Etching Agent for Type II InAs/GaInSb Superlattice Epitaxial Materials
Номер патента: US20130122715A1
Опубликовано: 16-05-2013
Автор(ы): Edward H Aifer, Sergey I. Maximenko
Принадлежит: US Department of Navy
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-05-2013
Автор(ы): Edward H Aifer, Sergey I. Maximenko
Принадлежит: US Department of Navy
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Etching Agent for Type II InAs/GaInSb Superlattice Epitaxial Materials
Номер патента: US20130122715A1. Автор: Edward H Aifer,Sergey I. Maximenko. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2013-05-16.