Un metodo para formar regiones de tipo de conductividad n enun sustrato de silicio
Номер патента: ES464680A1
Опубликовано: 01-01-1979
Автор(ы):
Принадлежит: International Business Machines Corp
Опубликовано: 01-01-1979
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Реферат: Un método para formar regiones de tipo de conductividad N en un sustrato de silicio, que comprende implantar iónicamente arsénico para formar en dicho sustrato una región que tiene una concentración de átomos de arsénico de al menos 1 x 10-2 átomos de As/átomos totales en el sustrato, e implantar iónicamente germanio en dicha región de sustrato.
Cmos de carburo de silicio y metodo de fabricacion.
Номер патента: ES2213822T3. Автор: David B. Slater, Jr.,John W. Palmour,Lori A. Lipkin,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-09-01.