Method for low temperature liquid-phase deposition and method for cleaning liquid-deposition apparatus
Номер патента: US20040137753A1
Опубликовано: 15-07-2004
Автор(ы): Chih-Yuan Tseng, Edward Chang, Muh-Wang Liang, Pang-Min Chiang, Shih-Ming Chiang
Принадлежит: Industrial Technology Research Institute ITRI
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-07-2004
Автор(ы): Chih-Yuan Tseng, Edward Chang, Muh-Wang Liang, Pang-Min Chiang, Shih-Ming Chiang
Принадлежит: Industrial Technology Research Institute ITRI
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Liquid phase deposition method for growing silicon dioxide film on III-V semiconductor substrate treated with ammonium hydroxide
Номер патента: US5998304A. Автор: Chien-Jung Huang,Yeong-Her Wang,Mau-Phon Houng. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 1999-12-07.