Vorrichtung und verfahren zur sicherung der dichtheit eines hohlraumes, in die eine durchführungsöffnung mündet
Номер патента: ATE461910T1
Опубликовано: 15-04-2010
Автор(ы): Alexandra Cobbe, Catherine Brunet-Manquat, Francois Baleras, Guy Parat
Принадлежит: Commissariat Energie Atomique
Опубликовано: 15-04-2010
Автор(ы): Alexandra Cobbe, Catherine Brunet-Manquat, Francois Baleras, Guy Parat
Принадлежит: Commissariat Energie Atomique
Verfahren zur integrierung von komplementären metall-oxid-halbleiter- (cmos-) vorrichtungen mit vorrichtungen mit mikroelectromechanischen systemen (mems) unter erwendung einer ebenen oberfläche über einer opferschicht
Номер патента: DE102017110355A1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-30.