Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor Device with Partial EMI Shielding Removal Using Laser Ablation

Semiconductor Device with Partial EMI Shielding Removal Using Laser Ablation

Номер патента: US20240170416A1
Опубликовано: 23-05-2024
Автор(ы): BongWoo Choi, Changoh Kim, Jiwon Lee, KyoWang Koo, SungWon Cho
Принадлежит: Stats Chippac Pte Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device with partial EMI shielding removal using laser ablation

Номер патента: US11935840B2. Автор: Jiwon Lee,SungWon Cho,Changoh Kim,KyoWang Koo,BongWoo Choi. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170110412A1. Автор: Chen-Hua Yu,Vincent Chen,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ming-Kai Liu,Ching-Feng Yang,Chuei-Tang Wang,Wei-Ting Lin,Tzu-Chun Tang,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device with electromagnetic shield

Номер патента: US09991228B2. Автор: Ken Miyairi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device with a partial shielding layer and a method for making the same

Номер патента: US20240355643A1. Автор: Seunghyun Lee,Seonghwan Park,Bom Lee,InHo Seo. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with integral emi shield

Номер патента: US20200273810A1. Автор: Chayathorn Saklang,Chanon Suwankasab,Amomthep Saiyaitara,Russell Joseph Lynch. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09721865B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor devices with shielding structures

Номер патента: US11688695B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09831204B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US12051684B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device with protection structure and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327823A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for fabricating semiconductor device with protection structure and air gaps

Номер патента: US20210358862A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device and method of forming PoP semiconductor device with RDL over top package

Номер патента: US09786623B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor devices with in-package pgs for coupling noise suppression

Номер патента: EP4120342A3. Автор: Sheng-Mou Lin,Ruey-Bo Sun. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-03-08.

Semiconductor device with cavity carrier and method therefor

Номер патента: US20240234222A9. Автор: Zhiwei Gong,Kuan-Hsiang Mao,Neil Thomas Tracht. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Microelectronic devices with through-substrate interconnects and associated methods of manufacturing

Номер патента: EP4322215A3. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Sarah A. Niroumand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method of forming openings in thermally-conductive frame of FO-WLCSP to dissipate heat and reduce package height

Номер патента: US09508626B2. Автор: Yaojian Lin,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor devices with pyramidal shielding and method for making the same

Номер патента: US20240055368A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung,Omin Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device with conductive protrusions and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296174A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220077118A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device with multiple HBTs having different emitter ballast resistances

Номер патента: US09905678B2. Автор: Peter J. Zampardi,Brian G. Moser,Thomas James Rogers. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor Device with Partial EMI Shielding and Method of Making the Same

Номер патента: US20210335724A1. Автор: SungWon Cho,Changoh Kim,KyoWang Koo,KyoungHee Park. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with attached battery and method therefor

Номер патента: US20240178111A1. Автор: Scott M. Hayes,Stephen Ryan Hooper,Chayathorn Saklang,Namrata KANTH. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device with attached battery and method therefor

Номер патента: EP4379796A1. Автор: Stephen Ryan Hooper,Scott M Hayes,Chayathorn Saklang,Namrata KANTH. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor device with integrated decoupling and alignment features

Номер патента: US12113028B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203897A1. Автор: Cheng Kai Chang,Zheng Wei WU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Wafer-level package device with solder bump reinforcement

Номер патента: US09425160B1. Автор: Arkadii V. Samoilov,Reynante Alvarado,Yi-Sheng A. Sun,Yong L. Xu. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device with reduced thickness

Номер патента: US09418922B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device with emi protection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327821A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and method of forming a slot in EMI shielding with improved removal depth

Номер патента: US11756897B2. Автор: Jiwon Lee,Changoh Kim,JinHee Jung,YuJeong Jang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor Device and Method of Forming a Slot in EMI Shielding with Improved Removal Depth

Номер патента: US20230369241A1. Автор: Jiwon Lee,Changoh Kim,JinHee Jung,YuJeong Jang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with bump stop structure

Номер патента: US09379075B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor device with stacked power converter

Номер патента: EP2647047A1. Автор: Bernard J. New. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Semiconductor device with through-substrate via covered by a solder ball

Номер патента: US09735101B2. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems,Cathal Cassidy. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device with electro-static discharge protection device above semiconductor device area

Номер патента: US09530769B2. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046544B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing

Номер патента: US20230387100A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Chuang,Chang-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device with open cavity and method therefor

Номер патента: EP4235767A3. Автор: Scott M Hayes,Michael B Vincent. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355720A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7602055B2. Автор: Yoshitaka Aiba,Keiji Nosaka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070134843A1. Автор: Yoshitaka Aiba,Keiji Nosaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor Package With EMI Shield and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20240274547A1. Автор: Sung Gyu Kim,Tae Yong Lee,Kyoung Yeon Lee,Doo Soub Shin. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding

Номер патента: US20110260301A1. Автор: Chi-Tsung Chiu,Kuo-Hsien Liao,Chih-Pin Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor Device and Method for Partial EMI Shielding

Номер патента: US20240063137A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device with backside inductor using through silicon vias

Номер патента: US20210098370A1. Автор: Daniel L. Stasiak,Hassan Naser,Matthew A. Cooke,Calist Friedman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor Package With EMI Shield and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20210351137A1. Автор: Sung Gyu Kim,Tae Yong Lee,Kyoung Yeon Lee,Doo Soub Shin. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor Package With EMI Shield and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20230411303A1. Автор: Sung Gyu Kim,Tae Yong Lee,Kyoung Yeon Lee,Doo Soub Shin. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor package with EMI shield and fabricating method thereof

Номер патента: US11967567B2. Автор: Sung Gyu Kim,Tae Yong Lee,Kyoung Yeon Lee,Doo Soub Shin. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Ground connection for semiconductor device assembly

Номер патента: US11764161B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko,Youngik Kwon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327887A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device with embedded semiconductor die and substrate-to-substrate interconnects

Номер патента: US09502392B2. Автор: Jin Seong Kim,Cha Gyu Song,Ye Sul Ahn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor Device and Method of Forming EMI Shielding Material in Two-Step Process to Avoid Contaminating Electrical Connector

Номер патента: US20240021536A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung,Omin Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20210217859A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20220173045A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor device with re-fill layer

Номер патента: US12100634B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with metal think film and via

Номер патента: US09673144B2. Автор: Isamu Nishimura,Kazumasa Nishio,Michihiko Mifuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548253B2. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20200020584A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device with interconnect structure having graphene layer and method for preparing the same

Номер патента: US20230268303A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor Device with Metallization Structure on Opposite Sides of a Semiconductor Portion

Номер патента: US20180138120A1. Автор: Martin Poelzl,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09653479B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Tetsunori Maruyama,Yuichi Sato,Yuji Asano,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having semiconductor chips in resin and electronic circuit device with the semiconductor device

Номер патента: US09607949B2. Автор: Hiroshi Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device with edge-protecting spacers over bonding pad

Номер патента: US12027479B2. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Stacked device with backside power distribution network and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4254493A1. Автор: Saehan Park,Inchan HWANG,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor device with protruding contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122979A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device with slanted conductive layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11398441B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

Semiconductor device with improved pads

Номер патента: US20080258262A1. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US20240297077A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Stacked device with backside power distribution network and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131996B2. Автор: Saehan Park,Inchan HWANG,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09711377B2. Автор: Toshihiko Akiba,Hiromi Shigihara,Kei YAJIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240258397A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20240250141A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US20160064385A1. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230269935A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor memory devices with dielectric fin structures

Номер патента: US20240268106A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device with spacer over bonding pad

Номер патента: US11605606B2. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-14.

Semiconductor device with spacer over bonding pad

Номер патента: US20220130779A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334687A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09437454B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshinori IEDA,Fumika TAGUCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

3D memory device with modulated doped channel

Номер патента: US12029042B2. Автор: Zhiqiang Wu,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Chung-Wei Wu,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Structure and formation method of semiconductor device with backside contact

Номер патента: US12015060B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device with die mounted to an insulating substrate and corresponding method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US12040263B2. Автор: Roberto Tiziani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device with multi-layer dielectric

Номер патента: US12040273B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Power semiconductor devices with high temperature electrical insulation

Номер патента: US20210407878A1. Автор: David Richard Esler,Emad A. Andarawis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device with air gap below landing pad and method for forming the same

Номер патента: US12051648B2. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20140197490A1. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor device

Номер патента: US9299794B2. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

Semiconductor device

Номер патента: US8698241B2. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor device with multi-layer dielectric and methods of forming the same

Номер патента: US12057398B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20230290683A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device with assistant layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12080754B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Composite Device with Integrated Diode

Номер патента: US20150325566A1. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device

Номер патента: US9640654B2. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Vertical memory device with bit line air gap

Номер патента: WO2016048682A2. Автор: Peter Rabkin,Jayavel Pachamuthu,Jilin XIA. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor devices with recessed pads for die stack interconnections

Номер патента: US12087697B2. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Ruei Ying Sheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with doped region dielectric layer

Номер патента: US20240371688A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for making semiconductor device with stacked analog components in back end of line (BEOL) regions

Номер патента: US09978683B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for making semiconductor device with stacked analog components in back end of line (BEOL) regions

Номер патента: US09806022B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor devices with recessed interconnects

Номер патента: US09711457B2. Автор: David S. Pratt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for making semiconductor device with stacked analog components in back end of line (BEOL) regions

Номер патента: US09660015B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09640654B2. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Vertical memory device with bit line air gap

Номер патента: US09515085B2. Автор: Peter Rabkin,Jayavel Pachamuthu,Jilin XIA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Composite device with integrated diode

Номер патента: US09502398B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device with etched landing pad surface

Номер патента: US20240023307A1. Автор: Yen-Ho CHU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device with conductive layers having different pattern densities and method for fabricating the same

Номер патента: US20240243060A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device with anti-back-sputter layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240203753A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with porous dielectric layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240030133A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device with uneven electrode surface and method for fabricating the same

Номер патента: US20230105066A1. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device implemented with buried rails

Номер патента: US20220013522A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device with fuse component

Номер патента: US12057393B2. Автор: Jui-Hsiu JAO,Kai-Po Shang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with conductive layers having different pattern densities and method for fabricating the same

Номер патента: US12080642B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device with conductive liners over silicide structures and method of making the semiconductor device

Номер патента: US20230299168A1. Автор: Sung-Li Wang,Po-Chin Chang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Yuting CHENG,Ken-Yu Chang,Wei-Yip Loh,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Kuan-Kan HU,Chuan-Hui SHEN,Harry CHIEN,Tzu-Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with filling layer

Номер патента: US20240304552A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339400A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339401A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240304553A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US12114491B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with multi-stacking carrier structure

Номер патента: US12119297B2. Автор: Wei-Zhong Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09666438B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor Device with Slotted Backside Metal for Improving Q Factor

Номер патента: US20180331031A1. Автор: Chih-Wen Huang,Jui-Chieh CHIU,you-cheng Lai. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09853002B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20220223609A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Non-orthogonal slotted vias for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20220189874A1. Автор: Raja Kumar Varma Manthena,Surendranath C. Eruvuru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299023A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274554A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240250047A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US09761592B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Power semiconductor device

Номер патента: US09691844B2. Автор: In Su Kim,Jeong Hwan Park,Seung Sik PARK,Ha Yong YANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor Device and Method of Forming a Slot in EMI Shielding Layer Using a Plurality of Slot Lines to Guide a Laser

Номер патента: US20220359417A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device with power supply distribution networks on frontside and backside of a circuit

Номер патента: US20240203880A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor devices with electrical fuses and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240297115A1. Автор: Yi-Kan Cheng,Chung-Sheng Yuan,Chia-Chung Chen,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor devices with varying support structures and data storage systems including the same

Номер патента: US12137560B2. Автор: Jongsoo Kim,Wonseok Cho,Juyoung Lim,HangKyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Stacked non-volatile semiconductor memory device with buried source line and method of manufacture

Номер патента: US09761606B1. Автор: Takashi Ishida,Hideaki Aochi,Fumitaka Arai,Jun Fujiki,Shinya Arai,Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device with bumps and display device module incorporating the same

Номер патента: US09385096B2. Автор: Hisao Nakamura,Shinya Suzuki,Yuichi Nakagomi. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device with semiconductor chip and wiring layers

Номер патента: US09312216B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki,Ryuichi Oikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Package-on-package device with supplemental underfill and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170317057A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20240282864A1. Автор: Jinwook Yang,Sungil Park,Jaehyun Park,Daewon HA,Dongkyu LEE,Kyuman HWANG,Cheoljin YUN,Jinchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device with communication ring

Номер патента: US20240274591A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Catherine Decobert,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with communication ring

Номер патента: WO2024172822A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Catherine Decobert,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device packages including conductors electrically connecting stacked semiconductor devices by extending along surfaces of the semiconductor devices

Номер патента: US12062635B2. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Package-on-package device with supplemental underfill and method for manufacturing the same

Номер патента: US09825008B1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device with decreased overlapping area between redistribution lines and signal lines

Номер патента: US09666240B2. Автор: Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Die attachment method for semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20230187296A1. Автор: Nicoletta Modarelli,Guendalina Catalano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device packaging

Номер патента: US09620457B2. Автор: Eva Wagner,Gottfried Beer,Ulrich Wachter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: US20240339433A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: WO2024215492A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with an embedded active device

Номер патента: EP4454015A1. Автор: Rahul Agarwal,Gabriel H. Loh,Brett P. Wilkerson,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation

Номер патента: US09704725B1. Автор: Hyun Jun Kim,Hong Bae Kim,Hyung Kook Chung. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

A semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4362084A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor device with a porous air vent

Номер патента: US20240063067A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Packaged semiconductor devices with laser grooved wettable flank and methods of manufacture

Номер патента: US09978668B1. Автор: Erwin Victor Cruz,Aira Lourdes VILLAMOR,Geraldine Suico,Silnore Sabando. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device with encapsulant deposited along sides and surface edge of semiconductor die in embedded WLCSP

Номер патента: US12094729B2. Автор: Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Heinz-Peter Wirtz,Seung Wook Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1606835A1. Автор: Yoshitsugu c/o Dow Corn Toray Sil. Co Ltd MORITA,Katsutoshi c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd MINE,Junji c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd NAKANISHI,Hiroji c/o Dow Corning Toray Sil. Co. Ltd. ENAMI,Fumio c/o Apic Yamada Corp. Miyajima. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-21.

Semiconductor device with protected sidewalls and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US09806034B1. Автор: Rolf Brenner,Hans-Juergen Funke,Wolfgang Schnitt,Rudiger Weber,Frank Burmeister,Tobias Sprogies. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device with wettable corner leads

Номер патента: US09847283B1. Автор: Xue Ke,Sven Walczyk,Kan Wae Lam,Wai Keung Ho,Wing Onn Chaw. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device with lead terminals having portions thereof extending obliquely

Номер патента: US09472492B2. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US20160042986A1. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US9472439B2. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Device with optimized thermal characteristics

Номер патента: US09929115B2. Автор: Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng,Hao-Cheng Hou,Ming-Che Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device with heat-dissipating lead frame

Номер патента: US09355945B1. Автор: Zhijie Wang,Meng Kong Lye,You Ge. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with lead terminals having portions thereof extending obliquely

Номер патента: US09812382B2. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Power semiconductor device with free-floating packaging concept

Номер патента: US12094791B2. Автор: Jan Vobecky,David GUILLON,Tobias Wikstroem,Jagoda Dobrzynska. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device packages

Номер патента: EP4430663A1. Автор: Han-Wen Chen,Steven Verhaverbeke. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and method of forming extended semiconductor device with fan-out interconnect structure to reduce complexity of substrate

Номер патента: US09484319B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device with a polymer layer

Номер патента: US20240071976A1. Автор: Wei Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor method and device of forming a fan-out device with PWB vertical interconnect units

Номер патента: US09837303B2. Автор: KANG Chen,Yu Gu,Pandi Chelvam Marimuthu,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device with thin redistribution layers

Номер патента: US09818708B2. Автор: Dong Hoon Lee,Do Hyung Kim,Seung Chul Han. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device with thin redistribution layers

Номер патента: US09607919B2. Автор: Dong Hoon Lee,Do Hyung Kim,Seung Chul Han. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device with chips on isolated mount regions

Номер патента: US8759955B2. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-06-24.

Semiconductor device with improved heat dissipation and method for making the same

Номер патента: US20240332114A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,YongMoo SHIN. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Thermosetting resin composition (versions), construction of attachment of semiconductor device and method of manufacture of semiconductor device with use of thermosetting resin composition

Номер патента: RU2195474C2. Автор: Марк КОНАРСКИЙ,Збигнев А. ЩЕПАНЯК. Владелец: Локтайт Корпорейшн. Дата публикации: 2002-12-27.

Semiconductor devices with embedded filler particles and associated methods for their production

Номер патента: US20240234227A9. Автор: Martin Mayer,Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices with flexible reinforcement structure

Номер патента: US20240304465A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with heat information mark

Номер патента: US09870977B2. Автор: Young-Deuk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

EMI shield for high frequency layer transferred devices

Номер патента: US09786613B2. Автор: Michael A. Stuber. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor devices with duplicated die bond pads and associated device packages and methods of manufacture

Номер патента: US09875993B2. Автор: Nathan J. Sirocka,Trismardawi Tanadi,Andrew D. Proescholdt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device with a plate-shaped lead terminal

Номер патента: US09917064B2. Автор: Junji Fujino,Mikio Ishihara,Yuji Imoto,Shinsuke Asada,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170054000A1. Автор: Masanori Inoue,Yuji Kumagai,Shunji Takenoiri,Shuhei TATEMICHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor device with appraisal circuitry

Номер патента: US20110297935A1. Автор: Andreas Roth,Andreas Laudenbach,Hubert Bode. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-08.

Encircling a semiconductor device with stacked frames on a substrate

Номер патента: US12119296B2. Автор: Shin-puu Jeng,Chien-Hung Chen,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor devices with redistribution pads

Номер патента: US09859204B2. Автор: Won-Young Kim,Chanho LEE,Ae-nee JANG,Hyunsoo Chung,Myeong Soon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US11756893B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device with capping layer

Номер патента: US20240304696A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with electrostatic discharge protection device near the edge of the chip

Номер патента: US09812408B2. Автор: Shigeru Hirata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Wrappable emi shields

Номер патента: US20220068834A1. Автор: Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Tin Poay Chuah,Yew San Lim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Wrappable EMI shields

Номер патента: US11699664B2. Автор: Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Tin Poay Chuah,Yew San Lim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-11.

A method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4447094A1. Автор: Guendalina Catalano,Antonio BELLIZZI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-16.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20240332250A1. Автор: Guendalina Catalano,Antonio BELLIZZI. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-03.

Ultra-thin embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09806051B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Shakti Singh Chauhan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09673142B2. Автор: Kazuyuki Sakata,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices with thermoelectric cooler

Номер патента: US20240321677A1. Автор: Archana Venugopal,Jingjing Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods for making semiconductor device with sealing resin

Номер патента: US09472540B2. Автор: Junji Tanaka,Masanori Onodera,Kouichi Meguro. Владелец: VALLEY DEVICE MANAGEMENT. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device with redistribution layers on partial encapsulation and non-photosensitive passivation layers

Номер патента: US09818685B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Doo Hyun Park,Dong Jin Kim,Jin Young Kim,Jae Hun Bae,SungKyu Kim,Jin Han Kim,Se Woong Cha,Jong Sik Paek,Yoonjoo Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US20150206827A1. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-07-23.

Package module structure for high power device with metal substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130020726A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Kyoung-Min Kim. Владелец: Wavenics Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device with thick bottom metal and preparation method thereof

Номер патента: US09653383B2. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yan Xun Xue,Aihua Lu,Ming-Chen Lu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device with encapsulated lead frame contact area and related methods

Номер патента: US09490146B2. Автор: Jefferson Talledo. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US8692384B2. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-04-08.

Semiconductor device with reliable connection between projective electrode and conductive wire of the substrate

Номер патента: US6344372B1. Автор: Takatoshi Suzuki,Rieka Ohuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-05.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US20140183705A1. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device with thermal dissipation and method therefor

Номер патента: US20240136256A1. Автор: Sam Lai,Yi-Tien Liao,Frank.zy Guo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device with thermal dissipation and method therefor

Номер патента: EP4358132A3. Автор: Sam Lai,Zhan-ying GUO,Yi-Tien Liao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor device with thermal dissipation and method therefor

Номер патента: US20240234258A9. Автор: Sam Lai,Yi-Tien Liao,Frank.zy Guo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with a supporting member and bonded metal layers

Номер патента: US11728237B2. Автор: Xiaopeng Wu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09761541B2. Автор: Kazuo Tomita,Hiroki Takewaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09659906B2. Автор: Youichi Abe,Yuko Sato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device with under-bump metallization and method therefor

Номер патента: US20240014152A1. Автор: Jeroen Johannes Maria ZAAL,Leo van Gemert. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device with under-bump metallization and method therefor

Номер патента: EP4303912A1. Автор: Jeroen Johannes Maria ZAAL,Leo van Gemert. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-10.

Heat dissipation structure of semiconductor device

Номер патента: US09997430B2. Автор: Eiichi Omura. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US7919837B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US10366942B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20190295928A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US11424176B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20110133323A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US8970019B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20150155225A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device with protection liners and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299005A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with protection liners and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US12119302B2. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device with separated main terminals

Номер патента: US09966344B2. Автор: Shin Soyano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor package device with integrated antenna and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200365455A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Hang Tung,Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device redistribution layer with narrow trace width relative to passivation layer opening

Номер патента: US09716071B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device with stacked semiconductor elements

Номер патента: US6858920B2. Автор: Kazushi Hatauchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-22.

Packaging methods for semiconductor devices with encapsulant ring

Номер патента: US09805997B2. Автор: Yu-Chih Liu,Chin-Liang Chen,Chien-Kuo Chang,Kuan-Lin Ho,Wei-Ting Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device having ESD protection structure

Номер патента: US09953970B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Creating 3d features through selective laser annealing and/or laser ablation

Номер патента: US20200211995A1. Автор: Simon Joshua Jacobs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Wide bandgap semiconductor device with sensor element

Номер патента: US12074079B2. Автор: Thomas E. Harrington, III,Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Edward Robert Van Brunt,Joohyung Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20180240728A1. Автор: Akitoyo Konno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor device with thermal release layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220165639A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device and semiconductor device with cooling member

Номер патента: US12074088B2. Автор: Takahiko Murakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices with thermoelectric cooler

Номер патента: WO2024206041A1. Автор: Archana Venugopal,Jingjing Chen. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with porous decoupling feature and method for fabricating the same

Номер патента: US20210375881A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213107A1. Автор: Hiroki Hidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Discrete component backward traceability and semiconductor device forward traceability

Номер патента: EP2625708A1. Автор: Hem Takiar,Cheeman Yu,Frank Lu,Jiaming Shi,Didier Chavet,Chih-Chiang Tung. Владелец: SanDisk SemiConductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-14.

Semiconductor device and inverter device

Номер патента: US20230010169A1. Автор: Takeshi Ogawa,Takuro Mori,Masaru Furukawa,Hideki Tsukamoto,Seiji Saiki,Korehide Okamoto,Takamasa ODA,Yosuke Miyagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20230260556A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Wide bandgap semiconductor device with sensor element

Номер патента: US20240379667A1. Автор: Thomas E. Harrington, III,Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Edward Robert Van Brunt,Joohyung Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device with transistor local interconnects

Номер патента: US20210013150A1. Автор: Suresh Venkatesan,Scott Johnson,Subramani Kengeri,Chinh Nguyen,Mahbub Rashed,Marc Tarabbia,Steven Soss,Jeff Kim,Irene Y. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device with semiconductor chip on flexible tape

Номер патента: US20010050418A1. Автор: Chikara Yamashita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US12094833B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with capping layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240304697A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with porous layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371684A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with porous layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371683A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods for fabricating semiconductor devices with backside power delivery network using laser liftoff layer

Номер патента: US20240258169A1. Автор: ARKALGUD Sitaram,Soo Doo Chae. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods for fabricating semiconductor devices with backside power delivery network using laser liftoff layer

Номер патента: WO2024163032A1. Автор: ARKALGUD Sitaram,Soo Doo Chae. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor Device with Metallization Structure and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20180301338A1. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device with combined passive device on chip back side

Номер патента: US09524932B2. Автор: Martin Gruber,Andreas Munding. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device with integrated circuit elements of group iii-v comprising means for preventing pollution by hyfrogen.

Номер патента: US20030071339A1. Автор: Peter Frijlink,Pierre Baudet. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2003-04-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716027B2. Автор: Hiroi Oka,Takamitsu YOSHIHARA,Takahiro Kainuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device with an anti-pad peeling structure and associated method

Номер патента: US09711478B2. Автор: Shih-Wen Huang,Cheng-chieh Hsieh,Chih-Kai Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20240332206A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with a laser-connected terminal

Номер патента: US20210407955A1. Автор: Ryoichi Kato,Yoshinari Ikeda,Shinji Tada,Yuma Murata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device with an interconnect and a method for manufacturing thereof

Номер патента: US09984917B2. Автор: Anton Steltenpohl,Christian Kuehn,Hans Taddiken,Henning Feick,Dirk Offenberg,Ines Uhlig,Martin Bartels. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device with plated lead frame, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09847235B2. Автор: Carsten Von Koblinski,Andre Brockmeier,Ulrike Fastner,Peter Zorn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09721873B2. Автор: Masazumi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with self-aligning contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220271036A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device with improved mechanical stress resistance

Номер патента: US20240204113A1. Автор: Xu Cheng,Saumitra Raj Mehrotra. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US12094834B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with improved mechanical stress resistance

Номер патента: EP4386855A1. Автор: Xu Cheng,Saumitra Raj Mehrotra. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device with tall and slender interconnecting bumps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4163965A2. Автор: Gang Duan,Steve Cho,Edvin Cetegen,Nicholas Haehn,Onur OZCAN,Jacob VEHONSKY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US20160372435A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor devices with double-sided fanout chip packages

Номер патента: US20240363503A1. Автор: LI Sun,Dingyou Zhang. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US09978704B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US09437567B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Nitride semiconductor device with multi-layer structure electrode having different work functions

Номер патента: US09461135B2. Автор: Masahito Kanamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device with optical sensor and method of forming interconnect structure on front and backside of the device

Номер патента: US09525080B2. Автор: Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234348A9. Автор: Koji Tanaka,Junichi Yamashita,Yasunari Hino,Shinichi Izuo,Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor Device With Optimized Underfill Flow

Номер патента: US20230299034A1. Автор: Fen YU,Tim Huang,Hope Chiu,Rui YUan,Zengyu Zhou,Yihao Chen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with vertical current flow and low substrate resistance and manufacturing process thereof

Номер патента: US20120119381A1. Автор: Angelo Magri',Antonio Damaso Maria Marino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-05-17.

Semiconductor device with vertical current flow and low substrate resistance and manufacturing process thereof

Номер патента: US20120119382A1. Автор: Angelo Magri',Antonio Damaso Maria Marino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-05-17.

Semiconductor devices with impedance matching-circuits

Номер патента: US20160172318A1. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jeffrey K. Jones,Scott D. Marshall. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor devices with impedance matching-circuits

Номер патента: US09748185B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jeffrey K. Jones,Scott D. Marshall. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device with flip chip structure and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US09673163B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Lead frame for fabricating surface mount type semiconductor devices with high reliability

Номер патента: US20010033008A1. Автор: Yoshiharu Kaneda,Tokuhiro Uchiyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-25.

Hybrid bonding interconnection using laser and thermal compression

Номер патента: US11749637B2. Автор: Min Ho Kim,Dong Su Ryu,Seok Ho Na,Choong Hoe Kim,Dong Hyeon Park,Yun Seok Song,Woo Kyung Ju. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device with reduced thermal resistance for improved heat dissipation

Номер патента: US12087672B2. Автор: Daisuke Koike. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with sense terminal

Номер патента: US12113041B2. Автор: Toshiyuki Hata,Noriko OKUNISHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of fabricating a semiconductor device using laser annealing

Номер патента: US20230180473A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of fabricating semiconductor device using laser annealing

Номер патента: WO2023097607A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of fabricating semiconductor device using laser annealing

Номер патента: EP4434078A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745589C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: федеральное государственное бюджетно образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234578A9. Автор: Kenichi Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

FinFET device with partial interface dipole formation for reduction of gate induced drain leakage

Номер патента: US11742425B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of manufacturing semiconductor device by thermal treatment using laser light

Номер патента: US20240249937A1. Автор: Won Tae KOO,Mir IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device with diffusion suppression and ldd implants and an embedded non-ldd semiconductor device

Номер патента: US20230230975A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Brian Edward Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor devices with conductive lines that are laterally offset relative to corresponding contacts

Номер патента: US6903401B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Backside Stealth Dicing Through Tape Followed by Front Side Laser Ablation Dicing Process

Номер патента: US20190131160A1. Автор: Andy E. Hooper,Nicholas Wade Clyde. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device comprising an oxide semiconductor

Номер патента: US09812467B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20240234506A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20210234000A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Low stress semiconductor devices with thermal oxide isolation

Номер патента: US20020093060A1. Автор: Hideo Miura,Makoto Ogasawara,Jun Murata,Hiroo Masuda,Noriaki Okamoto,Eiji Wakimoto,Shinji Sakata,Yasunobu Tanizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Method for making semiconductor device with selective etching of superlattice to accumulate non-semiconductor atoms

Номер патента: US20240194482A1. Автор: Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor devices with integrated test structures

Номер патента: US20240321651A1. Автор: Rahul R. Potera,In-Hwan Ji. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871035B2. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer

Номер патента: US09859114B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722055B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with voids within silicon-on-insulator (SOI) structure and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09721833B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor devices with germanium-rich active layers and doped transition layers

Номер патента: US09691848B2. Автор: Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Aaron A. Budrevich,Jessica S. Kachian,Marc C. French. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor devices with germanium-rich active layers and doped transition layers

Номер патента: US09490329B2. Автор: Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Aaron A. Budrevich,Jessica S. Kachian,Marc C. French. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Multi-gate device with planar channel

Номер патента: US09478542B1. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Cointegration of bulk and SOI semiconductor devices

Номер патента: US09443871B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09419143B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: EP2041785A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: WO2008000556A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of and system for determining an overlay or alignment error between a first and a second device layer of a multilayer semiconductor device

Номер патента: EP3568870A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Violeta NAVARRO PAREDES,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-11-20.

Method of and system for determining an overlay or alignment error between a first and a second device layer of a multilayer semiconductor device

Номер патента: US20190378769A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Violeta NAVARRO PAREDES,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-12-12.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device, semiconductor wafer, memory device, and electronic device

Номер патента: US20240298448A1. Автор: Hajime Kimura,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US10014394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor devices with wider field gates for reduced gate resistance

Номер патента: US09941377B2. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of forming semiconductor device with different energy gap oxide semiconductor stacked layers

Номер патента: US09899536B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Junichi Koezuka,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09853167B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Ryosuke Watanabe,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Structure and formation method of semiconductor device with channel layer

Номер патента: US09847334B1. Автор: Shih-Chieh Chang,Tsung-Lin Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor devices with improved source/drain contact resistance and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09728465B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Kuo Tai Huang,Ryuji Tomita,Joon-Gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device carrier tape with image sensor detectable dimples

Номер патента: US09698040B2. Автор: Jeremy Spiteri,Ivan Ellul. Владелец: STMicroelectronics Malta Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Vertical semiconductor device with thinned substrate

Номер патента: US09673219B2. Автор: Michael A. Stuber,Stuart B. Molin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with thin-film resistor

Номер патента: US09627409B2. Автор: Hans-Peter Moll,Maciej Wiatr,Andrei Sidelnicov. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device with a strained region and method of making

Номер патента: US09553149B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device having fins of different heights and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496178B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230064487A1. Автор: Chi-Wen Chen,Chun-Huai Li. Владелец: Naidun Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150093855A1. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Processing apparatus using laser, method of processing a substrate using laser and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230105004A1. Автор: Hidekazu Hayashi,Takuro Okubo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Processing apparatus using laser, method of laser lift-off and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240096682A1. Автор: Hidekazu Hayashi,Takuro Okubo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of manufacturing semiconductor device with triple gate insulating layers

Номер патента: US20050032286A1. Автор: Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: US20240250120A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with first and second electrodes forming schottky junction with silicon carbide semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US9577044B2. Автор: Masashi Hayashi,Masao Uchida,Koutarou Tanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: EP4404269A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20110260251A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US20140103444A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Want. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Thermosetting adhesive sheet and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160351510A1. Автор: Daichi Mori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Thermosetting adhesive sheet and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9754900B2. Автор: Daichi Mori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

A three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors

Номер патента: EP3286785A1. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Andrew Lin,George Matamis,Jixin Yu,Wenguang Shi,Junichi Ariyoshi,Xiaolong Hu,Jiyin Xu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-28.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US12100625B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20130316504A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991293B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US09978635B2. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Transistors, semiconductor devices, and electronic devices including transistor gates with conductive elements including cobalt silicide

Номер патента: US09882015B2. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Stacked nanosheet field effect transistor device with substrate isolation

Номер патента: US09881998B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device with a trench electrode

Номер патента: US09837527B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Techniques providing metal gate devices with multiple barrier layers

Номер патента: US09831243B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Xiong-Fei Yu,Jeff J. Xu,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device with well resistor and alternated insulating and active regions between input and output terminals

Номер патента: US09786738B2. Автор: Kiyoshi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Methods, devices, and systems related to forming semiconductor power devices with a handle substrate

Номер патента: US09768271B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Thermosetting adhesive sheet and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09754900B2. Автор: Daichi Mori. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices with enhanced deterministic doping and related methods

Номер патента: US09716147B2. Автор: Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for filling gaps of semiconductor device and semiconductor device formed by the same

Номер патента: US09685319B2. Автор: Yu-Ren Wang,Yi-Hui Lin,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

III-nitride semiconductor device with doped epi structures

Номер патента: US09608075B1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device with enhanced strain

Номер патента: US09601594B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US09595522B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09450139B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors

Номер патента: US09449987B1. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Andrew Lin,Jixin Yu,Wenguang Stephen Shi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09443989B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Structure to form and integrate high voltage finfet i/o device with nanosheet logic device

Номер патента: US20240105769A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Dechao Guo,Shahab Siddiqui,Ruqiang Bao,Anthony I. Chou,Charlotte DeWan Adams,Barry Paul Linder,Curtis S. Durfee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160211385A1. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device with a multi-plate isolation structure

Номер патента: WO2007117779A3. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Vishnu K Khemka,Todd C Roggenbauer. Владелец: Todd C Roggenbauer. Дата публикации: 2008-01-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device with channel layer comprising different types of impurities

Номер патента: US7812396B2. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-12.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Method for producing a vertical semiconductor device with epitaxially grown iii-v epitaxy using the substrate several times, and corresponding semiconductor device, in particular based on gallium nitride

Номер патента: US20240234546A1. Автор: Christian Huber,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: EP2319083A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A3. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12062723B2. Автор: Masahiro Takahashi,Naoki Okuno,Tomosato KANAGAWA,Shota Mizukami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor devices incorporating quantum dots

Номер патента: US20240290918A1. Автор: CHEN CHEN,Jie Song. Владелец: Saphlux Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with self-aligned landing pad and method for fabricating the same

Номер патента: US11121137B1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Semiconductor device with fins

Номер патента: US11742414B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US12080602B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor devices incorporating quantum dots

Номер патента: US11757072B2. Автор: CHEN CHEN,Jie Song. Владелец: Saphlux Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device with a multi-plate isolation structure

Номер патента: WO2007117779A2. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Todd C. Roggenbauer,Vishnu K. Khemka. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074210B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device with low noise transistor and low temperature coefficient resistor

Номер патента: US20230290775A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Yanbiao Pan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for making semiconductor device with selective etching of superlattice to define etch stop layer

Номер патента: EP4423798A1. Автор: Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US20240363578A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US12112990B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor devices with enhanced substrate isolation

Номер патента: US12080799B2. Автор: Jaeduk LEE,Sohyeon LEE,Sungsu Moon,Ikhyung Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240347393A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12131955B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371704A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Manufacturing line for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761471B2. Автор: Daisuke Sugizaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Multi-gate FinFET semiconductor device with flexible design width

Номер патента: US09691763B2. Автор: Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09646829B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device with metal gate structure comprising work-function metal layer and work-fuction adjustment layer

Номер патента: US09590065B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Co-fabrication of non-planar semiconductor devices having different threshold voltages

Номер патента: US09552992B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Dual three-dimensional and RF semiconductor devices using local SOI

Номер патента: US09508743B2. Автор: Srikanth Balaji Samavedam,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Compact FDSOI device with Bulex contact extending through buried insulating layer adjacent gate structure for back-bias

Номер патента: US09425189B1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device

Номер патента: EP3823044A1. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-05-19.

Group III-V Semiconductor Device with Strain-Relieving Layers

Номер патента: US20160233327A1. Автор: Scott Nelson,Brett Hughes,Ronald H. Birkhahn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor device with supporting structures and method for forming the same

Номер патента: US20240047549A1. Автор: Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen,Yu-Chang Jong,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Silicon on insulator semiconductor device with mixed doped regions

Номер патента: US20190371943A1. Автор: Jack Liu,Charles Chew-Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US6649458B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11728408B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US20030157775A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-21.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057449B2. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Doping procedures for semiconductor devices

Номер патента: CA2018976A1. Автор: Jenn-Ming Kuo,Rose Fasano Kopf,Erdmann Frederick Schubert,Henry Steven Luftman. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1990-12-31.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A3. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162697A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device with multiple channels

Номер патента: US7579657B2. Автор: Ming Li,Sung-min Kim,Dong-won Kim,Sung-dae Suk,Kyoung-hwan Yeo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-25.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US20220278119A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device with a portion including silicon and nitrogen and method of manufacturing

Номер патента: US11075134B2. Автор: Gerhard Schmidt,Markus Kahn,Christian Maier,Angelika Koprowski,Oliver Humbel,Philipp Sebastian Koch,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-07-27.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A2. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-05-15.

Etching method and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120094445A1. Автор: Shinya Sasagawa,Hiroshi Fujiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US11737266B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US20180076195A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device with multi-layered metalizations

Номер патента: US4200969A. Автор: Masaharu Aoyama,Toshio Yonezawa,Shunichi Hiraki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-06.

Method of manufacturing a semiconductor device with a bicmos circuit

Номер патента: WO1996030941A3. Автор: Armand Pruijmboom,Ronald Koster,Alexander Cecilia Leona Jansen,Der Wel Willem Van. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-01-09.

Semiconductor device with multiple channels and method of fabricating the same

Номер патента: US20090275177A1. Автор: Ming Li,Sung-min Kim,Dong-won Kim,Sung-dae Suk,Kyoung-hwan Yeo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-05.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240312990A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device

Номер патента: US12100760B2. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US20240355674A1. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing p-channel fet device with sige channel

Номер патента: US20160315016A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor devices with doped semiconductor materials

Номер патента: US12094714B2. Автор: Chuan He,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing semiconductor device with a multi-layered gate dielectric

Номер патента: US09984884B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Takashi Inoue,Takayuki Nagai,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Yoshinao Miura,Nobuhiro Nagura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for making semiconductor device with filled gate line end recesses

Номер патента: US09935179B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Kejia Wang,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device including insulating film having opening portion and conductive film in the opening portion

Номер патента: US09831238B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device with selectively etched surface passivation

Номер патента: US09799760B2. Автор: Bruce M. Green,Darrell G. Hill,Jenn Hwa Huang,Karen E. Moore. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory semiconductor device with peripheral circuit multi-layer conductive film gate electrode and method of manufacture

Номер патента: US09780232B2. Автор: Tomohiro Yamashita,Yukio Nishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufacturing oxide semiconductor device

Номер патента: US09754784B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Group III-V semiconductor device with strain-relieving layers

Номер патента: US09741841B2. Автор: Scott Nelson,Brett Hughes,Ronald H. Birkhahn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device with cell trench structures and a contact structure

Номер патента: US09711641B2. Автор: Johannes Georg Laven,Maria Cotorogea. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device with buried metal layer

Номер патента: US09673107B2. Автор: Yun Ik Son,Min Soo Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for making semiconductor device with filled gate line end recesses

Номер патента: US09653579B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Kejia Wang,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09627198B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor devices with a thermally conductive layer

Номер патента: US09614046B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Bruce M. Green,Darrell G. Hill,L. M. Mahalingam. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device with trench structure and methods of manufacturing

Номер патента: US09595577B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device with body spacer at the bottom of the fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US09564434B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of manufacturing P-channel FET device with SiGe channel

Номер патента: US09553030B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device with control structure including buried portions and method of manufacturing

Номер патента: US09536999B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Method and apparatus for power device with depletion structure

Номер патента: US09455345B2. Автор: Wen-Hsin Lin,Shang-Hui Tu,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252549A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device with air-void in spacer

Номер патента: US12027581B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

A semiconductor device with good reverse recovery withstand and the method of manufacturing the same

Номер патента: EP1098371A3. Автор: Ko Fuji Electric Co. Ltd. Yoshikawa,Takeshi Fuji Electric Co. Ltd. Fujii,Michio Fuji Electric Co Ltd. Nemoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-25.

Insulated gate power semiconductor device with Schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2259327A3. Автор: Ferruccio Frisina,Angelo Magri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-06-29.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240032284A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device with increased isolation breakdown voltage

Номер патента: US12046629B2. Автор: Yon Sup PANG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Gate-All-Around Device with Protective Dielectric Layer and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240250142A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252550A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device with peripheral void space and method of making the same

Номер патента: US9865680B2. Автор: Takuya Yamaguchi,Hideki Okumura,Sadayuki Jimbo,Masanobu Tsuchitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor Device with a Termination Mesa Between a Termination Structure and a Cell Field of Field Electrode Structures

Номер патента: US20160064548A1. Автор: Ralf Siemieniec,David Laforet. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor Device with First and Second Field Electrode Structures

Номер патента: US20160260809A1. Автор: Franz Hirler,Martin Vielemeyer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device with increased channel length and width and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080185663A1. Автор: Young Ho Lee,Dong Sun Sheen,Seok Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-07.

Boron phosphide-based compound semiconductor device, production method thereof and light-emitting diode

Номер патента: WO2004051752A3. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Takashi Udagawa. Дата публикации: 2004-12-23.

Boron phosphide-based compound semiconductor device, production method thereof and light-emitting diode

Номер патента: WO2004051752A2. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor device with electrostrictive layer in semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060278903A1. Автор: Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor Device with Control Structure Including Buried Portions and Method of Manufacturing

Номер патента: US20170110574A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device with metal carrier and manufacturing method

Номер патента: US9646855B2. Автор: Oliver Haeberlen,Markus Zundel,Walter Rieger,Christoph Kadow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon carbide power bipolar devices with deep acceptor doping

Номер патента: US20160035836A1. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US12057348B2. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with flat protective adhesive sheet and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010008300A1. Автор: Shinji Yoshihara,Hiroshi Muto,Kinya Atsumi,Yasuo Souki. Владелец: Ipics Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Semiconductor device with reduced flicker noise

Номер патента: US20200144389A1. Автор: Yu-Chi Chang,Hsin-Li Cheng,Liang-Tai Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device with doped region between gate and drain

Номер патента: US20240250170A1. Автор: FENG HAN,Shuai ZHANG,Lian-Jie LI,Yan-Bin LU. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with silicide structures surrounding epitaxial structures and method of making the same

Номер патента: US20230268422A1. Автор: Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin,Chen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for manufacturing semiconductor device with semiconductor capping layer

Номер патента: US12094757B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Hui-Cheng Chang,Tsai-Yu Huang,Po-Kai Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with air-void in spacer

Номер патента: US20240321954A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240341088A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240341087A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240313121A1. Автор: Satoru Saito,Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Naoki Okuno,Haruyuki Baba,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device with conformal source/drain layer

Номер патента: US12057495B2. Автор: Zi-Wei FANG,Yao-Sheng Huang,I-Ming Chang,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371877A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with tunable epitaxy structures and method of forming the same

Номер патента: US12112989B2. Автор: Chih-Hsiang Huang,Shih-Hao Lin,Hsin-Wen Su,Tzu-Hsiang HSU,Szu-Chi Yang,Chong-De LIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with a gate insulating film formed on an inner wall of a trench, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991379B1. Автор: Hiroshi Shikauchi,Tomonori Hotate,Ryohei BABA,Satoru Washiya,Youhei Ohno. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device with a termination mesa between a termination structure and a cell field of field electrode structures

Номер патента: US09972714B2. Автор: Ralf Siemieniec,David Laforet. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Devices with backside metal structures and methods of formation thereof

Номер патента: US09960076B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Iris Moder,Thomas Christian Neidhart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device with buried local interconnects

Номер патента: US09953857B2. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device with control structure including buried portions and method of manufacturing

Номер патента: US09917186B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09780201B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Yoshinori Ando,Yasutaka Suzuki,Miki Suzuki,Kosei Nei,Yoshinori IEDA,Naoto Yamade,Asako Higa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Power semiconductor device with electrode having trench structure

Номер патента: US09716009B2. Автор: Kenya Kobayashi,Toshifumi NISHIGUCHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Manufacturing method for semiconductor device with point defect region doped with transition metal

Номер патента: US09680034B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device with metal carrier and manufacturing method

Номер патента: US09646855B2. Автор: Oliver Haeberlen,Markus Zundel,Walter Rieger,Christoph Kadow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a metal layer on source/drain regions

Номер патента: US09601586B1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

SOI-based semiconductor device with dynamic threshold voltage

Номер патента: US09601512B2. Автор: Hui Zang,Manfred Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Silicon carbide power bipolar devices with deep acceptor doping

Номер патента: US09577045B2. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device with reduced leakage current and method for making the same

Номер патента: US09530853B2. Автор: Eunki Hong,Haldane S. Henry,Charles S. Whitman. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

FinFET semiconductor device with germanium diffusion over silicon fins

Номер патента: US09530776B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device with an interconnect structure and method for forming the same

Номер патента: US09478626B2. Автор: Chih-Hung Lu,Wei-Chin Chen,Chia-Der Chang,Guo-Chiang CHI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09431435B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Yoshinori Ando,Yasutaka Suzuki,Miki Suzuki,Kosei Nei,Yoshinori IEDA,Naoto Yamade,Asako Higa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Manufacturing method of semiconductor device with steps of heat treatment in nitrogen containing atmosphere, oxygen doping treatment and heat treatment in oxygen containing atmosphere

Номер патента: US09373707B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device with point defect region doped with transition metal

Номер патента: US09337282B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device with flowable layer

Номер патента: US20220181438A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device with flowable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013629A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Bottom contact with self-aligned spacer for stacked semiconductor devices

Номер патента: WO2023180073A1. Автор: Brent Anderson,Gen Tsutsui,Junli Wang,Su Chen Fan,Albert Young. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-09-28.

Silicon Carbide Semiconductor Device with Trench Gate Structure and Horizontally Arranged Channel and Current Spread Regions

Номер патента: US20190296110A1. Автор: Roland Rupp,Anton Mauder,Andreas Meiser,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100013028A1. Автор: Yoshiko Kato,Hiroyuki Kutsukake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor device with reduced gate height budget

Номер патента: US20190027575A1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Semiconductor device with deep diffusion region

Номер патента: US20170117395A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler,Thomas Wuebben. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor device with deep diffusion region

Номер патента: US20190198650A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler,Thomas Wuebben. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device with deep diffusion region

Номер патента: US10263101B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler,Thomas Wuebben. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-16.

Semiconductor device with sidewall passivation and method of making

Номер патента: US20200119153A1. Автор: Weng Chang,Chih-Chang Hung,Huicheng Chang,Hsueh Wen Tsau,Chia-Ching Lee,Da-Yuan Lee,Mrunal A. Khaderbad,Hsiao-Kuan Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device with increased channel length and width and method for manufacturing the same

Номер патента: US7687362B2. Автор: Young Ho Lee,Dong Sun Sheen,Seok Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20040046217A1. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor device with contact structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240105807A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Device with dual isolation structure

Номер патента: US20230117591A1. Автор: Zhong-Xiang He,Mark D. Levy,Richard J. Rassel,Michel J. Abou-Khalil,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device with single-crystal nanowire finfet

Номер патента: US20180102411A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Method for preparing semiconductor device with annular semiconductor fin

Номер патента: US11296211B2. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230260792A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Chi-Ruei YEH,Hsin Hsiang TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device with gate structure and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20080157205A1. Автор: Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Hong-Seon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device with metal film on surface between passivation film and copper film

Номер патента: US12057416B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US6875662B2. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2005-04-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9991179B2. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Kazuyuki Toyoda,Satoshi Shimamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for fabricating semiconductor device with super junction structure

Номер патента: US20150056771A1. Автор: Tsung-Hsiung LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced oxide film variation

Номер патента: US7947567B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor device with shallow trench isolation and its manufacture method

Номер патента: US7211480B2. Автор: Hiroyuki Ota,Kengo Inoue. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Method of fabricating semiconductor device with STI structure

Номер патента: US7572713B2. Автор: Takanori Matsumoto,Katsuya Ito,Hiroaki Tsunoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-11.

High voltage device with boosted breakdown voltage

Номер патента: US20240250116A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with hollow chambers

Номер патента: WO2024153319A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor devices with metal contacts including crystalline alloys

Номер патента: US20200152781A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Uygar E. Avci,Christopher J. WIEGAND,Anurag Chaudhry,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device with contamination improvement

Номер патента: US20170345928A1. Автор: Chung-Ren Sun,Shiu-Ko Jangjian,Kun-Ei Chen,Chun-Che Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Method for manufacturing semiconductor device with contamination improvement

Номер патента: US20170062612A1. Автор: Chung-Ren Sun,Shiu-Ko Jangjian,Kun-Ei Chen,Chun-Che Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device with single step height and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122991A1. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang,Lai-Cheng TIEN,Hui-Lin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12087637B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Chia-Ching Lee,Da-Yuan Lee,Wei-Chin Lee,Chung-Chiang WU,Hsin-Han Tsai,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices with metal contacts including crystalline alloys

Номер патента: EP3682483A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Uygar E. Avci,Christopher J. WIEGAND,Anurag Chaudhry,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-22.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100745B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with protection layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12112950B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20240363424A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Chia-Ching Lee,Da-Yuan Lee,Wei-Chin Lee,Chung-Chiang WU,Hsin-Han Tsai,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363708A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09991179B2. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Kazuyuki Toyoda,Satoshi Shimamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09978879B2. Автор: Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device with stripe-shaped trench gate structures and gate connector structure

Номер патента: US09960243B2. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for making a semiconductor device with sidewal spacers for confinig epitaxial growth

Номер патента: US09929253B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device with suppressed decrease in breakdown voltage of an insulation film and manufacturing method of the same

Номер патента: US09871098B2. Автор: Jun Saito,Shoji Mizuno,Atsushi Onogi,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of forming a semiconductor device with multiple etch stop layers and inter-layer dielectrics

Номер патента: US09859431B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for manufacturing a semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US09812554B2. Автор: Shinya Sato,Akihiro Shimada,Noboru Yokoyama,Tomoyuki SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12142530B2. Автор: Chien-Hao Chen,Hsien-Ming Lee,Ching-Hwanq Su,Chung-Chiang WU,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Methods of fabricating memory device with spaced-apart semiconductor charge storage regions

Номер патента: US09793288B2. Автор: Hiroyuki Kamiya,Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device having transistor and capacitor

Номер патента: US09793276B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device with a trench and method for manufacturing the same

Номер патента: US09773681B2. Автор: Manoj Kumar,Jui-Chun Chang,Chia-hao Lee,Tsung-Hsiung LEE,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of manufacturing a semiconductor device with epitaxial layers and an alignment structure

Номер патента: US09711357B1. Автор: Hans Weber,Andreas Moser,Johannes Baumgartl,Gabor Mezoesi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09646872B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Architecture of image sensor with application of one or more devices with floating gate

Номер патента: RU2418383C2. Автор: Фань ХЭ,Карл Л. ШУРБОФФ. Владелец: Моторола Инк.. Дата публикации: 2011-05-10.

FET semiconductor device with partial annular gate electrodes

Номер патента: EP1863088A3. Автор: Sakae Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-24.

Esd protection device with reduced harmonic distortion

Номер патента: US20240204516A1. Автор: Joost Adriaan Willemen,Egle Tylaite. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-20.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09496376B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device with an image sensor and method for the manufacture of such a device

Номер патента: EP1878055A1. Автор: Willem Hoekstra,Willem-Jan Toren,Daniel W. E. Verbugt,Hein O. Folkerts,Daniel H. J. M. Hermes,Joris P. V. Maas,Willem H. Maes. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US12100747B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukinori Shima,Masataka Nakada,Takumi SHIGENOBU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12136674B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US09705002B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device for surface mounting

Номер патента: RU2635338C2. Автор: Йозеф Андреас ШУГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-11-10.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20230317856A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Seiji Yasumoto,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307547A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11727873B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09954111B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947794B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Solid-state transducer devices with optically-transmissive carrier substrates and related systems, methods, and devices

Номер патента: US09812606B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09590109B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method to manufacture power semiconductor device

Номер патента: RU2510099C2. Автор: Арност КОПТА,Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-03-20.

Light-emitting device with quantum dots and holes, and its fabricating method

Номер патента: US20020190264A1. Автор: Hoon Kim. Владелец: NMCTek Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor devices with a mixed crystal region

Номер патента: EP3840058A1. Автор: Jan Willem Slotboom,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa di. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-06-23.

Semiconductor Device with Different Contact Regions

Номер патента: US20160043237A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-02-11.

High-frequency semiconductor device with protection device

Номер патента: US5719428A. Автор: Wilhelmus G. Voncken,Louis Praamsma. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

Composite Semiconductor Device with Active Oscillation Prevention

Номер патента: EP2503693B1. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-11-20.

Light-emitting device with quantum dots and holes, and its fabricating method

Номер патента: US6753545B2. Автор: Hoon Kim. Владелец: NMCTek Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-22.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09780779B2. Автор: Keita Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09748436B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Suzunosuke Hiraishi,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices with vertical field floating rings and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09666710B2. Автор: Zihao M. Gao,David C. Burdeaux. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device with different contact regions

Номер патента: US09595619B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device with a charge carrier compensation structure in a semiconductor body and method for its production

Номер патента: US20090267174A1. Автор: Armin Willmeroth,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-10-29.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220123137A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device with integrated delay chain

Номер патента: US20100164585A1. Автор: Carlo Alberto Romani,Massimo Scipioni,Corrado Giorgio Castiglione,Elvio Romanucci,Donato Tancredi. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200312851A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

A semiconductor device with an improved gate electrode pattern and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20020030236A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Epitaxial oxide device with impact ionization

Номер патента: US20230142940A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20150311352A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20210126132A1. Автор: Takashi Shiraishi,Masami Jintyou,Masayoshi Dobashi,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device, display system, and electronic device

Номер патента: US20180033696A1. Автор: Takashi Nakagawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297231A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Epitaxial oxide device with impact ionization

Номер патента: US12095006B2. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with transistors including oxide semiconductors and capacitor elements

Номер патента: US12132057B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Tatsuya Onuki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12075635B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923000B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Bipolar semiconductor device with sub-cathode enhancement regions

Номер патента: US09871128B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla,Canhua Li. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09842940B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Daisuke Matsubayashi,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate

Номер патента: US09722090B2. Автор: Satoru Saito,Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Hideaki Shishido,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09530856B2. Автор: Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496416B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device with a resistance element in a trench

Номер патента: US09484444B2. Автор: Koichi Mochizuki,Shigeru Kusunoki,Minoru Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Improved semiconductor device with the schottky diode

Номер патента: RU2683377C1. Автор: Михаэль РЕШКЕ. Владелец: Диотек Семикондактор Аг. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device with gate

Номер патента: US20230207693A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for producing a semiconductor device with a semiconductor body

Номер патента: US20110189839A1. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device

Номер патента: EP1936690A3. Автор: Tetsuya Nissan Motor Co. Ltd. Hayashi,Masakatsu Nissan Motor Co. Ltd. Hoshi,Hideaki Nissan Motor Co. Ltd. Tanaka,Shigeharu Nissan Motor Co. Ltd. Yamagami. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-19.

Laminate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240166556A1. Автор: Masao Tomikawa,Hitoshi Araki,Takenori Fujiwara,Mika Koshino,Kenta AOSHIMA,Risano NAKAJIMA,Yukari Arimoto. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and radiation detector employing it

Номер патента: US20060231961A1. Автор: Masahiro Hayashi,Katsumi Shibayama,Yutaka Kusuyama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20180095336A1. Автор: Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Esd protection device with reduced harmonic distortion background

Номер патента: EP3971972A1. Автор: Joost Adriaan Willemen,Egle Tylaite. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-23.

Non-punch-through reverse-conducting power semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20200395442A1. Автор: Munaf Rahimo,Iulian NISTOR. Владелец: MQSemi AG. Дата публикации: 2020-12-17.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243204A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Trench-gate planar-gate semiconductor device with monolithically integrated schottky barrier diode and junction schottky barrier diode

Номер патента: WO2024183928A1. Автор: Samir Mouhoubi,Tomasz SLEDZIEWSKI. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-12.

n-channel bipolar power semiconductor device with p-layer in the drift volume

Номер патента: US09978851B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Roman Baburske,Markus Bina,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09954003B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Masayuki Sakakura,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Yuki HATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US12142692B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device with a reduced band gap zone

Номер патента: US09859272B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Roman Roth,Christian Philipp Sandow,Frank Dieter Pfirsch,Carsten Schaeffer,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Power semiconductor device with embedded field electrodes

Номер патента: US09761676B2. Автор: Timothy D. Henson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09726819B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device with guard ring coupled resonant circuit

Номер патента: US09705466B2. Автор: Chi-Feng Huang,Tzu-Jin Yeh,Yen-Jen Chen,Hsieh-Hung HSIEH,Hsiao-Chun LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board, and electronic device

Номер патента: US09704562B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with variable resistive element

Номер патента: US09691887B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09666678B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor Device with Biofet and Biometric Sensors

Номер патента: US20240331439A1. Автор: Ching-Hui Lin,Fu-Chun Huang,Shih-Fen Huang,Chen-Ren CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09590393B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09344200B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20120001243A1. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device with cooling

Номер патента: RU2546492C1. Автор: ВААЛ Герардус Геертрууд ДЕ. Владелец: МАРУЛАЛЕД (ПиТиУай) ЛТД. Дата публикации: 2015-04-10.

Semiconductor device with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240222507A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device with tapering impurity region and method for fabricating the same

Номер патента: US20210351185A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Semiconductor device with a protective security coating and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1490902A1. Автор: Ronald Dekker,Robertus A. M. Wolters,Petra E. De Jongh. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-12-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20080210938A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device

Номер патента: US7910923B2. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Semiconductor device with an integrated deep trench capacitor having high capacitance density and low equivalent series resistance

Номер патента: US20210028316A1. Автор: Binghua Hu,Yanbiao Pan,Django Trombley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device with high reverse breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1192663A2. Автор: Rob Van Dalen,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-04-03.

Semiconductor device with high reverse breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2001059844A2. Автор: Rob Van Dalen,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-08-16.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch

Номер патента: WO2011096800A3. Автор: Petrus Johannes Gerardus Van Lieshout. Владелец: Polymer Vision B.V.. Дата публикации: 2012-04-26.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US20170125420A1. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device with sensor potential in the active region

Номер патента: US10096531B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-09.

Semiconductor Device with Sensor Potential in the Active Region

Номер патента: US20160099188A1. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120306029A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20240251567A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method of detecting wire open failure thereof

Номер патента: US9354269B2. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor Device and Method for Driving Semiconductor Device

Номер патента: US20200126991A1. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Yuta Endo,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Device with Isolation Implant Regions

Номер патента: US20240290876A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384080A1. Автор: Huaxiang Yin,Jinbiao Liu,Junfeng Li,Junjie Li,Guilei Wang,Henry H. Radamson,Zhenzhen KONG. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US12087866B2. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device

Номер патента: US12101945B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US12113110B2. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor Device with an Insulating Structure for Insulating an Electrode from a Semiconductor Body

Номер патента: US20140159154A1. Автор: Lincoln O'riain,Ralf Rudolf,Marc Strasser,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor device and method for driving semiconductor device

Номер патента: US12052853B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Yuta Endo,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device with low lifetime region

Номер патента: US09985090B2. Автор: Mitsuhiro KAKEFU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device with vertically integrated pHEMTs

Номер патента: US09923088B2. Автор: Sheila K. Hurtt,Corey A. Nevers,Dana A. Schwartz. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device with voltage resistant structure

Номер патента: US09905635B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09905579B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Takahiro Iguchi,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device, imaging device, and electronic device

Номер патента: US09848144B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuki Okamoto,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09793150B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Yasuhiro Jinbo,Masafumi Morisue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US09773787B2. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Mechanism for forming semiconductor device with gate

Номер патента: US09728637B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device including one or more p-type semiconductors provided between an n-type semiconductor layer and an electrode

Номер патента: US12148804B2. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09653611B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device with voltage resistant structure

Номер патента: US09590061B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device with a stoichiometric gradient

Номер патента: US09589635B2. Автор: Geoffrey W. Burr,Mohit Bajaj,Kota V. R. M. Murali,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan,Kumar R. Virwani. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Heteroepitaxial semiconductor devices with enhanced thermal dissipation

Номер патента: US20240355918A1. Автор: Matt King,Christer Hallin,Thomas Kuhr. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with a small off current and oxide semiconductor layer having a function of a channel formation layer

Номер патента: US09553583B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and circuit with dynamic control of electric field

Номер патента: US09515644B2. Автор: Jan Willem Slotboom,Anco Heringa,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Viet Thanh Dinh,Godefridus Antonius Maria Hurxk,Ivan Zahariev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09484467B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device with conductive pillars having recesses or protrusions to detect interconnect continuity between semiconductor die and substrate

Номер патента: US09478513B2. Автор: Chien Chen Lee,Jen Yu Chen,Ting Yu Fu,Men Hsien Li. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device with dummy cells of different data types

Номер патента: US09471737B1. Автор: Min Paek,Nor Razman Md Zin. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09436036B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Yasuhiro Jinbo,Masafumi Morisue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US12034004B2. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240231756A9. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hiromichi Godo,Kazuki Tsuda,Hidefumi Rikimaru,Satoru Ohshita. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Imaging device with uniform photosensitvie region array

Номер патента: US20200350348A1. Автор: Seiji Takahashi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Graphitic carbon contacts for devices with oxide channels

Номер патента: EP4152412A1. Автор: Edward Johnson,Noriyuki Sato,Justin Weber,Hui Jae Yoo,Van Le,Matthew Metz,Abhishek Anil Sharma,Arnab SEN GUPTA,Eric Mattson,Yu-Jin Chen,Jason RETASKET. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-22.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Heterojunction semiconductor device with low on-resistance

Номер патента: EP3905339A1. Автор: Li Lu,Chi Zhang,Guipeng Sun,Shengli Lu,Kui Xiao,Weifeng Sun,Siyang Liu,Jiaxing WEI,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Semiconductor device with reduced surface field effect and methods of fabrication the same

Номер патента: US20120273891A1. Автор: Michael Andrew Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-01.

Passivation Layers For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240243184A1. Автор: Ching-Hua Lee,Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device with ring-shaped electrode and method for preparing the same

Номер патента: US20230420488A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and liquid crystal display device

Номер патента: US20030034492A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Method of manufacturing a semiconductor device with field electrode structures, gate structures and auxiliary diode structures

Номер патента: US9799729B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Martin Henning Vielemeyer,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20220037491A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device with sidewall oxidized dielectric and method for fabricating the same

Номер патента: US20210234037A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Edge termination structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4218057A1. Автор: Edward Robert Van Brunt,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

A method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US20210134797A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor integrated circuit device with SOTE and MOS transistors

Номер патента: US11373700B2. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-28.

Device with integration of light-emitting diode, light sensor, and bio-electrode sensors on a substrate

Номер патента: US20200044113A1. Автор: Jia Chen,Hariklia Deligianni,Devendra Sadana,Steve Holmes,Stephen W. Bedell,Bruce Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device with surface integrated focusing element and method of producing a semiconductor device with focusing element

Номер патента: US09947711B2. Автор: Rainer Minixhofer,Martin Schrems,Sara Carniello. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device, memory device, and electronic device

Номер патента: US09852778B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09785566B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Oxide semiconductor device

Номер патента: US09741779B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hideaki Kuwabara,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor devices with trench gate structures in a semiconductor body with hexagonal crystal lattice

Номер патента: US09741712B2. Автор: Roland Rupp,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-22.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332359A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with high electron mobility transistor (HEMT) having source field plate

Номер патента: US09704982B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Power semiconductor device with improved stability and method for producing the same

Номер патента: US09698138B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Josef Lutz,Eric Pertermann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US20240355818A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with semiconductor mesa including a constriction

Номер патента: US09666665B2. Автор: Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device with modulated field element isolated from gate electrode

Номер патента: US09647103B2. Автор: Michael Shur,Alexei Koudymov,Remigijus Gaska. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device with barrier layer

Номер патента: US12148722B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Power semiconductor device with source trench and termination trench implants

Номер патента: US09620583B2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices with counter-doped nanostructures

Номер патента: US20240379755A1. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device with varied electrodes

Номер патента: US09577054B2. Автор: Takuma Hara,Tetsuro Nozu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device, memory device, and electronic device

Номер патента: US09570116B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device, driver circuit, and display device

Номер патента: US09553205B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device with field electrode structures, gate structures and auxiliary diode structures

Номер патента: US09543386B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Martin Henning Vielemeyer,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-10.

Method and system for a semiconductor device with integrated transient voltage suppression

Номер патента: US09508841B2. Автор: Peter Micah Sandvik,Ljubisa Dragoljub Stevanovic,Avinash Srikrishnan Kashyap,James Jay McMahon. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device with control of maximum value of current capable of being supplied

Номер патента: US09496042B1. Автор: Yoshihiko Kamata,Masahiro Yoshihara,Naofumi ABIKO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device with a super junction structure having a vertical impurity distribution

Номер патента: US09318549B2. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth,Uwe Wahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-19.

Bonding method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US20190386191A1. Автор: Biing-Seng Wu,Chao-Wen Wu,Hsing-Ying LEE. Владелец: Prilit Optronics Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor Device with Field Plate and Method

Номер патента: US20080296694A1. Автор: Jan Sonsky. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070090468A1. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US20170229359A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Method of manufacturing a semiconductor device and liquid crystal display

Номер патента: US20030155571A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US7541245B2. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor device with programmable response

Номер патента: US20160197294A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bahman Hekmatshoartabari,Kailash Gopalakrishnan,Tze-Chiang Chen,Young H. Kwark. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20200373437A1. Автор: Kan TANAKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Reduction of defect induced leakage in iii-v semiconductor devices

Номер патента: US20170110546A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device with a reduced band gap and process

Номер патента: US20100044720A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Joachim Krumrey,Christian Foerster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-02-25.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US11309432B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese /academy Of Sciences. Дата публикации: 2022-04-19.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US10475935B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-11-12.

Semiconductor device with an arrangement of recesses for receiving electrodes

Номер патента: US12062740B2. Автор: Youn Joon Sung. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method and Layout of Semiconductor Device with Reduced Parasitics

Номер патента: US20110294273A1. Автор: Qiang Chen,Albert Birner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Reduction of defect induced leakage in iii-v semiconductor devices

Номер патента: US20160336408A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Reduction of defect induced leakage in iii-v semiconductor devices

Номер патента: US20160336395A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Power semiconductor device with dV/dt controllability through select trench electrode biasing, and method of manufacturing the same

Номер патента: US10347754B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Alexander Philippou,Antonio Vellei,Max Christian Seifert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device with superlattice fin

Номер патента: US20220108983A1. Автор: YE Lu,Peijie Feng,Junjing Bao,Chenjie TANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Semiconductor device with improved temperature uniformity

Номер патента: EP4427264A1. Автор: Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor device with gate recess and methods of forming the same

Номер патента: US20240306360A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor devices with a sloped surface

Номер патента: US20200328275A1. Автор: Seetharaman Sridhar,Haian Lin,Frank Alexander Baiocchi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device

Номер патента: US12100769B2. Автор: Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Vertical semiconductor device, manufacturing method therefor, integrated circuit and electronic device

Номер патента: US12096623B2. Автор: Huilong Zhu,Kunpeng JIA,Weixing Huang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: US12126344B2. Автор: Seiichi Yoneda,Yusuke Negoro,Takeya HIROSE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device with improved temperature uniformity

Номер патента: US12074198B2. Автор: Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device with metal-insulator-semiconductor structure

Номер патента: US09991358B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Hisashi Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device, solid-state imaging device with tantalum oxide layer formed by diffusing a material of an electrode of necessity or a counter electrode

Номер патента: US09947710B2. Автор: Takashi Yokoyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method and apparatus for cooling a semiconductor device

Номер патента: US09917034B2. Автор: Choon Meng Chua,Lian Ser Koh,Sze Wei CHOONG. Владелец: SEMICAPS PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09911856B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US09911673B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Reduction of defect induced leakage in III-V semiconductor devices

Номер патента: US09905637B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device with trench termination structure

Номер патента: US09882043B2. Автор: Young Jae Kim,Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Power semiconductor device with contiguous gate trenches and offset source trenches

Номер патента: US09818743B2. Автор: Ling Ma,Niraj Ranjan,Alain Charles,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device

Номер патента: US09741400B2. Автор: Kazuaki Ohshima,Shuhei Nagatsuka,Tomokazu Yokoi,Tatsuya Onuki,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device with electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US09728529B2. Автор: Anton Mauder,Markus Schmitt,Franz Hirler,Joachim Weyers,Armin Tilke,Thomas Bertrams. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device with field electrode structure

Номер патента: US09722036B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device comprising transistor including oxide semiconductor

Номер патента: US09685447B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US09646901B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and electronic device with data voltages read accurately without the influence of threshold voltage variation

Номер патента: US09640226B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Atsushi Miyaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device with metal alloy over fin, conductive layer over channel region of fin, and semiconductive layer over conductive layer and formation thereof

Номер патента: US09590105B2. Автор: Cheng-Ting Chung,Chao-Hsin Chien,Che-Wei Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device with multiple-functional barrier layer

Номер патента: US09583607B2. Автор: Koon Hoo Teo,Yuhao ZHANG. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Reduction of defect induced leakage in III-V semiconductor devices

Номер патента: US09583562B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and solid-state imaging device with tantalum oxide layer formed by diffusing a material of an electrode of necessity or a counter electrode

Номер патента: US09577005B2. Автор: Takashi Yokoyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for fabricating a semiconductor device by bonding a layer to a support with curvature

Номер патента: US09536901B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09454923B2. Автор: Kiyoshi Kato,Hidetomo Kobayashi,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device having aluminum-containing layer between two curved substrates

Номер патента: US09337341B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device with improved on-resistance

Номер патента: US20120217580A1. Автор: Rudolf Berger,Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor device with reduced on-state resistance

Номер патента: US10032874B2. Автор: Tomoko Matsudai,Tsuneo Ogura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-07-24.

Semiconductor Device with a Changeable Polarization Direction

Номер патента: US20240162338A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device with at least one functional element containing multiple active regions, and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2019162442A1. Автор: Ryan Lewis,David van Treeck,Sergio FERNANDEZ-GARRIDO. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device with at least one functional element containing multiple active regions, and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP3756227A1. Автор: Ryan Lewis,David van Treeck,Sergio FERNANDEZ-GARRIDO. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2020-12-30.

Power semiconductor device with an insulated trench gate electrode and method of producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240038879A1. Автор: Chiara Corvasce,Gaurav Gupta,Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semi-conductor device with test element group for evaluation of interlayer dielectric and process for producing the same

Номер патента: US20020009815A1. Автор: Satoshi Shimizu,Tsuyoshi Sugihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-24.

Semiconductor device with energy-removable layer

Номер патента: US20240178288A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device with energy-removable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240178287A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20230397447A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20230397448A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device with pad structure resistant to plasma damage and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014154A1. Автор: Wu-Te Weng,Yong-Zhong Hu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-01-11.

Optical semiconductor device with composite intervening structure

Номер патента: US12046620B2. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer

Номер патента: US11776968B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US9455248B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140346594A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

A semiconductor device with a changeable polarization direction

Номер патента: WO2024095580A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2024-05-10.

Semiconductor device with protective functions

Номер патента: EP1366552A2. Автор: Takeshi c/o MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD NOBE,Shigeo c/o MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD AKIYAMA,Noriteru c/o MATSUSHITA ELEC. WORKS LTD FURUMOTO,Takuya c/o MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD SUNADA. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 2003-12-03.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device with heavily doped shallow region and process for fabricating the same

Номер патента: US20020060353A1. Автор: Akio Matsuoka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor device and test method for manufacturing same

Номер патента: US20040048402A1. Автор: Junya Ishii. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148363A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Three-dimensional nand memory device with split channel gates

Номер патента: WO2022082345A1. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng,Jiaqian XUE. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-04-28.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290836A1. Автор: Chan-Lon Yang,Perng-Fei Yuh,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with function of modulating gain coefficient and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US20030006438A1. Автор: Yutaka Arima. Владелец: Exploitation of Next Generation Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor Device with Needle-Shaped Field Plate Structures

Номер патента: US20200127102A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20210297775A1. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Takeya HIROSE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device with heavily doped shallow region and process for fabricating the same

Номер патента: EP1207562A3. Автор: Akio Matsuoka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-05-26.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US20230268409A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Chi On Chui,Chih-Wei Lee,Jo-Chun Hung,Hsin-Han Tsai,Hsiang-Ju LIAO,Yi-Lun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230154921A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20210305246A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG,Chiao-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160358906A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20180026136A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20210050449A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20200083376A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20190189802A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20170012127A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-12.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US20030100156A1. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor device with multipurpose pad

Номер патента: US20080088334A1. Автор: Chae-Kyu Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240284674A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Satoru Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device with pad contact feature and method therefor

Номер патента: US20240282726A1. Автор: Trent Uehling. Владелец: Inc NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Active device and high voltage-semiconductor device with the same

Номер патента: US20160190270A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor device

Номер патента: US12100768B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroaki Honda,Ryota Hodo,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Kentaro SUGAYA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with leakage current guide path and method for fabricating the same

Номер патента: US12100733B2. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US6624020B2. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-09-23.

Semiconductor device with pad contact feature and method therefor

Номер патента: EP4417985A1. Автор: Trent Uehling. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor device with dual damascene and dummy pads

Номер патента: US20240332229A1. Автор: Bharat Bhushan,Kyle K. Kirby,Bret K. Street,Tzu Ching Hung,Kyle B. Campbell,Julia VanWinkle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with extrinsic base region and method of fabrication therefor

Номер патента: US12107143B2. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-10-01.

Optical semiconductor device with cascade vias

Номер патента: US12107175B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device with diffusion barrier layer and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240347628A1. Автор: Jie Hu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with diffusion barrier layer and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4447123A1. Автор: Jie Hu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Optical semiconductor device with composite intervening structure

Номер патента: US20240332334A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices with selectively doped gate electrode structure

Номер патента: US20240363748A1. Автор: Pinghai Hao,Henry Litzmann Edwards,Dhanoop Varghese. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device with dual damascene and dummy pads

Номер патента: WO2024211160A1. Автор: Bharat Bhushan,Kyle K. Kirby,Bret K. Street,Tzu Ching Hung,Kyle B. Campbell,Julia VanWinkle. Владелец: Micro Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-10-10.

Stacked semiconductor device with connection pad shield

Номер патента: US20240355765A1. Автор: Rui Wang,Takayuki Goto,Kazufumi Watanabe. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Stacked semiconductor device with connection pad disposed between connection pad shields

Номер патента: US20240355858A1. Автор: Rui Wang,Takayuki Goto,Kazufumi Watanabe. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09991265B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device with two-dimensional electron gas

Номер патента: US09966441B2. Автор: Masahiko Yamamoto,Yoshiro Baba,Takuo Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor devices with superlattice and punch-through stop (PTS) layers at different depths and related methods

Номер патента: US09941359B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device with electrical overstress (EOS) protection

Номер патента: US09917080B2. Автор: Andrew P. Ritenour. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with reduced emitter efficiency

Номер патента: US09859378B2. Автор: Wolfgang Wagner,Johannes Baumgartl,Volodymyr Komarnitskyy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with electron supply layer

Номер патента: US09786743B2. Автор: Akira Endoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Optoelectronic semiconductor device with barrier layer

Номер патента: US09768351B2. Автор: Tsung-Hsien Liu,Shih-Chang Lee,Rong-Ren LEE. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices with selectively doped gate electrode structure

Номер патента: WO2024228783A1. Автор: Pinghai Hao,Henry Litzmann Edwards,Dhanoop Varghese. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with embedded non-volatile memory and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09761680B2. Автор: Dongdong Li,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Nonplanar device with thinned lower body portion and method of fabrication

Номер патента: US09741809B2. Автор: Justin K. Brask,Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Thomas A. Letson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device with breakdown preventing layer

Номер патента: US09741802B2. Автор: Michael Shur,Remigijus Gaska,Grigory Simin. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Resin composition, resin sheet, and production method for semiconductor device

Номер патента: US09738763B2. Автор: Kazuyuki Matsumura,Toshihisa Nonaka,Yoichi Shimba. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for driving electronic device

Номер патента: US09674470B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hideki Uochi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with enhancement and depletion FinFET cells

Номер патента: US09659929B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device with auxiliary structure including deep level dopants

Номер патента: US09647100B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christian Jaeger,Franz Josef Niedernostheide,Roman Baburske,Antonio Vellei,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Batteries of tubular biomedical devices with chemically deposited seal

Номер патента: RU2672572C1. Автор: Адам ТОНЕР,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Стюарт Майкл ДЭВИС,Миллберн Эбензер МУТУ,Лоуренс ВАЙНШТЕЙН. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-11-16.

Method of analyzing protein using laser ablation

Номер патента: US20060108538A1. Автор: Yoshihide Hayashizaki,Isao Tanihata. Владелец: Dnaform KK. Дата публикации: 2006-05-25.

Method to manufacture semiconductor device with optical grating

Номер патента: US20120094402A1. Автор: Yutaka Oonishi,Katsumi Uesaka,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Optical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09819153B2. Автор: Manabu Matsuda,Ayahito Uetake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Defect review method and device for semiconductor device

Номер патента: US20080290274A1. Автор: Toshifumi Honda. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20120013342A1. Автор: Takeshi Osada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Thermoelectric semiconductor device for massaging neck-collar zone

Номер патента: RU2634688C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-11-02.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641848C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641849C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Laser ablation of electronic devices

Номер патента: EP1922775A1. Автор: Paul A Cain,Carl Hayton. Владелец: Plastic Logic Ltd. Дата публикации: 2008-05-21.

Semiconductor device and information processing system for encrypted communication

Номер патента: US09960914B2. Автор: Daisuke Oshida,Shigemasa Shiota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device, memory and storage system

Номер патента: US20240164086A1. Автор: HAO Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device with buried bit line and preparation method thereof

Номер патента: US12120868B2. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

High voltage composite semiconductor device with protection for a low voltage device

Номер патента: US09859882B2. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Systems and methods for organic semiconductor devices with sputtered contact layers

Номер патента: US20240251576A1. Автор: Marinus Franciscus Antonius Maria van Hest,Scott R. Hammond. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Systems and methods for organic semiconductor devices with sputtered contact layers

Номер патента: US12101948B2. Автор: Marinus Franciscus Antonius Maria van Hest,Scott R. Hammond. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09900006B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Three dimensional NAND memory device with novel support structures

Номер патента: US12144175B2. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device with high- and low-density regions of transistor elements on single semiconductor substrate, and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20010006834A1. Автор: Toshiyuki Hirota,Natsuki Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Memory devices with partially misaligned gap locations and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240373625A1. Автор: Kao-Cheng LIN,Chien-Ying Chen,Ku-Feng Lin,Preciliano Ruiz, Jr.,Kazumasa UNO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with CMOS process based hall sensor and manufacturing method

Номер патента: US12035637B2. Автор: Jungmun JUNG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory devices with common source lines and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12127412B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Liquid cooling device for the arrangement of a power semiconductor device

Номер патента: US12035514B2. Автор: Rainer Popp,Harald Kobolla,Christian Zeller. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device, replacement part, and image forming apparatus

Номер патента: US20200336618A1. Автор: Izumi Kadobayashi. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Liquid cooling device for the arrangement of a power semiconductor device

Номер патента: US20230038316A1. Автор: Rainer Popp,Harald Kobolla,Christian Zeller. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-02-09.

Method of producing a nanofluid using laser ablation, corresponding nanofluid and laser ablation system for manufacturing nanofluids

Номер патента: US20230415270A1. Автор: Malek MAAZA,Saleh KHAMLICH. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH AFRICA. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of producing a nanofluid using laser ablation, corresponding nanofluid and laser ablation system for manufacturing nanofluids

Номер патента: ZA202304770B. Автор: Malek MAAZA,Saleh KHAMLICH. Владелец: Univ South Africa. Дата публикации: 2023-12-20.

Method of producing a nanofluid using laser ablation, corresponding nanofluid and laser ablation system for manufacturing nanofluids

Номер патента: EP4221929A1. Автор: Malek MAAZA,Saleh KHAMLICH. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH AFRICA. Дата публикации: 2023-08-09.

Systems and methods for utilizing laser ablation to modify heart valve prosthetic leaflet tissue to improve blood flow

Номер патента: US20230397954A1. Автор: Ali Nejatbakhsh Azadani. Владелец: University of Denver. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Method for treating patients with external hemorrhoids by using laser vaporization

Номер патента: RU2664590C1. Автор: Борис Михайлович Белик,Алексей Николаевич Ковалев,Прабхат Сингх,Акоп Лусигенович Хатламаджиян. Владелец: Алексей Николаевич Ковалев. Дата публикации: 2018-08-21.

Method of defining electrodes using laser-ablation and dielectric material

Номер патента: EP2198283A1. Автор: Greg P. Beer,Andrew J. Edelbrock. Владелец: Bayer HealthCare LLC. Дата публикации: 2010-06-23.

Method of transmission electron microscope foil preparation using laser

Номер патента: WO2023224558A1. Автор: Wei Zhou. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device verification system and method

Номер патента: US20040125675A1. Автор: Hong Kim,Ajaykumar Thadhlani. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

System and method for modification and/or smoothing of tissue with laser ablation

Номер патента: GB2492520A. Автор: Daniel Patrick Connors,Jerome Felsenstein,Robert E Trzcinski,James J Wynne,Donna S Zupanski-Nielsen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-02.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: US20230184827A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US09932224B2. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for individualization of dental implants using laser ablation and diagnostics of 5 types of bone density

Номер патента: RU2748905C1. Автор: Максим Игоревич Захаров,Данила Андреевич Щукарёв. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "МЕДПРОФИ". Дата публикации: 2021-06-01.

Semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory, system including a plurality of semiconductor devices or nonvolatile semiconductor memories, electric card including semiconductor device or nonvolatile semiconductor memory, and electric device with which this electric card can be used

Номер патента: US20030133338A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Kazushige Kanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Simulation device for semiconductor device, and short-circuit determination method for semiconductor device

Номер патента: US20170068757A1. Автор: Ryota NIHEI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Direct address laser ablation

Номер патента: US09778633B2. Автор: Verner Steve Nicholson,James Edward Stone. Владелец: Compagnie Generale des Etablissements Michelin SCA. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09703704B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device with input/output line

Номер патента: US09589605B1. Автор: Tae Kyun Kim,Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for extracting and modeling semiconductor device series resistance and for simulating a semiconductor device with use thereof

Номер патента: US20040138865A1. Автор: Ke-Wei Su,Cheng Hsiao,Jaw-Kang Her. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device with integrated mirror and method of producing a semiconductor device with integrated mirror

Номер патента: US09753218B2. Автор: Jochen Kraft,Joerg Siegert,Ewald STUECKLER. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of laser ablation for uniform thin film deposition

Номер патента: US5411772A. Автор: Jeffrey T. Cheung. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1995-05-02.

Method for processing material by laser ablation and material processed by processing method thereof

Номер патента: CA2598056A1. Автор: Yasuhiro Okuda,Hidehiko Mishima,Kenichi Watatani,Seiji Shimizu,Yasuhito Masuda,Masaki Hashida,Shuji Sakabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-08.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: EP1242999A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2002-09-25.

Microstructured tool and method of making same using laser ablation

Номер патента: EP2001667A2. Автор: Todd R. Williams,Tadesse G. Nigatu,Paul E. Humpal,Patrick R. Fleming,Thomas R. J. Corrigan. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2008-12-17.

Microstructured tool and method of making same using laser ablation

Номер патента: WO2008063686A2. Автор: Todd R. Williams,Tadesse G. Nigatu,Paul E. Humpal,Patrick R. Fleming,Thomas R. J. Corrigan. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device with variable pin locations

Номер патента: US20020190347A1. Автор: Ho Nguyen,Frederick Fischer,Kenneth Fitch,Scott Segan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor device with a controlled cavity and method of formation

Номер патента: US20110241181A1. Автор: Dwight L. Daniels,Scott M. Hayes. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-10-06.

Method of quantitative analysis of hexavalent chromium in chromate coating and method for controlling hazardous element in encapsulating resin of resin encapsulation semiconductor device

Номер патента: US20120264225A1. Автор: Miyuki Takenaka,Mitsuhiro Oki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for operating semiconductor device

Номер патента: US09972389B2. Автор: Masashi Fujita,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09778725B2. Автор: Tsuyoshi Kuroiwa,Shigeru Ota. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for operating semiconductor device

Номер патента: US09633710B2. Автор: Masashi Fujita,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Apparatus of measuring characteristics of semiconductor devices

Номер патента: US20070216435A1. Автор: Yasuhiko Iguchi. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor device with transducer and method for forming the same

Номер патента: US20240050987A1. Автор: Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Ming-Hsien Yang,Sheng Kai Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method and device for processing a workpiece using laser radiation

Номер патента: US09889523B2. Автор: Roland Gauch,Ulrich Graf. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and control method for reading instructions

Номер патента: US09477594B2. Автор: Takao Kusano. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Analog switch for measuring sources with semiconductor devices under test

Номер патента: RU2751647C1. Автор: Алексей Михайлович Бабец. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФОРМ". Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device with a plurality of different one time programmable elements

Номер патента: US20080180983A1. Автор: Joerg Vollrath. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor device for electrical contacting semiconductor devices

Номер патента: US20080231303A1. Автор: Jochen Kallscheuer,Bernhard Ruf,Sascha Nerger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-25.

Three-dimensional semiconductor device with top dummy cells, bottom dummy cells and operating method thereof

Номер патента: US09754647B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Precision Laser Ablation

Номер патента: US20120000893A1. Автор: Miller Pascal,Wall David L.,Broude Sergey V.,Cheng Chen-Hsiung,Ogura Glenn. Владелец: RESONETICS, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C1. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Александр Валерьевич Старцев,Анатолий Александрович Черников. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2006-07-10.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C9. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Анатолий Александрович Черников,Александр Валерьевич Ставцев. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2007-01-27.

Method of making nitride semiconductor and p-type nitride semiconductor device

Номер патента: RU2371806C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

Power semiconductor device of tablet structure

Номер патента: RU2231862C1. Автор: А.В. Новиков,А.И. Савкин. Владелец: Савкин Анатолий Иванович. Дата публикации: 2004-06-27.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641066C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-15.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.