Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, das eine halbisolierende Halbleiterschicht umfasst
Номер патента: DE69130491D1
Опубликовано: 24-12-1998
Автор(ы): Masahiko Takikawa, Tadao Okabe, Toshihide Kikkawa
Принадлежит: Fujitsu Ltd
Опубликовано: 24-12-1998
Автор(ы): Masahiko Takikawa, Tadao Okabe, Toshihide Kikkawa
Принадлежит: Fujitsu Ltd
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements oder Speicherbauelements mit einer Siliziumoxidschicht mit annähernd planarer Oberflächenform und Speicherbauelement mit einer Siliziumoxidschicht mit annähernd planarer Oberflächenform
Номер патента: DE19627630B4. Автор: Masazumi Matsuura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-05-27.