements for semiconductor light emitting devices

Номер патента: US7118262B2. Автор: Gerald H. Negley. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-10-10.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3387881A1. Автор: Byungjoon Rhee,Hwanjoon Choi,Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-10-17.

Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170170151A1. Автор: Byungjoon Rhee,Hwanjoon Choi,Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor light emitting apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US20050087734A1. Автор: Yoshifumi Yabuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Semiconductor light emitting apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US7259398B2. Автор: Yoshifumi Yabuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-21.

Semiconductor light emitting element and backlight assembly including the same

Номер патента: US10312424B2. Автор: Seung Hyun Oh,Jun Hyeok Han,Yun Geon CHO,Bo Gyun KIM,Suk Min HAN,In Woo SON. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Semiconductor light-emitting apparatus integrated with heat-conducting/dissipating module

Номер патента: CA2610220C. Автор: Jen-Shyan Chen. Владелец: NeoBulb Technologies Inc. Дата публикации: 2010-05-04.

Group III Nitride Compound Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20080303017A1. Автор: Masaki Ohya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Group III nitride compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US7737431B2. Автор: Masaki Ohya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Light emitting device, ranging device, and movable object

Номер патента: US20240332913A1. Автор: Takeshi Uchida,Takako Suga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit

Номер патента: US20240313501A1. Автор: Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

High-brightness high-power semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240222930A1. Автор: Jun Wang,Heng Liu,Yao XIAO,Quanling LI,Pei MIAO,Xinsheng LIAO,Dayong Min. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

High-reliability low-defect semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240222931A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Bo Li,Yiwen HU,Shaoyang TAN,Quanling LI,Lichen ZHANG. Владелец: Everybright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Compound semiconductor light emitting device and process for producing the same

Номер патента: US20010040908A1. Автор: Tsutomu Munakata,Kashima Yasumasa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor light-emitting element, light-emitting device, and ranging device

Номер патента: US20230216275A1. Автор: Takeshi Uchida,Tatsuro Uchida,Takako Suga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US7423294B2. Автор: Yuji Masui,Takahiro Arakida,Yoshinori Yamauchi,Rintaro Koda,Norihiko Yamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-09-09.

Semiconductor light-emitting device with an axis of symmetry

Номер патента: US09948065B2. Автор: Yury Georgievich Shreter,Yury Toomasovich Rebane,Aleksey Vladimirovich Mironov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-17.

Surface light-emission type semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP4047761A1. Автор: Shinji Saito,Rei Hashimoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-08-24.

Semiconductor light-emitting device and manufacturing method for the same

Номер патента: US09991669B2. Автор: Takahiro Sugiyama,Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods for fabricating light emitting devices

Номер патента: US09972974B1. Автор: James W. RARING,Melvin McLaurin,Thiago P. Melo,Po Shan Hsu. Владелец: Soraa Laser Diode Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

High-brightness and high-power semiconductor light-emitting device and preparation method therefor

Номер патента: EP4243226A1. Автор: Jun Wang,Heng Liu,Yao XIAO,Quanling LI,Pei MIAO,Xinsheng LIAO,Dayong Min. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Highly reliable low defect semiconductor light-emitting device and preparation method therefor

Номер патента: EP4266515A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Bo Li,Yiwen HU,Shaoyang TAN,Quanling LI,Lichen ZHANG. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US5684824A. Автор: Toshiro Hayakawa. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1997-11-04.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240250505A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor light emitting element, driving method of semiconductor light emitting element, light emitting device, and optical pulse tester using light emitting device

Номер патента: US20120044481A1. Автор: Hiroshi Mori,Yasuaki Nagashima,Shintaro MORIMOTO. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Surface-emitting semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same, optical module, and light-transmission device

Номер патента: EP1341278B1. Автор: Tsuyoshi Kaneko. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-04-26.

Light-emitting device, ranging device, and movable body

Номер патента: EP4343990A1. Автор: Takeshi Uchida,Takako Suga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20090154515A1. Автор: Hideki Asano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Light emitting device, ranging device and movable object

Номер патента: US20240085534A1. Автор: Takeshi Uchida,Takako Suga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor light emitting device and external resonance type laser device

Номер патента: US11962122B2. Автор: Shinichiro Nozaki,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US5627851A. Автор: Takashi Takahashi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1997-05-06.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US8759812B2. Автор: Shigeyuki Takagi,Hidehiko Yabuhara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Light emitting device

Номер патента: US20220299173A1. Автор: Toshio Hata,Hiroaki Onuma,Yasuaki Hirano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230420909A1. Автор: Atsushi Yamaguchi,Kazunori Fuji,Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor Light-emitting device

Номер патента: US20100200868A1. Автор: Yuji Masui,Takahiro Arakida,Rintaro Koda,Osamu Maeda,Terukazu Naruse,Naoki Jogan. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Driver circuit for semiconductor light-emitting device

Номер патента: US4900912A. Автор: Takashi Shoji. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1990-02-13.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20200412102A1. Автор: Shinichi Takigawa,Shinichiro Nozaki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor light-emitting element, light-emitting device, and ranging device

Номер патента: US20230216276A1. Автор: Takeshi Uchida,Tatsuro Uchida,Takako Suga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240079847A1. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US7745895B2. Автор: Hiroshi Inada,Yasuhiro Iguchi,Youichi Nagai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-06-29.

Method for forming a semiconductor light-emitting device and a semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20090001408A1. Автор: Atsushi Matsumura,Tomokazu Katsuyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230402821A1. Автор: Shinji Yoshida,Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor light-emitting element, manufacturing method of semiconductor light-emitting element, and semiconductor device

Номер патента: US20150255950A1. Автор: Kota Tokuda,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor light emitting device, laser amplifier, and integrated light amplifier and wavelength variable filter

Номер патента: US5661741A. Автор: Syoichi Kakimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-08-26.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20230155346A1. Автор: Shinichiro Nozaki. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20230142319A1. Автор: Kazunori Fuji,Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor light emitting device and optical transceiver

Номер патента: US20170098922A1. Автор: Takanori Shimizu,Satoshi Iwamoto,Masashige Ishizaka,Yasuhiko Arakawa,Nobuaki Hatori,Katsuaki Tanabe. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor light emitting device, semiconductor light emitting apparatus, and method for manufacturing semiconductor light emitting

Номер патента: US8885685B2. Автор: Haruhiko Yoshida,Kazuya OHIRA,Mizunori Ezaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US8488647B2. Автор: Takahiro Arakida,Osamu Maeda,Masaki Shiozaki,Shiro Uchida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-07-16.

Light emitting device and display device using the same

Номер патента: US20080073661A1. Автор: Akinari Takagi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor light-emitting element

Номер патента: US10186838B2. Автор: Haruhiko Yoshida,Norio Iizuka,Kazuya OHIRA,Mizunori Ezaki,Hirotaka Uemura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Lighting fixture comprising semiconductor light-emitting diodes

Номер патента: RU2605451C2. Автор: Хие Ман ДЗУНГ. Владелец: Сеул Семикондактор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-12-20.

Quantum dot light-emitting device and manufacture method therefor

Номер патента: EP3910696A1. Автор: Dong Li. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-17.

Rotating display apparatus using semiconductor light emitting device

Номер патента: EP4030412A1. Автор: Sungwhan LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-07-20.

Blue-light-emitting device and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: US20240147751A1. Автор: Dongxu Zhang,Yuqian SUN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Light-emitting device, preparation method therefor, and display apparatus

Номер патента: US20240298460A1. Автор: Zitong AO,Jiating HONG. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Quantum dot light-emitting device and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: US20240298456A1. Автор: Yang Gao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Quantum dot light-emitting device and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: US20240306412A1. Автор: Dong Li. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Quantum dot film layers, quantum dot light emitting devices and manufacturing methods therefor

Номер патента: US20240237508A1. Автор: ZHUO Li,Jingwen FENG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Light-emitting device and preparation method therefor, and display substrate

Номер патента: EP4447634A1. Автор: Dong Li,Yichi ZHANG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Light output estimation method for light-emitting device

Номер патента: US20240201244A1. Автор: Naoki Shibata,Kenta URA. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Rotating display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12100319B2. Автор: Sungwhan LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-24.

Projection device, projection control method, and storage medium, suitable for projector or the like using semiconductor light-emitting element as light source

Номер патента: US09958763B2. Автор: Toshiharu Arai,Takeo ISHIZU. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Rotatable display device using semiconductor light-emitting diodes

Номер патента: US12073744B2. Автор: Sungwhan LEE,Kisuk Woo,Kwanwoo PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-27.

Rotating display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP4068254A1. Автор: Sungwhan LEE,Jaewoon LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-10-05.

Rotating display apparatus using semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP4033478A1. Автор: Sungwhan LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-07-27.

Semiconductor device for optically coupling semiconductor light-emitting device to optical fiber

Номер патента: US20030072543A1. Автор: Tetsu Yoshizawa. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2003-04-17.

Aerosol generating device comprising light emitting device and operating method therefor

Номер патента: WO2024144116A1. Автор: Yong Hwan Kim,Dong Sung Kim,Hun Il Lim,Young Bum Kwon. Владелец: KT&G CORPORATION. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240042166A1. Автор: Chun-Yi Wu,Bing-Xian CHUNG,Weifan KE. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120001223A1. Автор: YOKOGAWA Toshiya,KATO Ryou,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,IWANAGA Junko. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE

Номер патента: US20120001222A1. Автор: CHOI Kwang Ki,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O.,KIM Chung Song. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT UNIT

Номер патента: US20120001221A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor light-emitting device with porous buffer layer

Номер патента: RU2402837C1. Автор: Дмитрий Александрович Закгейм,Дмитрий Александрович Закгейм (RU). Владелец: Закрытое акционерное общество "ЭПИ-ЦЕНТР". Дата публикации: 2010-10-27.

Method of making semiconductor light-emitting elements

Номер патента: RU2479892C2. Автор: Юрий Николаевич Макаров,Сергей Юрьевич Курин,Хелава Хейкки,Татьяна Юрьевна Чемекова,Андрей Алексеевич Антипов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Галлий-Н". Дата публикации: 2013-04-20.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, ILLUMINATING DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING ILLUMINATING DEVICE

Номер патента: US20120002134A1. Автор: Yamada Atsushi,YOKOGAWA Toshiya,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,OYA Mitsuaki,YANO Tadashi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT EMITTING MODULE

Номер патента: US20120001538A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same

Номер патента: KR100771792B1. Автор: 김동준,박수영,오방원,이규한,포민 알렉산더. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-10-30.

Semiconductor light-emitting instrument

Номер патента: RU2461916C1. Автор: Юрий Владимирович Сахаров,Павел Ефимович Троян,Сергей Петрович Усов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР). Дата публикации: 2012-09-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.