METHOD FOR PRODUCING THE GROWTH OF A SEMICONDUCTOR MATERIAL
Номер патента: US20140360427A1
Опубликовано: 11-12-2014
Автор(ы): Paltrier Sylvain
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 11-12-2014
Автор(ы): Paltrier Sylvain
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Light-assisted deposition method for fabricating a compliant substrate for epitaxial growth of monocrystalline materials
Номер патента: US20030022520A1. Автор: Barbara Barenburg,Zhiyi Yu,Alexander Demkov. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-30.