Speicherzelle mit Tunneldiode und Speicher mit mehreren dieser Speicherzellen
Номер патента: DE1499611B1
Опубликовано: 06-08-1970
Автор(ы): Robert Van Zurk
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Опубликовано: 06-08-1970
Автор(ы): Robert Van Zurk
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Unterstütztes schreibverfahren für einen magnetischen speicher mit wahlfreiem zugriff
Номер патента: DE102019117630A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.