Monolithically-integrated dual surge protective device
Номер патента: US8541838B2
Опубликовано: 24-09-2013
Автор(ы): Yanfeng JIANG
Принадлежит: NORTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-09-2013
Автор(ы): Yanfeng JIANG
Принадлежит: NORTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Monolithically-Integrated New Dual Surge Protective Device and Its Fabrication Method
Номер патента: US20120175704A1. Автор: Yanfeng JIANG. Владелец: NORTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-07-12.