Gate-Struktur und Verfahren mit verbessertem Gate-Kontakt und verbesserter Schwellenspannung
Номер патента: DE102018104004B4
Опубликовано: 02-06-2021
Автор(ы): Max Liu, Wei-Shuo HO, Yen-Ming Peng
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-06-2021
Автор(ы): Max Liu, Wei-Shuo HO, Yen-Ming Peng
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Gate-Struktur und Verfahren mit verbessertem Gate-Kontakt und verbesserter Schwellenspannung
Номер патента: DE102018104004A1. Автор: Wei-Shuo HO,Yen-Ming Peng,Max Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.