Modeling critical-dimension (cd) scanning-electron-microscopy (cd-sem) cd extraction.

Modeling critical-dimension (cd) scanning-electron-microscopy (cd-sem) cd extraction

Номер патента: WO2010126698A3
Опубликовано: 13-01-2011
Автор(ы): Qiaolin Zhang
Принадлежит: Synopsys, Inc.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Modeling critical-dimension (CD) scanning-electron-microscopy (CD-sem) CD extraction

Номер патента: CN101877016B. Автор: 张乔林. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2014-09-17.

Modeling critical-dimension (CD) scanning-electron-microscopy (CD-SEM) CD extraction

Номер патента: TW201113931A. Автор: qiao-lin Zhang. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2011-04-16.

Control of critical dimension (CD)

Номер патента: EP1416330B1. Автор: Joseph Pellegrini,David Crow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Control of critical dimension (CD)

Номер патента: EP1416330A3. Автор: Joseph Pellegrini,David Crow. Владелец: New Vision Microelectronic Manufacturing Systems Inc. Дата публикации: 2005-11-23.

Critical dimension (CD) uniformity of photoresist island patterns using alternating phase shifting mask

Номер патента: US10831104B2. Автор: Jesmin Haq,Tom Zhong,Zhongjian Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-10.

Critical Dimension (CD) Uniformity of Photoresist Island Patterns Using Alternating Phase Shifting Mask

Номер патента: US20200142313A1. Автор: Jesmin Haq,Tom Zhong,Zhongjian Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method and apparatus for calibrating a photolithography process model by using a process window parameter

Номер патента: US20110185324A1. Автор: Xin Zheng,Jensheng Huang,Kyo-ll Koo. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Tool mismatch reduction using aberration map of the tools

Номер патента: US20230408930A1. Автор: Sheng-Min Wang,Shih-Ming Chang,Ken-Hsien Hsieh,Shih-Chuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Suppressing specular reflection of mask absorber and on- resolution field stitching

Номер патента: WO2024037837A1. Автор: Peter David ENGBLOM,Abraham SLACHTER,Eelco VAN SETTEN,Marie-Claire VAN LARE,John Martin Mcnamara. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2024-02-22.

Critical dimension control using full phase and trim masks

Номер патента: AU2003223189A1. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2003-09-09.

Critical dimension control using full phase and trim masks

Номер патента: WO2003073166A1. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Numerical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2003-09-04.

Critical dimension control using full phase and trim masks

Номер патента: EP1478976A4. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2007-06-06.

Critical dimension control using full phase and trim masks

Номер патента: EP1478976A1. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2004-11-24.

Method for optical proximity correction

Номер патента: US20100248089A1. Автор: Cheol Kyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Method and structure for lithography processes with focus monitoring and control

Номер патента: US09383657B2. Автор: Wei-Liang Lin,Chun-Kuang Chen,Chi-Cheng Hung,Jhih-Yu Wang,Chien-Yu Li,Iu-Ren Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method and apparatus for process window modeling

Номер патента: US09679086B2. Автор: Artak Isoyan. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for determining best focus and best dose in exposure process

Номер патента: US20220365447A1. Автор: Kihyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-17.

Lithography improvement based on defect probability distributions and critical dimension variations

Номер патента: US20210088913A1. Автор: Lawrence S. Melvin, III,Qiliang Yan,Yudhishthir Prasad Kandel,Ulrich Karl Klostermann. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of minimizing errors of optical proximity correction in semiconductor pattern and device for performing the same

Номер патента: US20200124980A1. Автор: Kyung Jae PARK,Moo Joon SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-23.

Method of minimizing errors of optical proximity correction in semiconductor pattern and device for performing the same

Номер патента: US10852645B2. Автор: Kyung Jae PARK,Moo Joon SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-01.

Method and system for feed-forward advanced process control

Номер патента: US20130239073A1. Автор: Chun-Hung Lin,Li-Kong Turn,Hsueh-Yi Chung,Chih-Jen Yu,Keh-Wen Chang,Juin-Hung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-12.

Patterning parameter determination using a charged particle inspection system

Номер патента: US20240212125A1. Автор: Haiyan Li,Junru Ruan. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Match the aberration sensitivity of the metrology mark and the device pattern

Номер патента: US20240319581A1. Автор: Duan-Fu Stephen Hsu,Dezheng SUN,Jialei TANG. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-09-26.

New Surface Treatment Method for Dielectric Anti-Reflective Coating (DARC) to Shrink Photoresist Critical Dimension (CD)

Номер патента: US20170371247A1. Автор: Jesmin Haq,Tom Zhong. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Surface treatment method for dielectric anti-reflective coating (DARC) to shrink photoresist critical dimension (CD)

Номер патента: US09880473B2. Автор: Jesmin Haq,Tom Zhong. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Critical Dimension (CD) Uniformity of Photoresist Island Patterns Using Alternating Phase Shifting Mask

Номер патента: US20210055659A1. Автор: Zhong Tom,Haq Jesmin,Teng Zhongjian. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

Critical Dimension (CD) Uniformity of Photoresist Island Patterns Using Alternating Phase Shifting Mask

Номер патента: US20200142313A1. Автор: Zhong Tom,Haq Jesmin,Teng Zhongjian. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

New Surface Treatment Method for Dielectric Anti-Reflective Coating (DARC) to Shrink Photoresist Critical Dimension (CD)

Номер патента: US20170371247A1. Автор: Zhong Tom,Haq Jesmin. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Optical proximity correction (opc) accounting for critical dimension (cd) variation from inter-level effects

Номер патента: US20150356230A1. Автор: Dureseti Chidambarrao,Shayak Banerjee,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Optical proximity correction (opc) accounting for critical dimension (cd) variation from inter-level effects

Номер патента: US20160217249A1. Автор: Dureseti Chidambarrao,Shayak Banerjee,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Control method and system for critical dimension (cd)

Номер патента: US20230063001A1. Автор: Zhimin Wu,Junjun Zhang,Fufang CHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Optical proximity correction (OPC) accounting for critical dimension (CD) variation from inter-level effects

Номер патента: US09536039B2. Автор: Dureseti Chidambarrao,Shayak Banerjee,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Extreme ultra-violet sensitivity reduction using shrink and growth method

Номер патента: KR20160134575A. Автор: 니하르 모한티,리오르 훌리. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-11-23.

Method and device for critical dimension detection by molecular binding

Номер патента: US20070042390A1. Автор: Peter Borden. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-02-22.

Methods for forming alignment marks

Номер патента: US20240069448A1. Автор: LIU Jiang,Prayudi LIANTO,Guan Huei See,El Mehdi Bazizi,Marvin Louis Bernt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods for forming alignment marks

Номер патента: US11899376B1. Автор: LIU Jiang,Prayudi LIANTO,Guan Huei See,El Mehdi Bazizi,Marvin Louis Bernt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for correcting a mask layout and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20190155169A1. Автор: Changhwan KIM,Sung-Yong Moon,Sooryong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Methods for forming alignment marks

Номер патента: WO2024049754A1. Автор: LIU Jiang,Prayudi LIANTO,Guan Huei See,El Mehdi Bazizi,Marvin Louis Bernt. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-07.

Process proximity effect correction method and process proximity effect correction device

Номер патента: US20240085777A1. Автор: Young Ju Lee,Young-Gu Kim,Tae Hoon Kim,Dae Young Park,Hyun Joong Kim,Seong Ryeol Kim,Jeong Hoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Control of critical dimensions through measurement of absorbed radiation

Номер патента: US6063530A. Автор: Andreas Grassmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-05-16.

Photomask providing uniform critical dimension on semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070065732A1. Автор: Seongwoon Choi,Donggun Lee,Byunggook Kim,Chanuk Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-22.

Photomasks including shading layer and methods of forming patterns using the same

Номер патента: US20190196323A1. Автор: Soo Kyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Producing resist layers using fine segmentation

Номер патента: US09753364B2. Автор: Nuriel Amir. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method, inspection apparatus and substrate for determining an approximate structure of an object on the substrate

Номер патента: WO2011045132A1. Автор: Hugo Cramer,Henricus Megens. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2011-04-21.

Methods and apparatus for modeling electromagnetic scattering properties of microscopic structures and methods and apparatus for reconstruction of microscopic structures

Номер патента: EP2302360A3. Автор: Martijn Van Beurden. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2011-05-04.

오버레이 버니어

Номер патента: KR20090036009A. Автор: 심규찬,정헌록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-04-13.

Grid Refinement Method

Номер патента: US20160246912A1. Автор: BURN JENG LIN,Jaw-Jung Shin,Wen-Chuan Wang,Shy-Jay Lin,Pei-Yi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Grid Refinement Method

Номер патента: US20160055291A1. Автор: BURN JENG LIN,Jaw-Jung Shin,Wen-Chuan Wang,Shy-Jay Lin,Pei-Yi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Grid Refinement Method

Номер патента: US20130273475A1. Автор: BURN JENG LIN,Jaw-Jung Shin,Wen-Chuan Wang,Shy-Jay Lin,Pei-Yi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

Grid Refinement Method

Номер патента: US20130273474A1. Автор: BURN JENG LIN,Jaw-Jung Shin,Wen-Chuan Wang,Shy-Jay Lin,Pei-Yi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

Grid refinement method

Номер патента: US8822107B2. Автор: BURN JENG LIN,Jaw-Jung Shin,Wen-Chuan Wang,Shy-Jay Lin,Pei-Yi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Grid Refinement Method

Номер патента: US20140368806A1. Автор: BURN JENG LIN,Jaw-Jung Shin,Wen-Chuan Wang,Shy-Jay Lin,Pei-Yi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

Grid refinement method

Номер патента: US9529271B2. Автор: BURN JENG LIN,Jaw-Jung Shin,Wen-Chuan Wang,Shy-Jay Lin,Pei-Yi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Grid refinement method

Номер патента: US9329488B2. Автор: BURN JENG LIN,Jaw-Jung Shin,Wen-Chuan Wang,Shy-Jay Lin,Pei-Yi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Grid refinement method

Номер патента: US9176389B2. Автор: BURN JENG LIN,Jaw-Jung Shin,Wen-Chuan Wang,Shy-Jay Lin,Pei-Yi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-03.

Overlay measurement method and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240219845A1. Автор: Jeongjin Lee,Jinsun KIM,Seunghak Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

오버레이 계측 방법 및 이를 사용한 반도체 장치의 제조 방법

Номер патента: KR20240109483A. Автор: 이정진,김진선,박승학. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2024-07-11.

System for calculating exposure energy

Номер патента: US20020188412A1. Автор: Wen -Chih Lee,Yu-Ming Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Ｅｕｖｌ 마스크 블랭크 및 ｅｕｖｌ 마스크의 패턴 형성 방법

Номер патента: KR20120081648A. Автор: 정호용. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-07-20.

포토 마스크 제조 방법, 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법

Номер патента: KR20230168659A. Автор: 김용우,박종주,오종근,노수지. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-12-15.

Critical dimension variation correction in extreme ultraviolet lithography

Номер патента: IL239577B. Автор: Sergey Oshemkov,Vladimir Kruglyakov,Frederik Blumrich,Yuval PERETS. Владелец: Yuval PERETS. Дата публикации: 2020-10-29.

Method of manufacturing photomask, and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20230408912A1. Автор: Yongwoo Kim,Jongju Park,Jongkeun OH,Suzy ROH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Measuring method, apparatus and substrate

Номер патента: SG181227A1. Автор: DECKERS David,MUSA Sami,Godefridus Casper Bijnen Franciscus. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2012-06-28.

Optical measurement system and method for measuring critical dimension of nanostructure

Номер патента: US09995648B2. Автор: Maksim RIABKO,Anton MEDVEDEV,Alexey SHCHEKIN,Sergey KOPTYAEV. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Correcting apparatus of extreme ultra violet(euv) photomask and correcting method of euv photomask

Номер патента: KR20220125891A. Автор: 김용우,박상욱,박종주,서영창,오종근. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-09-15.

Method and system for forming high accuracy patterns using charged particle beam lithography

Номер патента: WO2012051082A2. Автор: Akira Fujimura,Kazuyuki Hagiwara,Ingo Bork,Stephen F. Meier. Владелец: D2S, INC.. Дата публикации: 2012-04-19.

Methods of forming mask patterns on semiconductor wafers that compensate for nonuniform center-to-edge etch rates during photolithographic processing

Номер патента: SG145649A1. Автор: Zhuang Haoren,Park Wan Jae,Chang Chong Kwang,Matthias Lipinski,Shailendra Mishra,Tsou Len Yuan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-09-29.

Methods of Forming Mask Patterns on Semiconductor Wafers that Compensate for Nonuniform Center-to-Edge Etch Rates During Photolithographic Processing

Номер патента: US20080220609A1. Автор: Haoren Zhuang,Matthias Lipinski,Shailendra Mishra,Chong Kwang Chang,Len Yuan Tsou,Wan Jae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Correcting apparatus of extreme ultraviolet (euv) photomask and correcting method of euv photomask

Номер патента: US20220283512A1. Автор: Yongwoo Kim,Jongju Park,Sanguk Park,Jongkeun OH,Youngchang SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-08.

Method and apparatus for calibrating sub-nanometer critical dimension using pitch offset

Номер патента: SG144790A1. Автор: Shinn-Sheng Yu,Tsai-Sheng Gau,Chih-Ming Ke,Yu-Hsi Wang,Kuo-Chen Huang,Jacky Huang Te-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

Design-driven metal critical dimension (cd) biasing

Номер патента: US20100293514A1. Автор: Yao-Ching Ku,Lee-Chung Lu,Louis Chao-Chiuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-11-18.

Wet etch process and method to provide uniform etching of material formed within features having different critical dimension (cd)

Номер патента: WO2024058863A1. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter D'ELIA. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-03-21.

Wet etch process and method to provide uniform etching of material formed within features having different critical dimension (CD)

Номер патента: US12100599B2. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Wet etch process and method to provide uniform etching of material formed within features having different critical dimension (cd)

Номер патента: US20240087908A1. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

웨이퍼의 다른 cd (critical dimension) 를 예측하기 위해 피드포워드 cd 데이터를 사용하는 가상 계측 시스템들 및 방법들

Номер патента: KR20180087145A. Автор: 라마나파시 비라싱암. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2018-08-01.

Accurate and fast neural network training for library-based critical dimension(cd) metrology

Номер патента: KR101958161B1. Автор: 레오니드 포스라브스키,준웨이 바오,웬 진,비 유옹,리에 콴 리. Владелец: 케이엘에이-텐코 코포레이션. Дата публикации: 2019-03-13.

Accurate and Fast Neural network Training for Library-Based Critical Dimension (CD) Metrology

Номер патента: US20120226644A1. Автор: WEN Jin,Leonid Poslavsky,Junwei Bao,Vi Vuong,Lie-Quan Lee. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2012-09-06.

ACCURATE AND FAST NEURAL NETWORK TRAINING FOR LIBRARY-BASED CRITICAL DIMENSION (CD) METROLOGY

Номер патента: US20140032463A1. Автор: Poslavsky Leonid,Vuong Vi,Bao Junwei,Lee Lie-Quan,JIN Wen. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-30.

OPTICAL PROXIMITY CORRECTION (OPC) ACCOUNTING FOR CRITICAL DIMENSION (CD) VARIATION FROM INTER-LEVEL EFFECTS

Номер патента: US20160217249A1. Автор: Banerjee Shayak,Chidambarrao Dureseti,Shao Dongbing. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

OPTICAL PROXIMITY CORRECTION (OPC) ACCOUNTING FOR CRITICAL DIMENSION (CD) VARIATION FROM INTER-LEVEL EFFECTS

Номер патента: US20150356230A1. Автор: Banerjee Shayak,Chidambarrao Dureseti,Shao Dongbing. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Accurate and fast neural network training for library-based critical dimension (CD) metrology

Номер патента: US09607265B2. Автор: WEN Jin,Leonid Poslavsky,Junwei Bao,Vi Vuong,Lie-Quan Lee. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

METHOD FOR CRITICAL DIMENSION (CD) TRIM OF AN ORGANIC PATTERN USED FOR MULTI-PATTERNING PURPOSES

Номер патента: US20220076942A1. Автор: "OMeara David",Raley Angelique,Lutker-Lee Katie. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

LOCAL AND GLOBAL REDUCTION OF CRITICAL DIMENSION (CD) ASYMMETRY IN ETCH PROCESSING

Номер патента: US20140273466A1. Автор: LUERE Olivier,Choi Jinhan,CHIANG Kang-Lie. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

ELECTROSTATIC CHUCK WITH MAGNETIC CATHODE LINER FOR CRITICAL DIMENSION (CD) TUNING

Номер патента: US20150221481A1. Автор: Willwerth Michael D.,TODOROW Valentin N.,HSU CHIH-HSUN. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

METAL VIA PROCESSING SCHEMES WITH VIA CRITICAL DIMENSION (CD) CONTROL FOR BACK END OF LINE (BEOL) INTERCONNECTS AND THE RESULTING STRUCTURES

Номер патента: US20190259656A1. Автор: Wallace Charles H.,Bigwood Robert M.,NYHUS Paul A.,HARAN Mohit K.,KAPLAN Alexander F.,RAO Deepak S.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

METAL VIA PROCESSING SCHEMES WITH VIA CRITICAL DIMENSION (CD) CONTROL FOR BACK END OF LINE (BEOL) INTERCONNECTS AND THE RESULTING STRUCTURES

Номер патента: US20180323100A1. Автор: Wallace Charles H.,Bigwood Robert M.,NYHUS Paul A.,HARAN Mohit K.,KAPLAN Alexander F.,RAO Deepak S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Novel critical dimension (cd) control by spectrum metrology

Номер патента: US20070231935A1. Автор: Chang-Cheng Hung,Wen-Chuan Wang,Hung Chang HSIEH,Shih-Ming Chang,Chi-Lun Lu,Allen HSIA,Yen-Bin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-10-04.

Local and global reduction of critical dimension (CD) asymmetry in etch processing

Номер патента: US9281190B2. Автор: Kang-Lie Chiang,Olivier Luere,Jinhan Choi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-03-08.

Metal via processing schemes with via critical dimension (CD) control for back end of line (BEOL) interconnects and the resulting structures

Номер патента: US10319625B2. Автор: Charles H. Wallace,Paul A. Nyhus,Mohit K. HARAN,Alexander F. KAPLAN,Robert M. Bigwood,Deepak S. RAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Systems and Methods to Control Critical Dimension (CD) Shrink Ratio through Radio Frequency (RF) Pulsing

Номер патента: US20210343502A1. Автор: Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Critical dimension (CD) control method by spectrum metrology

Номер патента: CN101047109A. Автор: 张世明,王文娟,黄彦彬,谢弘璋,吕启纶,洪彰成,夏振原. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Method for measuring critical dimension and image-processing apparatus for measuring critical dimension

Номер патента: US20190347781A1. Автор: Ching-Ya Huang,Tso-Hua HUNG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Pattern analysis method of a semiconductor device

Номер патента: US09672611B2. Автор: Seunghune YANG,Sibo CAI,Kiho Yang,Kaiyuan Chi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Pattern writing method, method of manufacturing a photomask, photomask for display apparatus, and method of manufacturing a display apparatus

Номер патента: TWI710848B. Автор: 金谷健一. Владелец: 日商Ｈｏｙａ股份有限公司. Дата публикации: 2020-11-21.

Pattern writing method, method of manufacturing a photomask, photomask, and method of manufacturing a display apparatus

Номер патента: TW201928508A. Автор: 金谷健一. Владелец: 日商Ｈｏｙａ股份有限公司. Дата публикации: 2019-07-16.

Method for Correcting Critical Dimension of Mask Pattern

Номер патента: US20090226827A1. Автор: Soo Kyeong Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-10.

Extreme Ultraviolet Lithography with Reduced Exposure Dose and Negative Tone Development

Номер патента: US20170315447A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chen-Yu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Process proximity correction method based on machine learning, optical proximity correction method including the same, and method of manufacturing mask by using the process proximity correction method

Номер патента: US20240319580A1. Автор: Jaeyong Jeong,Sooyong Lee,Bonhyun Gu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Extreme ultraviolet lithography with reduced exposure dose and negative tone development

Номер патента: US09891528B2. Автор: Ching-Yu Chang,Chen-Yu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Use of non-lithographic shrink techniques for fabrication/making of imprints masks

Номер патента: US7159205B1. Автор: Bhanwar Singh,Gilles Amblard,Khoi A. Phan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-01-02.

Apparatus and methods for measurement of critical dimensions of features and detection of defects in uv, vuv, and euv lithography masks

Номер патента: WO2005108914A3. Автор: Henry Allen Hill. Владелец: Zetetic Inst. Дата публикации: 2006-12-14.

Method of fabricating photomask

Номер патента: US7794898B2. Автор: Jin Ho Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

Sedimentary deposition of photoresist on semiconductor wafers

Номер патента: US5320864A. Автор: Michael D. Rostoker. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1994-06-14.

Method of reducing critical dimension bias of dense pattern and isolation pattern

Номер патента: US7097945B2. Автор: Ching-Yu Chang,Hsin-Huei Chen,Meng-Wei Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-29.

반도체 소자의 현상 방법

Номер патента: KR20040008764A. Автор: 박동혁,김명수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-31.

Modeling method and modeling system for optical proximity correction model, and optical proximity correction method

Номер патента: US20240143893A1. Автор: Lei Wang. Владелец: Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

위상분할 마스크 제조 방법

Номер патента: KR20030001636A. Автор: 이상이. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-08.

Photomasks, methods of fabricating the photomasks, and method of fabricating semiconductor devices by using the photomasks

Номер патента: US09817309B2. Автор: Jung-Hwan Lee,Byung-gook Kim,Sang-Hyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Gate pattern formation using a BARC as a hardmask

Номер патента: US6121123A. Автор: Christopher F. Lyons,Scott A. Bell,Olov Karlsson. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-09-19.

Methods of patterning substrate and etch layer on substrate and method of forming integrated circuit

Номер патента: TW201622004A. Автор: 游信勝,陳政宏,石志聰,濤南嚴. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2016-06-16.

Improved yield and line width performance for liquid polymers and other materials

Номер патента: AU5802399A. Автор: MURTHY KRISHNA,Reese Reynolds,Emir Gurer,John Salois,Royal Cherry,Ed C. Lee. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2000-04-03.

마스크의 미세 선폭 측정 장치

Номер патента: KR101135241B1. Автор: 이창우,이종화,최상수,윤상필. Владелец: 주식회사 피케이엘. Дата публикации: 2012-04-12.

Method for forming continuous line-end to line-end spaces with spacer assisted lithography-etch-lithography etch processes

Номер патента: US20230314952A1. Автор: Geng Han,Allen Gabor. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Mask making with error recognition

Номер патента: US20130239072A1. Автор: Peng-Ren Chen,Dong-Hsu Cheng,Jia-Guei Jou,Kuan-Chi Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-12.

마스크의 미세 선폭 측정 장치

Номер патента: KR20110092163A. Автор: 이창우,이종화,최상수,윤상필. Владелец: 주식회사 피케이엘. Дата публикации: 2011-08-17.

Method of manufacturing photomasks and method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20210019466A1. Автор: Jeonglim Kim,Youngdeok Kwon,Myungsoo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

레티클

Номер патента: KR20080060319A. Автор: 김원기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-02.

Photomask processing techniques

Номер патента: US20140030638A1. Автор: Chang Ju Choi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Method for an improved developing process in wafer photolithography

Номер патента: WO2002008832A2. Автор: Jung Suk Bang,Jae Heon Park. Владелец: Silicon Valley Group, Inc.. Дата публикации: 2002-01-31.

Method and apparatus for providing mask in semiconductor processing

Номер патента: WO2007136515A1. Автор: Jonathan Kim,Camelia Rusu,Yoojin Kim. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2007-11-29.

Overlay correction for advanced integrated-circuit devices

Номер патента: US20240219825A1. Автор: John Chang,Keith F. Best. Владелец: Onto Innovation Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

극자외선(euv) 포토마스크 제조 방법, 포토마스크 보정 방법 및 장치

Номер патента: KR20220049651A. Автор: 박상욱,박종주,오종근,조경천. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-04-22.

Overlay correction for advanced integrated-circuit devices

Номер патента: WO2024145105A1. Автор: John Chang,Keith F. Best. Владелец: Onto Innovation Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Composition And Method For Lithography Patterning

Номер патента: US20160238933A1. Автор: Ching-Yu Chang,Yu-Chung Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method and system for forming high precision patterns using charged particle beam lithography

Номер патента: US20130205264A1. Автор: Akira Fujimura,Robert C. Pack. Владелец: D2S Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

선폭 조건 모니터링을 위한 테스트용 차광패턴이 적용된 레티클

Номер патента: KR20000074341A. Автор: 김계원. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-12-15.

Trimming inorganic resists with selected etchant gas mixture and modulation of operating variables

Номер патента: US09899219B2. Автор: Akiteru Ko,Vinh Luong. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of forming a mask for substrate patterning

Номер патента: US09646845B2. Автор: Anton J. deVilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

반도체 공정 제어 방법

Номер патента: KR20100024087A. Автор: 김용진,김용현,김명철,임석현,김유식,이문상,황기철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2010-03-05.

High speed CDS extraction system

Номер патента: US4779824A. Автор: James E. Leger. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1988-10-25.

Full-wafer metrology up-sampling

Номер патента: WO2023195015A1. Автор: Noam Tal,Michael Shifrin,Jacob Cohen,Eitan A. Rothstein,Effi Aboody,Harindra VEDALA,Nir KAMPEL,Lilach TAMAM,Avron GER. Владелец: Nova Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Systems and Methods for Monitoring One or More Characteristics of a Substrate

Номер патента: US20210109015A1. Автор: Mark Somervell,Masahide Tadokoro,Michael Carcasi,Joshua Hooge. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Resist modeling method for angled gratings

Номер патента: WO2023177869A1. Автор: JIN Xu,Ludovic Godet,William Wilkinson,Yongan Xu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-09-21.

Resist modeling method for angled gratings

Номер патента: US20230296880A1. Автор: JIN Xu,Ludovic Godet,William Wilkinson,Yongan Xu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods and Systems for Controlling Wafer Fabrication Process

Номер патента: US20200091017A1. Автор: Marcus Musselman. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Techniques and systems for model-based critical dimension measurements

Номер патента: US09875534B2. Автор: Abdurrahman Sezginer,Balaji Ganapathy,Yanwei Liu,Eric Vella. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

모델 기반 임계 치수 측정을 위한 방법 및 시스템

Номер патента: KR20180038064A. Автор: 얀웨이 리우,에릭 벨라,압둘라흐만 세즈기너 (아포),발라지 가나파티. Владелец: 케이엘에이-텐코 코포레이션. Дата публикации: 2018-04-13.

Method and system for measuring critical dimension and monitoring fabrication uniformity

Номер патента: US20120212601A1. Автор: Wei Fang,HONG Xiao,Jack Jau. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

Method and system for measuring critical dimension and monitoring fabrication uniformity

Номер патента: US20130188037A1. Автор: Wei Fang,HONG Xiao,Jack Jau. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Method for grouping region of interest of mask pattern and measuring critical dimension of mask pattern using the same

Номер патента: US09892500B2. Автор: Won-Joo Park,Dong-Hoon Chung,Byung-gook Kim,Hyung-Joo Lee,Seuk-Hwan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Method and system for measuring critical dimension and monitoring fabrication uniformity

Номер патента: US20130182939A1. Автор: Wei Fang,HONG Xiao,Jack Jau. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Scanning electron microscope (sem) measurement method and apparatus

Номер патента: US20240079206A1. Автор: Kihyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for measuring CD using scanning electron microscope

Номер патента: US11740073B2. Автор: Seungjin LEE,Jooho Kim,Dawoon Choi,Donyun Kim,Yunhyoung Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Method Of Ultra-Fine Critical Dimension Patterning For Magnetic Head Devices

Номер патента: US20230343362A1. Автор: Kunliang Zhang,Min Li,Ruhang DING,Tom Zhong,Hiroshi Omine,Jianing Zhou. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Measuring local critical dimension uniformity of an array of two-dimensional structural elements

Номер патента: WO2021165941A1. Автор: Daniel Schmidt,Dexin Kong,Igor Turovets,Roy KORET,Aron J. CEPLER,Marjorie CHENG. Владелец: NOVA MEASURING INSTRUMENTS LTD.. Дата публикации: 2021-08-26.

Layout method for bit line sense amplifier driver

Номер патента: US6661722B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Jae-Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Simulation method for semiconductor manufacturing process and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR20220019894A. Автор: 김진우,정창욱,전용우,장원익,유지수,백강현,명상훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-02-18.

Method and system for detailed placement of layout objects in a standard-cell layout design

Номер патента: US20070168898A1. Автор: Puneet Gupta,Chul-Hong Park,Andrew Kahng. Владелец: Blaze DFM Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Defect inspection method and defect inspection apparatus

Номер патента: US20010055416A1. Автор: Kyoji Yamashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Method and device for measuring dimension of semiconductor structure

Номер патента: US20220229087A1. Автор: ZHENG Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Method and device for measuring dimension of semiconductor structure

Номер патента: US11656245B2. Автор: ZHENG Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-23.

Method for measuring and analyzing surface structure of chip or wafer

Номер патента: US09589086B2. Автор: Kuang-Chao Chen,Tuung Luoh,Ling-Wuu Yang,Ta-Hone Yang,Hsiang-Chou Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

收缩前形状估计方法以及cd－sem装置

Номер патента: CN103733023B. Автор: 田中润一,田中润,程朝晖,关口智子,大桥健良,常田瑠璃子,川田洋挥,人见圣子. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-09-28.

슈링크 전 형상 추정 방법 및 cd-sem 장치

Номер патента: KR20140035511A. Автор: 준이찌 다나까,자오후이 쳉,히로끼 가와다,다께요시 오하시,도모꼬 세끼구찌,루리꼬 쯔네따,세이꼬 히또미. Владелец: 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈. Дата публикации: 2014-03-21.

一种半导体器件版图图形的cd-sem测量方法和设备

Номер патента: CN118501504B. Автор: 高大为,任堃,吴永玉,牟芝平. Владелец: Zhejiang Chuangxin Integrated Circuit Co ltd. Дата публикации: 2024-11-01.

Methods and systems for controlling critical dimensions in track lithography tools

Номер патента: US20090275149A1. Автор: Nikolaos Bekiaris,Timothy Michaelson. Владелец: Screen Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-05.

Critical dimension error analysis method

Номер патента: US20220399237A1. Автор: Chen Li,Yan Yan,Pengfei Wang,Lingyi Guo,Tao Zhou,Liren Li,Hao Fu,Jiebin DUAN,Xueru YU,HongXia SUN,Xiucui WANG,Bowen XU. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Controlling critical dimensions in track lithography tools

Номер патента: WO2008019362A2. Автор: Nikolaos Bekiaris,Tim Michaelson. Владелец: SOKUDO CO., LTD.. Дата публикации: 2008-02-14.

Controlling critical dimensions in track lithography tools

Номер патента: WO2008019362A3. Автор: Nikolaos Bekiaris,Tim Michaelson. Владелец: Tim Michaelson. Дата публикации: 2008-10-16.

반도체 소자의 프로파일 모니터링 방법

Номер патента: KR100529617B1. Автор: 고관주. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-11-17.

반도체 소자의 프로파일 모니터링 방법

Номер патента: KR20050071052A. Автор: 고관주. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-07-07.

String driver with deep trench isolations

Номер патента: US20240274594A1. Автор: Michael A. Smith,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Gate-bildung von halbleitervorrichtungen

Номер патента: DE102020128407A1. Автор: Chang-Yun Chang,Chih-Hao Yu,Hsiu-Hao Tsao,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Multiple critical dimension power rail

Номер патента: US20230411292A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Kisik Choi,Liqiao QIN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Multiple critical dimension power rail

Номер патента: WO2023241932A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Kisik Choi,Liqiao QIN. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-12-21.

Method which can form contact holes in wafer of semiconductor

Номер патента: US20130316470A1. Автор: Jun Zhou. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

반도체소자의 콘택플러그 형성방법

Номер патента: KR20050002397A. Автор: 황영주. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-07.

Semiconductor calibration wafer with no charge effect

Номер патента: US20030132374A1. Автор: Ming-Shuo Yen,Chi-Yao Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-07-17.

Gate Formation Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20210183713A1. Автор: Chang-Yun Chang,Chih-Hao Yu,Hsiu-Hao Tsao,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09530646B2. Автор: Chih-Wei Wu,Chao-Hung Lin,An-Chi Liu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,En-Chiuan Liou,Li-Wei Feng,Shih-Fang Hong,Mei-Chen Chen,Chia-Hsun Tseng,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Calibration of a scanning electron microscope

Номер патента: WO2001011656A1. Автор: Weidong Liu,Laurence S. Hordon,Jason C. Yee,David M. Goodstein. Владелец: Kla Tencor Corporation. Дата публикации: 2001-02-15.

Three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: KR20210156055A. Автор: 이종민,신동현,민승기,박성민,강민규,문서림. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-12-24.

Gate cut critical dimension shrink and active gate defect healing using selective deposition

Номер патента: US20200135575A1. Автор: Marc Bergendahl,Andrew Greene,Yann Mignot,Ekmini A. De Silva,Gangadhara Raja MUTHINTI,Alex Joseph Varghese,Dallas Lea,Matthew T. Shoudy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Critical dimensions variance compensation

Номер патента: US10269663B2. Автор: Tristan MA,Motoya Okazaki,Morgan D. Evans,Kevin Anglin,Johannes M. van Meer. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2019-04-23.

Sacrificial fin for self-aligned contact rail formation

Номер патента: US20230064608A1. Автор: Brent Anderson,Junli Wang,Yann Mignot,Su Chen Fan,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Sacrificial fin for self-aligned contact rail formation

Номер патента: US11901440B2. Автор: Brent Anderson,Junli Wang,Yann Mignot,Su Chen Fan,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

On-chip integration of a high-efficiency and a high-retention inverted wide-base double magnetic tunnel junction device

Номер патента: US11844284B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Sacrificial layer for forming merged high aspect ratio contacts in 3d nand memory device

Номер патента: US20240090213A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Sung-Kwan Kang,Jialiang Wang,Abhijit B. MALLICK,Soonil Lee,Chang Seok Kang,Eswaranand VENKATASUBRAMANIAN,Srinivas Guggilla,Amy Child,Sanjay G. KAMATH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Sacrificial layer for forming merged high aspect ratio contacts in 3d nand memory device

Номер патента: WO2024054369A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Sung-Kwan Kang,Jialiang Wang,Abhijit B. MALLICK,Soonil Lee,Chang Seok Kang,Eswaranand VENKATASUBRAMANIAN,Srinivas Guggilla,Amy Child,Sanjay G. KAMATH. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-14.

Determination of semiconductor chamber operating parameters for the optimization of critical dimension uniformity

Номер патента: US9466466B1. Автор: RYAN Martin,Qinghua Zhong,Ganesh Upadhyaya. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240172446A1. Автор: Jing Gao,Zongliang Huo,Xiaoming Mao,Sizhe Li,Zhaosong Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Critical dimensions variance compensation

Номер патента: US20180197796A1. Автор: Tristan MA,Motoya Okazaki,Morgan D. Evans,Kevin Anglin,Johannes M. van Meer. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

On-chip integration of a high-efficiency and a high-retention inverted wide-base double magnetic tunnel junction device

Номер патента: EP4364542A1. Автор: Pouya Hashemi,Chandrasekara Kothandaraman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-08.

Substrate treating apparatus and semiconductor manufacturing equipment including the same

Номер патента: US20240203773A1. Автор: Jong Seok SEO. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

감광막의 라인에이지 슬림방지방법

Номер патента: KR20040076138A. Автор: 안준규,김홍익. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-31.

반도체소자의 리플로우 장치

Номер патента: KR20060095674A. Автор: 박동혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-01.

마스크 cd의 제어

Номер патента: KR20230154734A. Автор: 베이베이 지앙,첸 첸,칭 수,메렛 웡,슈앙 피,태너 오젤,아밋 무코파디아이,닥쉬 아가월. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-11-09.

Methods to prevent surface charge induced cd-dependent etching of material formed within features on a patterned substrate

Номер патента: US20240096638A1. Автор: Robert Clark,Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20090305481A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Gas Control in Semiconductor Processing

Номер патента: US20220367292A1. Автор: Mu-Tsang Lin,Yen-Lin CHANG,Pu-Kuan Fang,Yung-Ta Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device having controlled final metal critical dimension

Номер патента: US20140273389A1. Автор: Nam Sung Kim,Baofu ZHU,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for forming gate of flash memory device

Номер патента: KR20070006435A. Автор: 현찬순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-11.

Multi materials and selective removal enabled reverse tone process

Номер патента: US9728406B2. Автор: Huixiong Dai,Christopher S. Ngai. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Wet etch process and methods to form air gaps between metal interconnects

Номер патента: US20240087950A1. Автор: Shan Hu,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Wet etch process and methods to form air gaps between metal interconnects

Номер патента: WO2024058875A1. Автор: Shan Hu,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter D'ELIA. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-03-21.

一种薄膜晶体管及制备方法

Номер патента: CN110534577B. Автор: 陈宇怀. Владелец: Fujian Huajiacai Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-23.

Method of forming carbon-based spacer for euv photoresist patterns

Номер патента: US20230402285A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,John Sudijono,Mark Saly,Zeqing Shen,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Xinke WANG,Jiecong Tang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Method For Improving Etch Rate And Critical Dimension Uniformity When Etching High Aspect Ratio Features Within A Hard Mask Layer

Номер патента: US20230343598A1. Автор: Yun Han,Kai-Hung YU,Shihsheng Chang,Andrew Metz,Eric Chih-Fang Liu,Minjoon PARK. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법

Номер патента: KR20050011872A. Автор: 남웅대. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-01-31.

Method for BARC over-etch time adjust with real-time process feedback

Номер патента: US20040253812A1. Автор: Christopher Baum,James Friedmann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

控制半導體裝置的閘極形成的方法及用於製造半導體裝置的系統

Номер патента: TW202137301A. Автор: 張長昀,尤志豪,彭裕鈞,許昶誌,曹修豪. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2021-10-01.

控制半導體裝置的閘極形成的方法及用於製造半導體裝置的系統

Номер патента: TWI804788B. Автор: 張長昀,尤志豪,彭裕鈞,許昶誌,曹修豪. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2023-06-11.

Methods of removing metal oxide using cleaning plasma

Номер патента: US20240167148A1. Автор: Rongjun Wang,Tsung-Han Yang,Shiyu Yue. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods of removing metal oxide using cleaning plasma

Номер патента: WO2024107384A1. Автор: Rongjun Wang,Tsung-Han Yang,Shiyu Yue. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

반도체소자의 감광막패턴 형성방법

Номер патента: KR20030002527A. Автор: 최선호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-09.

Method of forming carbon-based spacer for euv photoresist patterns

Номер патента: WO2023244560A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,John Sudijono,Mark Saly,Zeqing Shen,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Xinke WANG,Jiecong Tang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods of Forming Packages and Resulting Structures

Номер патента: US20230402429A1. Автор: Hung-Pin Chang,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Li-Han Hsu,Chien-Fu Tseng,Cheng-Hsien Hsieh,Yu Chieh Yung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

반도체소자의 미세패턴 형성방법

Номер патента: KR20020052487A. Автор: 유태준. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-07-04.

반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법

Номер патента: KR20050011871A. Автор: 남웅대. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-01-31.

Selective metal selectivity improvement with rf pulsing

Номер патента: US20240222192A1. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Aixi ZHANG,Xianyuan ZHAO,Zhimin QI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of minimizing via sidewall damages during dual damascene trench reactive ion etching in a via first scheme

Номер патента: SG170038A1. Автор: Hermann Wendt,Ravi Prakash Srivastava,Kaushik A Kumar,Nicholson M Lee. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-29.

Selective metal selectivity improvement with rf pulsing

Номер патента: WO2024147998A1. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Aixi ZHANG,Xianyuan ZHAO,Zhimin QI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

플래시 메모리 소자의 플로팅 게이트 형성 방법

Номер патента: KR20060079008A. Автор: 김인수. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-05.

Method of minimizing via sidewall damages during dual damascene trench reactive ion etching in a via first scheme

Номер патента: SG151170A1. Автор: Hermann Wendt,Ravi Prakash Srivastava,Kaushik A Kumar,Nicholson M Lee. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Methods for adjusting critical dimension uniformity in an etch process

Номер патента: SG153011A1. Автор: Changhun Lee,Guowen Ding,Teh-Tien Su. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-06-29.

Process for locating, displaying, analyzing, and optionally monitoring potential transient defect sites in one or more integrated circuit chips of a semiconductor substrate

Номер патента: US20060030061A1. Автор: Tony DiBiase. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-09.

Номер патента: RU2510632C1. Автор: Владимир Васильевич Сычев,Илья Викторович Тайдаков,Алексей Григорьевич Витухновский,Дмитрий Анатольевич Глубоков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН). Дата публикации: 2014-04-10.

Modeling critical-dimension (cd) scanning-electron-microscopy (cd-sem) cd extraction

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты