Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

White-light-emitting led structures

Номер патента: US20230106427A1
Опубликовано: 06-04-2023
Автор(ы): Matthew Alexander Meitl, Ronald S. Cok
Принадлежит: X Display Company Technology Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

White-light-emitting LED structures

Номер патента: US12057541B2. Автор: Ronald S. Cok,Matthew Alexander Meitl. Владелец: X Display Company Technology Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

White-light-emitting LED structures

Номер патента: US12100792B2. Автор: Ronald S. Cok,Matthew Alexander Meitl. Владелец: X Display Company Technology Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

White-light-emitting LED structures

Номер патента: US11777065B2. Автор: Ronald S. Cok,Matthew Alexander Meitl. Владелец: X Display Company Technology Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

White light emitting led-powered lamp

Номер патента: WO2007017122A1. Автор: Julius Muschaweck,Samuel P Gumins. Владелец: Samuel P Gumins. Дата публикации: 2007-02-15.

Active blue light leakage preventing led structures

Номер патента: US20180337311A1. Автор: Tsung-Hsun Yang,Ching-Cherng Sun. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2018-11-22.

White Light Emitting LED Device

Номер патента: US20150021635A1. Автор: Qian Zhiqiang,Jin Zhengwu. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

Micro led structure and micro led projector

Номер патента: WO2023123491A1. Автор: Huiwen Xu,Jian Guo. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Company. Дата публикации: 2023-07-06.

Micro led structure and micro led projector

Номер патента: US20240355977A1. Автор: Huiwen Xu,Jian Guo. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

White light emitting LED-powered lamp

Номер патента: US20070023762A1. Автор: Julius Muschaweck,Samuel Gumins. Владелец: Luxo ASA. Дата публикации: 2007-02-01.

ACTIVE BLUE LIGHT LEAKAGE PREVENTING LED STRUCTURES

Номер патента: US20180337311A1. Автор: Sun Ching-Cherng,YANG Tsung-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

LED STRUCTURE AND LIGHT-EMITTING UNIT

Номер патента: US20190058096A1. Автор: Jia Shu-yong,Lee Wen,Guo Ke-qin,Lee Mu-qi. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

LED structure and light-emitting unit

Номер патента: US10522725B2. Автор: Wen Lee,Ke-qin Guo,Mu-qi Lee,Shu-Yong Jia. Владелец: Lite On Opto Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

LED Structure, LED Device and Method of Manufacturing LED Structure

Номер патента: US20230282685A1. Автор: Weihua Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Wuxi Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Micro led structure and full color micro led panel

Номер патента: US20240213293A1. Автор: Wei Sin Tan,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Micro led structure and micro led panel

Номер патента: US20240213406A1. Автор: Wei Sin Tan,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Micro led structure and full color micro led panel

Номер патента: WO2024130720A1. Автор: Wei Sin Tan,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

Micro led structure and micro led panel

Номер патента: WO2024130719A1. Автор: Wei Sin Tan,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

Micro led structure and full color micro led panel

Номер патента: WO2024130720A9. Автор: Wei Sin Tan,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2024-07-25.

Micro led structure and micro led panel

Номер патента: WO2024130718A1. Автор: Wei Sin Tan,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

Micro led structure and micro display panel

Номер патента: WO2023142145A1. Автор: Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Company. Дата публикации: 2023-08-03.

Micro led structure and method of manufacturing same

Номер патента: US20190214537A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Tae Hwan Song. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Micro light-emitting diode (led) structure

Номер патента: WO2024178719A1. Автор: Shuang ZHAO,Yuankun ZHU,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2024-09-06.

Forming LED structures on silicon fins

Номер патента: US09847448B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Sanaz Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Led structure and preparing method of led structure

Номер патента: US20230299118A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Micro light emitting diode (led) structure, method for manufacturing the same and display including the same

Номер патента: US20190123235A1. Автор: Yong-Hoon Cho,Youngchul Sim,Kie Young Woo. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-04-25.

Single light emitting diode (LED) structure having epitaxial structure separated into light emitting zones

Номер патента: US11728461B2. Автор: Trung Tri Doan,David Trung Doan. Владелец: SemiLEDs Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Single Light Emitting Diode (LED) Structure Having Epitaxial Structure Separated Into Light Emitting Zones

Номер патента: US20210119088A1. Автор: Trung Tri Doan,David Trung Doan. Владелец: SemiLEDs Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Light Emitting Diode (LED) Structure Having Single Epitaxial Structure Separated Into Light Emitting Zones

Номер патента: US20230411565A1. Автор: Trung Tri Doan,David Trung Doan. Владелец: SemiLEDs Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Micro led structure and micro led panel

Номер патента: US20240213229A1. Автор: Wei Sin Tan,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Micro led structure and micro led panel

Номер патента: WO2024130717A1. Автор: Wei Sin Tan,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

Micro led structure and micro led panel

Номер патента: US20240213292A1. Автор: Wei Sin Tan,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

LED Structure

Номер патента: US20140061688A1. Автор: Shouli Steve Hsia,Chih-Kuang Yu,Hung-Yi Kuo,Fu-Chih Yang,Ming-Feng Wu,Hung-Chao Kao,Ken Wen-Chien Fu. Владелец: Chip Star Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

LED Structure

Номер патента: US20140339579A1. Автор: Shouli Steve Hsia,Chih-Kuang Yu,Hung-Yi Kuo,Fu-Chih Yang,Ming-Feng Wu,Hung-Chao Kao,Ken Wen-Chien Fu. Владелец: Chip Star Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220209056A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208838A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220209058A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208844A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208841A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: EP4268288A1. Автор: Jian Guo,Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Multi-led structures

Номер патента: US20230154966A1. Автор: Ronald S. Cok,Matthew Alexander Meitl. Владелец: X Display Company Technology Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Micro light-emitting diode (led) structure

Номер патента: US20240297205A1. Автор: Shuang ZHAO,Yuankun ZHU,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Micro light-emitting diode (led) structure

Номер патента: WO2024178720A1. Автор: Shuang ZHAO,Yuankun ZHU,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2024-09-06.

Micro light-emitting diode (led) structure

Номер патента: WO2024178718A1. Автор: Shuang ZHAO,Yuankun ZHU,Deshuai LIU. Владелец: 1/1Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2024-09-06.

Full-color led structure, and full-color led structure unit and method for manufacturing same

Номер патента: US20230378396A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Light emitting diode (led) structures for a microled device, and method for producing an array of led structures

Номер патента: US20230317871A1. Автор: Xiuling Li,Clarence Chan. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-10-05.

Micro led structure and method of manufacturing same

Номер патента: US20200335680A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Tae Hwan Song. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Micro LED structure and method of manufacturing same

Номер патента: US11335836B2. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Tae Hwan Song. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-17.

Led structures and maufacturing methods thereof, led devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230207609A1. Автор: Liyang Zhang,Zhizhong Guo. Владелец: Enkris Semiconductor Wuxi Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Led structure

Номер патента: US20120326198A1. Автор: Shouli Steve Hsia,Chih-Kuang Yu,Hung-Yi Kuo,Fu-Chih Yang,Ming-Feng Wu,Hung-Chao Kao,Ken Wen-Chien Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-12-27.

WHITE PHOSPHORS, METHODS OF MAKING WHITE PHOSPHORS, WHITE LIGHT EMITTING LEDS, METHODS OF MAKING WHITE LIGHT EMITTING LEDS, AND LIGHT BULB STRUCTURES

Номер патента: US20150123536A1. Автор: WANG Xiao-Jun,HE Zhiyi,Yen William M.,Basun Sergei,Gama Gennaro J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

White phosphors, methods of making white phosphors, white light emitting leds, methods of making white light emitting leds, and light bulb structures

Номер патента: WO2007143379A3. Автор: Xiao-Jun Wang,Gennaro J Gama,William M Yen,Zhiyi He,Sergei Basun. Владелец: Sergei Basun. Дата публикации: 2008-04-24.

White phosphors, methods of making white phosphors, white light emitting leds, methods of making white light emitting leds, and light bulb structures

Номер патента: EP2022095A4. Автор: Xiao-Jun Wang,Gennaro J Gama,William M Yen,Zhiyi He,Sergei Basun. Владелец: University of Georgia Research Foundation Inc UGARF. Дата публикации: 2010-10-06.

White phosphors, methods of making white phosphors, white light emitting leds, methods of making white light emitting leds, and light bulb structures

Номер патента: US20110284798A1. Автор: William M. Yen,Xiao-Jun Wang,Gennaro J. Gama,Zhiyi He,Sergei Basun. Владелец: University of Georgia Research Foundation Inc UGARF. Дата публикации: 2011-11-24.

LED structure with quasi-continuous spectrum and method of illumination

Номер патента: US09750105B2. Автор: Juha Rantala. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-29.

Led structure with a dynamic spectrum and a method

Номер патента: US20180092182A1. Автор: Juha Rantala. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-29.

Active blue light leakage preventing led structures

Номер патента: US20170263799A1. Автор: Tsung-Hsun Yang,Ching-Cherng Sun. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2017-09-14.

LED structure with a dynamic spectrum and a method

Номер патента: US09681515B2. Автор: Juha Rantala. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-13.

LED Structure with a Dynamic Spectrum and a Method

Номер патента: US20190037662A1. Автор: Juha Rantala. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-01-31.

LED STRUCTURE WITH POLARIZED LIGHT EMISSION

Номер патента: US20170357127A1. Автор: Cok Ronald S.,Bower Christopher,MEITL Matthew. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Single-chip surface mounted led structure and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20080220547A1. Автор: Tsung-Wen Chan,Chin-Hsiang Ku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Backlight LED Structure, Backlight and Display Device

Номер патента: US20140146565A1. Автор: You Li,Xiuyun Chen. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Passivated micro led structures suitable for energy efficient displays

Номер патента: US20180175248A1. Автор: KHALED Ahmed. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Micro led structure and micro led projector

Номер патента: WO2023125981A1. Автор: Huiwen Xu,Jian Guo. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2023-07-06.

Micro led structure and micro led panel

Номер патента: WO2024197711A1. Автор: Qunchao XU,WeiSin Tan. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2024-10-03.

Quantum well-based led structure enhanced with sidewall hole injection

Номер патента: AU2021275060C1. Автор: Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

LED Structure and Fabrication Method

Номер патента: US20170141271A1. Автор: Su-Hui Lin,Chen-Ke Hsu,Chia-En Lee,Xinghua LIANG,Hongquan HE,Te-Ling Hsia. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Micro light-emitting diode (led) structure

Номер патента: US20240297158A1. Автор: Shuang ZHAO,Yuankun ZHU,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Led structure and gan-based substrate thereof, and method for manufacturing gan-based substrate

Номер патента: US20230335678A1. Автор: Kai Cheng,Weihua Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Blue light leakage-suppressing led structure

Номер патента: US20160308096A1. Автор: Tsung-Hsun Yang,Ching-Cherng Sun,Yu-Yu Chang,Te-Yuan Chung,Shang-Fu YANG. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-10-20.

Blue light leakage-suppressing LED structure

Номер патента: US9793452B2. Автор: Tsung-Hsun Yang,Ching-Cherng Sun,Yu-Yu Chang,Te-Yuan Chung,Shang-Fu YANG. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2017-10-17.

Led structures and methods of manufacturing led structure

Номер патента: US20230299231A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Micro-led structures for full color displays and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200135970A1. Автор: KHALED Ahmed,Sansaptak DASGUPTA,Anup Pancholi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Micro light-emitting diode (led) structure

Номер патента: US20240297287A1. Автор: Shuang ZHAO,Yuankun ZHU,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Micro led structure

Номер патента: US20220173268A1. Автор: Yi-Chun Shih,Tzu-Yang Lin,Yen-Chun Tseng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-02.

Group III nitride based LED structures including multiple quantum wells with barrier-well unit interface layers

Номер патента: US12094998B2. Автор: Brian T. Collins,Daniel Carleton Driscoll,Thomas A. Kuhr,Robert David Schmidt. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Led structures for reduced non-radiative sidewall recombination

Номер патента: EP3417490A1. Автор: David P. Bour,Arpan Chakraborty,Jean-Jacques P. Drolet,Kelly McGroddy,Daniel Arthur Haeger,Dmitry S. Sizov,James Michael Perkins. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-12-26.

LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination

Номер патента: US09865772B2. Автор: David P. Bour,Arpan Chakraborty,Jean-Jacques P. Drolet,Kelly McGroddy,Daniel Arthur Haeger,Dmitry S. Sizov,James Michael Perkins. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination

Номер патента: US09601659B2. Автор: David P. Bour,Arpan Chakraborty,Jean-Jacques P. Drolet,Kelly McGroddy,Daniel Arthur Haeger,Dmitry S. Sizov,James Michael Perkins. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

LED structure applied to backlight source

Номер патента: US09484505B2. Автор: Ru-Shi Liu,Chih-Chao Chang,Chun-Che Lin,Hung-Li Yeh,Po-Hsiang Chung. Владелец: Unity Opto Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination

Номер патента: US09484492B2. Автор: David P. Bour,Arpan Chakraborty,Jean-Jacques P. Drolet,Kelly McGroddy,Daniel Arthur Haeger,James Michael Perkins. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Quantum well-based led structure enhanced with sidewall hole injection

Номер патента: AU2021275060B2. Автор: Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Ultraviolet (uv) light-emitting diode (led) structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230299237A1. Автор: Xiaohui HUANG. Владелец: Zhixin Semiconductor Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

LED structure and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2551922A3. Автор: Cheng-Hung Chen,Chia-Hung Hou,Der-Lin Hsia. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2013-11-06.

Methods and systems for UV LED structures

Номер патента: US11901484B2. Автор: Zihao Yang,David Masayuki Ishikawa,Mingwei Zhu,Nag Patibandla,Mengnan Zou. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Mixed light led structure

Номер патента: US20140203312A1. Автор: Ching-Huei Wu. Владелец: Unity Opto Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Micro LED structure and display device

Номер патента: US11894495B2. Автор: Kai-Hung Cheng,Fu-Han HO. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Methods and systems for uv led structures

Номер патента: EP4352796A1. Автор: Zihao Yang,David Masayuki Ishikawa,Mingwei Zhu,Nag Patibandla,Mengnan Zou. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Methods and systems for uv led structures

Номер патента: WO2022260868A1. Автор: Zihao Yang,David Masayuki Ishikawa,Mingwei Zhu,Nag Patibandla,Mengnan Zou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-12-15.

Multi-wavelength led structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230335672A1. Автор: Kai Cheng,Weihua Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Micro led structure and display device

Номер патента: US20240128412A1. Автор: Kai-Hung Cheng,Fu-Han HO. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Strong light-emitting diode (led) structure for substrate separation

Номер патента: RU2477906C2. Автор: Цинвэй МО,Арнольд ДАГИО. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-03-20.

High-reflectivity and low-defect density LED structure

Номер патента: US8158998B2. Автор: Liang-Jyi Yan,Yea-Chen Lee. Владелец: HIGH POWER OPTO Inc. Дата публикации: 2012-04-17.

Nanowire led structure and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2583317A2. Автор: Truls Lowgren. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2013-04-24.

AC LED Structure

Номер патента: US20110121329A1. Автор: Ming-Hung Chen,Shih-Yi Wen,Jing-Yi Chen. Владелец: Helio Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2011-05-26.

Led devices, led structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240014344A1. Автор: Kai Cheng,Weihua Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208837A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220209050A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208833A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220209053A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220209052A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Display pixels made from stacked micro-led structures and photoluminescent materials

Номер патента: US20230290909A1. Автор: Zhiyong Li,Sivapackia Ganapathiappan,Hou T. Ng,Lisong Xu,Mingwei Zhu,Kai Ding,Nag Patibandla. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Micro-led structures and photoluminescent materials having uv light filters

Номер патента: US20230335693A1. Автор: Sivapackia Ganapathiappan,Hou T. Ng,Lisong Xu,Kulandaivelu SIVANANDAN,Mingwei Zhu,Nag Patibandla. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Display pixels made from stacked micro-led structures and photoluminescent materials

Номер патента: WO2023172679A1. Автор: Zhiyong Li,Sivapackia Ganapathiappan,Hou T. Ng,Lisong Xu,Mingwei Zhu,Kai Ding,Nag Patibandla. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

Micro-led structures and photoluminescent materials having uv light filters

Номер патента: WO2023205024A1. Автор: Sivapackia Ganapathiappan,Hou T. Ng,Lisong Xu,Kulandaivelu SIVANANDAN,Mingwei Zhu,Nag Patibandla. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-10-26.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208831A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208842A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208830A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208832A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208836A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208843A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208741A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220209046A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208835A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220209051A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220209054A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220209047A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208740A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208840A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-LED structure and micro-LED chip including same

Номер патента: US12100781B2. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Dry treatment for surface loss removal in micro-led structures

Номер патента: US20230361242A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Archana Kumar,Alfredo Granados,Michel Khoury,Ryan Ley. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer

Номер патента: US8573469B2. Автор: Andreas Bibl,John A. Higginson,Hung-fai Stephen Law,Hsin-Hua Hu. Владелец: LuxVue Technology Corp. Дата публикации: 2013-11-05.

Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer

Номер патента: CN104106149A. Автор: J·A·希金森,A·拜布尔,H-F·S·劳,胡馨华. Владелец: Lux Dimension Scientific & Technical Corp. Дата публикации: 2014-10-15.

A p-type or n-type semiconductor structure and superlattice, methods for forming the same, and a method of forming a light emitting diode (led) structure

Номер патента: TWI660504B. Автор: 比塔 亞坦艾柯維克,馬修 格得佛瑞. Владелец: 新加坡商西拉娜Ｕｖ科技私人有限公司. Дата публикации: 2019-05-21.

Method of forming a micro led structure and array of micro led structures with an electrically insulating layer

Номер патента: EP2780954A1. Автор: Andreas Bibl,John A. Higginson,Hung-fai Stephen Law,Hsin-Hua Hu. Владелец: LuxVue Technology Corp. Дата публикации: 2014-09-24.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208739A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208834A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208845A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208839A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208847A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220209055A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220209060A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-led structure and micro-led chip including same

Номер патента: US20220208846A1. Автор: Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Micro-LED structure and micro-LED chip including same

Номер патента: US12094915B2. Автор: Jian Guo,Qiming Li,Yuankun ZHU,Anle Fang,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

LED Structure

Номер патента: US20140061688A1. Автор: YANG Fu-Chih,Kao Hung-Chao,Kuo Hung-Yi,Yu Chih-Kuang,WU MING-FENG,Hsia Shouli Steve,Fu Ken Wen-Chien. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

HIGH-VOLTAGE FLIP-CHIP LED STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140183444A1. Автор: Shei Shih-Chang,CHEN Ming-Hung. Владелец: Helio Optoelectronics Corporation. Дата публикации: 2014-07-03.

MICRO LIGHT EMITTING DIODE (LED) STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190123235A1. Автор: Cho Yong-Hoon,Sim Youngchul,Woo Kie Young. Владелец: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-04-25.

LED Structure

Номер патента: US20140339579A1. Автор: YANG Fu-Chih,Kao Hung-Chao,Kuo Hung-Yi,Yu Chih-Kuang,WU MING-FENG,Hsia Shouli Steve,Fu Ken Wen-Chien. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

METHOD FOR MANUFACTURING LED STRUCTURES OR SOLAR CELLS

Номер патента: FR2992473A1. Автор: Pascal Guenard. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-12-27.

METHOD FOR MANUFACTURING LED STRUCTURES OR SOLAR CELLS

Номер патента: FR2992473B1. Автор: Pascal Guenard. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2015-06-05.

LED Structure

Номер патента: US20100059733A1. Автор: Shih-Chang Shei,Chun-Che Lee,Ming-Hung Chen,Shih-Yi Wen. Владелец: Helio Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

Forming led structures on silicon fins

Номер патента: KR102099193B1. Автор: 벤자민 추-쿵,산삽탁 다스굽타,마르코 라도사블예비치,한 위 덴,로버트 챠우,사나즈 가드너. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2020-04-09.

LED structures and associated methods

Номер патента: JP2023528183A. Автор: チャン，イン－ラン,レオン，ベンジャミン,ツァイ，ミャオ－チャン,シュナイダー，リチャード・ピーター,ハート，シーラ,ホー，ガン. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-07-04.

LED structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104409584A. Автор: 李芳芳,马新刚,丁海生,李东昇,江忠永. Владелец: Hangzhou Silan Azure Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

LED structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104409584B. Автор: 李芳芳,马新刚,丁海生,李东昇,江忠永. Владелец: Hangzhou Silan Azure Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-19.

Micro-led structures with improved internal quantum efficiency

Номер патента: US20200303586A1. Автор: KHALED Ahmed. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

MICRO LED STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20190214537A1. Автор: Ahn Bum Mo,Park Seung Ho,Song Tae Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

MICRO-LED STRUCTURES WITH IMPROVED INTERNAL QUANTUM EFFICIENCY

Номер патента: US20200303586A1. Автор: AHMED Khaled. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-09-24.

MICRO LED STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20200335680A1. Автор: Ahn Bum Mo,Park Seung Ho,Song Tae Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

LED structure and luminaire for continuous disinfection

Номер патента: US20170014538A1. Автор: Juha Rantala. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-19.

LED Structure with a Dynamic Spectrum and a Method

Номер патента: US20190037662A1. Автор: Rantala Juha. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

LED STRUCTURE WITH A DYNAMIC SPECTRUM AND A METHOD

Номер патента: US20180092182A1. Автор: Rantala Juha. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

ACTIVE BLUE LIGHT LEAKAGE PREVENTING LED STRUCTURES

Номер патента: US20200168593A1. Автор: Sun Ching-Cherng,YANG Tsung-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

LED STRUCTURE WITH A DYNAMIC SPECTRUM AND A METHOD

Номер патента: US20160338168A1. Автор: Rantala Juha. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

LED STRUCTURE WITH QUASI-CONTINUOUS SPECTRUM AND METHOD OF ILLUMINATION

Номер патента: US20160338169A1. Автор: Rantala Juha. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

LED structure with wireless power driver and display thereof

Номер патента: US10009985B1. Автор: Hsien-Jung Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-26.

Enhanced efficiency of LED structure with n-doped quantum barriers

Номер патента: US11870006B2. Автор: Jian Yin,Gholamreza Chaji,Dayan Ban,Ehsanollah Fathi. Владелец: Vuereal Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Micro light-emitting diode (led) structure

Номер патента: WO2024178721A1. Автор: Shuang ZHAO,Yuankun ZHU,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2024-09-06.

Micro light-emitting diode (led) structure

Номер патента: US20240297278A1. Автор: Shuang ZHAO,Yuankun ZHU,Deshuai LIU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

LED housing with fluoropolymer surface coating layer and LED structure having the same

Номер патента: US9000463B2. Автор: Pang-Ming Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-07.

Led housing with fluoropolymer surface coating layer and led structure having the same

Номер патента: US20110254038A1. Автор: Pang-Ming Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-20.

Systems and methods for led structures that increase current flow density

Номер патента: AU2021417264A9. Автор: Qiming Li,Anle Fang. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Transfer assembly with dry adhesion structure and method for transferring led structure assembly using the same and led structure assembly

Номер патента: KR101754528B1. Автор: 백종협,최원식,박준범,정탁. Владелец: 한국광기술원. Дата публикации: 2017-07-06.

High-power LED structure with embedded electrode structure and preparation method of high-power LED structure

Номер патента: CN105470359A. Автор: 吴超瑜,王笃祥,吴俊毅,杨恕帆. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-06.

Flip-chip LED structure and fabrication method

Номер патента: US11888094B2. Автор: Anhe HE,Su-Hui Lin,Chen-Ke Hsu,Jiansen Zheng,Kangwei Peng,Xiaoxiong Lin. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Systems and methods for led structures that increase current flow density

Номер патента: US20240072202A1. Автор: Qiming Li,Anle Fang. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Nano-tether micro LED structure

Номер патента: US12009347B1. Автор: Andreas Bibl,Dariusz Golda,Hyeun-Su Kim,Chae Hyuck Ahn,Clayton K Chan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

LED STRUCTURE, METALLIC FRAME OF LED STRUCTURE, AND CARRIER MODULE

Номер патента: US20150014722A1. Автор: LIN CHEN-HSIU. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

Led structure, metallic frame of led structure, and carrier module

Номер патента: TWI513068B. Автор: . Владелец: Lite On Opto Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-11.

Light emitting diode (led) structure and method for forming a flip chip led structure

Номер патента: TWI683457B. Автор: 雷吉普,亨利 蔡廣興,魏亞軍,史恰非諾史帝法諾,亞歷山卓 史帝格沃丹尼爾. Владелец: 荷蘭商皇家飛利浦電子股份有限公司. Дата публикации: 2020-01-21.

Light emitting diode (led) structure and method for forming a flip chip led structure

Номер патента: TWI612696B. Автор: 雷吉普,魏亞軍,廣興 亨利 蔡,史帝法諾 史恰非諾,丹尼爾 亞歷山卓 史帝格沃. Владелец: 皇家飛利浦電子股份有限公司. Дата публикации: 2018-01-21.

Surface phasmon enhances volcano shape of the mouth as one speaks 3D vertical structure LEDs structure and preparation method

Номер патента: CN108461581A. Автор: 王帅,云峰,李虞锋. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2018-08-28.

High power LED structure with embedded electrode structure and preparation method thereof

Номер патента: CN105470359B. Автор: 吴超瑜,王笃祥,吴俊毅,杨恕帆. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

LED structure, metallic frame of led structure, and carrier module

Номер патента: TW201503429A. Автор: zhen-xiu Lin. Владелец: Lite On Opto Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-16.

Metallic frame structure and LED structure having the same

Номер патента: TW201340421A. Автор: Chen-Hsiu Lin,Yi-Chien Chang. Владелец: Lite On Electronics Guangzhou. Дата публикации: 2013-10-01.

LED structure, metallic frame of LED structure, and carrier module

Номер патента: US9515241B2. Автор: Chen-Hsiu Lin. Владелец: Lite On Opto Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

GaN-based green light LED structure with p type buffering layer and growing method of GaN-based green light LED structure

Номер патента: CN104282812A. Автор: 张杨,王智勇,杨光辉,杨翠柏. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-01-14.

Method for transferring led structure assembly and led structure assembly

Номер патента: KR101937036B1. Автор: 백종협,최원식,정탁. Владелец: 한국광기술원. Дата публикации: 2019-04-09.

Method for preparing led structure and led structure using the same

Номер патента: KR20220138780A. Автор: 이창구,이규철,유동하,임채록,이석제,사브테인 아바스 무하마드. Владелец: 주식회사 디플랫. Дата публикации: 2022-10-13.

Systems and methods for led structures that increase current flow density

Номер патента: AU2021417264A2. Автор: Qiming Li,Anle Fang. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Systems and methods for led structures that increase current flow density

Номер патента: EP4275232A1. Автор: Qiming Li,Anle Fang. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

LED housing with fluoropolymer surface coating layer and LED structure having the same

Номер патента: TW201135981A. Автор: Pang-Ming Huang. Владелец: Pang-Ming Huang. Дата публикации: 2011-10-16.

GaN LED structure with enhanced light emitting luminance

Номер патента: TW200608594A. Автор: Fen-Ren Chien,Liang-Wen Wu,Tzu-Chi Wen,Ru-Chin Tu,Cheng-Tsang Yu. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2006-03-01.

Quantum well-based led structure enhanced with sidewall hole injection

Номер патента: EP4154317A4. Автор: Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-06-26.

Nanowire led structure with decreased leakage and method of making same

Номер патента: EP2973756A1. Автор: Scott Brad Herner,Linda Romano,Cynthia LEMAY,Carl Patrik Theodor Svensson. Владелец: Lemay Cynthia. Дата публикации: 2016-01-20.

Masking layers in led structures

Номер патента: EP4416768A1. Автор: Michel Khoury,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Systems and methods for led structures that increase current flow density

Номер патента: EP4275232A4. Автор: Qiming Li,Anle Fang. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Surface mounted led structure and packaging method of integrating functional circuits on a silicon

Номер патента: US20120025242A1. Автор: YU Hou,Yugang Zhou,Haiying Chen,Zhaoming Zeng,Guowei David Xiao. Владелец: Apt Electronics Co ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

High-reflectivity and low-defect density LED structure

Номер патента: US20120043522A1. Автор: Liang-Jyi Yan,Yea-Chen Lee. Владелец: HIGH POWER OPTO Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

High-voltage ac led structure

Номер патента: US20130127352A1. Автор: Wei-Tai Cheng,Ming-Hung Chen,Ching-Jen Pan. Владелец: Helio Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

LED STRUCTURE, LED DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20130299861A1. Автор: Zhang Wang,Qi Jihang. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

RELAMPABLE LED STRUCTURE

Номер патента: US20140001496A1. Автор: Musser Jordon,Stratas Chris. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

LED STRUCTURE APPLIED TO BACKLIGHT SOURCE

Номер патента: US20160005933A1. Автор: Liu Ru-Shi,Chang Chih-Chao,YEH HUNG-LI,CHUNG PO-HSIANG,LIN CHUN-CHE. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

Phosphor-matrix composite powder for minimizing light scattering and led structure including the same

Номер патента: US20150014728A1. Автор: Do Young-Rag. Владелец: KOOKMIN UNIVERSITY INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION. Дата публикации: 2015-01-15.

Nanowire LED Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20140117401A1. Автор: HERNER Scott Brad. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2014-05-01.

MICRO LED STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20200044127A1. Автор: Ahn Bum Mo,Park Seung Ho,Byun Sung Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

ENHANCED EFFICIENCY OF LED STRUCTURE WITH N-DOPED QUANTUM BARRIERS

Номер патента: US20210050477A1. Автор: Chaji Gholamreza,YIN Jian,Fathi Ehsanollah,Ban Dayan. Владелец: VueReal Inc.. Дата публикации: 2021-02-18.

NANOWIRE LED STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140141555A1. Автор: Lowgren Truls. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2014-05-22.

ADDRESSABLE COLOR CHANGEABLE LED STRUCTURE

Номер патента: US20200063920A1. Автор: VAMPOLA Kenneth John. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Backlight LED Structure, Backlight and Display Device

Номер патента: US20140146565A1. Автор: LI You,CHEN Xiuyun. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-29.

Single Light Emitting Diode (LED) Structure

Номер патента: US20190067529A1. Автор: Doan Trung Tri,Doan David Trung. Владелец: SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd,. Дата публикации: 2019-02-28.

GROUP III NITRIDE LED STRUCTURES WITH IMPROVED ELECTRICAL PERFORMANCE

Номер патента: US20200075798A1. Автор: Kuhr Thomas A.,Schmidt Robert David,Sokol Joseph G.,Plummer Jefferson W.,Kent Caleb A.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

LED STRUCTURE WITH ENHANCED MIRROR REFLECTIVITY

Номер патента: US20140167065A1. Автор: Heikman Sten,Edmond John A.,Donofrio Matthew,HABERERN KEVIN W.,Bergmann Michael,Schneider Kevin S.. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2014-06-19.

MICRO LED STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20200083412A1. Автор: Ahn Bum Mo,Park Seung Ho,Song Tae Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

LED STRUCTURES FOR REDUCED NON-RADIATIVE SIDEWALL RECOMBINATION

Номер патента: US20180097145A1. Автор: Bour David P.,Chakraborty Arpan,DROLET Jean-Jacques P.,Sizov Dmitry S.,Perkins James Michael,McGroddy Kelly,Haeger Daniel Arthur. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

MICRO LED STRUCTURE

Номер патента: US20220173268A1. Автор: Shih Yi-Chun,LIN TZU-YANG,Tseng Yen-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

LED STRUCTURES FOR REDUCED NON-RADIATIVE SIDEWALL RECOMBINATION

Номер патента: US20190115495A1. Автор: Bour David P.,Chakraborty Arpan,DROLET Jean-Jacques P.,Sizov Dmitry S.,Perkins James Michael,McGroddy Kelly,Haeger Daniel Arthur. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

MIXED LIGHT LED STRUCTURE

Номер патента: US20140203312A1. Автор: Wu Ching-Huei. Владелец: UNITY OPTO TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-07-24.

Mixed light led structure

Номер патента: US20140217451A1. Автор: Ching-Huei Wu. Владелец: Unity Opto Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

LED Structure and Fabrication Method

Номер патента: US20170141271A1. Автор: Lee Chia-En,HE Hongquan,LIN Su-hui,HSU Chen-Ke,LIANG XINGHUA,HSIA Te-Ling. Владелец: XIAMEN SANAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-05-18.

MICRO-LED STRUCTURES FOR FULL COLOR DISPLAYS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200135970A1. Автор: DASGUPTA Sansaptak,AHMED Khaled,Pancholi Anup. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

LED structure and luminaire for continuous disinfection

Номер патента: US20180147417A1. Автор: Rantala Juha. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

FORMING LED STRUCTURES ON SILICON FINS

Номер патента: US20160163918A1. Автор: Then Han Wui,Chu-Kung Benjamin,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak,Gardner Sanaz. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

LED STRUCTURE

Номер патента: US20150171274A1. Автор: Guo Yih-Der,Lin Kun-Fong,Chang Yu-Hsiang. Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2015-06-18.

LED STRUCTURES FOR REDUCED NON-RADIATIVE SIDEWALL RECOMBINATION

Номер патента: US20170170360A1. Автор: Bour David P.,Chakraborty Arpan,DROLET Jean-Jacques P.,Sizov Dmitry S.,Perkins James Michael,McGroddy Kelly,Haeger Daniel Arthur. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

NITRIDE LED STRUCTURE WITH DOUBLE GRADED ELECTRON BLOCKING LAYER

Номер патента: US20150179881A1. Автор: Takeoka Tadashi,Senes Mathieu. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-06-25.

QUANTUM DOT LED STRUCTURE WITH ENHANCED EMISSION

Номер патента: US20200161585A1. Автор: Montgomery David James,Smith Nathan James,Smeeton Tim Michael,Palles-Dimmock James Andrew Robert. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

PASSIVATED MICRO LED STRUCTURES SUITABLE FOR ENERGY EFFICIENT DISPLAYS

Номер патента: US20180175248A1. Автор: AHMED Khaled. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Group iii nitride based led structures including multiple quantum wells with barrier-well unit interface layers

Номер патента: US20190172971A1. Автор: Brian T. Collins,Daniel Carleton Driscoll,Thomas A. Kuhr,Robert David Schmidt. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

LED STRUCTURES FOR REDUCED NON-RADIATIVE SIDEWALL RECOMBINATION

Номер патента: US20160197232A1. Автор: Bour David P.,Chakraborty Arpan,DROLET Jean-Jacques P.,Perkins James Michael,McGroddy Kelly,Haeger Daniel Arthur. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Nanowire LED Structure with Decreased Leakage and Method of Making Same

Номер патента: US20140284551A1. Автор: Romano Linda,HERNER Scott Brad,Svensson Carl Patrik Theodor,Lemay Cynthia. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

Nanowire LED Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20160211406A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2016-07-21.

NANOWIRE LED STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150263237A1. Автор: HERNER Scott Brad. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

GROUP III NITRIDE BASED LED STRUCTURES INCLUDING MULTIPLE QUANTUM WELLS WITH BARRIER-WELL UNIT INTERFACE LAYERS

Номер патента: US20180254377A1. Автор: Kuhr Thomas A.,Schmidt Robert David,Driscoll Daniel Carleton,Collins Brian T.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

ACTIVE BLUE LIGHT LEAKAGE PREVENTING LED STRUCTURES

Номер патента: US20170263799A1. Автор: Sun Ching-Cherng,YANG Tsung-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Nanowire LED Structure with Decreased Leakage and Method of Making Same

Номер патента: US20140361244A1. Автор: Romano Linda,HERNER Scott Brad,Svensson Carl Patrik Theodor,Lemay Cynthia. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

Flip-Chip LED Structure and Fabrication Method

Номер патента: US20210384383A1. Автор: HE Anhe,LIN Su-hui,HSU Chen-Ke,ZHENG JIANSEN,PENG KANGWEI,LIN Xiaoxiong. Владелец: XIAMEN SANAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2021-12-09.

BLUE LIGHT LEAKAGE-SUPPRESSING LED STRUCTURE

Номер патента: US20160308096A1. Автор: Sun Ching-Cherng,Chang Yu-Yu,YANG Tsung-Hsun,CHUNG Te-Yuan,YANG Shang-Fu. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

LED STRUCTURES FOR REDUCED NON-RADIATIVE SIDEWALL RECOMBINATION

Номер патента: US20160315218A1. Автор: Bour David P.,Chakraborty Arpan,DROLET Jean-Jacques P.,Sizov Dmitry S.,Perkins James Michael,McGroddy Kelly,Haeger Daniel Arthur. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Flip-Chip LED Structure and Fabrication Method

Номер патента: US20160365488A1. Автор: HE Anhe,LIN Su-hui,HSU Chen-Ke,ZHENG JIANSEN,PENG KANGWEI,LIN Xiaoxiong. Владелец: XIAMEN SANAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2016-12-15.

LED STRUCTURES FOR REDUCED NON-RADIATIVE SIDEWALL RECOMBINATION

Номер патента: US20190371964A1. Автор: Bour David P.,Chakraborty Arpan,DROLET Jean-Jacques P.,Sizov Dmitry S.,Perkins James Michael,McGroddy Kelly,Haeger Daniel Arthur. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

GROUP III NITRIDE BASED LED STRUCTURES INCLUDING MULTIPLE QUANTUM WELLS WITH BARRIER-WELL UNIT INTERFACE LAYERS

Номер патента: US20200381581A1. Автор: Kuhr Thomas A.,Schmidt Robert David,Driscoll Daniel Carleton,Collins Brian T.. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

ENHANCED EFFICIENCY OF LED STRUCTURE WITH N-DOPED QUANTUM BARRIERS

Номер патента: US20200381584A1. Автор: Chaji Gholamreza,YIN Jian,Fathi Ehsanollah,Ban Dayan. Владелец: VueReal Inc.. Дата публикации: 2020-12-03.

Side edge type LED structure

Номер патента: CN201146189Y. Автор: 谢忠全. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-05.

LED structure with barrier height gradual change superlattice layer and preparation method thereof

Номер патента: CN104465914B. Автор: 徐现刚,马旺,曲爽,王成新,逯瑶. Владелец: Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-04.

Robust led structure for substrate lift-off

Номер патента: KR101468905B1. Автор: 칭웨이 모,아놀드 다구이오. Владелец: 필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨. Дата публикации: 2014-12-04.

Nanowire led structure and method for manufacturing the same

Номер патента: KR20130136906A. Автор: 트룰스 뢰브그렌. Владелец: 글로 에이비. Дата публикации: 2013-12-13.

High voltage ac led structure

Номер патента: TWI427760B. Автор: Ming Hung Chen,Ching Jen Pan,Wei Tai Cheng. Владелец: Helio Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2014-02-21.

Based on Ga polarity gold-tinted LED structure and preparation method thereof in c surface sapphire substrates

Номер патента: CN105140365B. Автор: 郝跃,张进成,张金风,姜腾,任泽阳,许晟瑞,李培咸,蒋仁渊. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2018-03-06.

A LED structure using multi active layer with included metal nano particles

Номер патента: KR101206405B1. Автор: 오범환,이민우,성준호,최철현. Владелец: 인하대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-11-29.

Group III nitride based LED structures including multiple quantum wells with barrier-well unit interface layers

Номер патента: US9985168B1. Автор: Brian T. Collins,Daniel Carleton Driscoll,Thomas A. Kuhr,Robert David Schmidt. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Group III nitride LED structures with improved electrical performance

Номер патента: US11393948B2. Автор: Thomas A. Kuhr,Robert David Schmidt,Joseph G. Sokol,Jefferson W. Plummer,Caleb A. Kent. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2022-07-19.

LED structure with enhanced mirror reflectivity

Номер патента: US8686429B2. Автор: Michael Bergmann,Matthew Donofrio,Sten Heikman,Kevin W. Haberern,John A. Edmond,Kevin S. Schneider. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-04-01.

Stress-released GaN-based LED structure and manufacturing method

Номер патента: CN104576865A. Автор: 郝锐,林振贤,罗长得. Владелец: Guangdong De Li Photoelectric Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-29.

Quantum well-based led structure enhanced with sidewall hole injection

Номер патента: US20210367099A1. Автор: Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung. Владелец: Raxium Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

METHOD FOR MANUFACTURING A SUBSTRATE COMPRISING A RELAXED INGAN LAYER AND SUBSTRATE THUS OBTAINED FOR THE GROWTH RESUME OF A LED STRUCTURE

Номер патента: FR3123758A1. Автор: Benjamin Damilano,Carole Pernel,Amélie DUSSAIGNE,Stéphane VEZIAN. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-12-09.

Photonic crystal LED structure and manufacturing method

Номер патента: CN112038459A. Автор: 徐洲,吴奇隆,蔡和勋,杭伟,王洪占. Владелец: Xiamen Changelight Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-04.

A kind of deep ultraviolet LED structure and preparation method thereof

Номер патента: CN108807634A. Автор: 张康,陈志涛,王巧,刘宁炀,王君君,黄玉婷,曾巧玉. Владелец: Guangdong Semiconductor Industry Technology Research Institute. Дата публикации: 2018-11-13.

Method of packaging a matrix-type modularized LED structure

Номер патента: DE602005018464D1. Автор: I-Ju Chen,Ching-Fu Tsou,Yeh-Chin Chao. Владелец: Yeh-Chin Chao. Дата публикации: 2010-02-04.

Group III nitride based LED structures including multiple quantum wells with barrier-well unit interface layers

Номер патента: US11088295B2. Автор: Brian T. Collins,Daniel Carleton Driscoll,Thomas A. Kuhr,Robert David Schmidt. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2021-08-10.

An ac led structure

Номер патента: WO2010015106A1. Автор: 陈景宜,陈明鸿,温士逸. Владелец: 海立尔股份有限公司. Дата публикации: 2010-02-11.

LED preparation method and LED structure to be stripped

Номер патента: CN111129242B. Автор: 张康,赵维,陈志涛,何晨光,吴华龙,李成果,贺龙飞,刘云洲. Владелец: Guangdong Semiconductor Industry Technology Research Institute. Дата публикации: 2021-06-18.

Upright Stacked Light-emitting 2 LED structure

Номер патента: TWM418400U. Автор: zhi-xing Xu,jun-yu Lu,Ming-Zhe Guo. Владелец: AzureWave Technologies Inc. Дата публикации: 2011-12-11.

LED structure to increase brightness

Номер патента: US7825425B2. Автор: Frank Shum. Владелец: Bridgelux Inc. Дата публикации: 2010-11-02.

Method for fabricating vertical LED structures

Номер патента: TW201143133A. Автор: Yong Cai,Li-Min Lin,Ka Wah Chan,Sheng-Mei Zheng. Владелец: Hk Applied Science & Tech Res. Дата публикации: 2011-12-01.

Vertical type led structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104064640A. Автор: 张楠. Владелец: Enraytek Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-24.

High efficiency quantum dot LED structure

Номер патента: US10522787B1. Автор: David James Montgomery,Tim Michael Smeeton,Edward Andrew BOARDMAN,James Andrew Robert Palles-Dimmock. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Nanowire led structure and method for manufacturing the same

Номер патента: CA2802539A1. Автор: Truls Lowgren. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2011-12-22.

LED structure for flip-chip package and method thereof

Номер патента: TWI284421B. Автор: Chien-An Chen,Bor-Jen Wu,Mei-Hui Wu,Yuan-Hsiao Chang. Владелец: Uni Light Technology Inc. Дата публикации: 2007-07-21.

Side edge type LED structure

Номер патента: CN201146188Y. Автор: 谢忠全. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-05.

A kind of high-voltage chip LED structure and preparation method thereof

Номер патента: CN104538522B. Автор: 李芳芳,马新刚,丁海生,李东昇,江忠永. Владелец: Hangzhou Silan Azure Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

A kind of Al content gradually variationals formula N-type LED structure and preparation method thereof

Номер патента: CN105140356B. Автор: 徐现刚,曲爽,王成新,逯瑶. Владелец: Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-12.

Enhanced efficiency of LED structure with n-doped quantum barriers

Номер патента: US10840408B1. Автор: Jian Yin,Gholamreza Chaji,Dayan Ban,Ehsanollah Fathi. Владелец: Vuereal Inc. Дата публикации: 2020-11-17.

Epitaxial wafer, growing method and LED structure of Mg-doped electronic barrier layer

Номер патента: CN104134730A. Автор: 徐迪,卢国军,周少将,刘为刚. Владелец: Xiangneng Hualei Optoelectrical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-05.

LED structure and luminaire for continuous disinfection

Номер патента: US11273324B2. Автор: Juha Rantala. Владелец: Calyxpure Inc. Дата публикации: 2022-03-15.

The epitaxial wafer of Mg doping electronic barrier layer, growing method and LED structure

Номер патента: CN104134730B. Автор: 徐迪,卢国军,周少将,刘为刚. Владелец: Xiangneng Hualei Optoelectrical Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-08.

Led structure, transfer body, and transfer method using same

Номер патента: WO2017164484A1. Автор: 백종협,최원식,박준범,정탁. Владелец: 한국광기술원. Дата публикации: 2017-09-28.

LED structure applied to backlight source

Номер патента: KR101614608B1. Автор: 창 치-차오,예 훙-리,충 포-시앙,린 춘-체,리우 루-시. Владелец: 유니티 옵토 테크노로지 주식회사. Дата публикации: 2016-04-29.

Vertical type led structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104064639A. Автор: 张宇,张琼,童玲,吕孟岩. Владелец: Enraytek Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-24.

Nanowire LED structure and method for manufacturing the same

Номер патента: TW201205877A. Автор: Truls Lowgren. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2012-02-01.

SMD LED structure characterized by polycrystalline packaging

Номер патента: CN203456457U. Автор: 张静,妙西,田仿民,严振江,段君芃. Владелец: SHAANXI OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-26.

Further improve the method and its LED structure of LED light extraction efficiency

Номер патента: CN107123710A. Автор: 张家宏,林兓兓,蔡吉明. Владелец: Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-01.

Nanowire led structure and method for manufacturing the same

Номер патента: KR20150103661A. Автор: 스콧 브래드 허너. Владелец: 글로 에이비. Дата публикации: 2015-09-11.

Gan base led structure and preparation method thereof

Номер патента: CN108598235A. Автор: 陈柏松,汪琼,陈柏君,祝庆,李若雅. Владелец: WUHU DEHAO RUNDA OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-28.

Outdoor full-color surface-mounted LED structure and production method thereof

Номер патента: CN115579357A. Автор: 李刚强,马洪毅,付桂花. Владелец: Shanxi Gaoke Huaxing Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-01-06.

Nanowire led structure and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2912700A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2015-09-02.

A kind of white-light LED structure preparation method for increasing color rendering

Номер патента: CN105932137B. Автор: 陈亮,张永,李俊贤,陈凯轩,吴奇隆. Владелец: Xiamen Changelight Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

High voltage AC LED structure

Номер патента: TW201322420A. Автор: Wei-Tai Cheng,Ming-Hung Chen,Ching-Jen Pan. Владелец: Helio Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2013-06-01.

Green-ray LED structure with component gradual-change buffering layer

Номер патента: CN104300060A. Автор: 张杨,王智勇,杨光辉,杨翠柏. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-01-21.

Led structure

Номер патента: CN104868032A. Автор: 黄靖恩,罗信汯,林子晹. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2015-08-26.

Flip chip LED structure

Номер патента: CN104576874A. Автор: 徐海文,曾信翔,杨睿明. Владелец: Taigu Photoelectric Sci & Tech Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-29.

LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination

Номер патента: US10193013B2. Автор: David P. Bour,Arpan Chakraborty,Jean-Jacques P. Drolet,Kelly McGroddy,Daniel Arthur Haeger,Dmitry S. Sizov,James Michael Perkins. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-01-29.

Led structure, ink for inkjet and light source comprising the same

Номер патента: US20230163242A1. Автор: Young Rag Do. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2023-05-25.

Nanowire LED structure and method for manufacturing the same

Номер патента: TW201424041A. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2014-06-16.

LED structure and combination method thereof

Номер патента: CN101325228A. Автор: 谢忠全,裴建昌,许胜佳. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-17.

Preparing method of single-chip GaN-based LED structure adjustable in color

Номер патента: CN104993026A. Автор: 云峰,黄亚平,熊瀚. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2015-10-21.

LED structure with minimized light emission area

Номер патента: US10763389B1. Автор: Daniel Bryce THOMPSON. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-01.

Micro-LED structure based on red light AlInGaAs quantum dots and preparation method thereof

Номер патента: CN113471341A. Автор: 张�荣,黄凯,康俊勇,高娜,李金钗,王丽兰,江莹. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-10-01.

Composite pattern substrate and manufacturing method thereof, and LED structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN112201734A. Автор: 朱学亮,寻飞林,林忠宝,卢德恩,黄文嘉,彭伟伦,黄景蜂. Владелец: Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-08.

GaN base vertical LED structure and preparation method thereof

Номер патента: CN107833945A. Автор: 张翔,王军喜,李晋闽,魏同波. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2018-03-23.

LED Structure and Manufacturing Method thereof, and LED Device

Номер патента: US20230282768A1. Автор: Weihua Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Wuxi Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

LED structure of efficient linearly polarized light

Номер патента: CN104993039A. Автор: 云峰,黄亚平,张林昭. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2015-10-21.

LED structure characterized by polycrystalline packaging

Номер патента: CN203456456U. Автор: 张静,妙西,田仿民,严振江,段君芃. Владелец: SHAANXI OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-26.

Nanowire led structure and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI538247B. Автор: 楚爾斯 羅葛蘭. Владелец: Glo公司. Дата публикации: 2016-06-11.

Method of forming semiconductor device of LED structure

Номер патента: KR19990080172A. Автор: 고관주,박태희,이대근,신중욱. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 1999-11-05.

LED structure with three wavelength

Номер патента: TW200721526A. Автор: Ke-Sin Li,Zeng-Boa Sun. Владелец: Iled Photoelectronics Inc. Дата публикации: 2007-06-01.

Quantum well-based led structure enhanced with sidewall hole injection

Номер патента: CA3179454A1. Автор: Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-11-25.

3D LED structures

Номер патента: EP2642538A1. Автор: Marc A. De Samber,Coen T. H. Liedenbaum. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2013-09-25.

Quantum well-based led structure enhanced with sidewall hole injection

Номер патента: TW202201806A. Автор: 班傑明 梁,妙嬋 蔡. Владелец: 美商瑞克斯姆股份有限公司. Дата публикации: 2022-01-01.

Led structure for flip-chip package and method thereof

Номер патента: US20090140282A1. Автор: Chien-An Chen,Bor-Jen Wu,Mei-Hui Wu,Yuan-Hsiao Chang. Владелец: Unit Light Tech Inc. Дата публикации: 2009-06-04.

LED structure, gaN-based substrate thereof and manufacturing method of GaN-based substrate

Номер патента: CN116438665A. Автор: 程凯,刘慰华. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-07-14.

LED structure made of ZnO

Номер патента: TW200840082A. Автор: Wen-Qing Xu,Jih-Jen Wu,Mitch-Ming-Chi Jou. Владелец: Sino American Silicon Prod Inc. Дата публикации: 2008-10-01.

Phosphor matrix composite powder minimizing light scattering, and led structure containing same

Номер патента: EP2811001A4. Автор: Young-rag Do. Владелец: PSI Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-28.

Masking layers in led structures

Номер патента: WO2023064155A1. Автор: Michel Khoury,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-04-20.

Addressable color changeable led structure

Номер патента: US20200063920A1. Автор: Kenneth John Vampola. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Nanowire LED Structure with Decreased Leakage and Method of Making Same

Номер патента: US20140361244A1. Автор: Scott Brad Herner,Linda Romano,Cynthia LEMAY,Carl Patrik Theodor Svensson. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2014-12-11.

Improved led structure

Номер патента: WO2009075968A2. Автор: Ghulam Hasnain,Steven D. Lester. Владелец: Bridgelux, Inc.. Дата публикации: 2009-06-18.

Improved led structure

Номер патента: EP2225780A2. Автор: Ghulam Hasnain,Steven D. Lester. Владелец: Bridgelux Inc. Дата публикации: 2010-09-08.

Cable connector assembly having improved led structure for indication

Номер патента: US20160322761A1. Автор: Jun Chen,Jerry Wu,Fan-Bo Meng. Владелец: Foxconn Interconnect Technology Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Cable connector assembly having improved LED structure for indication

Номер патента: US09515427B2. Автор: Jun Chen,Jerry Wu,Fan-Bo Meng. Владелец: Foxconn Interconnect Technology Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

CABLE CONNECTOR ASSEMBLY HAVING IMPROVED LED STRUCTURE FOR INDICATION

Номер патента: US20160322761A1. Автор: Wu Jerry,CHEN Jun,MENG FAN-BO. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

CABLE CONNECTOR ASSEMBLY HAVING IMPROVED LED STRUCTURE FOR INDICATION

Номер патента: US20160344145A1. Автор: Wu Jerry,CHEN Jun,FAN XIAO,ZHOU ZHI-YONG. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Uvc-integrated led structure adapted to air sterilization-and-disinfection grilles

Номер патента: US20230233718A1. Автор: Zhihong Zheng,Junhuang Zhuang. Владелец: Shenzhen Yitoa Intelligent Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Uvc-integrated led structure adapted to air sterilization-and-disinfection grilles

Номер патента: AU2022202478A1. Автор: Zhihong Zheng,Junhuang Zhuang. Владелец: Shenzhen Yitoa Intelligent Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Uvc-integrated led structure adapted to air sterilization-and-disinfection grilles

Номер патента: AU2022202478B2. Автор: Zhihong Zheng,Junhuang Zhuang. Владелец: Shenzhen Yitoa Intelligent Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Backpack with electronic LED structure

Номер патента: US20200100581A1. Автор: Sergii Iezdin,Ivan Kaunov,Marharyta Rimek. Владелец: Pix Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

UVC-integrated LED structure adapted to air sterilization-and-disinfection grilles

Номер патента: US11779668B2. Автор: Zhihong Zheng,Junhuang Zhuang. Владелец: Shenzhen Yitoa Intelligent Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Electronic smart shelf display

Номер патента: US09924810B2. Автор: Jean Vieville. Владелец: Conex Digital LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

SOLAR SPECTRUM-LIKE LED STRUCTURE

Номер патента: US20170299148A1. Автор: XIE RUI,LIN Liling. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

Backpack With Electronic LED Structure

Номер патента: US20200245747A1. Автор: Sergii Iezdin,Marharyta Rimek. Владелец: Pix Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Backpack With Electronic LED Structure

Номер патента: US20200245747A1. Автор: Iezdin Sergii,Rimek Marharyta. Владелец: Pix inc.. Дата публикации: 2020-08-06.

A kind of organic LED structure

Номер патента: CN106206983A. Автор: 刘亚伟,张育楠. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-07.

LED structure and LED screen thereof

Номер патента: CN112365810A. Автор: 阎勇,徐云涛,庄梦杰. Владелец: Jiangsu Kechuang Internet Of Vehicles Industry Research Institute Co ltd. Дата публикации: 2021-02-12.

Organic LED structure and its manufacturing method

Номер патента: CN109326732A. Автор: 施国兴,严进嵘,李嘉宸. Владелец: Shanghai Asahi Photoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-12.

A kind of display module of matrix form SMD-LED structure

Номер патента: CN110379327A. Автор: 郭阳,杨立山,叶扬雄. Владелец: Shenzhen Infiled Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-25.

LED light-emitting device for white light

Номер патента: US09490402B2. Автор: Zhiqiang Qian,Zhengwu Jin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-08.

Light-emitting diodes with integrated optical elements

Номер патента: US11784288B2. Автор: Gang He,Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung,Sheila Hurtt,Richard Peter SCHNEIDER, JR.. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Light-emitting diodes with integrated optical elements

Номер патента: US20240120446A1. Автор: Gang He,Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung,Sheila Hurtt,Richard Peter SCHNEIDER, JR.. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Light-emitting diodes with integrated optical elements

Номер патента: WO2020086805A1. Автор: Gang He,Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung,Richard Peter SCHNEIDER,Sheila Hurtt. Владелец: Raxium, Inc.. Дата публикации: 2020-04-30.

Backpack with electronic LED structure

Номер патента: US20200100581A1. Автор: Iezdin Sergii,Kaunov Ivan,Rimek Marharyta. Владелец: Pix inc.. Дата публикации: 2020-04-02.

ADDRESSABLE COLOR CHANGEABLE LED STRUCTURE

Номер патента: US20180187839A1. Автор: VAMPOLA Kenneth John. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

A kind of LED structure and optical projection system

Номер патента: CN207831017U. Автор: 高志强,陈程,杨伟樑,林清云,董双剑,杨承德. Владелец: Vision Technology (shenzhen) Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-07.

Surface mounting LED structure for matrix array

Номер патента: TW230846B. Автор: Jeng-Woei Chian. Владелец: Chilong Data Broducts Corp. Дата публикации: 1994-09-21.

Led structure and projection system

Номер патента: WO2019153989A1. Автор: 高志强,陈程,杨伟樑,林清云,董双剑,杨承德. Владелец: 广景视睿科技（深圳）有限公司. Дата публикации: 2019-08-15.

Ultra-dense led projector using thinned gallium nitride

Номер патента: US20190179222A1. Автор: Kwong-Hin Henry Choy,Paul Scott Martin. Владелец: Tectus Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Micro led package structure and micro led optical module

Номер патента: US20240347520A1. Автор: Huiwen Xu,Shuai ZHANG. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Micro led projector

Номер патента: US20240357064A1. Автор: Huiwen Xu,Jian Guo,Shuai ZHANG. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

A micro led projector

Номер патента: EP4457793A1. Автор: Huiwen Xu,Jian Guo,Shuai ZHANG. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Micro ledpackage structure and micro led optical module

Номер патента: WO2023123484A1. Автор: Huiwen Xu,Shuai ZHANG. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Company. Дата публикации: 2023-07-06.

High pixel density structures and methods of making

Номер патента: US20240154070A1. Автор: Liang Zhao,Sivapackia Ganapathiappan,Hou T. Ng,Hyunsung BANG,Lisong Xu,Byung Sung Kwak,Mingwei Zhu,Nag Patibandla. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

High pixel density structures and methods of making

Номер патента: EP4352789A1. Автор: Liang Zhao,Sivapackia Ganapathiappan,Hou T. Ng,Hyunsung BANG,Lisong Xu,Byung Sung Kwak,Mingwei Zhu,Nag Patibandla. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Light-emitting array with dielectric light collection structures

Номер патента: US11869923B2. Автор: Antonio LOPEZ-JULIA,Aimi Abass. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Light-emitting array with dielectric light collection structures

Номер патента: WO2023113980A8. Автор: Antonio LOPEZ-JULIA,Aimi Abass. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Light emitting diode structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11817535B2. Автор: Wing Cheung CHONG. Владелец: Raysolve Optoelectronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Led chip integrated with hybrid sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20160284956A1. Автор: MIN Yang,Young Moon Yu,Hyung Soo Ahn,Sam Nyung Yi,Kee Sam Shin. Владелец: lndustry University Cooperation Foundation of Pukyong National University. Дата публикации: 2016-09-29.

Led chip integrated with hybrid sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20170317254A1. Автор: MIN Yang,Young Moon Yu,Hyung Soo Ahn,Sam Nyung Yi,Kee Sam Shin. Владелец: lndustry University Cooperation Foundation of Pukyong National University. Дата публикации: 2017-11-02.

LED chip integrated with hybrid sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US10211382B2. Автор: MIN Yang,Young Moon Yu,Hyung Soo Ahn,Sam Nyung Yi,Kee Sam Shin. Владелец: lndustry University Cooperation Foundation of Pukyong National University. Дата публикации: 2019-02-19.

LED chip integrated with hybrid sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US9831405B2. Автор: MIN Yang,Young Moon Yu,Hyung Soo Ahn,Sam Nyung Yi,Kee Sam Shin. Владелец: lndustry University Cooperation Foundation of Pukyong National University. Дата публикации: 2017-11-28.

High intensity LED illumination device

Номер патента: US09888545B2. Автор: Brian M. Wilson,Joseph R. Casper,Christopher D. Nolan,Joseph J. Witkowski,Jeff R. Shuster. Владелец: Ephesus Lighting Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

High intensity led illumination device

Номер патента: CA2875019C. Автор: Brian M. Wilson,Joseph R. Casper,Christopher D. Nolan,Joseph J. Witkowski,Jeff R. Shuster. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2021-04-06.

LED LCD Backlight with Lens Structure

Номер патента: US20110043725A1. Автор: Ian Hughes,Mohammad Mobin,Kouros Azimi,Roger Fratti. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Electronic smart shelf display

Номер патента: CA2987611C. Автор: Jean Vieville. Владелец: Conex Digital LLC. Дата публикации: 2018-07-03.

Method for predicting performance of light-emitting diode structure

Номер патента: US20240232477A1. Автор: LIN Li,Cheng Li,Ying Jiang,Kai Huang,Rong Zhang,Junyong KANG,Zhuoying JIANG,Jinchai Li. Владелец: Tan Kah Kee Innovation Laboratory. Дата публикации: 2024-07-11.

Micro led package structure and micro led optical module

Номер патента: WO2023125982A1. Автор: Huiwen Xu,Shuai ZHANG. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2023-07-06.

Light emitting diode structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230369552A1. Автор: Wing Cheung CHONG. Владелец: Raysolve Optoelectronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods of characterizing semiconductor light-emitting devices based on product wafer characteristics

Номер патента: US20140141538A1. Автор: David Owen,Andrew M. Hawryluk. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Led display structures and fabrication of same

Номер патента: US20200305253A1. Автор: Vincent Lee,Ioannis Kymissis,Brian Tull. Владелец: Lumiode Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Led display structures and fabrication of same

Номер патента: EP3803976A1. Автор: Vincent Lee,Ioannis Kymissis,Brian Tull. Владелец: Lumiode Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

LED precursor incorporating strain relaxing structure

Номер патента: GB2586862A. Автор: Pinos Andrea. Владелец: Plessey Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2021-03-10.

Led precursor incorporating strain relaxing structure

Номер патента: EP4026171A1. Автор: Andrea Pinos. Владелец: Plessey Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2022-07-13.

Light-emitting diode chip with electrical overstress protection

Номер патента: US20210336093A1. Автор: Michael Check,Steven Wuester,Daniel E. Stasiw. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Light emitting diode precursor including a passivation layer

Номер патента: US12080750B2. Автор: John Shannon,Jun-Youn Kim,Mohsin AZIZ,Kevin STRIBLEY,Ian Daniels. Владелец: Plessey Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Systems and methods for multi-color led with stacked bonding structures

Номер патента: WO2021202521A1. Автор: Qiming Li,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2021-10-07.

Systems and methods for multi-color led with stacked bonding structures

Номер патента: EP4128206A1. Автор: Qiming Li,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Systems and methods for coaxial multi-color led

Номер патента: US20240250111A1. Автор: Qiming Li,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Full-color light-emitting diode micro-display and the fabrication method thereof

Номер патента: US20230275074A1. Автор: Xu Zhang,Kei May Lau,Peian LI,Longheng QI. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2023-08-31.

Multiple wavelength light-emitting diode chip and related methods

Номер патента: US20240266383A1. Автор: Robert Wilcox,David Suich,Colin Blakely,Michael Check,Andre Pertuit. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Light emitting diode structure having resonant cavity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258466A1. Автор: Wing Cheung CHONG. Владелец: Raysolve Optoelectronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Systems and methods for coaxial multi-color led

Номер патента: US20230077969A1. Автор: Qiming Li,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Illumination device with inclined light emitting element disposed on a transparent substrate

Номер патента: US09488321B2. Автор: Shyi-Ming Pan,Fen-Ren Chien,Zhi-Ting YE. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Light-emitting diode (led) and micro led substrates and methods for making the same

Номер патента: US20190305182A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Method for producing a native emission matrix

Номер патента: US20240297204A1. Автор: Ludovic Dupre,Patrick Le Maitre,Carole Pernel,Amélie DUSSAIGNE,Helge HAAS. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-09-05.

High resolution monolithic RGB arrays

Номер патента: GB2593193A. Автор: KIM Jun-youn,Pinos Andrea,Mezouari Samir,Sin Tan Wei. Владелец: Plessey Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2021-09-22.

Method for preparing nitride light emitting diode (LED) and nondestructive interface separation

Номер патента: US12051766B1. Автор: Fang Liu,Bo Shen,Duo LI,Yucheng Guo,Zhaoying Chen,Xinqiang Wang,Bowen SHENG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for preparing nitride light emitting diode (led) and nondestructive interface separation

Номер патента: US20240274748A1. Автор: Fang Liu,Bo Shen,Duo LI,Yucheng Guo,Zhaoying Chen,Xinqiang Wang,Bowen SHENG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-15.

Led device and method of manufacture

Номер патента: US20230290806A1. Автор: Muhammad Ali,Tongtong ZHU,Yingjun Liu. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Light emitting diode structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09882096B2. Автор: Yu-Feng Lin,Cheng-Wei HUNG. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2018-01-30.

Illumination device

Номер патента: US09711490B2. Автор: Shyi-Ming Pan,Chih-Wei Liao,Chih-Ping Ho. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Systems and Methods for Multi-Color LED Pixel Unit

Номер патента: US20220344313A1. Автор: Huiwen Xu,Qiming Li,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Light-emitting array with continuous active layer and light outcoupling structures

Номер патента: WO2024129739A1. Автор: Antonio LOPEZ-JULIA. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Led device and method of manufacture

Номер патента: US20240014348A1. Автор: Muhammad Ali,Tongtong ZHU,Yingjun Liu. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Active matrix LED array

Номер патента: US11916169B2. Автор: Samir Mezouari,Andrea Pinos. Владелец: Plessey Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Direct-bonded optoelectronic devices

Номер патента: US20240063199A1. Автор: MIN Tao,Liang Wang,Cyprian Emeka Uzoh,Rajesh Katkar. Владелец: Adeia Semiconductor Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Led component by integrating epitaxial structure and package substrate together and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150069447A1. Автор: Jen-Shyan Chen. Владелец: NeoBulb Technologies Inc. Дата публикации: 2015-03-12.

Led component by integrating epitaxial structure and package substrate together and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140306230A1. Автор: Jen-Shyan Chen. Владелец: NeoBulb Technologies Inc. Дата публикации: 2014-10-16.

Direct-bonded led arrays and drivers

Номер патента: US20230317703A1. Автор: MIN Tao,Liang Wang,Cyprian Emeka Uzoh,Rajesh Katkar. Владелец: Adeia Semiconductor Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

LED precursor including a passivation layer

Номер патента: GB2584150A. Автор: KIM Jun-youn,Aziz Mohsin,SHANNON John,STRIBLEY Kevin,Daniels Ian. Владелец: Plessey Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2020-11-25.

Light emitting diode precursor including a passivation layer

Номер патента: EP3977525A1. Автор: John Shannon,Jun-Youn Kim,Mohsin AZIZ,Kevin STRIBLEY,Ian Daniels. Владелец: Plessey Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2022-04-06.

Light emitting diode precursor including a passivation layer

Номер патента: WO2020239529A1. Автор: John Shannon,Jun-Youn Kim,Mohsin AZIZ,Kevin STRIBLEY,Ian Daniels. Владелец: PLESSEY SEMICONDUCTORS LIMITED. Дата публикации: 2020-12-03.

Light-emitting diode chip

Номер патента: US20170194313A1. Автор: Shiou-Yi Kuo,Chao-Hsien Lin,Ya-Ru Yang. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Light emitting diode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060102925A1. Автор: Shen-Jie Wang,Cheng-Yi Liu,Yuan-Tai Lai. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2006-05-18.

Light-emitting diode structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021593A1. Автор: Zhibiao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

LED chip with integrated electromechanical switch

Номер патента: US10249795B2. Автор: Peter van Delft,Theodorus Johannes Petrus Van Den Biggelaar,Bob Bernardus Anthonius THEUNISSEN,Harald Josef Guenther Radermacher. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2019-04-02.

Full color light emitting diode structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12113091B2. Автор: Wing Cheung CHONG. Владелец: Raysolve Optoelectronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Led display

Номер патента: US20200152692A1. Автор: Chien-Shou Liao. Владелец: Asti Global Inc Taiwan. Дата публикации: 2020-05-14.

Wafer-level full-color display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240014364A1. Автор: Shyi-Ming Pan,Hsin-I Lu,Feng-Hui Chuang,Yu-Chang Hu,Bo-Ren Lin. Владелец: Harvatek Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

LED display

Номер патента: US10957735B2. Автор: Chien-Shou Liao. Владелец: Asti Global Inc Taiwan. Дата публикации: 2021-03-23.

Led device and method of manufacture

Номер патента: US20230378237A1. Автор: Muhammad Ali,Tongtong ZHU,Yingjun Liu. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Systems and methods for coaxial multi-color LED

Номер патента: US11955505B2. Автор: Qiming Li,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Combination of strain management layers for light emitting elements

Номер патента: US11876150B2. Автор: Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung,Richard Peter SCHNEIDER. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-01-16.

Combination of strain management layers for light emitting elements

Номер патента: US20240186451A1. Автор: Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung,Richard Peter SCHNEIDER. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Active matrix LED array precursor

Номер патента: GB2582245A. Автор: Pinos Andrea,Mezouari Samir. Владелец: Plessey Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2020-09-23.

Light-emitting module

Номер патента: US20210118945A1. Автор: Chien-Shou Liao. Владелец: Asti Global Inc Taiwan. Дата публикации: 2021-04-22.

Light emitting diode structures

Номер патента: US20190013436A1. Автор: Ajey P. Jacob,Srinivasa R. Banna,Deepak K. Nayak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Method of transferring a light emitting diode

Номер патента: US8794501B2. Автор: Andreas Bibl,John A. Higginson,Hung-fai Stephen Law,Hsin-Hua Hu. Владелец: LuxVue Technology Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Full color light emitting diode structure and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4115453A1. Автор: Wing Cheung CHONG. Владелец: Raysolve Optoelectronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-11.

Led chip with integrated electromechanical switch

Номер патента: WO2016128276A1. Автор: Peter van Delft,Theodorus Johannes Petrus Van Den Biggelaar,Bob Bernardus Anthonius THEUNISSEN,Harald Josef Guenther Radermacher. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2016-08-18.

Monolithic LED array and a precursor thereto

Номер патента: GB2595687A. Автор: Pinos Andrea,Mezouari Samir,Lyle Whiteman John,Sin Tan Wei. Владелец: Plessey Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2021-12-08.

Led chip with integrated electromechanical switch

Номер патента: EP3257083A1. Автор: Peter van Delft,Theodorus Johannes Petrus Van Den Biggelaar,Bob Bernardus Anthonius THEUNISSEN,Harald Josef Guenther Radermacher. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-12-20.

Led chip with integrated electromechanical switch

Номер патента: US20180026160A1. Автор: Peter van Delft,Theodorus Johannes Petrus Van Den Biggelaar,Bob Bernardus Anthonius THEUNISSEN,Harald Josef Guenther Radermacher. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-01-25.

Light emitting diode structure

Номер патента: US7291863B2. Автор: Shen-Jie Wang,Cheng-Yi Liu,Yuan-Tai Lai. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2007-11-06.

Light Emitting Diode Device

Номер патента: US20230006093A1. Автор: Isaac WILDESON,Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-01-05.

Led arrays

Номер патента: EP4000106A1. Автор: Tao Wang. Владелец: University of Sheffield. Дата публикации: 2022-05-25.

Led arrays

Номер патента: EP3864699A1. Автор: Tao Wang. Владелец: University of Sheffield. Дата публикации: 2021-08-18.

LED Arrays

Номер патента: WO2020074875A1. Автор: Tao Wang. Владелец: THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD. Дата публикации: 2020-04-16.

Monolithic LED array and a precursor thereto

Номер патента: US12046628B2. Автор: Samir Mezouari,Andrea Pinos. Владелец: Plessey Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Led arrays

Номер патента: WO2021013642A1. Автор: Tao Wang. Владелец: THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD. Дата публикации: 2021-01-28.

Iii-nitride p-n junction device using porous layer

Номер патента: WO2021150688A1. Автор: Shuji Nakamura,Christian J. ZOLLNER. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2021-07-29.

Micro LED display device

Номер патента: US12057528B2. Автор: Yu-Yun Lo,Bo-Wei Wu,Chang-Feng TSAI. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Systems and methods for multi-color LED pixel unit with vertical light emission

Номер патента: US12074151B2. Автор: Huiwen Xu,Qiming Li,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Systems and methods for multi-color led pixel unit with horizontal light emission

Номер патента: US20240258294A1. Автор: Huiwen Xu,Qiming Li,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Systems and methods for multi-color led pixel unit with vertical light emission

Номер патента: US20240322104A1. Автор: Huiwen Xu,Qiming Li,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Light emitting diode structure

Номер патента: US20210249560A1. Автор: Ching-Chung Chen. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Laser annealing of gan leds with reduced pattern effects

Номер патента: SG191475A1. Автор: Yun Wang,Andrew M Hawryluk. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2013-07-31.

Contact interconnect structures for light-emitting diode chips and related methods

Номер патента: US20240372039A1. Автор: Michael Check,Steven Wuester. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Diamond-like carbon pixel isolation structures in light emitting diode structures

Номер патента: WO2024091781A1. Автор: Hou T. Ng,Nag Patibandla,Peiwen LIU. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-02.

Light emitting diode structure

Номер патента: US11984530B2. Автор: Ching-Chung Chen. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Gallium nitride vertical light emitting diode structure and method of separating a substrate and a thin film in the structure

Номер патента: US20050186783A1. Автор: Mu-Jen Lai,Schang-Jing Hon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

A micro led projector

Номер патента: WO2023125979A1. Автор: Huiwen Xu,Jian Guo,Shuai ZHANG. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2023-07-06.

Light-emitting diode structure with electrode pads of similar surface roughness and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110312113A1. Автор: Chao-Hsing Chen,Tsun-Kai Ko,Kuo-Hui Yu,Chien-Kai Chung,Cheng-Ta Kuo,Chi-Ming Huang,Shih-Wei Yen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Light-emitting diode structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120168794A1. Автор: Changhsin Chu,Kuohui YU,Chienchun WANG,Haoching Wu. Владелец: Chi Mei Lighting Technology Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

LED light extraction enhancement enabled using self-assembled particles patterned surface

Номер патента: US09818909B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Nanowire sized opto-electronic structure and method for modifying selected portions of same

Номер патента: US09799796B2. Автор: Scott Brad Herner,Daniel Bryce THOMPSON,Cynthia LEMAY. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2017-10-24.

Thin light emitting diode and fabrication method

Номер патента: US09741897B2. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Light-emitting diode structure

Номер патента: US09728691B2. Автор: Tsung-Jen Liaw. Владелец: Bright Led Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Nanowire sized opto-electronic structure and method for modifying selected portions of same

Номер патента: US09722135B2. Автор: Nathan Gardner,Carl Patrik Theodor Svensson. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2017-08-01.

LED light extraction enhancement enabled using self-assembled particles patterned surface

Номер патента: US09490455B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Micro led display device

Номер патента: US20230006106A1. Автор: Yu-Yun Lo,Bo-Wei Wu,Chang-Feng TSAI. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Light-emitting diode chip structures with electrically insulating substrates and related methods

Номер патента: WO2023215362A1. Автор: Michael John Bergmann,Kevin Haberern,David Suich,Michael Check. Владелец: CREELED, INC.. Дата публикации: 2023-11-09.

Light-emitting diode chip structures with electrically insulating substrates and related methods

Номер патента: US20230361249A1. Автор: Michael John Bergmann,Kevin Haberern,David Suich,Michael Check. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Contact structures in light-emitting diode chips for reduced voiding of bonding metals

Номер патента: US20230395754A1. Автор: Jesse Reiherzer,Kevin Haberern,Colin Blakely,Michael Check,Steven Wuester,Justin White,Nikolas Hall. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Edge structures for light shaping in light-emitting diode chips

Номер патента: US11870009B2. Автор: Michael Check,Steven Wuester,Justin White,Seth Joseph Balkey. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Contact structures in light-emitting diode chips

Номер патента: WO2023235366A1. Автор: Jesse Reiherzer,Kevin Haberern,Colin Blakely,Michael Check,Steven Wuester,Justin White,Nikolas Hall. Владелец: CREELED, INC.. Дата публикации: 2023-12-07.

Manufacturing method of vertically structured gan led device

Номер патента: WO2009002045A3. Автор: Meoung Whan Cho,Pil Guk Jang,Hyun Chul Ko,Byung Il Cho. Владелец: Byung Il Cho. Дата публикации: 2009-02-26.

Systems and methods for multi-color LED pixel unit with horizontal light emission

Номер патента: US11967589B2. Автор: Huiwen Xu,Qiming Li,Qunchao XU. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Method for making a self-aligned impurity induced disordered structure

Номер патента: US5061656A. Автор: Stephen P. Rogers,Curtis D. Moyer. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1991-10-29.

Current spreading layer structures for light-emitting diode chips

Номер патента: US20230395747A1. Автор: Jesse Reiherzer,Kevin Haberern,Colin Blakely,Michael Check,Steven Wuester,Justin White. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Passivation structures for light-emitting diode chips

Номер патента: US20230395760A1. Автор: Jesse Reiherzer,Kevin Haberern,Colin Blakely,Michael Check,Steven Wuester,Justin White,Nikolas Hall. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Current spreading layer structures for light-emitting diode chips

Номер патента: WO2023235375A1. Автор: Jesse Reiherzer,Kevin Haberern,Colin Blakely,Michael Check,Steven Wuester,Justin White. Владелец: CREELED, INC.. Дата публикации: 2023-12-07.

Passivation structures for light-emitting diode chips

Номер патента: WO2023235361A1. Автор: Jesse Reiherzer,Kevin Haberern,Colin Blakely,Michael Check,Steven Wuester,Justin White,Nikolas Hall. Владелец: CREELED, INC.. Дата публикации: 2023-12-07.

Reflective layers for light-emitting diodes

Номер патента: US20240194832A1. Автор: Kevin Haberern,Michael Check. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

High light-extraction efficiency light-emitting diode structure

Номер патента: US20100243985A1. Автор: Chih-Sung Chang,Liang-Jyi Yan,Yea-Chen Lee,Chang-Han Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

Flip-chip light emitting diode package module and manufacturing method thereof

Номер патента: US9490404B2. Автор: Meng-Sung Chou,Ming-Kun Weng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Light emitting diode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US8901551B2. Автор: Kuan-Chieh Huang,Tung-Lin Chuang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2014-12-02.

Light emitting diode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140264389A1. Автор: Kuan-Chieh Huang,Tung-Lin Chuang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of bonding light emitting diode (LED) for LED module and LED manufactured thereby

Номер патента: US8865488B2. Автор: Han Hyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-21.

Method of bonding light emitting diode (led) for led module and led manufactured thereby

Номер патента: US20130240946A1. Автор: Han Hyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-19.

Light emitting diode structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363823A1. Автор: Wing Cheung CHONG. Владелец: Raysolve Optoelectronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Manufacturing method of a flip-chip light emitting diode package module

Номер патента: US09978915B2. Автор: Meng-Sung Chou,Ming-Kun Weng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Light emitting diode structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12142717B2. Автор: Wing Cheung CHONG. Владелец: Raysolve Optoelectronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Reversely-installed photonic crystal LED chip and method for manufacturing same

Номер патента: US09601660B2. Автор: Leke WU. Владелец: Enraytek Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Flip-chip light emitting diode package module and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490404B2. Автор: Meng-Sung Chou,Ming-Kun Weng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Pixel isolation structures and methods of making them

Номер патента: US20240096854A1. Автор: Hao Yu,Zhiyong Li,Sivapackia Ganapathiappan,Hou T. Ng,Lisong Xu,Kulandaivelu SIVANANDAN,Mingwei Zhu,Kai Ding,Nag Patibandla. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Light absorbing barrier for LED fabrication processes

Номер патента: US11901477B2. Автор: Liang Zhao,Hou T. Ng,Jeffrey L. Franklin,Fabio Pieralisi,Zihao Yang,Mingwei Zhu,Nag Patibandla. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Light emitting diode structure and manufacture method thereof

Номер патента: US20050026399A1. Автор: Fen-Ren Chien,Lung-Chien Chen. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2005-02-03.

Ultraviolet led epitaxial production method and ultraviolet led

Номер патента: US20200185567A1. Автор: Jian Kang,Xiangdong Chen,Xudong Liang,Xiaohui HUANG,Yuanzhi Zheng. Владелец: EPITOP OPTOELECTRONIC Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Pixel isolation structures and methods of making them

Номер патента: WO2024059434A1. Автор: Hao Yu,Zhiyong Li,Sivapackia Ganapathiappan,Hou T. Ng,Lisong Xu,Kulandaivelu SIVANANDAN,Mingwei Zhu,Kai Ding,Nag Patibandla. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-21.

Light absorbing barrier for led fabrication processes

Номер патента: EP4356437A1. Автор: Liang Zhao,Hou T. Ng,Jeffrey L. Franklin,Fabio Pieralisi,Zihao Yang,Mingwei Zhu,Nag Patibandla. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Light-Emitting Diodes on Concave Texture Substrate

Номер патента: US20100032700A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Ding-Yuan Chen,Hung-Ta Lin,Chia-Lin Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Light-emitting diode structure and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2421059A2. Автор: Kuo-Hui Yu,Chang-Hsin Chu. Владелец: Chi Mei Lighting Technology Corp. Дата публикации: 2012-02-22.

Light emitting diode structures

Номер патента: EP1805808A1. Автор: Majd Zoorob,John Lincoln. Владелец: Mesophotonics Ltd. Дата публикации: 2007-07-11.

High-density micro-led arrays with reflective sidewalls

Номер патента: US20230343904A1. Автор: Zhiyong Li,Sivapackia Ganapathiappan,Hou T. Ng,Lisong Xu,Mingwei Zhu,Kai Ding,Nag Patibandla. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

High-density micro-led arrays with reflective sidewalls

Номер патента: WO2023205105A1. Автор: Zhiyong Li,Sivapackia Ganapathiappan,Hou T. Ng,Lisong Xu,Mingwei Zhu,Kai Ding,Nag Patibandla. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-10-26.

Thin light emitting diode and fabrication method

Номер патента: US20150041756A1. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Thin light emitting diode and fabrication method

Номер патента: US9130105B2. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

Light absorbing barrier for led fabrication processes

Номер патента: US20240145623A1. Автор: Liang Zhao,Hou T. Ng,Jeffrey L. Franklin,Fabio Pieralisi,Zihao Yang,Mingwei Zhu,Nag Patibandla. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

High-density micro-led arrays with reflective sidewalls

Номер патента: US20240186458A1. Автор: Zhiyong Li,Sivapackia Ganapathiappan,Hou T. Ng,Lisong Xu,Mingwei Zhu,Kai Ding,Nag Patibandla. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

LED assembly having maximum metal support for laser lift-off of growth substrate

Номер патента: US7736945B2. Автор: Paul Martin,John Epler,Daniel A. Steigerwald,Stefano Schiaffino,Mari Holcomb,Grigoriy Basin. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2010-06-15.

Phosphor coating systems and methods for light emitting structures and packaged light emitting diodes including phosphor coating

Номер патента: US8058088B2. Автор: Nathaniel O. Cannon,Mitchell Jackson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-11-15.

High brightness electroluminescent device emitting in the green to ultraviolet spectrum and method of making the same

Номер патента: US5661074A. Автор: Michael A. Tischler. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1997-08-26.

Micro semiconductor light-emitting diode structure and method for producing the same

Номер патента: WO2023156210A1. Автор: Harald KÖNIG,Norwin von Malm,Alvaro Gomez-Iglesias,Stefan HECKELMANN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated optogenetic device with light-emitting diodes and glass-like carbon electrodes

Номер патента: US20200164222A1. Автор: Jia Chen,Hariklia Deligianni,Steve Holmes,Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Led light extraction enhancement enabled using self-assembled particles patterned surface

Номер патента: US20160276628A1. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Nanowire sized opto-electronic structure and method for modifying selected portions of same

Номер патента: EP2912699A1. Автор: Nathan Gardner,Carl Patrik Theodor Svensson. Владелец: Svensson Carl Patrik Theodor. Дата публикации: 2015-09-02.

Thin light emitting diode and fabrication method

Номер патента: US20150044796A1. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Light Emitting Diode and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20180013033A1. Автор: Jie Zhang,Jianming Liu,Chen-Ke Hsu,Xueliang Zhu,Chengxiao Du. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Micro led display panel

Номер патента: US20230112423A1. Автор: Yu-Yun Lo,Yung-Chi Chu,Shiang-Ning YANG,Yu-Ya Peng,Bo-Wei Wu. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Light-emitting diode structure with electrode pads of similar surface roughness and method for manufacturing the same

Номер патента: US9231158B2. Автор: Chao-Hsing Chen,Tsun-Kai Ko,Kuo-Hui Yu,Chien-Kai Chung,Cheng-Ta Kuo,Chi-Ming Huang,Shih-Wei Yen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Method for separating light-emitting diode from a substrate

Номер патента: US20140073075A1. Автор: Wei-Yu Yen,Chih-Sung Chang,Fu-Bang CHEN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-13.

Thin light emitting diode and fabrication method

Номер патента: US9263634B2. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-16.

Thin light emitting diode and fabrication method

Номер патента: US20150357515A1. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Light-emitting diode structure

Номер патента: US20170054063A1. Автор: Tsung-Jen Liaw. Владелец: Bright Led Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays

Номер патента: US6410942B1. Автор: Brian Thibeault,Steven DenBaars. Владелец: Cree Lighting Co. Дата публикации: 2002-06-25.

Substrate removal during light-emitting diode formation

Номер патента: RU2466480C2. Автор: Григорий БАСИН,Роберт С. УЭСТ,Пол С. МАРТИН. Владелец: Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В.. Дата публикации: 2012-11-10.

Light-emitting diode structure having progressive work function layer

Номер патента: US9397256B2. Автор: Cheng-Yi Liu,Chih-Yi Hsieh,Yen-Shou Liu. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-07-19.

Iii-nitride-based high-efficiency and high-power devices grown on or above a strain relaxed template

Номер патента: WO2023150550A2. Автор: Shuji Nakamura,Philip Chan,Hsun-Ming CHANG,Vincent RIENZI. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2023-08-10.

Metallic layer for dimming light-emitting diode chips

Номер патента: US20240063344A1. Автор: Peter Andrews,Steven Wuester,Colin Stuart,Seth Joseph Balkey. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Metallic layer for dimming light-emitting diode chips

Номер патента: WO2024039960A1. Автор: Peter Scott Andrews,Steven Wuester,Colin Stuart,Seth Joseph Balkey. Владелец: CREELED, INC.. Дата публикации: 2024-02-22.

Reflective layers for light-emitting diodes

Номер патента: US11923481B2. Автор: Kevin Haberern,Michael Check. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

High-brightness gallium-nitride based light emitting diode structure

Номер патента: US20060145179A1. Автор: Fen-Ren Chien,Liang-Wen Wu. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Forming thin film vertical light emitting diodes

Номер патента: WO2015089079A1. Автор: Bradley S. Oraw. Владелец: NTHDEGREE TECHNOLOGIES WORLDWIDE INC.. Дата публикации: 2015-06-18.

Method of manufacturing light emitting diode die

Номер патента: US20140065743A1. Автор: Ya-Wen Lin,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Iii-nitride-based high-efficiency and high-power devices grown on or above a strain relaxed template

Номер патента: WO2023150550A3. Автор: Shuji Nakamura,Philip Chan,Hsun-Ming CHANG,Vincent RIENZI. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2023-10-05.

Light-emitting diode structure having progressive work function layer

Номер патента: US20150243838A1. Автор: Cheng-Yi Liu,Chih-Yi Hsieh,Yen-Shou Liu. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2015-08-27.

Light emitting diode structure having resonant cavity and method for manufacturing the same

Номер патента: US11984541B2. Автор: Wing Cheung CHONG. Владелец: Raysolve Optoelectronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Led device with protection layer and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2024123425A1. Автор: Hans-Helmut Bechtel,Matthias Heidemann,Marcel Rene Bohmer,Ronja Missong,Sarah SOMMER. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Light emitting diodes with n-polarity and associated methods of manufacturing

Номер патента: US20170288089A1. Автор: Thomas Gehrke,Zaiyuan Ren. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Planar Surface Mount Micro-LED for Fluidic Assembly

Номер патента: US20190319163A1. Автор: Changqing Zhan,Kenji Sasaki,Kurt Ulmer,Paul J. Schuele,Jong-Jan Lee. Владелец: eLux Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

GeSn Nanobeam Light-Emitting Diode

Номер патента: US20200098956A1. Автор: Joshua Hendrickson,Ricky D. Gibson, JR.. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2020-03-26.

Led with porous diffusing reflector

Номер патента: EP2132790A1. Автор: John Epler,Michael Krames,Hanmin Zhao. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2009-12-16.

Nanocone arrays for enhancing light outcoupling and package efficiency

Номер патента: US12132151B2. Автор: Toni LOPÉZ,Isaac WILDESON,Aimi Abass. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-10-29.

P-n separation metal fill for flip chip LEDs

Номер патента: US09722161B2. Автор: Yajun Wei,Stefano Schiaffino,Daniel Alexander Steigerwald,Jipu Lei,Alexander H. Nickel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-08-01.

Controlling LED emission pattern using optically active materials

Номер патента: US09711688B2. Автор: Daniel Roitman,Matthias Heidemann,Mark Melvin Butterworth,Danielle Russell CHAMBERLIN,Hans Helmut Bechtel,Joan Liu. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-07-18.

Light emitting diodes with N-polarity and associated methods of manufacturing

Номер патента: US09705028B2. Автор: Thomas Gehrke,Zaiyuan Ren. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Light emitting diodes with zinc oxide current spreading and light extraction layers deposited from low temperature aqueous solution

Номер патента: US09653655B2. Автор: Steven P. DenBaars,Daniel B. Thompson,Jacob J. Richardson,Frederick F. Lange,Jin Hyeok Kim. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-05-16.

LED with porous diffusing reflector

Номер патента: US7601989B2. Автор: Michael R. Krames,John E. Epler,Hanmin Zhao. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2009-10-13.

Light emitting diodes with n-polarity and associated methods of manufacturing

Номер патента: US11843072B2. Автор: Thomas Gehrke,Zaiyuan Ren. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Interconnects for light emitting diode chips

Номер патента: EP4235826A2. Автор: Michael Check. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Nanocone arrays for enhancing light outcoupling and package efficiency

Номер патента: EP3991217A1. Автор: Toni LOPÉZ,Isaac WILDESON,Aimi Abass. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2022-05-04.

Nanocone arrays for enhancing light outcoupling and package efficiency

Номер патента: WO2020264482A1. Автор: Toni LOPÉZ,Isaac WILDESON,Aimi Abass. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Interconnects for light emitting diode chips

Номер патента: EP4235826A3. Автор: Michael Check. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Light emitting diodes with n-polarity and associated methods of manufacturing

Номер патента: US20240128396A1. Автор: Thomas Gehrke,Zaiyuan Ren. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Scheme and method for led dimming

Номер патента: RU2688205C2. Автор: Йохан-Пауль Мари Герард ЛИННАРТЗ,ХЕТ ВЕЛД Йоханнес Хубертус Герардус ОП,Ральф Антониус Корнелис БРАСПЕННИНГ,Ларс Рене Христиан ВАУМАНС. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2019-05-21.

Grow light systems and methods for controlling the same

Номер патента: US09497905B2. Автор: Michael Whittingham. Владелец: Global Energy & Lighting Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method and apparatus for non-contact measurement of internal quantum efficiency in light emitting diode structures

Номер патента: US09823198B2. Автор: Vladimir N. Faifer. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method and apparatus for non-contact measurement of internal quantum efficiency in light emitting diode structures

Номер патента: WO2015038992A1. Автор: Vladimir N. Faifer. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-19.

Led headlight structure for motorcycle

Номер патента: US20160236743A1. Автор: Teppei Matsuzaki,Sohnthaya KHEAWHORM. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

LED headlight structure for motorcycle

Номер патента: US09944340B2. Автор: Teppei Matsuzaki,Sohnthaya KHEAWHORM. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Non uniform led placement in rgb multi-optics

Номер патента: WO2024129759A1. Автор: Varun Dev KAKKAR,Rob Jacques Paul ENGELEN. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Luminaire retrofit kit

Номер патента: US20240271776A1. Автор: Ming Li,Anil Jeswani,Tianzheng Jiang. Владелец: LEDVANCE LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Led headlight structure for motorcycle

Номер патента: EP3055164A1. Автор: Teppei Matsuzaki,Sohnthaya KHEAWHORM. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-17.

노티스

Номер патента: KR20230053996A. Автор: 김한강. Владелец: 김한강. Дата публикации: 2023-04-24.

Flexible illuminators for phototherapy

Номер патента: NZ517898A. Автор: Thomas A Russell. Владелец: Thomas A. Дата публикации: 2003-10-31.

Flexible illuminators for phototherapy

Номер патента: EP1212118A1. Автор: Thomas A. Russell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-12.

Method of inspecting quality of led structure

Номер патента: RU2521119C1. Автор: Александр Николаевич Пихтин,Сергей Анатольевич Тарасов,Екатерина Андреевна Менькович,Иван Анатольевич Ламкин,Александр Васильевич Соломонов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)". Дата публикации: 2014-06-27.

WAFER HAVING MICRO LED STRUCTURES, METHOD FOR MANUFACTURING WAFER HAVING MICRO LED STRUCTURES, AND METHOD FOR MANUFACTURING BONDED SEMICONDUCTOR WAFER HAVING MICRO LED STRUCTURES

Номер патента: JP7136374B1. Автор: 順也 石崎. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-13.

METHOD OF FORMING A MICRO LED STRUCTURE AND ARRAY OF MICRO LED STRUCTURES WITH AN ELECTRICALLY INSULATING LAYER

Номер патента: US20130126081A1. Автор: Bibl Andreas,Higginson John A.,Hu Hsin-Hua,Stephen Law Hung-Fai. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-23.

Preparation method and light emitting diode (LED) structure of indium gallium nitride (InGaN) base multiple quantum well structure

Номер патента: CN103022289A. Автор: 李鹏,张冀,康学军,杜雪红,王垚浩. Владелец: Foshan Nationstar Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-03.

Nitride LED (light-emitting diode) structure and nitride LED structure preparing method

Номер патента: CN102185057B. Автор: 肖德元,张汝京,程蒙召,于洪波. Владелец: Enraytek Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-14.

Preparation method and light emitting diode (LED) structure of indium gallium nitride (InGaN) base multiple quantum well structure

Номер патента: CN103022289B. Автор: 李鹏,张冀,康学军,杜雪红,王垚浩. Владелец: Foshan Nationstar Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-08.

LED structure comprising quantum barriers with gradient potential barrier heights and method for manufacturing LED structure

Номер патента: CN102820395A. Автор: 王强,徐现刚,李树强,曲爽,王成新. Владелец: Shandong Huaguang Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-12.

LED (light-emitting diode) epitaxial wafer, LED structure and formation method of LED structure

Номер патента: CN102122691B. Автор: 赵东晶,王楚雯. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-10.

LED (light-emitting diode) epitaxial wafer, LED structure and formation method of LED structure

Номер патента: CN102122691A. Автор: 赵东晶,王楚雯. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-13.

Structure LED structure

Номер патента: TWM375985U. Автор: Zhi-Chao ZHANG,jun-ming Li,Dong-An Chen,dong-jing Wu,song-sheng Chen. Владелец: Unity Opto Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-11.

LED structure and manufacturing method

Номер патента: TW200418204A. Автор: ru-xi Liu,Chun-Xia Chen,Qiu-Feng Liao. Владелец: UPEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Method for growing a nonpolar GaN layer on a sapphire substrate and a LED structure thereof

Номер патента: TW201210070A. Автор: Cheng-Ying Ho,Li-Wei Tu,Ting-Wei LIANG,Shu-Yu Chiang. Владелец: Univ Nat Sun Yat Sen. Дата публикации: 2012-03-01.

High power LED structure

Номер патента: TWM335800U. Автор: Fu-Long Huang. Владелец: Honest Prec Ind Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-01.

LED structure with high light-emitting efficiency

Номер патента: TWI229951B. Автор: Shin-Yi Chen,Yi-Shiou Chen,Li-Ching Ma,Jr-Ming Ke,Shiang-Jr Meng. Владелец: Vtera Technology Inc. Дата публикации: 2005-03-21.

GaN-series LED structure with heat-dissipating through-hole

Номер патента: TW201114080A. Автор: shao-peng Peng,Long-Jian Chen. Владелец: Fortune Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-16.

Method for manufacturing nitride LED and the nitride LED structure thereof

Номер патента: TW201042778A. Автор: Gou-Chung Chi,Ching-Jen Pan,Hui-Chu Tseng. Владелец: Univ Nat Central. Дата публикации: 2010-12-01.

Method of controlling LED luminous intensity and LED structure

Номер патента: TW201003973A. Автор: Wei Shen,Yuan-Lin Lee,Yu-Chien Yang. Владелец: Glory Science Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-16.

A LED structure which improves the efficiency of light extraction

Номер патента: TW201032354A. Автор: yi-jun Li,zhi-song Zhang,Liang-Ji Yan,Chang-Han Jiang. Владелец: High Power Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2010-09-01.

Wide band gap LED structure

Номер патента: TW471184B. Автор: Schang-Jing Hon,Feng-Ren Jian,Lung-Jian Chen. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2002-01-01.

A LED structure

Номер патента: TWI247438B. Автор: Fen-Ren Chien,Liang-Wen Wu,Tzu-Chi Wen,Ru-Chin Tu,Cheng-Tsang Yu. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2006-01-11.

Mixed-light type LED structure having compound semiconductor photoconversion layer

Номер патента: TW466788B. Автор: Jin-Fu Gu,Jia-Cheng Liou,Ming-Jiun Jou. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2001-12-01.

A LED structure

Номер патента: TW200612570A. Автор: Fen-Ren Chien,Liang-Wen Wu,Tzu-Chi Wen,Ru-Chin Tu,Cheng-Tsang Yu. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2006-04-16.

Improved LED structure

Номер патента: TWM403595U. Автор: Zhi-Da Zhong. Владелец: Colorbeam Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-11.

Led structure

Номер патента: PL252460A1. Автор: Hanna Grochocka,Tadeusz Gajos,Bogdan Sas,Jerzy Kulak,Edward Rutkowski,Maria Brzezinka. Владелец: Naukowo Prod Ct Polprzewodniko. Дата публикации: 1986-09-23.

LED STRUCTURE WITH BRAGG FILM AND METAL LAYER

Номер патента: US20120043567A1. Автор: Lee Yea-Chen,YAN Liang-Jyi. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-23.

LED STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120256213A1. Автор: Zhang Jing,Chang Kuangyao,Hu Chechang. Владелец: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-10-11.

MANUFACTURING METHOD OF LED BASE PLATE, LED BASE PLATE AND WHITE LIGHT LED STRUCTURE

Номер патента: US20120313127A1. Автор: Chuang Yu-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

LED STRUCTURE WITH ENHANCED MIRROR REFLECTIVITY

Номер патента: US20120326159A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

LED STRUCTURE

Номер патента: US20120326198A1. Автор: YANG Fu-Chih,Kao Hung-Chao,Kuo Hung-Yi,Yu Chih-Kuang,WU MING-FENG,Hsia Shouli Steve,Fu Ken Wen-Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-12-27.

LED STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20130026491A1. Автор: Chen Cheng-Hung,Hsia Der-Lin,HOU CHIA-HUNG. Владелец: LEXTAR ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2013-01-31.

RADIATION HEAT DISSIPATION LED STRUCTURE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130075780A1. Автор: Chen Jeong-Shiun. Владелец: JINGDEZHEN FARED TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-03-28.

MULTI-QUANTUM WELL LED STRUCTURE WITH VARIED BARRIER LAYER COMPOSITION

Номер патента: US20130292637A1. Автор: BERRYMAN-BOUSQUET Valerie,Sénés Mathieu Xavier. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-11-07.

Adjustable light-emitting diode (LED) structure with stage effect

Номер патента: CN202140980U. Автор: 刘玉雄. Владелец: Samsung Electronics Huizhou Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-08.

Semiconductor layer surface roughening method and formation method for LED structure with roughened surface

Номер патента: CN105098015A. Автор: 张�杰,彭遥. Владелец: Huizhou BYD Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-25.

A kind of LED structure with gallium nitride system

Номер патента: CN205752220U. Автор: 张自锋,余建立. Владелец: Chaohu University. Дата публикации: 2016-11-30.

Novel light-emitting diode (LED) structure

Номер патента: CN201892160U. Автор: 张海英. Владелец: Magneti Marelli Automotive Components Wuhu Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-06.

High-heat-conducting integrated light-emitting diode (LED) structure

Номер патента: CN201884987U. Автор: 周杭,徐凌峰. Владелец: ZHEJIANG CHUANGYING OPTOELECTRICITY CO Ltd. Дата публикации: 2011-06-29.

LED structure

Номер патента: CN1747187A. Автор: 武良文,简奉任,游正璋,涂如钦,温子稷. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2006-03-15.

LED structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102544284A. Автор: 王星贸. Владелец: FOSHAN QIMING PHOTOELECTRIC Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

A kind of deep ultraviolet LED structure

Номер патента: CN208655681U. Автор: 张康,陈志涛,王巧,刘宁炀,王君君,黄玉婷,曾巧玉. Владелец: Guangdong Semiconductor Industry Technology Research Institute. Дата публикации: 2019-03-26.

A kind of MICRO LED structure

Номер патента: CN209691780U. Автор: 张楠,郝茂盛,袁根如. Владелец: Shanghai Xinyuanji Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

Backpack with electronic LED structure

Номер патента: USD881555S1. Автор: Sergii Iezdin,Ivan Kaunov,Marharyta Rimek. Владелец: Pix Inc. Дата публикации: 2020-04-21.

Outdoor lamp provided with embedded LED structure

Номер патента: CN213983116U. Автор: 陈馨,方昆,黄正兵,严洪琪. Владелец: Huzhou Ruiju Lighting Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

LED STRUCTURE QUALITY CONTROL METHOD

Номер патента: RU2012157486A. Автор: Александр Николаевич Пихтин,Сергей Анатольевич Тарасов,Екатерина Андреевна Менькович,Иван Анатольевич Ламкин,Александр Васильевич Соломонов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)". Дата публикации: 2014-07-10.

LED structure with aluminum-component-gradient electron blocking layer

Номер патента: CN102820394A. Автор: 王强,徐现刚,李树强,曲爽,王成新. Владелец: Shandong Huaguang Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-12.

White light light-emitting diode (LED) structure capable of reducing color temperature drifting

Номер патента: CN202662673U. Автор: 范国峰. Владелец: Ke Run Photoelectric Co Ltd Of Shenzhen. Дата публикации: 2013-01-09.

Light-emitting diode (LED) structure with high-efficiency heat dissipation effect

Номер патента: CN201838618U. Автор: 汪秉龙,庄峰辉,萧松益. Владелец: Harvatek Corp. Дата публикации: 2011-05-18.

LED structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101414653B. Автор: 李家铭,綦振瀛,林宏诚. Владелец: Taigu Photoelectric Sci & Tech Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-14.

LED structure

Номер патента: CN101145570A. Автор: 许世昌,陈明鸿,温士逸. Владелец: HAILIER CO Ltd. Дата публикации: 2008-03-19.

LED structure having low thermal resistance

Номер патента: TW488557U. Автор: Tom Jory,Bo-Shian Li,Jen-Luen Shingchen. Владелец: Lite On Electronics Inc. Дата публикации: 2002-05-21.

Novel high-efficiency LED structure

Номер патента: CN101303105A. Автор: 梁秉文. Владелец: LIANG BINGWU. Дата публикации: 2008-11-12.

Bathroom infiltration is dredged and is led structure

Номер патента: CN216865842U. Автор: 郑权. Владелец: Shenzhen Strongteam Decoration Engineering Co ltd. Дата публикации: 2022-07-01.

GaN-based LED structure and formation method thereof

Номер патента: CN105304779A. Автор: 吴明驰. Владелец: Huizhou BYD Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-03.

LED structure with low resistivity layer

Номер патента: CN1280923C. Автор: 简奉任,陈隆建,蓝文厚. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2006-10-18.

Light-emitting diode (LED) structure of current blocking layer with plural penetrating holes

Номер патента: CN103107254A. Автор: 黄国瑞. Владелец: ZHUNAN BRANCH TYNTEK Corp. Дата публикации: 2013-05-15.

Lateral embedded LED structure of RJ45 connector

Номер патента: CN215070725U. Автор: 吕辉,张智凯,牛志菲,李进开. Владелец: Zhongjiang UD Electronics Co ltd. Дата публикации: 2021-12-07.

Light-emitting diode (LED) structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101859844A. Автор: 简奉任,陈隆建. Владелец: YUXING ENTERPRISE CO Ltd. Дата публикации: 2010-10-13.

LED structure

Номер патента: CN102956626A. Автор: 邹军,王大强,徐正飞,李上宾. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-06.

A kind of flip LED structure

Номер патента: CN208690299U. Автор: 刘海潮,刘海方. Владелец: Shenzhen Jinhong Photoelectric Co ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Improved LED structure

Номер патента: TWM374156U. Автор: Min-Li Li,Zheng-Xing Zhang,guo-hu Chen,Xin-Jing Yang. Владелец: Elit Fine Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-11.

Chip-on-board LEDs structure with different wavelengths

Номер патента: TW201332158A. Автор: Hsin-Hui Cheang,Chao-Kuei Chan. Владелец: Top Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

LED structure using AlGaInN quaternary material as quantum well and quantum barrier and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102738341A. Автор: 王强,徐现刚,李树强,曲爽,王成新. Владелец: Shandong Huaguang Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-17.

Method for manufacturing an LED structure applied to miniaturization electronic product

Номер патента: TW201123365A. Автор: Bily Wang,chun-cheng Yao. Владелец: Harvatek Corp. Дата публикации: 2011-07-01.

White light LED structure with adjustable color temperature

Номер патента: CN203607407U. Автор: 王丙杰,张晓艳,鲁路,胡专,侯金钗. Владелец: BEIJING YUJI TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co. Дата публикации: 2014-05-21.

Alternative-current (AC) lighting emitting diode (LED) structure

Номер патента: TW201015696A. Автор: Ming-Hung Chen,Shih-Yi Wen,Jing-Yi Chen. Владелец: Helio Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2010-04-16.

LED structure

Номер патента: TW200919776A. Автор: Hui-Shan Kao,Chi-Ying Chiu. Владелец: EPILEDS TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2009-05-01.

Single light-source, multi-color LED structure

Номер патента: TWM292166U. Автор: Ben-Yu Liau. Владелец: Ben-Yu Liau. Дата публикации: 2006-06-11.

LED structure with die bonding or wire bonding auxiliary identification mark

Номер патента: TWM273823U. Автор: Mu-Jen Lai,Hsueh-Feng Sun,Chien-Hsiung Lo. Владелец: Super Nova Optoelectronics Cor. Дата публикации: 2005-08-21.

LED structure having integrated driving means

Номер патента: TWM356232U. Автор: Hsien-Jung Huang. Владелец: APA Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-01.

Improved LED structure

Номер патента: TW200501448A. Автор: Ming-Te Lin,Jung-Kuei Hsu,San-Pao Lin. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2005-01-01.

LED structure with high light-emitting efficiency

Номер патента: TW200531307A. Автор: Hsin-I Chen,I-Hsiu Chen,zhi-ming Ke,Li-Ching Ma,Hsiang-Chih Meng. Владелец: Vtera Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-16.

PULSED GROWTH OF CATALYST-FREE GROWTH OF GaN NANOWIRES AND APPLICATION IN GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR BULK MATERIAL

Номер патента: US20120001153A1. Автор: . Владелец: STC. UNM. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

Wafer Guide, MOCVD Equipment, and Nitride Semiconductor Growth Method

Номер патента: US20120003822A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: RU2446511C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии" (ООО НКТ). Дата публикации: 2012-03-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.