METHOD OF MANUFACTURING VERTICAL PLANAR POWER MOSFET AND METHOD OF MANUFACTURING TRENCH-GATE POWER MOSFET
Номер патента: US20130189819A1
Опубликовано: 25-07-2013
Автор(ы): ABIKO Yuya, EGUCHI Satoshi, KOGURE Junichi
Принадлежит: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 25-07-2013
Автор(ы): ABIKO Yuya, EGUCHI Satoshi, KOGURE Junichi
Принадлежит: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Trench gate power mosfet
Номер патента: EP1947699A4. Автор: Yuji Watanabe,Kunihiko Oshima,Kazushige Matsuyama,Toshiyuki Takemori,Fuminori Sasaoka,Masato Itoi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-08.