Method of making a quasi-monolithic integrated circuit structure
Номер патента: US3850710A
Опубликовано: 26-11-1974
Автор(ы): C Wen
Принадлежит: RCA Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 26-11-1974
Автор(ы): C Wen
Принадлежит: RCA Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Design structure, structure and method of latch-up immunity for high and low voltage integrated circuits
Номер патента: US20130168818A1. Автор: Steven H. Voldman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-04.