PROCEDE DE FORMATION D’UNE COUCHE DE CARBURE DE SILICIUM SUR UNE TRANCHE DE SILICIUM
Номер патента: EP1633911A2
Опубликовано: 15-03-2006
Автор(ы): Andre Leycuras
Принадлежит: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS
Опубликовано: 15-03-2006
Автор(ы): Andre Leycuras
Принадлежит: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS
Реферат: L'invention concerne un procédé de formation d'une couche de carbure de silicium (3, 4) sur une tranche de silicium (1), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : déposer un masque anti-carburation (2) sur la plaquette selon un motif sensiblement en damier ; procéder à une étape de carburation dans des conditions telles que la contrainte résiduelle soit de type en extension, respectivement en compression ; éliminer le masque ; procéder à une étape de carburation dans des conditions telles que la contrainte résiduelle soit de type en compression, respectivement en extension.
Procede d'obtention d'une couche de germanium ou silicium monocristallin sur un substrat de silicium ou germanium monocristallin, respectivement, et produits multicouches obtenus
Номер патента: FR2773177A1. Автор: Maurice Rivoire,Yves Campidelli,Daniel Bensahel,Caroline Hernandez. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1999-07-02.