Cooled deposition baffle in high density plasma semiconductor processing
Номер патента: TWI305549B
Опубликовано: 21-01-2009
Автор(ы): Jozef Brcka, Mark Kleshock, Tim Provencher
Принадлежит: Tokyo Electron Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-01-2009
Автор(ы): Jozef Brcka, Mark Kleshock, Tim Provencher
Принадлежит: Tokyo Electron Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Cooled deposition baffle in high density plasma semiconductor processing
Номер патента: WO2004064113A2. Автор: Jozef Brcka,Tim Provencher,Mark Kieshock. Владелец: Tokyo Electron Arizona, Inc.. Дата публикации: 2004-07-29.