고 임피던스 플라즈마 이온 주입 방법 및 장치
Номер патента: KR940013298A
Опубликовано: 25-06-1994
Автор(ы): 더블류. 스쿠마춰 로버트, 엔. 마토시안 제스, 엠. 조벨 댄
Принадлежит: 완다 케이. 덴슨-로우, 휴우즈 에어크라프트 캄파니
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 25-06-1994
Автор(ы): 더블류. 스쿠마춰 로버트, 엔. 마토시안 제스, 엠. 조벨 댄
Принадлежит: 완다 케이. 덴슨-로우, 휴우즈 에어크라프트 캄파니
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
High impedance plasma ion implantation method and apparatus
Номер патента: CA2102384C. Автор: Jesse N. Matossian,Robert W. Schumacher,Dan M. Goebel. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2000-01-11.