Method to increase the capacity in a memory-trench and memory-capacitor with increased capacity
Номер патента: TW492161B
Опубликовано: 21-06-2002
Автор(ы): Alexander Dr Ruf, Martin Dr Schrems, Wilhelm Kegel, Wolfram Karcher
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-06-2002
Автор(ы): Alexander Dr Ruf, Martin Dr Schrems, Wilhelm Kegel, Wolfram Karcher
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor structure with increased space and volume between shaped epitaxial structures
Номер патента: US20160005657A1. Автор: Bharat Krishnan,Jinping Liu,Jody A. FRONHEISER,Bongki Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-07.