Plasma cleaning of a CVD or etch reactor using helium for plasma stabilization
Номер патента: US5454903A
Опубликовано: 03-10-1995
Автор(ы): Charles Dornfest, Fred C. Redeker, John Y. Leong
Принадлежит: Applied Materials Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-10-1995
Автор(ы): Charles Dornfest, Fred C. Redeker, John Y. Leong
Принадлежит: Applied Materials Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
A method of determining the end point of a plasma cleaning operation
Номер патента: WO2001077406A2. Автор: Rao Venkateswara Annapragada. Владелец: Philips Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2001-10-18.