Light emitting chip and method for manufacturing the same
Номер патента: US8253147B2
Опубликовано: 28-08-2012
Автор(ы): Jian-Shihn Tsang
Принадлежит: Hon Hai Precision Industry Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 28-08-2012
Автор(ы): Jian-Shihn Tsang
Принадлежит: Hon Hai Precision Industry Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
METHOD OF GROWING THIN MONOCRYSTALLINE FILM, LIGHT-EMITTING DEVICE BASED ON Ga2O3, AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Номер патента: RU2313623C2. Автор: Нобору ИТИНОСЕ,Киеси СИМАМУРА,Казуо АОКИ,ВИЛЛОРА Энкарнасьон Антониа ГАРСИЯ. Владелец: Васеда Юниверсити. Дата публикации: 2007-12-27.