Semiconductor power device and method of manufacturing the same
Номер патента: US20220262946A1
Опубликовано: 18-08-2022
Автор(ы): Adrian Finney, Alessandro Ferrara, Franz Hirler, Oliver Blank, Stefan Tegen
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-08-2022
Автор(ы): Adrian Finney, Alessandro Ferrara, Franz Hirler, Oliver Blank, Stefan Tegen
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
High voltage semiconductor device and the associated method of manufacturing
Номер патента: US20140015017A1. Автор: Lei Zhang,Ji-Hyoung Yoo. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2014-01-16.