Feldeffekttransistor-Struktur mit isoliertem Gate.

Feldeffekttransistor-Struktur mit isoliertem Gate

Номер патента: DE10023116A1
Опубликовано: 29-11-2001
Автор(ы): Dietrich Bonart
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Реферат: Bei einem Feldeffektransistor mit isoliertem Gate ist die Gate-Elektrode aus einem Material hergestellt, das keinen energetisch erlaubten Zustand im Energieintervall besitzt, welches zur Steuerung der Ladungsträgerdichte im Inversionskanal zwischen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode verwendet wird.

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Halbleitervorrichtung mit isoliertem Gate und dieselbe umfassendes Leistungsmodul

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Umgekehrt leitender bipolarer Transistor mit isoliertem Gate

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Umgekehrt leitender bipolarer Transistor mit isoliertem Gate

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Feldeffekttransistor mit isoliertem graben-gate

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Bipolartransistor mit isoliertem gate

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Umgekehrt leitender bipolarer Transistor mit isoliertem Gate

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Feldeffekttransistor-Struktur mit isoliertem Gate

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