Using refractory metal silicidation phase transition temperature points to control and/or calibrate rtp low temperature operation
Номер патента: US20020191668A1
Опубликовано: 19-12-2002
Автор(ы): Bei Zhang, Chee Leong, Haznita Abd Karim, Johnny Cham, Rajneesh Jaiswal, Ravi Yelamanchi, Zhong-Yun Zhu
Принадлежит: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd, Lucent Technologies Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-12-2002
Автор(ы): Bei Zhang, Chee Leong, Haznita Abd Karim, Johnny Cham, Rajneesh Jaiswal, Ravi Yelamanchi, Zhong-Yun Zhu
Принадлежит: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd, Lucent Technologies Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Using refractory metal silicidation phase transition temperature points to control and/or calibrate rtp low temperature operation
Номер патента: SG111940A1. Автор: Chee Kong Leong,Chao Zhang Bei,Cham Johnny,Yun Zhu Zhong,Jaiswal Raineesh,Abd Karim Haznita,Sankar Yelemanchi Ravi. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-06-29.