Verfahren zur bildung von vorrichtungsstrukturen mit einer selbstausgerichteten schadensschicht
Номер патента: ATE514189T1
Опубликовано: 15-07-2011
Автор(ы): Ethan Cannon, Fen Chen
Принадлежит: Ibm
Опубликовано: 15-07-2011
Автор(ы): Ethan Cannon, Fen Chen
Принадлежит: Ibm
Verfahren zur Herstellung eines vertikalen Halbleiterbauelements mit epitaktisch gewachsener III-V-Epitaxie unter mehrmaliger Verwendung des Substrats sowie entsprechendes Halbleiterbauelement, insbesondere auf der Basis von Gallium-Nitrid
Номер патента: DE102023200123A1. Автор: Christian Huber,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.