Etching agent and method for producing circuit board
Номер патента: US20230407486A1
Опубликовано: 21-12-2023
Автор(ы): Dai NAKANE, Daisaku Akiyama, Kenji Nishie, Yu Fukui
Принадлежит: MEC Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-12-2023
Автор(ы): Dai NAKANE, Daisaku Akiyama, Kenji Nishie, Yu Fukui
Принадлежит: MEC Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Silicon nitride film of semiconductor element, and method and apparatus for producing silicon nitride film
Номер патента: EP2579300A4. Автор: Seiji Nishikawa. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-12-18.