Verfahren zur herstellung eines feldeffekttransistors und bestimmung der ldd- weite (schwachdotiertes drain)
Номер патента: ATE174723T1
Опубликовано: 15-01-1999
Автор(ы): Yow-Juang Bill Liu, Zahra Hadjizadeh-Amini
Принадлежит: Advanced Micro Devices Inc
Опубликовано: 15-01-1999
Автор(ы): Yow-Juang Bill Liu, Zahra Hadjizadeh-Amini
Принадлежит: Advanced Micro Devices Inc
Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors und Feldeffekttransistor
Номер патента: DE102023201684A1. Автор: Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-29.