Verfahren zur herstellung eines kurzkanal-feldeffekttransistors
Номер патента: EP1520293A1
Опубликовано: 06-04-2005
Автор(ы): Helmut Tews, Rodger Fehlhaber
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Опубликовано: 06-04-2005
Автор(ы): Helmut Tews, Rodger Fehlhaber
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Реферат: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Kurzkanal-Feldeffekttransistors mit den Schritten: Ausbilden einer sublithographischen Gate-Opferschicht (3M), Ausbildenvon Spacern (7S) an den Seitenwänden der Gate-Opferschicht (3M), Entfernen der Gate-Opferschicht (3M) zum Ausbilden einer Gate-Aussparung und Ausbilden eines Gate-Dielektrikums (10) und einer Steuerschicht (11) in der Gate-Aussparung. Auf diese Weise erhält man einen Kurzkanal-FET mit minimalen Schwankungen der kritischen Abmessungen in einem Bereich unterhalb von 100 Nanometer.
Verfahren zur Herstellung eines Kurzkanal-Feldeffekttransistors
Номер патента: DE10230696A1. Автор: Helmut Dr. Tews,Rodger Fehlhaber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-01-29.