Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen eines Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate und eines Bipolartransistors
Номер патента: DE69125794D1
Опубликовано: 28-05-1997
Автор(ы): Jack Reynolds, Michael C Smayling
Принадлежит: Texas Instruments Inc
Опубликовано: 28-05-1997
Автор(ы): Jack Reynolds, Michael C Smayling
Принадлежит: Texas Instruments Inc
Verfahren zum Herstellen eines integrierten MOS-Feldeffekttransistors mit einem elektrisch isolierten schwebenden Gate und einem Steuergate und Verwendung des Verfahrens zur Herstellung eines programmierbaren Festwertspeichers
Номер патента: DE2445030C2. Автор: Heinz Dipl.-Phys. 8000 München Schulte. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1982-09-02.