Nichtflüchtige halbleiter-speicherzelle und verfahren zu deren herstellung
Номер патента: EP1183718A1
Опубликовано: 06-03-2002
Автор(ы): Christoph Ludwig, Martin Schrems
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Опубликовано: 06-03-2002
Автор(ы): Christoph Ludwig, Martin Schrems
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Реферат: Die Erfindung betrifft eine nichtflüchtige Halbleiter-Speicherzelle und ein Verfahren zu deren Herstellung, bei der ein Floating-Gate (FG) unter Verwendung von Standardprozessen selbstjustierend erzeugt wird. Durch die Verwendung von TiO2 oder WOx als dielektrische Schicht (9) zwischen einem Steuer-Gate (CG) und dem Floating-Gate (FG) erhält man einen ausreichend grossen kapazitiven Kopplungsfaktor, wodurch eine Halbleiter-Speicherzelle mit sehr kleinen Ausmassen hergestellt werden kann.
Nichtflüchtige halbleiter-speicherzelle und verfahren zu deren herstellung
Номер патента: WO2000077838A1. Автор: Christoph Ludwig,Martin Schrems. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2000-12-21.